JPS58153932A - 写真蝕刻方法 - Google Patents
写真蝕刻方法Info
- Publication number
- JPS58153932A JPS58153932A JP57037720A JP3772082A JPS58153932A JP S58153932 A JPS58153932 A JP S58153932A JP 57037720 A JP57037720 A JP 57037720A JP 3772082 A JP3772082 A JP 3772082A JP S58153932 A JPS58153932 A JP S58153932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- far
- patterns
- thickness
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は大規模集積回路の製造プロセスのフォトリソ工
程に関するものである。
程に関するものである。
大規模集積回路の集積度拡増大の一途である。
２ページ
最小線幅も１μｍ前後となり、この線巾をリソグラフィ
で達成するには■紫外線を用いた投影法、０１ｇを用い
たグロキシミテイ露光あるいは電子ビームを用いた直接
描画法などがある。しかし、いずれの方法も描画速度を
犠牲にすることなく良好な線幅制御と高解像度及び良好
な段差部のカバレジを同時に得ることは困難である。
で達成するには■紫外線を用いた投影法、０１ｇを用い
たグロキシミテイ露光あるいは電子ビームを用いた直接
描画法などがある。しかし、いずれの方法も描画速度を
犠牲にすることなく良好な線幅制御と高解像度及び良好
な段差部のカバレジを同時に得ることは困難である。
以下、従来例を第１図を用いて説明する。まず、基板１
上に段差２ａ、２ｂがある場合、パターン形成を行う際
のレジスト３塗布後の表面段面はレジスト８膜厚は均一
とならず、カバレジが劣化する。（第１図ａ）次に、段
差２ｍ、２ｂ間に窓開けをするパターン形成を行なうと
、光の回折及びレジスト８膜厚の不均一性によって、い
わゆる像のボケが生・じる。窓開は部４部は解像不可能
という結果になす窓開けが充分になされないと云う状態
になる。（第１図ｂ） 第２図は基板′上に段差ライフ２″・′がありその上に
レジストパターンライン６．６を形成した後の上面図で
ある。同図から明らかな様に、３ページ 段差部でいわゆるネッキング・ダウン５１Ｌ、６１Ｌが
発生し、極端あるいは微細パターンの場合では断線とい
う結果を招く。一方、段差２ｍ、２娶間の谷部ではふく
らみ５ｂｔ ｅｂが発生し、隣接するパターンとの短
絡という結果となる。
上に段差２ａ、２ｂがある場合、パターン形成を行う際
のレジスト３塗布後の表面段面はレジスト８膜厚は均一
とならず、カバレジが劣化する。（第１図ａ）次に、段
差２ｍ、２ｂ間に窓開けをするパターン形成を行なうと
、光の回折及びレジスト８膜厚の不均一性によって、い
わゆる像のボケが生・じる。窓開は部４部は解像不可能
という結果になす窓開けが充分になされないと云う状態
になる。（第１図ｂ） 第２図は基板′上に段差ライフ２″・′がありその上に
レジストパターンライン６．６を形成した後の上面図で
ある。同図から明らかな様に、３ページ 段差部でいわゆるネッキング・ダウン５１Ｌ、６１Ｌが
発生し、極端あるいは微細パターンの場合では断線とい
う結果を招く。一方、段差２ｍ、２娶間の谷部ではふく
らみ５ｂｔ ｅｂが発生し、隣接するパターンとの短
絡という結果となる。
以上のように、実際の大規模集積回路では様々な段差を
有することが多く、微細領域でのパターニングはフラッ
ト基板では間−とならない寸法領域であっても非常に困
難な問題で１娶る。
有することが多く、微細領域でのパターニングはフラッ
ト基板では間−とならない寸法領域であっても非常に困
難な問題で１娶る。
本発明は多層的にレジストを塗布することによって、表
面段差を緩和し、この上に薄い紫外線領域に感光反応を
もつレジスト（以下ＵＶレジスト）を塗布することによ
り、微細パターンを形成出来るサブミクロン形成技術を
提供しようとするものである。′ 以下、本発明に係る写真蝕刻方法を第８図を用いて詳細
に説明する。まず、基板１１上にＰｏ１ｙ８ｉの如き段
差１２１Ｌ、１２ｂ’（ｉ４μする。（第３スミ）次に
、第１のＤ・・ｐＵＶレジス、ト１ａ（例えばｐｍｘｐ
ｘ）ｔ−１〜２ｐｍｌｌに塗布°する。（第３図特開昭
５８−１５３９３２（２）ゞ ｂ）更に、第１のＤ・・ｐＵＶレジスト１ａ上ニ第２の
ＤｅｅｐＵＶ １４ （例えばＰＭＩＰＫ） ′ｆｒ０
．６〜１７４ｍ厚に塗布する。次に、第３のＤｅｅｐ
Ｕ ＶレジスＭ６（例えばＰＭＩＰＫ）をほぼ平坦にな
るように０・５μｍ厚に塗布する。（第３図Ｏ）この後
、感光性を有するレジスト１６例えば、通常のＴＪｖレ
ジストを塗布する。ここではジアゾ系レジストであるム
２１４７０希釈レジストを０．２〜０．５μｍ厚に塗布
した。（第３図ｄ）そして、最上層のＵＶレジスト１６
のフォトリソ工程を行ない、ＵＶレジストパターン１６
１Ｌ、１６ｂを形成する。（第３図６）ここで、パター
ン６＆、ｅｂ間はレジスト厚が薄くかつ段差が解消さｎ
ているためサブミクロンパターンの形成が可能となる。
面段差を緩和し、この上に薄い紫外線領域に感光反応を
もつレジスト（以下ＵＶレジスト）を塗布することによ
り、微細パターンを形成出来るサブミクロン形成技術を
提供しようとするものである。′ 以下、本発明に係る写真蝕刻方法を第８図を用いて詳細
に説明する。まず、基板１１上にＰｏ１ｙ８ｉの如き段
差１２１Ｌ、１２ｂ’（ｉ４μする。（第３スミ）次に
、第１のＤ・・ｐＵＶレジス、ト１ａ（例えばｐｍｘｐ
ｘ）ｔ−１〜２ｐｍｌｌに塗布°する。（第３図特開昭
５８−１５３９３２（２）ゞ ｂ）更に、第１のＤ・・ｐＵＶレジスト１ａ上ニ第２の
ＤｅｅｐＵＶ １４ （例えばＰＭＩＰＫ） ′ｆｒ０
．６〜１７４ｍ厚に塗布する。次に、第３のＤｅｅｐ
Ｕ ＶレジスＭ６（例えばＰＭＩＰＫ）をほぼ平坦にな
るように０・５μｍ厚に塗布する。（第３図Ｏ）この後
、感光性を有するレジスト１６例えば、通常のＴＪｖレ
ジストを塗布する。ここではジアゾ系レジストであるム
２１４７０希釈レジストを０．２〜０．５μｍ厚に塗布
した。（第３図ｄ）そして、最上層のＵＶレジスト１６
のフォトリソ工程を行ない、ＵＶレジストパターン１６
１Ｌ、１６ｂを形成する。（第３図６）ここで、パター
ン６＆、ｅｂ間はレジスト厚が薄くかつ段差が解消さｎ
ているためサブミクロンパターンの形成が可能となる。
尚、フォトリソ工程でのＵＹ熱照射よって、Ｄ・・ｐＵ
ｖレジスＭ３〜１６の感光反応はありえない。最後に、
Ｄｅｅｐ ＵＶ１３〜１６に遠紫外線、を照射する。こ
の際、ＵＶ１１ニ レジストパターン１６亀、１６ｂ下のＩ）ｅｅｐｔｌＶ
レジ／１１４〜１ＢはＵｖＬ／ジス、） １６ ｙｃ
ＤｅｅｐＵＶ領域の波長を吸収されてしま−うため・１
、感光反応は６ベーン まったくなく、露出したＤ・・ｐＵＶレジスト面のみが
感光反応し、現像除去することによって、ＵＶレジスト
のサブ・ミクロンパターンを転写することが可能となっ
た。（第３図ｆ） 尚、平坦化に用いたレジストと、最上層に用いるレジス
トとの関係は感光領域に重ね合うことのないものを、あ
るい祉感光強度に大きく差のあるものを使用丁ｎば問題
なく、★施例に用いた事例は一例にすぎない。
ｖレジスＭ３〜１６の感光反応はありえない。最後に、
Ｄｅｅｐ ＵＶ１３〜１６に遠紫外線、を照射する。こ
の際、ＵＶ１１ニ レジストパターン１６亀、１６ｂ下のＩ）ｅｅｐｔｌＶ
レジ／１１４〜１ＢはＵｖＬ／ジス、） １６ ｙｃ
ＤｅｅｐＵＶ領域の波長を吸収されてしま−うため・１
、感光反応は６ベーン まったくなく、露出したＤ・・ｐＵＶレジスト面のみが
感光反応し、現像除去することによって、ＵＶレジスト
のサブ・ミクロンパターンを転写することが可能となっ
た。（第３図ｆ） 尚、平坦化に用いたレジストと、最上層に用いるレジス
トとの関係は感光領域に重ね合うことのないものを、あ
るい祉感光強度に大きく差のあるものを使用丁ｎば問題
なく、★施例に用いた事例は一例にすぎない。
以上のように、多層レジストによってサブミクロンパタ
ーンを形成したのち、ドライエツチング技術によって基
板をエツチングする際に社、充分なる膜厚があるため耐
ドライエツチング性としては大きな効果が上げらｎる。
ーンを形成したのち、ドライエツチング技術によって基
板をエツチングする際に社、充分なる膜厚があるため耐
ドライエツチング性としては大きな効果が上げらｎる。
また、平坦化する際による塗布回数は実際のレジスト選
定、基板の種類によって異なることは当然である。
定、基板の種類によって異なることは当然である。
以上、本発明はサブミクロンノミターン形成を容易に実
現出来るの“で、大規模集積回路の集積度向上に大きく
寄与する。
現出来るの“で、大規模集積回路の集積度向上に大きく
寄与する。
６ページ
第１図ａ、 ｂは従来の写真蝕刻方法を示す工程断面
図、第２図は従来法により形成さｎたレジストパターン
を示す上面図、第３図１〜ｆは本発明に係る写真蝕刻方
法管示す工程断面図である。 １１・・・・・・基板、１２１Ｌ、１２ｂ・旧・・段差
、１３〜１６・・・・・・Ｄ・・ｐＵｖＵＶレジスト６
・・・・・・ＵＶレジスト。
図、第２図は従来法により形成さｎたレジストパターン
を示す上面図、第３図１〜ｆは本発明に係る写真蝕刻方
法管示す工程断面図である。 １１・・・・・・基板、１２１Ｌ、１２ｂ・旧・・段差
、１３〜１６・・・・・・Ｄ・・ｐＵｖＵＶレジスト６
・・・・・・ＵＶレジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｏ）基板上に遠紫外線領域に感光反応を有する第１のレ
ジストを平坦に塗布する工程と、前記遠紫外線領域上に
紫外線領域に感光反応を有する第２のレジストを塗布す
る工程と、前記第２のレジストに紫外線を照射して一望
パターンを形成するフォトリソ工程と、前記所望パター
ンをマスクにして前記第１のレジストに遠紫外線管照射
して現像処理する工程を備えたことを特徴とする写真蝕
刻方法。 ＠）第１のレジストは複数回にわたり塗布されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の写真蝕刻方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037720A JPS58153932A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 写真蝕刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037720A JPS58153932A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 写真蝕刻方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153932A true JPS58153932A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12505341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037720A Pending JPS58153932A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 写真蝕刻方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116132A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS60230650A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-16 | Shimadzu Corp | 微細パタ−ンの製作法 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP57037720A patent/JPS58153932A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116132A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH0318179B2 (ja) * | 1983-11-29 | 1991-03-11 | Fujitsu Ltd | |
| JPS60230650A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-16 | Shimadzu Corp | 微細パタ−ンの製作法 |
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