JPS6053872B2 - 遮光性マスクの修正方法 - Google Patents
遮光性マスクの修正方法Info
- Publication number
- JPS6053872B2 JPS6053872B2 JP53158555A JP15855578A JPS6053872B2 JP S6053872 B2 JPS6053872 B2 JP S6053872B2 JP 53158555 A JP53158555 A JP 53158555A JP 15855578 A JP15855578 A JP 15855578A JP S6053872 B2 JPS6053872 B2 JP S6053872B2
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- metal
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトマスクあるいはレチクルに存在する遮光
性物質層の欠陥部分を修正する方法に関する。
性物質層の欠陥部分を修正する方法に関する。
半導体装置、特にＩＣの製作にあたつては、ホトマス
クを使用してシリコンウェーハ等の被処理体に微細なパ
ターンの遮蔽膜を形成し、これをマスクとして選択酸化
、選択不純物拡散、選択エッチング等を行なつている。
クを使用してシリコンウェーハ等の被処理体に微細なパ
ターンの遮蔽膜を形成し、これをマスクとして選択酸化
、選択不純物拡散、選択エッチング等を行なつている。
この様なホトマスクは、通常パターンジェネレータによ
り写真乾板にてｌ晧の原版を製作し、この原版を用いて
ガラス上に金属薄膜にて遮光性パターンを形成し、レチ
クルを製作する。これをステップアントリヒータにより
行列に配列しながら、縮少投影露光し、現像、ベータ、
エッチング等の処理を行なつてホトマスクを完成する。
このホトマスク及びレチクルは、ガラス板表面にクロム
等の金属薄膜を蒸着し、選択エッチング等の処理によつ
て、所定の遮光部分のパターンを形成するのが一般的で
ある。 この様なホトマスク及びレチクルには、パター
ン形成時に塵埃その他の原因により欠陥部分を生するこ
とがある。この欠陥とは、パターンを形成する金属薄膜
が、本来存在すべき場所から欠損していたり、余分な部
分に残留していたりするものである。この欠陥が存在す
ると、このマスクを使用して製作したＩＣ配線層や、不
純物拡散層等が設計値からはすれ、結果として半導体装
置の歩留を下げることになる。 従来、余分な金属薄膜
が残留した型の欠陥が生じた場合には、局所的なホトエ
ッチング、あるいはレーザー等の高エネルギービームを
照射することによつて比較的容易に除去することができ
るが、本来存在すべき所に金属膜が欠損した型の欠陥の
場合には、一担ホトレジストを塗布し、その欠陥部分に
のみ局所的に露光し、現像後、金属を蒸着等により付着
せしめ、その後レジスト及び不要部分の金属を除去する
いわゆるリフトオフ法によつて修正を行なうため、多大
な作業時間を要する工程となる。
り写真乾板にてｌ晧の原版を製作し、この原版を用いて
ガラス上に金属薄膜にて遮光性パターンを形成し、レチ
クルを製作する。これをステップアントリヒータにより
行列に配列しながら、縮少投影露光し、現像、ベータ、
エッチング等の処理を行なつてホトマスクを完成する。
このホトマスク及びレチクルは、ガラス板表面にクロム
等の金属薄膜を蒸着し、選択エッチング等の処理によつ
て、所定の遮光部分のパターンを形成するのが一般的で
ある。 この様なホトマスク及びレチクルには、パター
ン形成時に塵埃その他の原因により欠陥部分を生するこ
とがある。この欠陥とは、パターンを形成する金属薄膜
が、本来存在すべき場所から欠損していたり、余分な部
分に残留していたりするものである。この欠陥が存在す
ると、このマスクを使用して製作したＩＣ配線層や、不
純物拡散層等が設計値からはすれ、結果として半導体装
置の歩留を下げることになる。 従来、余分な金属薄膜
が残留した型の欠陥が生じた場合には、局所的なホトエ
ッチング、あるいはレーザー等の高エネルギービームを
照射することによつて比較的容易に除去することができ
るが、本来存在すべき所に金属膜が欠損した型の欠陥の
場合には、一担ホトレジストを塗布し、その欠陥部分に
のみ局所的に露光し、現像後、金属を蒸着等により付着
せしめ、その後レジスト及び不要部分の金属を除去する
いわゆるリフトオフ法によつて修正を行なうため、多大
な作業時間を要する工程となる。
そしてこの方法では、ホトレジストを塗布するときに発
生するピンボール等による新たな欠陥が発生する可能性
もある。 そこで本発明の目的は、上記の欠点を解決し
、極めて短時間にてホトマスクやレチクルの欠陥部分の
修正を行なうことのできる新規な修正方法を提供するこ
とである。
生するピンボール等による新たな欠陥が発生する可能性
もある。 そこで本発明の目的は、上記の欠点を解決し
、極めて短時間にてホトマスクやレチクルの欠陥部分の
修正を行なうことのできる新規な修正方法を提供するこ
とである。
本発明は、透光性基板表面に設られた所定パターンの
遮光性物質薄層の少なくとも欠陥部表面に欠陥修正膜を
被着する工程、欠陥部表面上の欠陥修正膜に高エネルギ
ービームを照射する工程、高エネルギービームの照射さ
れた部分を残して欠陥修正膜を除去する工程からなるこ
とを特徴とするものである。
遮光性物質薄層の少なくとも欠陥部表面に欠陥修正膜を
被着する工程、欠陥部表面上の欠陥修正膜に高エネルギ
ービームを照射する工程、高エネルギービームの照射さ
れた部分を残して欠陥修正膜を除去する工程からなるこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の実施例を示すもので、１はガラスか
らなるホトマスクやレチクルの基板で、その表面にクロ
ーム等の金属薄膜２により、所定の回路パターンが形成
されている。
らなるホトマスクやレチクルの基板で、その表面にクロ
ーム等の金属薄膜２により、所定の回路パターンが形成
されている。
この金属薄膜２に欠損型欠陥５が存在する場合、金属膜
（例えば金箔）３で被う。しかる後、欠陥部５の部分に
上方あるいは下方から、レーザー等の高エネルギービー
ム４を当該欠陥部に照射する。高エネルギーを照射され
た金属箔は瞬時に熔融し、下地のガラスに付着する。し
かる後、不要となつた金属箔（未熔融箔）をはがすと、
第２図に示す様に欠陥部分に局所的に熔着金属６が付加
され、所定の遮光性を有し、修正が完成することとなる
。第３図は、第２図の上面図で、熔融金属層６によつて
欠陥部５が修正されたことを示している。
（例えば金箔）３で被う。しかる後、欠陥部５の部分に
上方あるいは下方から、レーザー等の高エネルギービー
ム４を当該欠陥部に照射する。高エネルギーを照射され
た金属箔は瞬時に熔融し、下地のガラスに付着する。し
かる後、不要となつた金属箔（未熔融箔）をはがすと、
第２図に示す様に欠陥部分に局所的に熔着金属６が付加
され、所定の遮光性を有し、修正が完成することとなる
。第３図は、第２図の上面図で、熔融金属層６によつて
欠陥部５が修正されたことを示している。
以上、本発明の実施例からも明らかな通り、本発明は多
大な処理工程を経ることなく、極めて短時間にパターン
欠陥部の修正が行なえる。本発明の方法により、従来ホ
トマスクパターン修正におよそ半日程度要していた作業
が約１時間程度の短時間で行なうことができる様になつ
た。
大な処理工程を経ることなく、極めて短時間にパターン
欠陥部の修正が行なえる。本発明の方法により、従来ホ
トマスクパターン修正におよそ半日程度要していた作業
が約１時間程度の短時間で行なうことができる様になつ
た。
第１図乃至第３図は本発明の方法を説明する図で、第１
図，第２図は断面図、第３図は上面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・金属薄膜、
３・・・・・・金属箔、４・・・・・ルーザービーム、
５・・・・・・欠陥部、６・・・熔着金属。
図，第２図は断面図、第３図は上面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・金属薄膜、
３・・・・・・金属箔、４・・・・・ルーザービーム、
５・・・・・・欠陥部、６・・・熔着金属。
Claims (1)
- １ 透光性基板表面に設けられた所定パターンの遮光性
物質薄層の少なくとも欠陥部表面に欠陥修正膜を被着す
る工程、前記欠陥部表面上の欠陥修正膜に高エネルギー
ビームを照射する工程、前記高エネルギービームの照射
された部分を残して前記欠陥修正膜を除去する工程から
なることを特徴とする遮光性マスクの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53158555A JPS6053872B2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | 遮光性マスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53158555A JPS6053872B2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | 遮光性マスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5587148A JPS5587148A (en) | 1980-07-01 |
| JPS6053872B2 true JPS6053872B2 (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=15674256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53158555A Expired JPS6053872B2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | 遮光性マスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053872B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281682U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-25 | ||
| JPS62159584U (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-09 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4548883A (en) * | 1983-05-31 | 1985-10-22 | At&T Bell Laboratories | Correction of lithographic masks |
-
1978
- 1978-12-25 JP JP53158555A patent/JPS6053872B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281682U (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-25 | ||
| JPS62159584U (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5587148A (en) | 1980-07-01 |
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