JPS6163029A - クロムマスクの修正方法 - Google Patents
クロムマスクの修正方法Info
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- JPS6163029A JPS6163029A JP59184144A JP18414484A JPS6163029A JP S6163029 A JPS6163029 A JP S6163029A JP 59184144 A JP59184144 A JP 59184144A JP 18414484 A JP18414484 A JP 18414484A JP S6163029 A JPS6163029 A JP S6163029A
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- chromium
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は透明基板表面に所望形状にクロミウム膜を被着
せしめたクロムマスクに於ける残留欠陥を修正するクロ
ムマスクの修正方法に関する。
せしめたクロムマスクに於ける残留欠陥を修正するクロ
ムマスクの修正方法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体集積回路は年々微細化、高密度化が図られており
、それに伴ってフォトマスクに要求される品質も厳しい
ものとなってきた。その結果マスクの材質も金ハクロミ
ウムをパターン材とするハードマスクが主流となりつつ
ある。フォトマスクの品質の中で、欠陥は素子の製造歩
留りに大きく影響するものであり、もちろん無欠陥マス
クが望ましい。しかし通常のマスク製造工程で無欠陥マ
スクが得られる確率は極めて低く、数個の欠陥を含む場
合が多い。従って無欠陥マスクを得るには、これ等の欠
陥を何らかの方法で修正する必要がある。クロムハード
マスクにおいては、クロムの黒点が残る“残留欠陥”と
、クロミウム膜にピンホールが残る１欠損欠陥”と、２
種類の欠陥が存在する。欠損欠陥はクロムのリフトオフ
法と呼ばれる方法で修正可能である。残留欠陥は欠陥部
にレーザー光を照射して残留クロムを蒸発させる事によ
り容易に修正可能である。この時用いられるレーザー光
は、透明基板として用いられるガラスに透明な波長で、
基板を損傷することがなく且つ熱影響を極力避ける様に
発振時間の短いレーザー光を用いており、これを一般に
“レーザマスクリペア”と呼ばれる装五で欠陥部に正確
に照射する事により残留クロムを除去している。この事
実は例えば、Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
ｌ ９８４ 。
、それに伴ってフォトマスクに要求される品質も厳しい
ものとなってきた。その結果マスクの材質も金ハクロミ
ウムをパターン材とするハードマスクが主流となりつつ
ある。フォトマスクの品質の中で、欠陥は素子の製造歩
留りに大きく影響するものであり、もちろん無欠陥マス
クが望ましい。しかし通常のマスク製造工程で無欠陥マ
スクが得られる確率は極めて低く、数個の欠陥を含む場
合が多い。従って無欠陥マスクを得るには、これ等の欠
陥を何らかの方法で修正する必要がある。クロムハード
マスクにおいては、クロムの黒点が残る“残留欠陥”と
、クロミウム膜にピンホールが残る１欠損欠陥”と、２
種類の欠陥が存在する。欠損欠陥はクロムのリフトオフ
法と呼ばれる方法で修正可能である。残留欠陥は欠陥部
にレーザー光を照射して残留クロムを蒸発させる事によ
り容易に修正可能である。この時用いられるレーザー光
は、透明基板として用いられるガラスに透明な波長で、
基板を損傷することがなく且つ熱影響を極力避ける様に
発振時間の短いレーザー光を用いており、これを一般に
“レーザマスクリペア”と呼ばれる装五で欠陥部に正確
に照射する事により残留クロムを除去している。この事
実は例えば、Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ
ｌ ９８４ 。
ＩＰ９５〜９６に記載されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
斯上した方法によれば、残留クロムが小さい場合には問
題ないが、比較的大きな場合にはレーザー光によって熱
的に蒸発しきれなかったクロミウムが周囲に飛散し、そ
こに新たな残留クロムが生じるという欠点がある。
題ないが、比較的大きな場合にはレーザー光によって熱
的に蒸発しきれなかったクロミウムが周囲に飛散し、そ
こに新たな残留クロムが生じるという欠点がある。
に） 問題点を解決するための手段
本発明は斯上の問題点に檻みてなされ、レーザー光を照
射する前にクロムマスク全面に保護膜を付着する事によ
り従来の欠点を除去することにある。
射する前にクロムマスク全面に保護膜を付着する事によ
り従来の欠点を除去することにある。
（ホ）作用
本発明では、予じめ保護膜を設けてから比較的大きな残
留クロムにレーザー光を照射するので、飛散するクロミ
ニラムは保護膜に付着し、直接透明基板に付着して新た
な残留クロムを発生させることはない。
留クロムにレーザー光を照射するので、飛散するクロミ
ニラムは保護膜に付着し、直接透明基板に付着して新た
な残留クロムを発生させることはない。
（へ）実施例
本発明の一実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図（イ）はクロムマスクの要部の拡大図を示してい
る。クロムマスクは透明基板としてガラス基板（１）を
用い、この表面に金属クロミニラム膜（２）を蒸着し、
その上にレジストを塗布して得られた乾板に電子ビーム
露光もしくは紫外線露光等の方法により所望形状のパタ
ーンを描画し、現像、エツチング、レジスト除去の工程
を経て製造される。
る。クロムマスクは透明基板としてガラス基板（１）を
用い、この表面に金属クロミニラム膜（２）を蒸着し、
その上にレジストを塗布して得られた乾板に電子ビーム
露光もしくは紫外線露光等の方法により所望形状のパタ
ーンを描画し、現像、エツチング、レジスト除去の工程
を経て製造される。
なお（３）はエツチングの工程で金属クロミニラム膜（
２）が除去しきれなかった残留欠陥である。
２）が除去しきれなかった残留欠陥である。
斯るクロムマスクの表面に保護膜（４）を付着する。
具体的には保護膜（４）としてＡＺレジストが用いられ
、クロムマスク表面に５０００Ａ＠ＩＩＩで塗布した後
に９０℃、３０分のベーキング処理が施される。この保
護膜（４）は、溶剤を何らかの方法で蒸発させる事によ
りある程度硬化できるものであれば他の物質でも良〜・
。（第１図（ロ）参照）続いて残留クロム（３）部分に
一般的なレーザマスクリペア装置を用いてレーザー光を
照射する事により残留クロム（３）及び保護膜（４）の
被照射部を蒸発させる。この時に飛散したクロミニラム
（５）はガラス基、ｉ原１）上に付着した保護膜（４）
表面に被兄−し、ガラス基板（１１に被着して新たな残
留クロムを生じることはない。（第１図（ハ）参照） 最後に保護膜（４）を例えば熱姶硫酸により除去するが
、この時に前記した飛散したクロミニラム（５）も保護
膜（１１）と同時に剥離されろ。（第２図に）参照）本
発明は以上の説明より明らかな如く、残留欠陥以外の１
】ｒＪ域は保護膜（４）によって保護されるので、残留
クロム（３）が比敗的犬ぎくなった場合に飛散するクロ
ミニラムが直接ガラス基板（１）に付着する事は皆無と
なる。
、クロムマスク表面に５０００Ａ＠ＩＩＩで塗布した後
に９０℃、３０分のベーキング処理が施される。この保
護膜（４）は、溶剤を何らかの方法で蒸発させる事によ
りある程度硬化できるものであれば他の物質でも良〜・
。（第１図（ロ）参照）続いて残留クロム（３）部分に
一般的なレーザマスクリペア装置を用いてレーザー光を
照射する事により残留クロム（３）及び保護膜（４）の
被照射部を蒸発させる。この時に飛散したクロミニラム
（５）はガラス基、ｉ原１）上に付着した保護膜（４）
表面に被兄−し、ガラス基板（１１に被着して新たな残
留クロムを生じることはない。（第１図（ハ）参照） 最後に保護膜（４）を例えば熱姶硫酸により除去するが
、この時に前記した飛散したクロミニラム（５）も保護
膜（１１）と同時に剥離されろ。（第２図に）参照）本
発明は以上の説明より明らかな如く、残留欠陥以外の１
】ｒＪ域は保護膜（４）によって保護されるので、残留
クロム（３）が比敗的犬ぎくなった場合に飛散するクロ
ミニラムが直接ガラス基板（１）に付着する事は皆無と
なる。
（ト）発明の効果
本発明により残留欠陥以外の領域は保護膜によって作品
されるので、比較的大きな残留クロムを蒸発させたとし
ても飛散するクロミニラムが直接ガラス基板に再度付着
することはない。従って、レジストを塗布する様な簡単
な工程を追加するだけで残留欠陥を確実に補修すること
が出来る。
されるので、比較的大きな残留クロムを蒸発させたとし
ても飛散するクロミニラムが直接ガラス基板に再度付着
することはない。従って、レジストを塗布する様な簡単
な工程を追加するだけで残留欠陥を確実に補修すること
が出来る。
４、 図面のｆ＋ｔ’ｉ巣な説明
第１図（イ）乃至第１図に）は本発明を工程順に説明し
た断面図である 主な図番の説明 （１）はガラス基板、（３）は残留クロム、（４）は保
護膜、（５）は飛散したクロミニラムである。
た断面図である 主な図番の説明 （１）はガラス基板、（３）は残留クロム、（４）は保
護膜、（５）は飛散したクロミニラムである。
Claims (1)
- （１）透明基板表面に所望形状にクロミウム膜を被着せ
しめたクロムマスクの残留欠陥を修正する方法であつて
、前記クロムマスク全面に保護膜を付着し、その後前記
残留欠陥部にレーザー光を照射して残留クロム及び前記
保護膜の被照射部を蒸発させた後、前記保護膜を除去す
ることを特徴とするクロムマスクの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184144A JPS6163029A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | クロムマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184144A JPS6163029A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | クロムマスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163029A true JPS6163029A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16148134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59184144A Pending JPS6163029A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | クロムマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163029A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5432978A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for pattern |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP59184144A patent/JPS6163029A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5432978A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for pattern |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
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