JPH0677159A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0677159A JPH0677159A JP22908492A JP22908492A JPH0677159A JP H0677159 A JPH0677159 A JP H0677159A JP 22908492 A JP22908492 A JP 22908492A JP 22908492 A JP22908492 A JP 22908492A JP H0677159 A JPH0677159 A JP H0677159A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- opening
- photosensitive material
- photoresist
- photoresist film
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板上の絶縁膜を開口する際の感光性材
料膜の欠陥により不要な開口部が生じるのを防ぐ。 【構成】絶縁膜として設けた酸化シリコン膜３の上にフ
ォトレジスト膜３を塗布してパターニングし、開口部４
を設ける際に不要な開口部５を生ずる場合があるが、フ
ォトレジスト膜３の上にフォトレジスト膜６を厚く塗布
して開口部４の位置に整合し且つ口径の大きな開口部７
を設けることにより、酸化シリコン膜２を開口する際の
寸法精度を下げることなく、フォトレジスト膜３，６を
貫通する不要な開口部が発生する確率を下げ、半導体集
積回路装置の信頼性を向上させる。
料膜の欠陥により不要な開口部が生じるのを防ぐ。 【構成】絶縁膜として設けた酸化シリコン膜３の上にフ
ォトレジスト膜３を塗布してパターニングし、開口部４
を設ける際に不要な開口部５を生ずる場合があるが、フ
ォトレジスト膜３の上にフォトレジスト膜６を厚く塗布
して開口部４の位置に整合し且つ口径の大きな開口部７
を設けることにより、酸化シリコン膜２を開口する際の
寸法精度を下げることなく、フォトレジスト膜３，６を
貫通する不要な開口部が発生する確率を下げ、半導体集
積回路装置の信頼性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造方法に関し、特に感光性材料膜を用いて半導体基板
上の絶縁膜を高精度に開口する半導体集積回路の製造方
法に関する。
製造方法に関し、特に感光性材料膜を用いて半導体基板
上の絶縁膜を高精度に開口する半導体集積回路の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路装置の製造工程
においては、半導体基板上に形成した絶縁膜の所定の部
分のみを開口するために、感光性材料を用いている。
においては、半導体基板上に形成した絶縁膜の所定の部
分のみを開口するために、感光性材料を用いている。
【０００３】半導体基板上に設けた絶縁膜の上に感光性
材料を塗布して形成した感光性材料膜の所定の部分のみ
に光を照射することにより感光性材料膜を部分的に硬化
させ、化学反応を利用して、硬化していない部分の感光
性材料膜を除去する。その結果、この感光性材料膜をマ
スクとして絶縁膜を選択的に除去することが可能とな
る。
材料を塗布して形成した感光性材料膜の所定の部分のみ
に光を照射することにより感光性材料膜を部分的に硬化
させ、化学反応を利用して、硬化していない部分の感光
性材料膜を除去する。その結果、この感光性材料膜をマ
スクとして絶縁膜を選択的に除去することが可能とな
る。
【０００４】図２は従来の半導体集積回路装置の製造方
法の第１の例を示す断面図である。
法の第１の例を示す断面図である。
【０００５】図２に示すように、シリコン基板１の上
に、絶縁膜として酸化シリコン膜２を形成し、その上に
フォトレジスト膜３を塗布し、露光・現像によりフォト
レジスト膜３の開口部４を形成し、フォトレジスト膜３
をマスクとして開口部４の酸化シリコン膜２をエッチン
グし除去することにより酸化シリコン膜２に開口部を形
成する。
に、絶縁膜として酸化シリコン膜２を形成し、その上に
フォトレジスト膜３を塗布し、露光・現像によりフォト
レジスト膜３の開口部４を形成し、フォトレジスト膜３
をマスクとして開口部４の酸化シリコン膜２をエッチン
グし除去することにより酸化シリコン膜２に開口部を形
成する。
【０００６】ここで、フォトレジスト膜３に、何らかの
原因で所定の開口部４以外の不用な開口部５が発生した
場合、その下の酸化シリコン膜２にも不用な開口部がで
きてしまい、半導体集積回路装置が不良となる場合があ
る。
原因で所定の開口部４以外の不用な開口部５が発生した
場合、その下の酸化シリコン膜２にも不用な開口部がで
きてしまい、半導体集積回路装置が不良となる場合があ
る。
【０００７】フォトレジスト膜に不用な開口部５ができ
る原因としては、フォトレジスト膜３自体にピンホール
があったり、フォトレジスト膜３を酸化シリコン２の膜
上に塗布する際にはがれたり、傷がついたりした場合
や、フォトレジスト膜３に部分的に光を照射するための
フォトマスクに欠陥やゴミ等があった場合などが考えら
れる。
る原因としては、フォトレジスト膜３自体にピンホール
があったり、フォトレジスト膜３を酸化シリコン２の膜
上に塗布する際にはがれたり、傷がついたりした場合
や、フォトレジスト膜３に部分的に光を照射するための
フォトマスクに欠陥やゴミ等があった場合などが考えら
れる。
【０００８】たとえば、直径１００ｍｍのシリコンウェ
ーハに約４ｍｍ四方の半導体チップを形成した場合、
０．９μｍの膜厚でフォトレジスト膜３を塗布して露光
・現像した後、フォトレジスト膜３をマスクとして酸化
シリコン膜２をエッチング除去した場合では、４．９％
の半導体チップに、不要な開口部５による不良が発生し
た。
ーハに約４ｍｍ四方の半導体チップを形成した場合、
０．９μｍの膜厚でフォトレジスト膜３を塗布して露光
・現像した後、フォトレジスト膜３をマスクとして酸化
シリコン膜２をエッチング除去した場合では、４．９％
の半導体チップに、不要な開口部５による不良が発生し
た。
【０００９】この様な問題点を解決するために、従来
は、絶縁膜上に第１のフォトレジスト膜を形成して所定
の大きさに開口した後、第２のフォトレジスト膜を塗布
し、第１のフォトレジスト膜の開口部の上部の第２のフ
ォトレジスト膜も開口し、選択的に除去したい部分以外
の絶縁膜を二重に保護する対策がとられている。
は、絶縁膜上に第１のフォトレジスト膜を形成して所定
の大きさに開口した後、第２のフォトレジスト膜を塗布
し、第１のフォトレジスト膜の開口部の上部の第２のフ
ォトレジスト膜も開口し、選択的に除去したい部分以外
の絶縁膜を二重に保護する対策がとられている。
【００１０】図３は従来の半導体集積回路装置の製造方
法の第２の例を示す断面図である。
法の第２の例を示す断面図である。
【００１１】図３に示すように、シリコン基板１の上
に、酸化シリコン膜２を形成し、その上に第１のフォト
レジスト膜３を塗布して露光・現像し、フォトレジスト
膜３に開口部４を形成するが、その際不要な開口部５も
形成される。次に、その上部に第２のフォトレジスト膜
６を塗布し、開口部４に整合し且つ開口部４より大きい
口径の開口部７を形成する。
に、酸化シリコン膜２を形成し、その上に第１のフォト
レジスト膜３を塗布して露光・現像し、フォトレジスト
膜３に開口部４を形成するが、その際不要な開口部５も
形成される。次に、その上部に第２のフォトレジスト膜
６を塗布し、開口部４に整合し且つ開口部４より大きい
口径の開口部７を形成する。
【００１２】ここで、フォトレジスト膜６を開口部７
を、フォトレジスト膜３の開口部４よりも大きくするの
は、フォトレジスト膜７への光照射の際に、フォトレジ
スト膜３の開口部とのずれが生じた場合に、開口部４が
小さくなるのを防ぐためである。次に、フォトレジスト
膜７，３をマスクとして酸化シリコン膜２をエッチング
除去することにより、所定の酸化シリコン膜２の開口部
を形成する。
を、フォトレジスト膜３の開口部４よりも大きくするの
は、フォトレジスト膜７への光照射の際に、フォトレジ
スト膜３の開口部とのずれが生じた場合に、開口部４が
小さくなるのを防ぐためである。次に、フォトレジスト
膜７，３をマスクとして酸化シリコン膜２をエッチング
除去することにより、所定の酸化シリコン膜２の開口部
を形成する。
【００１３】偶発的に発生したフォトレジスト膜３の不
要な開口部５の上に整合してフォトレジスト膜６にも不
要な開口部が重なって発生する確率は低く、直径１００
ｍｍのシリコンウェーハに約４ｍｍ四方の半導体チップ
を形成した場合、フォトレジスト膜３，６をそれぞれ
０．９μｍの厚さに塗布し、露光・現像を行ったときの
酸化シリコン膜に生ずる不要な開口部による不良発生率
は、１．１３％であった。
要な開口部５の上に整合してフォトレジスト膜６にも不
要な開口部が重なって発生する確率は低く、直径１００
ｍｍのシリコンウェーハに約４ｍｍ四方の半導体チップ
を形成した場合、フォトレジスト膜３，６をそれぞれ
０．９μｍの厚さに塗布し、露光・現像を行ったときの
酸化シリコン膜に生ずる不要な開口部による不良発生率
は、１．１３％であった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体集積
回路装置の製造方法では、二重に感光性材料膜を形成し
て選択的に半導体基板上の絶縁膜を開口する方法でも、
絶縁膜上に塗布した第１及び第２の感光性材料膜に、同
時に不要な開口部が発生し、その下の絶縁膜にも不要な
開口部が形成されてしまい、半導体集積回路装置が不良
となるという問題点があった。
回路装置の製造方法では、二重に感光性材料膜を形成し
て選択的に半導体基板上の絶縁膜を開口する方法でも、
絶縁膜上に塗布した第１及び第２の感光性材料膜に、同
時に不要な開口部が発生し、その下の絶縁膜にも不要な
開口部が形成されてしまい、半導体集積回路装置が不良
となるという問題点があった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置の製造方法は、半導体基板上に設けた絶縁膜の上に
二重に感光性材料膜を形成してパターニングした感光性
材料膜をマスクとして絶縁膜をエッチング除去する際に
第２の感光性材料膜形成時の粘度を上げたり塗布の際の
回転速度を遅くすることにより、感光性材料膜の膜厚を
厚くし、第１及び第２の感光性材料膜の同位置に不要な
開口部が発生する確率を下げる。
装置の製造方法は、半導体基板上に設けた絶縁膜の上に
二重に感光性材料膜を形成してパターニングした感光性
材料膜をマスクとして絶縁膜をエッチング除去する際に
第２の感光性材料膜形成時の粘度を上げたり塗布の際の
回転速度を遅くすることにより、感光性材料膜の膜厚を
厚くし、第１及び第２の感光性材料膜の同位置に不要な
開口部が発生する確率を下げる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１７】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を
説明するための工程順に示した断面図である。
説明するための工程順に示した断面図である。
【００１８】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン
基板１の上に、絶縁膜として熱酸化法により酸化シリコ
ン膜２を形成し、その上に第１のフォトレジスト膜３を
塗布し、露光・現像によってフォトレジスト膜３に開口
部４を形成するが、その際フォトレジスト膜３に不要な
開口部５も形成される。
基板１の上に、絶縁膜として熱酸化法により酸化シリコ
ン膜２を形成し、その上に第１のフォトレジスト膜３を
塗布し、露光・現像によってフォトレジスト膜３に開口
部４を形成するが、その際フォトレジスト膜３に不要な
開口部５も形成される。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、開口部４
を含む表面に第２のフォトレジスト膜６を塗布し、開口
部４に整合し、且つ開口部４より大きい開口部７を形成
する。
を含む表面に第２のフォトレジスト膜６を塗布し、開口
部４に整合し、且つ開口部４より大きい開口部７を形成
する。
【００２０】ここで、フォトレジスト膜６は、通常用い
られるフォトレジストよりも高粘度のものを用い、また
塗布の際の半導体基板の回転数も遅くすることにより膜
厚を厚くする。次に、フォトレジスト膜３，６をマスク
として酸化シリコン膜２をエッチングし除去することに
より所定の開口部を形成する。
られるフォトレジストよりも高粘度のものを用い、また
塗布の際の半導体基板の回転数も遅くすることにより膜
厚を厚くする。次に、フォトレジスト膜３，６をマスク
として酸化シリコン膜２をエッチングし除去することに
より所定の開口部を形成する。
【００２１】たとえば、フォトレジスト膜６の膜厚を、
通常の０．９μｍに対して１．２５μｍにした場合、不
要な開口部５の発生率は、０．６％と、従来の約１／２
にすることができる。ここで、酸化シリコン膜２に設け
る開口部の寸法が大きく、フォトレジスト膜３，６の化
学的除去が容易な場合、フォトレジスト膜６の膜厚は、
更に厚くする事が可能で、たとえば厚さ１．５μｍにし
た場合、不要な開口部５の発生率は、０．２％と従来の
約１／６になる。
通常の０．９μｍに対して１．２５μｍにした場合、不
要な開口部５の発生率は、０．６％と、従来の約１／２
にすることができる。ここで、酸化シリコン膜２に設け
る開口部の寸法が大きく、フォトレジスト膜３，６の化
学的除去が容易な場合、フォトレジスト膜６の膜厚は、
更に厚くする事が可能で、たとえば厚さ１．５μｍにし
た場合、不要な開口部５の発生率は、０．２％と従来の
約１／６になる。
【００２２】この際、膜厚を厚くするのはフォトレジス
ト膜６のみとし、その開口部７はフォトレジスト膜３の
開口部４よりも大きく形成するため、酸化膜シリコン膜
２を開口する際の寸法精度が下がることはない。
ト膜６のみとし、その開口部７はフォトレジスト膜３の
開口部４よりも大きく形成するため、酸化膜シリコン膜
２を開口する際の寸法精度が下がることはない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、二重に感
光性材料膜を形成しパターニングした感光性材料膜をマ
スクとして半導体基板上の絶縁膜をエッチング除去する
工程において、第２の感光性材料膜の膜厚を厚くする事
により、絶縁膜に不要な開口部が発生する確率を下げる
ことができ、また第２の感光性材料膜の開口部は第１の
感光性材料膜の開口部よりも大きく形成することにより
絶縁膜開口部の寸法精度は低下することがない。したが
って、半導体集積回路装置の信頼性を向上させることが
できるという効果を有する。
光性材料膜を形成しパターニングした感光性材料膜をマ
スクとして半導体基板上の絶縁膜をエッチング除去する
工程において、第２の感光性材料膜の膜厚を厚くする事
により、絶縁膜に不要な開口部が発生する確率を下げる
ことができ、また第２の感光性材料膜の開口部は第１の
感光性材料膜の開口部よりも大きく形成することにより
絶縁膜開口部の寸法精度は低下することがない。したが
って、半導体集積回路装置の信頼性を向上させることが
できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した断面図。
した断面図。
【図２】従来の半導体集積回路装置の製造方法の第１の
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図３】従来の半導体集積回路装置の製造方法の第２の
例を示す断面図。
例を示す断面図。
１ シリコン基板 ２ 酸化シリコン膜 ３，６ フォトレジスト膜 ４，７ 開口部 ５ 不要な開口部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜上に第１の感光性材料膜を塗布する工程
と、前記第１の感光性材料膜を露光現像して第１の開口
部を形成する工程と、前記第１の感光性材料膜の上に第
２の感光性材料膜を前記第１の感光性材料膜よりも厚く
塗布する工程と、前記第２の感光性材料膜に前記第１の
開口部と整合し且つ前記第１の開口部より大きい口径の
第２の開口部を形成する工程と、前記第１及び第２の感
光性材料膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングし開
口する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22908492A JPH0677159A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22908492A JPH0677159A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677159A true JPH0677159A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16886506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22908492A Pending JPH0677159A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677159A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026726A1 (fr) * | 1998-11-02 | 2000-05-11 | Kansai Paint Co., Ltd. | Procede de formation de motif |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP22908492A patent/JPH0677159A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026726A1 (fr) * | 1998-11-02 | 2000-05-11 | Kansai Paint Co., Ltd. | Procede de formation de motif |
| US6664029B1 (en) | 1998-11-02 | 2003-12-16 | Kansai Paint Co., Ltd. | Method of forming pattern |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990223 |