JPS5914888B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5914888B2 JPS5914888B2 JP56054109A JP5410981A JPS5914888B2 JP S5914888 B2 JPS5914888 B2 JP S5914888B2 JP 56054109 A JP56054109 A JP 56054109A JP 5410981 A JP5410981 A JP 5410981A JP S5914888 B2 JPS5914888 B2 JP S5914888B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- photoresist
- exposure amount
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリソグラフィーを用いたパターン形成方法に関
する。
する。
まず、従来行われているホトリソグラフィーを用いたパ
ターン形成方法を説明する。
ターン形成方法を説明する。
第１図ａ、ｂは従来のホトリソグラフィーの方法を説明
するための断面図で、第１図ａに示す如く、まず被加工
材料１の一方の表面２に所要の厚みのホトレジスト層３
を全面に塗布する。
するための断面図で、第１図ａに示す如く、まず被加工
材料１の一方の表面２に所要の厚みのホトレジスト層３
を全面に塗布する。
次にその表面の−部をホトマスク４で被覆し、光源（図
示せず）より有る波長を有する光５を照射して、ホトマ
スク４の透過部分のホトレジスト層３を感光させる。そ
の結果、第１図ｂＶＣ示す如く、使用したホトマスクと
同−形状のパターン６を蝕刻できる。この場合目的とす
るパターンをホトレジスト上に蝕刻する為には露光する
光の露光量は、ホトレジストの露光の最適条件、すなわ
ち適正露光量が５ 必要とされる。
示せず）より有る波長を有する光５を照射して、ホトマ
スク４の透過部分のホトレジスト層３を感光させる。そ
の結果、第１図ｂＶＣ示す如く、使用したホトマスクと
同−形状のパターン６を蝕刻できる。この場合目的とす
るパターンをホトレジスト上に蝕刻する為には露光する
光の露光量は、ホトレジストの露光の最適条件、すなわ
ち適正露光量が５ 必要とされる。
この適正露光量で露光された時に始めて設計されたパタ
ーンと同様のパターンがホトレジストに精密に蝕刻され
、所定のパノーンとして得られる。適正露光量から外れ
た場合すなわち、露光量が多過ぎるとオーバー露光とな
わ少な１０い場合け露光不足となＦ）、出来土つたパタ
ーンに、にじみやぼけなどが発生し、精密なパターンが
得られない。この様に従来方法のパノーン露光方法では
適正露光量の露光条件のもとで露光され、使用したホト
マスクパターンと同一のパ′−ンしか１５得られないと
いう欠点を有している。本発明は斜上の従来の欠点を除
去するもので、その目的はホトマスクを使用せずにパノ
ーンを形成出来るパターン形成方法を提供することにあ
る。
ーンと同様のパターンがホトレジストに精密に蝕刻され
、所定のパノーンとして得られる。適正露光量から外れ
た場合すなわち、露光量が多過ぎるとオーバー露光とな
わ少な１０い場合け露光不足となＦ）、出来土つたパタ
ーンに、にじみやぼけなどが発生し、精密なパターンが
得られない。この様に従来方法のパノーン露光方法では
適正露光量の露光条件のもとで露光され、使用したホト
マスクパターンと同一のパ′−ンしか１５得られないと
いう欠点を有している。本発明は斜上の従来の欠点を除
去するもので、その目的はホトマスクを使用せずにパノ
ーンを形成出来るパターン形成方法を提供することにあ
る。
レ土図面を参照して本発明を詳細に説明する。２０第２
図ａ乃至第２図ｄは、本発明を説明するための概略断面
図である。
図ａ乃至第２図ｄは、本発明を説明するための概略断面
図である。
第２図ａに示すように被加工材料１の一方の表面２に塗
布されたホトレジスト３土に露光ビームＴを照射する。
その結果第２図ｂのようにパターンＴが形成される。２
５なお、ビーム状の光Ｔと被加工材料１の一方の表面２
にホトレジスト３を塗布された被加工材料１とを相対的
に移動させて、適正露光量以下の露光量で複数回露光を
加えれば第２図ｃに示すような適正露光量露光された部
分がパノーン９としてｎ蝕刻できる。
布されたホトレジスト３土に露光ビームＴを照射する。
その結果第２図ｂのようにパターンＴが形成される。２
５なお、ビーム状の光Ｔと被加工材料１の一方の表面２
にホトレジスト３を塗布された被加工材料１とを相対的
に移動させて、適正露光量以下の露光量で複数回露光を
加えれば第２図ｃに示すような適正露光量露光された部
分がパノーン９としてｎ蝕刻できる。
第２図ｄはビーム状の光Ｔを被加工材料１の一方の表面
２にホトレジスト３を塗布し通常の方法で乾燥してた後
、ビーム状の光Ｔを複数回照射し、被加工材料１とビー
ム状の光Ｔを相対的に移動させ、適正露光量露光さｔｌ
た部分、すｘ なわち露光された複合部分がパターン１
０として蝕刻される。このようにして、収束されたビー
ムの大きさで蝕刻されるパターンが決まり、ビームーハ
と被加工材料を相対的に移動させ、適正露光量以下の露
光を複数回行い適正露光量に達した部分をパノーンとし
て形成でき、又ビームを収束させるピットを変化させて
、ビームスポツトの面積及び強度を変化させることによ
つて蝕刻できるパ汐一ンの寸法も自由に変えられる。
２にホトレジスト３を塗布し通常の方法で乾燥してた後
、ビーム状の光Ｔを複数回照射し、被加工材料１とビー
ム状の光Ｔを相対的に移動させ、適正露光量露光さｔｌ
た部分、すｘ なわち露光された複合部分がパターン１
０として蝕刻される。このようにして、収束されたビー
ムの大きさで蝕刻されるパターンが決まり、ビームーハ
と被加工材料を相対的に移動させ、適正露光量以下の露
光を複数回行い適正露光量に達した部分をパノーンとし
て形成でき、又ビームを収束させるピットを変化させて
、ビームスポツトの面積及び強度を変化させることによ
つて蝕刻できるパ汐一ンの寸法も自由に変えられる。
次に本発明の実施例をよジ具体的にポジノィプレジスト
を使用した場合を例にして説明する。
を使用した場合を例にして説明する。
第２図ｄの被加工材料１の一方の表面２にホトレジスト
３（ＡＺ−１３５０商品名）を６０００Ａの厚さに塗布
し通常の方法で乾燥したのち、ビームの直径が５μｍの
光７を用いてホトレジスト３を６秒間露光する。露光後
基板１とビーム７を相対的ＶＣ２ｌｅｍ移動しビーム７
で移動した部分を６秒間露光する。露光後現像をして重
複して露光された部分がパターン１０として蝕刻される
。初めに露光されたビーム７の光の露光量は６秒露光す
ることによりホトレジスト３の半分の厚さ３０００Ａま
で露光される量で適正露光量の半分の量である。この露
光Ｊ程をもう１度行い２Ｉ＄ｌ移動して重複した３μｍ
の部分が適正露光となｖパターン１０として蝕刻される
。この蝕刻されるパターンの大きさは、露光に用いるビ
ーム７のビーム径の収束の仕方や被加工材料１とビーム
７を相対的に移動し、重複して露光された部分が適正露
光量になるようにすれば形状も自由に蝕亥１することが
できる。
３（ＡＺ−１３５０商品名）を６０００Ａの厚さに塗布
し通常の方法で乾燥したのち、ビームの直径が５μｍの
光７を用いてホトレジスト３を６秒間露光する。露光後
基板１とビーム７を相対的ＶＣ２ｌｅｍ移動しビーム７
で移動した部分を６秒間露光する。露光後現像をして重
複して露光された部分がパターン１０として蝕刻される
。初めに露光されたビーム７の光の露光量は６秒露光す
ることによりホトレジスト３の半分の厚さ３０００Ａま
で露光される量で適正露光量の半分の量である。この露
光Ｊ程をもう１度行い２Ｉ＄ｌ移動して重複した３μｍ
の部分が適正露光となｖパターン１０として蝕刻される
。この蝕刻されるパターンの大きさは、露光に用いるビ
ーム７のビーム径の収束の仕方や被加工材料１とビーム
７を相対的に移動し、重複して露光された部分が適正露
光量になるようにすれば形状も自由に蝕亥１することが
できる。
以上ポジタイプレジストの場合を例にして説明したがネ
ガノイプレジストでも同様なる結果が得られるので説明
は省略する。
ガノイプレジストでも同様なる結果が得られるので説明
は省略する。
以±説明したように本発明のマスク露光法は、感度に達
しない露光を少くとも複数回行う程をへてパ汐一ンを蝕
刻するので、従来多くの種類と枚数が必要とされていた
ホトマスクと、ホトマスクを製作する際の繁雑な工程を
経て作られている製作時間と経費が減ジ、更に光を使用
したホトリソグラフイ一だけでなく、Ｘ線露光、電子ビ
ーム露光等にも適用できるので工業的に多大の価値を有
している。
しない露光を少くとも複数回行う程をへてパ汐一ンを蝕
刻するので、従来多くの種類と枚数が必要とされていた
ホトマスクと、ホトマスクを製作する際の繁雑な工程を
経て作られている製作時間と経費が減ジ、更に光を使用
したホトリソグラフイ一だけでなく、Ｘ線露光、電子ビ
ーム露光等にも適用できるので工業的に多大の価値を有
している。
第１図Ａ，ｂは従来のホトリソグラフイ一の方法を説明
するための図、第２図ａ乃至ｄは本発明のパターン形成
方法の一例を説明するための図である。
するための図、第２図ａ乃至ｄは本発明のパターン形成
方法の一例を説明するための図である。
Claims (1)
- １ 被加工材料の表面にホトレジストを塗布する工程と
、前記ホトレジスト上の所定パターンを適正露光量以下
の露光ビームで露光する工程と、前記所定パターンと一
部重複するパターンを適正露光量以下の露光ビームでく
り返し露光する工程と、くり返し露光され適正露光量に
露光された部分のみを選択パターンとして現像する工程
とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56054109A JPS5914888B2 (ja) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56054109A JPS5914888B2 (ja) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | パタ−ン形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12426676A Division JPS5348676A (en) | 1976-10-15 | 1976-10-15 | Method of forming pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56165325A JPS56165325A (en) | 1981-12-18 |
| JPS5914888B2 true JPS5914888B2 (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=12961428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56054109A Expired JPS5914888B2 (ja) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914888B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190094690A (ko) * | 2018-02-05 | 2019-08-14 | 한국전자통신연구원 | 스토리지 서버 및 분산 파일 시스템에서 스토리지 서버에 의해 수행되는 적응형 프리페칭 방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2618230A1 (fr) * | 1987-07-17 | 1989-01-20 | Thomson Semiconducteurs | Procede de photolithographie. |
| EP0338110B1 (en) * | 1988-04-21 | 1993-03-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming a photoresist pattern and apparatus applicable with said method |
| US5364716A (en) * | 1991-09-27 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| US5866913A (en) * | 1995-12-19 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography |
| WO1999034417A1 (fr) * | 1997-12-26 | 1999-07-08 | Nikon Corporation | Procede d'exposition et appareil d'exposition |
-
1981
- 1981-04-09 JP JP56054109A patent/JPS5914888B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190094690A (ko) * | 2018-02-05 | 2019-08-14 | 한국전자통신연구원 | 스토리지 서버 및 분산 파일 시스템에서 스토리지 서버에 의해 수행되는 적응형 프리페칭 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56165325A (en) | 1981-12-18 |
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