JPS60106132A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60106132A JPS60106132A JP58214499A JP21449983A JPS60106132A JP S60106132 A JPS60106132 A JP S60106132A JP 58214499 A JP58214499 A JP 58214499A JP 21449983 A JP21449983 A JP 21449983A JP S60106132 A JPS60106132 A JP S60106132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- film
- resist film
- resist
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋１１発明の技術分野
本発明はパターン形成方法、詳しくは多層レジストプロ
セスにおりるパターン形成方法に関するものである。
セスにおりるパターン形成方法に関するものである。
（２）技術の背景
半導体装置の製造工程において、ウェハ上に酸化Ｈ’Ａ
（５ｉ０２１９）を形成しそれをエツチングしてパタ
ーンを形成し、またはガラスマスク基板にクロム（Ｃｒ
） 、１Ｍ、化クロム（Ｃｒｙ）の膜を塗布し、その膜
をエツチングしてパターンを形成することが頻繁に行わ
れる。ＳｉＯ２膜のパターン形成を例にとると、５ｉ０
２膜上に感光性レジスト（ホトレジスト）を塗布し、ス
テッパーを用いるステップ・アンド・リピート方式でこ
のレジストを露光し、現像して１つのパターンを作り、
このパターンをマスクにして５ｉ０２をエツチングする
。
（５ｉ０２１９）を形成しそれをエツチングしてパタ
ーンを形成し、またはガラスマスク基板にクロム（Ｃｒ
） 、１Ｍ、化クロム（Ｃｒｙ）の膜を塗布し、その膜
をエツチングしてパターンを形成することが頻繁に行わ
れる。ＳｉＯ２膜のパターン形成を例にとると、５ｉ０
２膜上に感光性レジスト（ホトレジスト）を塗布し、ス
テッパーを用いるステップ・アンド・リピート方式でこ
のレジストを露光し、現像して１つのパターンを作り、
このパターンをマスクにして５ｉ０２をエツチングする
。
（３）従来技術と問題点
従来前記したレジストは１層の膜に形成され、それの露
光、現像をなした後にエツチングを行い、その作業はな
んらの支障な〈実施されていた。
光、現像をなした後にエツチングを行い、その作業はな
んらの支障な〈実施されていた。
前記した露光は光（紫外線）を用いてなすが、最近はパ
ターンが微細化される傾向にあり、光以外の電子線、Ｘ
線等のビームを用いるプロセスが検削されている。しか
しご（一部のものを除い°Ｃ光以外のプロセスは未だ実
用化されない状況にある。その点、光はプロセスとの関
係で安定しているので、光を用いるザブミクロン・オー
ダーの微細パターンの形成が検討されている。
ターンが微細化される傾向にあり、光以外の電子線、Ｘ
線等のビームを用いるプロセスが検削されている。しか
しご（一部のものを除い°Ｃ光以外のプロセスは未だ実
用化されない状況にある。その点、光はプロセスとの関
係で安定しているので、光を用いるザブミクロン・オー
ダーの微細パターンの形成が検討されている。
この点をやや詳細に説明すると、製造される半導体デバ
イスのｉＩ］＋集積化が進むと、ウェハ上に酸化１漢、
窒化膜、多結晶シリコン（ポリシリコン）等が順次堆積
され、それらがエツチングされるとウェハ表面に多くの
凹凸が作られ、段差の深いところではレジストが厚く、
また段差の高いところではレジストが薄くなり、レジス
トが均一の膜厚で塗布されないことになる。
イスのｉＩ］＋集積化が進むと、ウェハ上に酸化１漢、
窒化膜、多結晶シリコン（ポリシリコン）等が順次堆積
され、それらがエツチングされるとウェハ表面に多くの
凹凸が作られ、段差の深いところではレジストが厚く、
また段差の高いところではレジストが薄くなり、レジス
トが均一の膜厚で塗布されないことになる。
従来はパターン幅が３μｍ〜５μｍ程度であったものが
、デバイスの高集積化を実現するために１．５μ髭〜２
μ積程度と微細になってきているので、前記したレジス
ト膜の膜厚の不均一は微細パターン形成の障害となる。
、デバイスの高集積化を実現するために１．５μ髭〜２
μ積程度と微細になってきているので、前記したレジス
ト膜の膜厚の不均一は微細パターン形成の障害となる。
かくして、１層のレジストでは微細パターン形成に無理
があることが判明し、レジスト膜を多層に設ＬＪる多層
レジストプロセスが開発された。
があることが判明し、レジスト膜を多層に設ＬＪる多層
レジストプロセスが開発された。
多層レジストプロセスを第１図の断面図を参照して説明
すると、基板（例えばシリコンウェハまたはガラスマス
ク基板）■上にはパターン形成膜２（例えば５ｉ０２膜
、窒化膜、Ｃｒ膜、Ｃｒ膜膜）が形成されており、この
パターン形成膜２をエツチングしたい。そのとき、第１
層レジスト膜３ （例えば遠紫外線゛感光性の東京応化
（１１社製の０Ｄｔｌｌ’ｌ １０１３なる商品名のレ
ジスト膜）を塗布し、ベークし、その上に第２層レジス
ト膜４（紫外線感光性のＡＺ−１３７０または叶ＰＲ−
８００なる商品名のレジス日美）を塗布する。パターン
形成膜２に前記した凹凸があフても、それは第１１ｍレ
ジス日史３によって平坦化され、第１Ｎレジスト膜 １
１勇４の表面ば平坦になり、パターン形成膜２の凹凸の
悪影響はなくなる。ステップ・アンド・リピート方式で
第２層レジスト膜４を露光し、現像して図示の如き第２
層レジスト膜４のパターンを得る。
すると、基板（例えばシリコンウェハまたはガラスマス
ク基板）■上にはパターン形成膜２（例えば５ｉ０２膜
、窒化膜、Ｃｒ膜、Ｃｒ膜膜）が形成されており、この
パターン形成膜２をエツチングしたい。そのとき、第１
層レジスト膜３ （例えば遠紫外線゛感光性の東京応化
（１１社製の０Ｄｔｌｌ’ｌ １０１３なる商品名のレ
ジスト膜）を塗布し、ベークし、その上に第２層レジス
ト膜４（紫外線感光性のＡＺ−１３７０または叶ＰＲ−
８００なる商品名のレジス日美）を塗布する。パターン
形成膜２に前記した凹凸があフても、それは第１１ｍレ
ジス日史３によって平坦化され、第１Ｎレジスト膜 １
１勇４の表面ば平坦になり、パターン形成膜２の凹凸の
悪影響はなくなる。ステップ・アンド・リピート方式で
第２層レジスト膜４を露光し、現像して図示の如き第２
層レジスト膜４のパターンを得る。
次いで遠紫外線のフラッド露光を行うと、第２層レジス
ト）漠４がマスクとなって図に砂地をイ１した部分が光
化学反応によって変質する。次いで現像によってこの部
分を第２図に示す如く除去するのであるが、マスクにし
た第２層レジスト膜４をそのまま残して現像するのモ、
レジスＩ・のスカム（？Ｉ） ４ａが第１層レジストの
谷間にたまって第１１ｄレジスト膜３のパターンを乱し
たり、または図に４ｂで示す如く垂れ下がり、パターン
形成膜２のエツチングにおいてパターンが正「（〔に形
成されない問題がある。
ト）漠４がマスクとなって図に砂地をイ１した部分が光
化学反応によって変質する。次いで現像によってこの部
分を第２図に示す如く除去するのであるが、マスクにし
た第２層レジスト膜４をそのまま残して現像するのモ、
レジスＩ・のスカム（？Ｉ） ４ａが第１層レジストの
谷間にたまって第１１ｄレジスト膜３のパターンを乱し
たり、または図に４ｂで示す如く垂れ下がり、パターン
形成膜２のエツチングにおいてパターンが正「（〔に形
成されない問題がある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に渇み、多層レジストフロセス
を用いるパターンの形成において、光ヲ用いサブミクロ
ンの幅の微細パターンかなんらの欠点なしに形成されう
るパターン形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
を用いるパターンの形成において、光ヲ用いサブミクロ
ンの幅の微細パターンかなんらの欠点なしに形成されう
るパターン形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板」二に設ＣＪら
れたパターン形成膜にパターンを形成する方法にして、
前記パターン形成膜上に遠紫外線感光性の第１層レジス
ト膜を形成する工程、該第１Ｎレジスト膜」二に紫外線
感光性の第２層レジスト膜を形成する工程、該第２レジ
スト膜を露光、現像して得られたパターンをマスクに第
１層レジスト１模を露光する工程、および第２層レジス
ト膜のパターンを除去した後に第１層レジスト膜を現像
する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法を提
供することによって達成される。
れたパターン形成膜にパターンを形成する方法にして、
前記パターン形成膜上に遠紫外線感光性の第１層レジス
ト膜を形成する工程、該第１Ｎレジスト膜」二に紫外線
感光性の第２層レジスト膜を形成する工程、該第２レジ
スト膜を露光、現像して得られたパターンをマスクに第
１層レジスト１模を露光する工程、および第２層レジス
ト膜のパターンを除去した後に第１層レジスト膜を現像
する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法を提
供することによって達成される。
（θ）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
先ず第３図に断面図で示す如゛り（第３図以下において
既に図示した部分と同じ部分は同一符号を付して表示す
る）、基板（例えばシリコンウェハ、ガラスマスク基板
）１上にはパターン形成膜（Ｓｉ０２膜、窒化膜、Ｃｒ
膜、Ｃｒ０１１Ｗなど）２が形成されている。なおパタ
ーン形成膜２には凹凸があるが図には簡明化のため平坦
表面をもつ如くにして示す。パターン形成膜２の上に遠
紫外線感光性レジスト（例えば前記したＯＤＵト１０１
３ ）を１μｍの厚さに塗布し、ベークして第１層レジ
スト膜３を形成する。次いで前記したＡＺ−１３７０ま
たは叶ＰＲ−８００なる商品名の紫外線感光性レジスト
を０．５μｍの厚さに塗布して第１Ｎレジスト膜４を作
る。ステアパーで露光し、現像すると、第１図に示され
る如き第２層レジスト膜４のパターンが得られる。
既に図示した部分と同じ部分は同一符号を付して表示す
る）、基板（例えばシリコンウェハ、ガラスマスク基板
）１上にはパターン形成膜（Ｓｉ０２膜、窒化膜、Ｃｒ
膜、Ｃｒ０１１Ｗなど）２が形成されている。なおパタ
ーン形成膜２には凹凸があるが図には簡明化のため平坦
表面をもつ如くにして示す。パターン形成膜２の上に遠
紫外線感光性レジスト（例えば前記したＯＤＵト１０１
３ ）を１μｍの厚さに塗布し、ベークして第１層レジ
スト膜３を形成する。次いで前記したＡＺ−１３７０ま
たは叶ＰＲ−８００なる商品名の紫外線感光性レジスト
を０．５μｍの厚さに塗布して第１Ｎレジスト膜４を作
る。ステアパーで露光し、現像すると、第１図に示され
る如き第２層レジスト膜４のパターンが得られる。
次いで、遠紫外線のフラッド（ｆｌｏｏｄ）露光を行う
。ここまでは従来技術の場合と同様である。なお第１層
レジスト１ＩｆＡ３の砂地を付した部分３ａは感光した
部分である。
。ここまでは従来技術の場合と同様である。なお第１層
レジスト１ＩｆＡ３の砂地を付した部分３ａは感光した
部分である。
次に、基板１をエチルアルコールに浸漬するかまたは基
板１上に噴霧状のエチルアルコールを吹き付けて第２層
レジスト膜４を除去する（第４図）。エチルアルコール
に代えてアルカリ水溶液（例えばＫＯＩＩ 溶液）を用
いてもよい。
板１上に噴霧状のエチルアルコールを吹き付けて第２層
レジスト膜４を除去する（第４図）。エチルアルコール
に代えてアルカリ水溶液（例えばＫＯＩＩ 溶液）を用
いてもよい。
次いで第１層レジスト欣３が乾燥した後に、例えば東京
応化１１社製の０ＤＵＲ現ｉ＆液、リンス液を用い′Ｃ
現像すると第４図に砂地を付した部分が除去されて第５
図に示される如き第１層レジスト膜３のパターン３ｂが
作られ、それをマスクにしてパターン形成膜２を通常の
技術でエツチングし、パターン形成）１央２にパターン
２ａを作る（第６図）。
応化１１社製の０ＤＵＲ現ｉ＆液、リンス液を用い′Ｃ
現像すると第４図に砂地を付した部分が除去されて第５
図に示される如き第１層レジスト膜３のパターン３ｂが
作られ、それをマスクにしてパターン形成膜２を通常の
技術でエツチングし、パターン形成）１央２にパターン
２ａを作る（第６図）。
上記の方法においては第１Ｊｉｆレジスト膜４をエチル
アルコールで除去することにより、第２層レジストをそ
のままマスクにして第１層レジストをバターニングしパ
ターン形成膜２をエンチングする従来技術の場合よりも
欠陥の少ないパターンを形成することができ、サブミク
ロンのオーダーの微細パターンがパターン形成膜の段差
の大なるところでも正確に形成されうる。なおレジスト
膜は上記に示したものに限定されるものではない。
アルコールで除去することにより、第２層レジストをそ
のままマスクにして第１層レジストをバターニングしパ
ターン形成膜２をエンチングする従来技術の場合よりも
欠陥の少ないパターンを形成することができ、サブミク
ロンのオーダーの微細パターンがパターン形成膜の段差
の大なるところでも正確に形成されうる。なおレジスト
膜は上記に示したものに限定されるものではない。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、微細パターン
が障害なしにウェハ、ガラスマスク基板等の上のパター
ン形成膜に形成され、サブミクロンのオーダーのパター
ンも形成可能となるので、半導体集積回路の集積度を信
頼性良く高めるに効果大である。
が障害なしにウェハ、ガラスマスク基板等の上のパター
ン形成膜に形成され、サブミクロンのオーダーのパター
ンも形成可能となるので、半導体集積回路の集積度を信
頼性良く高めるに効果大である。
第１図と第２図は従来技術によるパターン形成方法を示
す断面図、第３図ないし第６図は本発明のパターン形成
方法を示す断面図である。 １一基板、２−パターン形成膜、計− 第１層レジスト、４−・−第２層レジスト第１図 第４図 第６図
す断面図、第３図ないし第６図は本発明のパターン形成
方法を示す断面図である。 １一基板、２−パターン形成膜、計− 第１層レジスト、４−・−第２層レジスト第１図 第４図 第６図
Claims (1)
- 基板」二に設けられたパターン形成膜にパターンを形成
する方法にして、前記パターン形成股上に遠紫外線感光
性の第１１Ｖ５レジスト膜を形成する工程、該第２レジ
スト膜上に紫外線感光性の第２層レジスト膜を形成する
工程、該第２レジスト膜を露光、現像して得られたパタ
ーンをマスクに第１１５レジスト膜を露光する工程、お
よび第２１ｔｉレジス１］臭のパターンを除去した後に
第１層レジスト膜を現像する工程を含むことを特徴とす
るパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214499A JPS60106132A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214499A JPS60106132A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106132A true JPS60106132A (ja) | 1985-06-11 |
| JPH0458168B2 JPH0458168B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=16656717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214499A Granted JPS60106132A (ja) | 1983-11-15 | 1983-11-15 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106132A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993000772A1 (en) | 1991-06-27 | 1993-01-07 | Nippon Hoso Kyokai | Sub-sampling transmission system for improving transmission picture quality in time-varying picture region of wide-band color picture signal |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636134A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Forming method for pattern of semiconductor substrate |
| JPS5834921A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-15 JP JP58214499A patent/JPS60106132A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5636134A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Forming method for pattern of semiconductor substrate |
| JPS5834921A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993000772A1 (en) | 1991-06-27 | 1993-01-07 | Nippon Hoso Kyokai | Sub-sampling transmission system for improving transmission picture quality in time-varying picture region of wide-band color picture signal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458168B2 (ja) | 1992-09-16 |
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