JPS61209450A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS61209450A JPS61209450A JP60050042A JP5004285A JPS61209450A JP S61209450 A JPS61209450 A JP S61209450A JP 60050042 A JP60050042 A JP 60050042A JP 5004285 A JP5004285 A JP 5004285A JP S61209450 A JPS61209450 A JP S61209450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- resist
- thin film
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
、本発明は遠紫外光露光用マスクに関するものである。
従来の技術
現在、半導体回路のパターン転写には４０ｏ−近傍の紫
外光露光が主流となっている。しかし、素子の微細化に
伴って紫外光では回折の影響が著しいため、転写サイズ
が限界に来ている。これを解決する転写方法として遠紫
外光露光、Ｘ線露光。
外光露光が主流となっている。しかし、素子の微細化に
伴って紫外光では回折の影響が著しいため、転写サイズ
が限界に来ている。これを解決する転写方法として遠紫
外光露光、Ｘ線露光。
電子ビーム露光の研究がさかんに行われている。
しかし、Ｘ線、電子ビーム露光では装置が高価で、生産
性を満足するには至っていない。一方、遠紫外光露光で
は、従来の生産プロセスを用いることができ、Ｘ線、電
子ビーム露光に比べると装置が安価で、スループットが
高いと言う利点がある。
性を満足するには至っていない。一方、遠紫外光露光で
は、従来の生産プロセスを用いることができ、Ｘ線、電
子ビーム露光に比べると装置が安価で、スループットが
高いと言う利点がある。
しかし、遠紫外光は紫外光と同様に反射の影響が有り、
パターンがさらに微細化すると従来の金属パターンだけ
を用いたマスクでは、高精度のパターンを転写すること
が困難となる。
パターンがさらに微細化すると従来の金属パターンだけ
を用いたマスクでは、高精度のパターンを転写すること
が困難となる。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成ではパターンが微細化すると遠紫
外光の反射により高精度のパターンを転写することが困
難になるという問題があった。本発明はこのような問題
点を解決するものであり、遠紫外線の反射の影響を軽減
することができるマスクを作ることを目的とする。
外光の反射により高精度のパターンを転写することが困
難になるという問題があった。本発明はこのような問題
点を解決するものであり、遠紫外線の反射の影響を軽減
することができるマスクを作ることを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、ホトマスクとして、金属膜パターン上に、波
長３００ ｎ ｍ以下の光を９０％以上吸収する有機薄
膜を形成したものである。この有機薄膜には、ホトレジ
ストが実用され、とりわけ、ポリスチレン系ネガ型ホト
レジストが有効に利用できる。
長３００ ｎ ｍ以下の光を９０％以上吸収する有機薄
膜を形成したものである。この有機薄膜には、ホトレジ
ストが実用され、とりわけ、ポリスチレン系ネガ型ホト
レジストが有効に利用できる。
作 用
この構成により遠紫外光の反射の影響を軽減するマスク
を作ることができる。
を作ることができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例による高コントラストマスク
の断面図である。第１図で１は石英基板、２はクロム薄
膜、３は０．５μｍ厚の東洋ソーダ製ポリスチレン系ネ
ガレジスト、０ＭＳレジストである。０ＭＳレジストは
０．５μｍ塗布後１３０Ｃ。
の断面図である。第１図で１は石英基板、２はクロム薄
膜、３は０．５μｍ厚の東洋ソーダ製ポリスチレン系ネ
ガレジスト、０ＭＳレジストである。０ＭＳレジストは
０．５μｍ塗布後１３０Ｃ。
３０分プリベークしである。なお、このホトマスクを形
成する手順をのべると、まず、０ＭＳレジストを、電子
ビーム露光装置を用いて、露光量４μａ／ｃ４で露光し
た後、酢酸イソアミル：エチルセロソルブ＝１：３現像
液で３０秒現像し所定のパターン３を得る。
成する手順をのべると、まず、０ＭＳレジストを、電子
ビーム露光装置を用いて、露光量４μａ／ｃ４で露光し
た後、酢酸イソアミル：エチルセロソルブ＝１：３現像
液で３０秒現像し所定のパターン３を得る。
この後、０ＭＳレジストパターン３をマスクに下部のク
ロム薄膜のエツチング液に１分浸し、クロムパターン２
を形成し、純水で１０分間リンスし乾燥させる。
ロム薄膜のエツチング液に１分浸し、クロムパターン２
を形成し、純水で１０分間リンスし乾燥させる。
第２図に波長２００ｎｍ 〜３００ｎｍでの０ＭＳレジ
ストの吸光度特性を示す。このことから、マスク面での
遠紫外光による反射の一部は０ＭＳレジストに吸収され
、反射光の軽減をなし得ることがわかる。
ストの吸光度特性を示す。このことから、マスク面での
遠紫外光による反射の一部は０ＭＳレジストに吸収され
、反射光の軽減をなし得ることがわかる。
第３図に、従来の金属パターンだけのマスクと本発明で
製作したマスクを用いて、光出力１７ｍＷ／ｃｒｔｌ
＋露光時間４分で１ ｐｒｎ厚のＰ ＭＭＡ レジスト
を近接露光した後、メチルイソブチルケトン現像液で現
像を行った時の現像時間に対するパターン幅寸法の関係
を示す。ここでパターン設計値は２μｍである。これよ
り現像時間が増すにつれて従来のマスクを用いた場合、
本発明のマスクを用いた時よりパターン幅寸法の広がり
方が大きい。これは、従来のマスクでは未露光部が反射
光によシ多少露光されていることによる。
製作したマスクを用いて、光出力１７ｍＷ／ｃｒｔｌ
＋露光時間４分で１ ｐｒｎ厚のＰ ＭＭＡ レジスト
を近接露光した後、メチルイソブチルケトン現像液で現
像を行った時の現像時間に対するパターン幅寸法の関係
を示す。ここでパターン設計値は２μｍである。これよ
り現像時間が増すにつれて従来のマスクを用いた場合、
本発明のマスクを用いた時よりパターン幅寸法の広がり
方が大きい。これは、従来のマスクでは未露光部が反射
光によシ多少露光されていることによる。
本発明のホトマスクでは、金属膜パターン上に重ねる有
機薄膜パターンの光吸収性を波長３００ｎｍ以下で９０
％以上の吸収特性のものが実用できる。
機薄膜パターンの光吸収性を波長３００ｎｍ以下で９０
％以上の吸収特性のものが実用できる。
次にポジ形ホトレジストを有機薄膜に用いた時のマスク
の製作方法を第４図の工程順断面図によって示す。クロ
ム薄膜８を堆積した石英基板７上に、１μｍ厚のＰＭＭ
Ａレジスト９を塗布したところを第４図ａに示す。電子
ビーム１０を用いて露光量６４μａ／ｃｒｌで露光した
後、メチルイソブチルケトンで２分現像したところを第
４図すに示す。
の製作方法を第４図の工程順断面図によって示す。クロ
ム薄膜８を堆積した石英基板７上に、１μｍ厚のＰＭＭ
Ａレジスト９を塗布したところを第４図ａに示す。電子
ビーム１０を用いて露光量６４μａ／ｃｒｌで露光した
後、メチルイソブチルケトンで２分現像したところを第
４図すに示す。
ＰＭＭＡパターン１１をマスクにして、クロムのエツチ
ング液に２分浸しクロムをパターン設計値した時のクロ
ムパターン１２を第４図Ｃに示す。
ング液に２分浸しクロムをパターン設計値した時のクロ
ムパターン１２を第４図Ｃに示す。
この後、１７５Ｗ、３０分、ｏ２アッシングしてＰＭＭ
Ａレジストを除去したところを第４図ｄに示す。
Ａレジストを除去したところを第４図ｄに示す。
次にクロム面にポジ形フォトレジスト（例えば、東京応
化（社）製商品名０ＦＰＲ−８００）１３を０．６μｍ
塗布し、８０℃、２０分プリベークしたところを第４図
ｅに示す。裏面から紫外光１４を照射後、同０ＦＰＲ−
８００専用の現像液ＮＭＤ−３現像液で１分現像するこ
とで、クロムパターン上に０ＦＰＲ−８００レジストパ
ターン１６を形成できる。この時の断面図を第４図ｆに
示す。
化（社）製商品名０ＦＰＲ−８００）１３を０．６μｍ
塗布し、８０℃、２０分プリベークしたところを第４図
ｅに示す。裏面から紫外光１４を照射後、同０ＦＰＲ−
８００専用の現像液ＮＭＤ−３現像液で１分現像するこ
とで、クロムパターン上に０ＦＰＲ−８００レジストパ
ターン１６を形成できる。この時の断面図を第４図ｆに
示す。
このマスクを用いた場合も、第３図のような高コントラ
ストのパターン転写が可能である。
ストのパターン転写が可能である。
発明の効果
以上のように本発明のマスクは、金属パターン上に波長
３００ ｎｍ以下の光を９０％以上吸収する有機薄膜が
形成されている遠紫外光露光用マスクであって、本発明
によって遠紫外光の反射光を軽減することができ、高コ
ントラストのレジストパターンが形成できる。
３００ ｎｍ以下の光を９０％以上吸収する有機薄膜が
形成されている遠紫外光露光用マスクであって、本発明
によって遠紫外光の反射光を軽減することができ、高コ
ントラストのレジストパターンが形成できる。
第１図は本発明の一実施例ホトマスクの断面図、第２図
は本発明実施例に用いたポリスチレン系ネガ型レジスト
の波長２００ｎｍ〜３ｏｏｎｍでの吸光度特性図、第３
図は従来のマスクと本発明によるマスクを使って露光し
た時の現像時間に対するパターン幅の広がりを示す特性
図、第４図は有機薄膜にポジ形ホトレジス）ＯＦＰＲ−
８００レジストを用いた時のマスク製作方法を説明する
工順 程７断面図である。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・クロム薄膜マ
スクパターン、３・・・・・・ホトレジストパターン、
７・・・・・・石英基板、８・・・・・・クロム薄膜、
９・・・・・・ＰＭＭＡレジスト、１０・・・・・・電
子ビーム、１１・・・・・・ＰＭＭＡパターン、１２・
・・・・・クロムパターン、１３・・・、・・０ＦＤＲ
−ａＯＯレジスト、１４・・・・・・紫外光、１６・・
・・・・０ＦＰＲ−ＢＯＯレジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１泡中 ダー−−）。失墨Ｃμ（ 第 ２ 因 第３図 罠 イ虐ｋ Ｄぜテ 濶 （々ト） 第４図
は本発明実施例に用いたポリスチレン系ネガ型レジスト
の波長２００ｎｍ〜３ｏｏｎｍでの吸光度特性図、第３
図は従来のマスクと本発明によるマスクを使って露光し
た時の現像時間に対するパターン幅の広がりを示す特性
図、第４図は有機薄膜にポジ形ホトレジス）ＯＦＰＲ−
８００レジストを用いた時のマスク製作方法を説明する
工順 程７断面図である。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・クロム薄膜マ
スクパターン、３・・・・・・ホトレジストパターン、
７・・・・・・石英基板、８・・・・・・クロム薄膜、
９・・・・・・ＰＭＭＡレジスト、１０・・・・・・電
子ビーム、１１・・・・・・ＰＭＭＡパターン、１２・
・・・・・クロムパターン、１３・・・、・・０ＦＤＲ
−ａＯＯレジスト、１４・・・・・・紫外光、１６・・
・・・・０ＦＰＲ−ＢＯＯレジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１泡中 ダー−−）。失墨Ｃμ（ 第 ２ 因 第３図 罠 イ虐ｋ Ｄぜテ 濶 （々ト） 第４図
Claims (3)
- （１）金属膜パターン上に波長３００ｎｍ以下の光を９
０％以上吸収する有機薄膜が形成されているホトマスク
。 - （２）有機薄膜にポリスチレン系ネガ型レジストを用い
る特許請求の範囲第１項記載のホトマスク。 - （３）有機薄膜にポジ形ホトレジストを用いる特許請求
の範囲第１項記載のホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60050042A JPS61209450A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60050042A JPS61209450A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61209450A true JPS61209450A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=12847939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60050042A Pending JPS61209450A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61209450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204259A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | マスク |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP60050042A patent/JPS61209450A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204259A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | マスク |
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