JPH01302350A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH01302350A JPH01302350A JP63133913A JP13391388A JPH01302350A JP H01302350 A JPH01302350 A JP H01302350A JP 63133913 A JP63133913 A JP 63133913A JP 13391388 A JP13391388 A JP 13391388A JP H01302350 A JPH01302350 A JP H01302350A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
レジストパターン形成方法に関し、
十分な厚さと高解像性を備えたレジストパターンの形成
方法の提供を目的とし、 遠紫外光用レジストを基板上に塗布した後、該遠紫外光
用レジストの上にＸ線用レジストを塗布する工程と、 Ｘ線により露光した後、現像して前記ＸｙＡ用レジスト
にパターンを形成する工程と、 基板全面に遠紫外光を照射した後、現像することにより
前記遠紫外光用レジストにパターンを転写する工程とを
有することを含み構成する。
方法の提供を目的とし、 遠紫外光用レジストを基板上に塗布した後、該遠紫外光
用レジストの上にＸ線用レジストを塗布する工程と、 Ｘ線により露光した後、現像して前記ＸｙＡ用レジスト
にパターンを形成する工程と、 基板全面に遠紫外光を照射した後、現像することにより
前記遠紫外光用レジストにパターンを転写する工程とを
有することを含み構成する。
本発明は、光源にＸ線を用いたときのレジストパターン
形成方法、特に上層にＸ線用レジスト、下層に他のレジ
ストを設けた２層構造のレジストに対し行なうパターン
形成方法に関する。
形成方法、特に上層にＸ線用レジスト、下層に他のレジ
ストを設けた２層構造のレジストに対し行なうパターン
形成方法に関する。
近年の半導体の集積化に対する要求に伴い、リソグラフ
ィー技術によるレジストパターンの微細化が要求されて
いる。このため、従来の光を用いるリソグラフィー技術
においては多層レジスト法や、ＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒ
ａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）法など
のプロセスの改良および光源に使用される光の短波長化
（ｉ線、エキシマレーザ−）などいくつかの方法が提案
され成果も上がっている。
ィー技術によるレジストパターンの微細化が要求されて
いる。このため、従来の光を用いるリソグラフィー技術
においては多層レジスト法や、ＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒ
ａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）法など
のプロセスの改良および光源に使用される光の短波長化
（ｉ線、エキシマレーザ−）などいくつかの方法が提案
され成果も上がっている。
しかしながら、パターン寸法が０．５μｍ程度になって
くると回折の問題が極めて大きな問題となってくる。ま
た、短波長化に伴う焦点深度の浅さを補うためのプロセ
スの工程も複雑になってくる。
くると回折の問題が極めて大きな問題となってくる。ま
た、短波長化に伴う焦点深度の浅さを補うためのプロセ
スの工程も複雑になってくる。
そこで、サブミクロン（又は、ハーフミクロン）パター
ン形成に対する光源としては回折が少ないＸ線が現在量
も有望視されている。
ン形成に対する光源としては回折が少ないＸ線が現在量
も有望視されている。
〔従来の技術］
従来のＸ線によるパターン形成方法は、その−例を第２
図（ａ）に示すように、ＢＮ、 Ｓｉ、Ｎ、等の薄膜よ
りなるメンブレン１３ａとＡｕ、 Ｔａ等の金属よりな
る吸収体１３ｂとからなるマスク１３を用い、基板１１
（Ｓｉ、 ＧａＡｓ等）の上に塗布した単層のＸｉ、
ｌｉｔ用レジスト１２を露光し現像してレジストパター
ンを形成していた。
図（ａ）に示すように、ＢＮ、 Ｓｉ、Ｎ、等の薄膜よ
りなるメンブレン１３ａとＡｕ、 Ｔａ等の金属よりな
る吸収体１３ｂとからなるマスク１３を用い、基板１１
（Ｓｉ、 ＧａＡｓ等）の上に塗布した単層のＸｉ、
ｌｉｔ用レジスト１２を露光し現像してレジストパター
ンを形成していた。
ところが、露光に使用するＸ線のエネルギーは大きく、
Ｘ線の大部分（９５％以上）はＸ線用レジスト１２で吸
収されずに基板１１にまで達する。
Ｘ線の大部分（９５％以上）はＸ線用レジスト１２で吸
収されずに基板１１にまで達する。
さらに、吸収体１３ｂの吸収係数は波長に依存５、短波
長の光に対して透過性がよいため、Ｘ線の短波長成分は
吸収体１３ｂで吸収しきれず、その−部は基板１１にま
で達する。
長の光に対して透過性がよいため、Ｘ線の短波長成分は
吸収体１３ｂで吸収しきれず、その−部は基板１１にま
で達する。
基板１１に達したＸ線は基板原子と反応して、２次電子
やオージェ電子を放出する（第２図（ａ））。Ｘ線用レ
ジスト１２はこの基板１１より放出される電子とも反応
するので、マスク１３の吸収体１３ｂすれすれに入射し
てきたＸ線による２次電子（またはオージェ電子）によ
って、本来、吸収体１３ｂの直下にありＸ線の照射を受
けない部分まで露光されることになる。例えば、ポジ型
Ｘ線用レジスト１５を用いた場合、現像後のレジストパ
ターンにはアンダーカットが生じ（第２図（ｂ））、ネ
ガ型Ｘ線用レジスト１７を用いた場合、現像後のレジス
トパターンにはすそ引きが生じる（第２図（Ｃ））。特
にパターンが微細化されると、このアンダーカットやす
そ引きが大きな問題になる。
やオージェ電子を放出する（第２図（ａ））。Ｘ線用レ
ジスト１２はこの基板１１より放出される電子とも反応
するので、マスク１３の吸収体１３ｂすれすれに入射し
てきたＸ線による２次電子（またはオージェ電子）によ
って、本来、吸収体１３ｂの直下にありＸ線の照射を受
けない部分まで露光されることになる。例えば、ポジ型
Ｘ線用レジスト１５を用いた場合、現像後のレジストパ
ターンにはアンダーカットが生じ（第２図（ｂ））、ネ
ガ型Ｘ線用レジスト１７を用いた場合、現像後のレジス
トパターンにはすそ引きが生じる（第２図（Ｃ））。特
にパターンが微細化されると、このアンダーカットやす
そ引きが大きな問題になる。
そこで、この対策としてレジストを２層構造にしておく
方法がとられている。
方法がとられている。
第３図はこの方法によるポジ型レジストのパターン形成
の原理説明図であり、図において、２１は基板、２２は
樹脂、２３はＸ線用レジスト、２４はマスクである。以
下、同図に従って説明すると、まず、Ｘ線用レジスト２
３と基板２１との間にＸ線に反応せず、しかもｘ！！用
レジストの現像液に対して溶解しない樹脂２２（例えば
ポリイミド樹脂など）をあらかじめ塗布しておき、この
ウェハをＸ線で露光し現像する（同図（ａ））、なお、
下層の樹脂２２はＸ線に反応しないので、アンダーカン
トやすそ引きは生じない。
の原理説明図であり、図において、２１は基板、２２は
樹脂、２３はＸ線用レジスト、２４はマスクである。以
下、同図に従って説明すると、まず、Ｘ線用レジスト２
３と基板２１との間にＸ線に反応せず、しかもｘ！！用
レジストの現像液に対して溶解しない樹脂２２（例えば
ポリイミド樹脂など）をあらかじめ塗布しておき、この
ウェハをＸ線で露光し現像する（同図（ａ））、なお、
下層の樹脂２２はＸ線に反応しないので、アンダーカン
トやすそ引きは生じない。
その後、０．プラズマを用い、Ｘ線用レジスト２３をマ
スクにして下層の樹脂２２をエツチングする（同図（ｂ
））、このようにして、Ｘ線によって形成したレジスト
パターンを下層の樹脂２２に転写し、この樹脂２２を基
板エツチングのマスクとしていた（同図（ｃ））。
スクにして下層の樹脂２２をエツチングする（同図（ｂ
））、このようにして、Ｘ線によって形成したレジスト
パターンを下層の樹脂２２に転写し、この樹脂２２を基
板エツチングのマスクとしていた（同図（ｃ））。
しかし、この方法では０！プラズマを用いるために上層
のＸ線用レジスト２３と下層の樹脂２２とのエツチング
レートが大して違わないので、Ｘ線用レジスト２３を下
層の樹脂２２と同じ程度厚く形成する必要が生じる。従
って、基板エツチングのマスクを厚くシようとすると解
像度が低下し、解像度を上げようとするとマスクが薄く
なる。
のＸ線用レジスト２３と下層の樹脂２２とのエツチング
レートが大して違わないので、Ｘ線用レジスト２３を下
層の樹脂２２と同じ程度厚く形成する必要が生じる。従
って、基板エツチングのマスクを厚くシようとすると解
像度が低下し、解像度を上げようとするとマスクが薄く
なる。
半導体装置の集積化に伴って微細なパターンが要求され
るので解像度を下げることはできない。
るので解像度を下げることはできない。
従って、パターニングしたい基板２１のエツチングの際
にマスクとなる下層の樹脂２２ば薄くならざるを得ない
が、薄くしすぎるとマスクとしての機能を果たさなくな
るといった問題がある。
にマスクとなる下層の樹脂２２ば薄くならざるを得ない
が、薄くしすぎるとマスクとしての機能を果たさなくな
るといった問題がある。
本発明は、基板のエツチングに対し十分な厚さと高解像
性とを兼ね備えたレジストパターンの形成方法の提供を
目的とする。
性とを兼ね備えたレジストパターンの形成方法の提供を
目的とする。
上記目的は、遠紫外光用レジストを基板上に塗布した後
、該遠紫外光用レジストの上にＸ線用レジストを塗布す
る工程と、 Ｘ線により露光した後、現像して前記Ｘ線用レジストに
パターンを形成する工程と、 基板全面に遠紫外光を照射した後、現像することにより
前記遠紫外光用レジストにパターンを転写する工程とを
有することを特徴とするレジストパターン形成方法によ
り達成される。
、該遠紫外光用レジストの上にＸ線用レジストを塗布す
る工程と、 Ｘ線により露光した後、現像して前記Ｘ線用レジストに
パターンを形成する工程と、 基板全面に遠紫外光を照射した後、現像することにより
前記遠紫外光用レジストにパターンを転写する工程とを
有することを特徴とするレジストパターン形成方法によ
り達成される。
なお、下層の遠紫外光用レジストと上層のＸ線用レジス
トは共に同じｍＷのレジスト（ポジ型とポジ型、または
ネガ型とネガ型）を使用する。
トは共に同じｍＷのレジスト（ポジ型とポジ型、または
ネガ型とネガ型）を使用する。
ここで、基板とはＸ線を照射したとき、２次電子やオー
ジェ電子が発生する半導体基板や半導体膜およびその他
の導電膜をいう。
ジェ電子が発生する半導体基板や半導体膜およびその他
の導電膜をいう。
本発明では、Ｘ線用レジストの下層に設ける遠紫外光用
レジストは前記Ｘ線用レジストに比べ、照射するＸ線に
対して低感度であり、上層のＸ線用レジストが感光する
程度の露光量では反応しない。すなわち、基板より発生
する２次電子やオージェ電子とも反応しないので、第２
図（ｂ）又は（Ｃ）に示したようなアンダーカットやす
そ引きは発生しない。
レジストは前記Ｘ線用レジストに比べ、照射するＸ線に
対して低感度であり、上層のＸ線用レジストが感光する
程度の露光量では反応しない。すなわち、基板より発生
する２次電子やオージェ電子とも反応しないので、第２
図（ｂ）又は（Ｃ）に示したようなアンダーカットやす
そ引きは発生しない。
さらに、遠紫外光用レジストの厚さはＸ線用レジストの
厚さによらず、変更可能である。従って、下地基板のエ
ツチングに対してマスクとなるレジストの厚さがＵＦ４
節できるようになる。
厚さによらず、変更可能である。従って、下地基板のエ
ツチングに対してマスクとなるレジストの厚さがＵＦ４
節できるようになる。
第１図は本発明の実施例に係るポジ型レジストパターン
形成工程の説明図である０図において、１はＳｉ、 Ｇ
ａＡｓなどの基板、２は基板１の上に設けた遠紫外光用
レジスト、例えば、ＰＭＩＰＫ（ポリメチルイソプロペ
ニルケトン十安息香酸誘導体）： ０ＤＵＲ−１０１０
または１０３０ （東京応化型）など、３は遠紫外光用
レジスト２の上層に設けたレジスト、例えば、ＮＰＲ（
ノボラック樹脂子ＰＭＰＳ（ポリ−２−メチルペンテン
スルホン酸））： ＲＥ５０００Ｐ （日立化成製）な
ど、４はＢＮ、 ５ｉＪ４などのメンブレン４ａとＡｕ
、 Ｔａなどの吸収体４ｂよりなるマスクである。
形成工程の説明図である０図において、１はＳｉ、 Ｇ
ａＡｓなどの基板、２は基板１の上に設けた遠紫外光用
レジスト、例えば、ＰＭＩＰＫ（ポリメチルイソプロペ
ニルケトン十安息香酸誘導体）： ０ＤＵＲ−１０１０
または１０３０ （東京応化型）など、３は遠紫外光用
レジスト２の上層に設けたレジスト、例えば、ＮＰＲ（
ノボラック樹脂子ＰＭＰＳ（ポリ−２−メチルペンテン
スルホン酸））： ＲＥ５０００Ｐ （日立化成製）な
ど、４はＢＮ、 ５ｉＪ４などのメンブレン４ａとＡｕ
、 Ｔａなどの吸収体４ｂよりなるマスクである。
以下、図に従いポジ型レジストのパターン形成を説明す
る。
る。
まず、基板１の上に遠紫外光用レジスト２およびＸ線用
レジスト３を設ける。このような２Ｎ構造を持つウェハ
に対し、マスク４を介してＸ線露光を行なう（同図（ａ
））。この際、Ｘ線用レジスト３のＸ線に対する感度は
、下層の遠紫外光用レジストのそれに比べて高い。従っ
て、Ｘ線露光時において照射Ｘ線がＸ線用レジスト３を
透過しても、下層の遠紫外充用レジスト２は、Ｘ線用レ
ジスト３が反応する程度の露光量では分解反応はほとん
ど生じない。すなわち、基板から放射される２次電子（
またはオージェ電子）とも反応しない。結局、現像する
と上層のＸ線用レジスト３のみがパターン形成される（
同図（ｂ））。
レジスト３を設ける。このような２Ｎ構造を持つウェハ
に対し、マスク４を介してＸ線露光を行なう（同図（ａ
））。この際、Ｘ線用レジスト３のＸ線に対する感度は
、下層の遠紫外光用レジストのそれに比べて高い。従っ
て、Ｘ線露光時において照射Ｘ線がＸ線用レジスト３を
透過しても、下層の遠紫外充用レジスト２は、Ｘ線用レ
ジスト３が反応する程度の露光量では分解反応はほとん
ど生じない。すなわち、基板から放射される２次電子（
またはオージェ電子）とも反応しない。結局、現像する
と上層のＸ線用レジスト３のみがパターン形成される（
同図（ｂ））。
次に、このパターン形成されたＸ線用レジストをマスク
にして遠紫外光を照射する（同図（Ｃ））、遠紫外光は
、Ｘ線用レジスト３に対してその透過率がそれ程高くな
いので、上層にＸ線用レジストがある部分では、その大
部分はＸ線用レジスト３に吸収され、下層の遠紫外光用
レジスト２まで到達しない、このため、上層にＸ線用レ
ジストがない部分の遠紫外光用レジストが十分反応する
のに必要な露光量があたえられても、上層にＸ線用レジ
ストがある部分の遠紫外光用レジストは、はとんど反応
しない。
にして遠紫外光を照射する（同図（Ｃ））、遠紫外光は
、Ｘ線用レジスト３に対してその透過率がそれ程高くな
いので、上層にＸ線用レジストがある部分では、その大
部分はＸ線用レジスト３に吸収され、下層の遠紫外光用
レジスト２まで到達しない、このため、上層にＸ線用レ
ジストがない部分の遠紫外光用レジストが十分反応する
のに必要な露光量があたえられても、上層にＸ線用レジ
ストがある部分の遠紫外光用レジストは、はとんど反応
しない。
続いて、遠紫外光用レジストを現像すると、Ｘ線用レジ
ストのない部分の遠紫外光用レジストは溶解し、Ｘ線用
レジストのある部分の遠紫外光用レジストは溶解しない
、この結果、上層のＸ線用レジストに忠実なパターンが
形成できる（同図（ｄ））。
ストのない部分の遠紫外光用レジストは溶解し、Ｘ線用
レジストのある部分の遠紫外光用レジストは溶解しない
、この結果、上層のＸ線用レジストに忠実なパターンが
形成できる（同図（ｄ））。
この遠紫外光で露光するときマスクとしてのＸ線用レジ
スト３は遠紫外光用レジスト２に接しているためにギャ
ップが事実上Ｏとなり、回折の影響が少なくなり解像性
が向上する。
スト３は遠紫外光用レジスト２に接しているためにギャ
ップが事実上Ｏとなり、回折の影響が少なくなり解像性
が向上する。
さらに、遠紫外光用レジストの厚さはＸ線用レジストの
厚さによらずに決められるので、この遠紫外充用レジス
トの厚さを変えることにより、下地基板のエツチングに
対するマスクの厚さを自由に変更できるようになる。
厚さによらずに決められるので、この遠紫外充用レジス
トの厚さを変えることにより、下地基板のエツチングに
対するマスクの厚さを自由に変更できるようになる。
このように本発明によれば、下地基板のエッチングに対
して十分な厚さと高解像度を兼ね備えたレジストパター
ンが形成できるようになり、微細パターンの形成に効果
がある。
して十分な厚さと高解像度を兼ね備えたレジストパター
ンが形成できるようになり、微細パターンの形成に効果
がある。
なお、本実施例ではポジ型レジストについて説明したが
、ネガ型レジストに対しても本発明は適用できる。例え
ば、Ｘ線用レジストとしてＣＭＳ（ポリメチルスチレン
）： ＣＭＳ−ＳＳ （Ｃ Ｉ化率９０％）（東ソー製
）、遠紫外光用レジストとしてポリビニルフェノール樹
脂士ビスアジド化合物： Ｒ Ｖ −２０００Ｎ （日
立化成製）またはフェノール・ノボラソク樹脂＋ビスア
ジド化合物：ＯＤＵＲ−１２０ （東京応化製）を使
用して高解像度パターンの形成が可能である。
、ネガ型レジストに対しても本発明は適用できる。例え
ば、Ｘ線用レジストとしてＣＭＳ（ポリメチルスチレン
）： ＣＭＳ−ＳＳ （Ｃ Ｉ化率９０％）（東ソー製
）、遠紫外光用レジストとしてポリビニルフェノール樹
脂士ビスアジド化合物： Ｒ Ｖ −２０００Ｎ （日
立化成製）またはフェノール・ノボラソク樹脂＋ビスア
ジド化合物：ＯＤＵＲ−１２０ （東京応化製）を使
用して高解像度パターンの形成が可能である。
〔発明の効果］
本発明によれば、Ｘ線用レジストの下層に遠紫外光用レ
ジストを設け、該遠紫外光用レジストのパターン形成は
、既にパターニングされた前記Ｘ線用レジストをマスク
に回折の影口の極めて少ない状態で露光したのち現像を
行なうので、アンダーカノトやすそ引きのない高解像度
パターンが形成できる。また、遠紫外光用レジストの厚
さを変えることにより、パターンの厚さも変更可能であ
る。
ジストを設け、該遠紫外光用レジストのパターン形成は
、既にパターニングされた前記Ｘ線用レジストをマスク
に回折の影口の極めて少ない状態で露光したのち現像を
行なうので、アンダーカノトやすそ引きのない高解像度
パターンが形成できる。また、遠紫外光用レジストの厚
さを変えることにより、パターンの厚さも変更可能であ
る。
従って、十分な厚さと高解度を兼ね備えたレジストパタ
ーンが形成できるようになり、微細パターンの形成に効
果がある。
ーンが形成できるようになり、微細パターンの形成に効
果がある。
第１図は、本発明の実施例に係るポジ型レジストのパタ
ーン形成工程の説明図、 第２図は、従来例に係るパターン形成の説明図、第３図
は、従来例に係るボジ型レジストのパターン形成の原理
説明図である。 （符号の説明） ■・・・基板、 ２・・・遠紫外光用レジスト、 ３・・・Ｘ線用レジスト、 ４・・・マスク、 ４ａ・・・メンブレン、 ４ｂ・・・吸収体。
ーン形成工程の説明図、 第２図は、従来例に係るパターン形成の説明図、第３図
は、従来例に係るボジ型レジストのパターン形成の原理
説明図である。 （符号の説明） ■・・・基板、 ２・・・遠紫外光用レジスト、 ３・・・Ｘ線用レジスト、 ４・・・マスク、 ４ａ・・・メンブレン、 ４ｂ・・・吸収体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 遠紫外光用レジストを基板上に塗布した後、該遠紫外
光用レジストの上にＸ線用レジストを塗布する工程と、 Ｘ線により露光した後、現像して前記Ｘ線用レジストに
パターンを形成する工程と、 基板全面に遠紫外光を照射した後、現像することにより
前記遠紫外光用レジストにパターンを転写する工程とを
有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133913A JPH01302350A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133913A JPH01302350A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302350A true JPH01302350A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15116021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63133913A Pending JPH01302350A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302350A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02171754A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法 |
| EP1176468A1 (fr) * | 2000-07-26 | 2002-01-30 | France Telecom | Résine, bi-couche de résine pour photolithographie dans l'extrême ultraviolet (EUV) et procédé de photolithogravure en extrême ultraviolet (EUV) |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63133913A patent/JPH01302350A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02171754A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法 |
| EP1176468A1 (fr) * | 2000-07-26 | 2002-01-30 | France Telecom | Résine, bi-couche de résine pour photolithographie dans l'extrême ultraviolet (EUV) et procédé de photolithogravure en extrême ultraviolet (EUV) |
| FR2812450A1 (fr) * | 2000-07-26 | 2002-02-01 | France Telecom | Resine, bi-couche de resine pour photolithographie dans l'extreme ultraviolet (euv) et procede de photolithogravure en extreme ultraviolet (euv) |
| US6653054B2 (en) * | 2000-07-26 | 2003-11-25 | FRANCE TéLéCOM | Resin, a double resin layer for extreme ultraviolet light (EUV) photolithography, and an extreme ultraviolet light (EUV) photolithography process |
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