JPH06260382A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06260382A JPH06260382A JP5043573A JP4357393A JPH06260382A JP H06260382 A JPH06260382 A JP H06260382A JP 5043573 A JP5043573 A JP 5043573A JP 4357393 A JP4357393 A JP 4357393A JP H06260382 A JPH06260382 A JP H06260382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- photomask
- pattern
- semiconductor device
- photolithography process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハ基板上やホトマスクに異物があって
も、特に異物を除去する装置を設けたり、ホトマスクの
管理を慎重にするといった手間を要することなく、レジ
スト欠陥の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提
供することにある。 【構成】 フォトリソ工程によって半導体ウェハに転写
するホトマスク６０のパターン５０の幅およびパターン
５０，５０間の幅がいずれも１０ｕｍ以上である場合に
おいて、前記フォトリソ工程における露光量を、前記パ
ターンの転写に最低限必要な露光量の１．５倍〜５倍と
してなることを特徴とする。また、フォトリソ工程のレ
ジスト塗布工程において、パターン形成に必要な最低限
のレジスト厚の１．５〜５倍の厚みのレジストを塗布し
てなることを特徴とする。
も、特に異物を除去する装置を設けたり、ホトマスクの
管理を慎重にするといった手間を要することなく、レジ
スト欠陥の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提
供することにある。 【構成】 フォトリソ工程によって半導体ウェハに転写
するホトマスク６０のパターン５０の幅およびパターン
５０，５０間の幅がいずれも１０ｕｍ以上である場合に
おいて、前記フォトリソ工程における露光量を、前記パ
ターンの転写に最低限必要な露光量の１．５倍〜５倍と
してなることを特徴とする。また、フォトリソ工程のレ
ジスト塗布工程において、パターン形成に必要な最低限
のレジスト厚の１．５〜５倍の厚みのレジストを塗布し
てなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に半導体ウェハにパターンをガラスマスクか
ら転写するフォトリソ工程に関する。
に関し、特に半導体ウェハにパターンをガラスマスクか
ら転写するフォトリソ工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について図３を参照して説明
する。図３（ａ）乃至（ｅ）は従来例によるフォトリソ
工程図である。
する。図３（ａ）乃至（ｅ）は従来例によるフォトリソ
工程図である。
【０００３】図３（ａ）は、上面に加工すべき膜１０を
有するウェハ基板２０を示している。図中、３０はウェ
ハ上の異物である。
有するウェハ基板２０を示している。図中、３０はウェ
ハ上の異物である。
【０００４】このウェハ基板２０に対して、図３（ｂ）
のようにネガレジスト４０を通常約１um塗布し、次いで
図３（ｃ）に示すように、所定の位置にパターン５０を
設けたホトマスク（ガラスマスクからなる）６０を合わ
せる。７０はネガレジスト４０とホトマスク６０間の隙
間である。８０はホトマスク６０のパターン側に付着し
た異物である。異物３０，８０については、後述する。
のようにネガレジスト４０を通常約１um塗布し、次いで
図３（ｃ）に示すように、所定の位置にパターン５０を
設けたホトマスク（ガラスマスクからなる）６０を合わ
せる。７０はネガレジスト４０とホトマスク６０間の隙
間である。８０はホトマスク６０のパターン側に付着し
た異物である。異物３０，８０については、後述する。
【０００５】以上のような構成において、図３（ｄ）に
示すように、適当な露光量のＵＶ９０を照射し、ホトマ
スク６０上のパターン５０を所定の位置に転写させる。
この後、図３（ｅ）に示すように、現像液で現像して不
要な部分のレジスト４０を除去し、パターン５０をウェ
ハ上に形成する。この後、膜１０の内、レジスト４０に
よって覆われていない部分を薬液によってエッチング除
去する。
示すように、適当な露光量のＵＶ９０を照射し、ホトマ
スク６０上のパターン５０を所定の位置に転写させる。
この後、図３（ｅ）に示すように、現像液で現像して不
要な部分のレジスト４０を除去し、パターン５０をウェ
ハ上に形成する。この後、膜１０の内、レジスト４０に
よって覆われていない部分を薬液によってエッチング除
去する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
フォトリソ工程で、ホトマスク６０に異物８０が付着し
ている場合は、図３（ｄ）の露光時に異物８０のパター
ンがネガレジスト４０に転写され、図３（ｅ）の１００
のようにピンホールが生じ、レジスト欠陥が生じる。
フォトリソ工程で、ホトマスク６０に異物８０が付着し
ている場合は、図３（ｄ）の露光時に異物８０のパター
ンがネガレジスト４０に転写され、図３（ｅ）の１００
のようにピンホールが生じ、レジスト欠陥が生じる。
【０００７】また、膜１０上に異物３０がある場合、図
３（ｂ）に示すように、ネガレジスト４０がこの異物３
０を完全にはカバーできない状態となる。この状態で図
３（ｅ）の後の膜１０のエッチング工程に移ると、薬液
が異物３０とネガレジスト４０との境界を伝って膜１０
に接触し不要な箇所までエッチングしてしまう。
３（ｂ）に示すように、ネガレジスト４０がこの異物３
０を完全にはカバーできない状態となる。この状態で図
３（ｅ）の後の膜１０のエッチング工程に移ると、薬液
が異物３０とネガレジスト４０との境界を伝って膜１０
に接触し不要な箇所までエッチングしてしまう。
【０００８】以上のように、フォトリソ工程における異
物の存在は、半導体装置の歩留りを低下させるだけでな
く信頼性をも低下させることになる。
物の存在は、半導体装置の歩留りを低下させるだけでな
く信頼性をも低下させることになる。
【０００９】このレジスト欠陥を低減することは半導体
装置の高品質化に不可欠であり、従来はこのレジスト欠
陥の発生を防止するために、ウェハ基板２０、ホトマス
ク６０をスクラバー等で洗浄し異物を除去したり、ホト
マスク６０にペリクル（保護膜）を付けていた。しか
し、異物を除去する装置やホトマスク６０の管理、取り
扱いに手間を要するといった問題があった。
装置の高品質化に不可欠であり、従来はこのレジスト欠
陥の発生を防止するために、ウェハ基板２０、ホトマス
ク６０をスクラバー等で洗浄し異物を除去したり、ホト
マスク６０にペリクル（保護膜）を付けていた。しか
し、異物を除去する装置やホトマスク６０の管理、取り
扱いに手間を要するといった問題があった。
【００１０】そこで本発明の目的は、ウェハ基板上やホ
トマスクに異物があっても、特に異物を除去する装置を
設けたり、ホトマスクの管理を慎重にするといった手間
を要することなく、レジスト欠陥の発生を防止できる半
導体装置の製造方法を提供することにある。
トマスクに異物があっても、特に異物を除去する装置を
設けたり、ホトマスクの管理を慎重にするといった手間
を要することなく、レジスト欠陥の発生を防止できる半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、半導体ウェハの膜上に塗布したレジストを
ホトマスクを介して露光し、前記ホトマスクのパターン
を前記半導体ウェハに転写するフォトリソ工程を含む半
導体装置の製造方法において、前記フォトリソ工程にお
ける露光量を、前記レジストの厚みと材質及び前記ホト
マスクのパターン幅とから算出されるパターン転写に最
低限必要な露光量の１．５倍〜５倍としてなることを特
徴とする。
に本発明は、半導体ウェハの膜上に塗布したレジストを
ホトマスクを介して露光し、前記ホトマスクのパターン
を前記半導体ウェハに転写するフォトリソ工程を含む半
導体装置の製造方法において、前記フォトリソ工程にお
ける露光量を、前記レジストの厚みと材質及び前記ホト
マスクのパターン幅とから算出されるパターン転写に最
低限必要な露光量の１．５倍〜５倍としてなることを特
徴とする。
【００１２】また、前記フォトリソ工程におけるレジス
トの厚みを、前記ホトマスクのパターン幅より算出され
るパターン転写に最低限必要なレジスト厚の１．５倍〜
５倍としてなることを特徴とする。
トの厚みを、前記ホトマスクのパターン幅より算出され
るパターン転写に最低限必要なレジスト厚の１．５倍〜
５倍としてなることを特徴とする。
【００１３】
【作用】露光量を従来よりも大きくしているので、ホト
マスクのパターン側に異物が付着していても、この異物
に対して露光オーバーの状態を得ることができ、異物の
ウェハへの転写を避けることができる。
マスクのパターン側に異物が付着していても、この異物
に対して露光オーバーの状態を得ることができ、異物の
ウェハへの転写を避けることができる。
【００１４】また、レジスト膜の膜厚を厚くしているの
で、エッチングすべき膜上に異物があってもその異物を
完全にカバーできる。この結果、従来のように、薬液に
よるエッチング工程において、薬液がレジスト上に部分
的に突出した異物との境界を伝って膜にまで到達しレジ
スト不良を発生するということはなく、高信頼性のエッ
チングを実現できる。
で、エッチングすべき膜上に異物があってもその異物を
完全にカバーできる。この結果、従来のように、薬液に
よるエッチング工程において、薬液がレジスト上に部分
的に突出した異物との境界を伝って膜にまで到達しレジ
スト不良を発生するということはなく、高信頼性のエッ
チングを実現できる。
【００１５】
【実施例】本発明の一実施例について、図１及び図２を
参照して説明する。図１（ａ）乃至（ｅ）は本実施例に
よるフォトリソ工程図、図２はレジスト欠陥が生じる際
の露光量、レジストパターン幅等の相関関係を示す図で
ある。ここでは主に、図３の従来例と異なる点について
説明する。なお、図３に示した従来例と同一機能部分に
は同一符号を記している。
参照して説明する。図１（ａ）乃至（ｅ）は本実施例に
よるフォトリソ工程図、図２はレジスト欠陥が生じる際
の露光量、レジストパターン幅等の相関関係を示す図で
ある。ここでは主に、図３の従来例と異なる点について
説明する。なお、図３に示した従来例と同一機能部分に
は同一符号を記している。
【００１６】本実施例においては、図１（ａ）に示す半
導体装置ウェハ２０上の加工すべき膜１０上に、図１
（ｂ）に示すようにネガレジスト１を通常の約４倍の約
４um塗布する。次に、図１（ｃ）のようにホトマスク６
０を配置した後、図１（ｄ）に示すように、通常の露光
量の約３倍の２００ｍJのＵＶ２による露光を行い、ホ
トマスク６０のパターン５０を所定の位置に転写させ
る。
導体装置ウェハ２０上の加工すべき膜１０上に、図１
（ｂ）に示すようにネガレジスト１を通常の約４倍の約
４um塗布する。次に、図１（ｃ）のようにホトマスク６
０を配置した後、図１（ｄ）に示すように、通常の露光
量の約３倍の２００ｍJのＵＶ２による露光を行い、ホ
トマスク６０のパターン５０を所定の位置に転写させ
る。
【００１７】この後、図１（ｅ）のように、現像液で現
像し不要な部分のレジストを除去しパターン５０をウェ
ハ基板２０上に形成する。
像し不要な部分のレジストを除去しパターン５０をウェ
ハ基板２０上に形成する。
【００１８】ここで、図２に示すように、露光量とレジ
スト欠陥密度、露光量とレジストパターン幅の関係を考
慮してフォトリソ工程の条件設定をする必要がある。
スト欠陥密度、露光量とレジストパターン幅の関係を考
慮してフォトリソ工程の条件設定をする必要がある。
【００１９】以上のように、図１（ｄ）の露光工程にお
いて露光量をパターン形成に必要な露光量の１．５〜５
倍とすることにより、ガラスマスクに付着した５um程度
迄の大きさの異物８０は露光オーバーの状態になり、ウ
ェハに転写されない。
いて露光量をパターン形成に必要な露光量の１．５〜５
倍とすることにより、ガラスマスクに付着した５um程度
迄の大きさの異物８０は露光オーバーの状態になり、ウ
ェハに転写されない。
【００２０】なお、レジストパターン幅及びレジストパ
ターン間の幅が非常に狭い場合には、本実施例のように
露光量が大きいと露光オーバーぎみとなりレジストパタ
ーンがうまく転写されない。従って、本実施例の方法
は、レジストパターン幅及びレジストパターン間の幅が
１０ｕｍ以上の場合に限定される。また、露光量が大き
いため、パターン幅の転写時のシフト量が若干大きくな
ることを勘案する必要がある。
ターン間の幅が非常に狭い場合には、本実施例のように
露光量が大きいと露光オーバーぎみとなりレジストパタ
ーンがうまく転写されない。従って、本実施例の方法
は、レジストパターン幅及びレジストパターン間の幅が
１０ｕｍ以上の場合に限定される。また、露光量が大き
いため、パターン幅の転写時のシフト量が若干大きくな
ることを勘案する必要がある。
【００２１】上記方法によれば、従来レジストの厚みが
１um、露光量が３０mJであるときに、ウェハに約１０ケの
欠陥が発生していたが、露光量を１００mJとすることに
よってその欠陥を約５ケに低減できる。
１um、露光量が３０mJであるときに、ウェハに約１０ケの
欠陥が発生していたが、露光量を１００mJとすることに
よってその欠陥を約５ケに低減できる。
【００２２】また、本実施例においては、ネガレジスト
１の厚みをパターン形成に必要なレジスト厚の１．５〜
５倍とすることにより、ウェハ上に付着した異物３０を
ほぼ完全にカバーできる。従って、図１（ｅ）の次工程
であるエッチング工程において薬液が異物３０とネガレ
ジスト１の境界を伝って膜１０に接触するという従来の
問題点を解消できる。
１の厚みをパターン形成に必要なレジスト厚の１．５〜
５倍とすることにより、ウェハ上に付着した異物３０を
ほぼ完全にカバーできる。従って、図１（ｅ）の次工程
であるエッチング工程において薬液が異物３０とネガレ
ジスト１の境界を伝って膜１０に接触するという従来の
問題点を解消できる。
【００２３】この方法によれば、従来レジストの厚みが
１um、露光量が３０mJであるときに、ウェハに約１０ケの
欠陥が発生していたのに対して、露光量を１００mJとす
ることによってその欠陥を約７ケに低減できる。
１um、露光量が３０mJであるときに、ウェハに約１０ケの
欠陥が発生していたのに対して、露光量を１００mJとす
ることによってその欠陥を約７ケに低減できる。
【００２４】上記２つの方法を組み合わせると、従来、
例えば４″（インチ）ウェハにおいて約１umのホトレジ
ストを塗布し３０mＪ程度のＵＶ露光を行う場合、異物
によって約１０ケの欠陥が発生していたのに対して、レ
ジスト厚約４ｕｍ、ＵＶ露光量約２００ｍＪでフォトリ
ソを行うとレジスト欠陥の発生をゼロにできる。
例えば４″（インチ）ウェハにおいて約１umのホトレジ
ストを塗布し３０mＪ程度のＵＶ露光を行う場合、異物
によって約１０ケの欠陥が発生していたのに対して、レ
ジスト厚約４ｕｍ、ＵＶ露光量約２００ｍＪでフォトリ
ソを行うとレジスト欠陥の発生をゼロにできる。
【００２５】このように、本実施例によれば、ウェハ基
板上やホトマスクに異物があっても、従来のように異物
を除去する装置を特に設けたり、ホトマスクの管理を慎
重にするといった手間を要することなく、安価且つ容易
にレジスト欠陥の発生を防止する高信頼性の半導体装置
の製造方法を提供できる。
板上やホトマスクに異物があっても、従来のように異物
を除去する装置を特に設けたり、ホトマスクの管理を慎
重にするといった手間を要することなく、安価且つ容易
にレジスト欠陥の発生を防止する高信頼性の半導体装置
の製造方法を提供できる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ウェハ
基板上やホトマスクに異物があっても、レジスト欠陥の
発生を安価且つ容易に防止できる高信頼性の半導体装置
の製造方法を提供できる。
基板上やホトマスクに異物があっても、レジスト欠陥の
発生を安価且つ容易に防止できる高信頼性の半導体装置
の製造方法を提供できる。
【図１】（ａ）乃至（ｅ）は、本発明の一実施例による
フォトリソ工程図である。
フォトリソ工程図である。
【図２】レジスト欠陥が生じる際の露光量、レジストパ
ターン幅等の相関関係を示す図である。
ターン幅等の相関関係を示す図である。
【図３】（ａ）乃至（ｅ）は、従来例によるフォトリソ
工程図である。
工程図である。
１・・・ネガレジスト ２・・・ＵＶ光 ２０・・・ウェハ基板 ５０・・・パターン ６０・・・ホトマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハの膜上に塗布したレジスト
をホトマスクを介して露光し、前記ホトマスクのパター
ンを前記半導体ウェハに転写するフォトリソ工程を含む
半導体装置の製造方法において、 前記フォトリソ工程における露光量を、前記レジストの
厚みと材質及び前記ホトマスクのパターン幅とから算出
されるパターン転写に最低限必要な露光量の１．５倍〜
５倍としてなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 半導体ウェハの膜上に塗布したレジスト
をホトマスクを介して露光し、前記ホトマスクのパター
ンを前記半導体ウェハに転写するフォトリソ工程を含む
半導体装置の製造方法において、 前記フォトリソ工程におけるレジストの厚みを、前記ホ
トマスクのパターン幅より算出されるパターン転写に最
低限必要なレジスト厚の１．５倍〜５倍としてなること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043573A JPH06260382A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043573A JPH06260382A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260382A true JPH06260382A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12667498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5043573A Pending JPH06260382A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030038327A (ko) * | 2001-11-09 | 2003-05-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 패턴의 형성 방법 및 장치의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP5043573A patent/JPH06260382A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030038327A (ko) * | 2001-11-09 | 2003-05-16 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 패턴의 형성 방법 및 장치의 제조 방법 |
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