JPS6052022A - マスクパタ−ン修正方法 - Google Patents
マスクパタ−ン修正方法Info
- Publication number
- JPS6052022A JPS6052022A JP58159817A JP15981783A JPS6052022A JP S6052022 A JPS6052022 A JP S6052022A JP 58159817 A JP58159817 A JP 58159817A JP 15981783 A JP15981783 A JP 15981783A JP S6052022 A JPS6052022 A JP S6052022A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask pattern
- electron beam
- technology
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクパターンの欠陥部に電子ビームを照射す
ることによって、その部所で反応性ガスと反応を生ぜし
め、金属を析出させることによってマスクパターンの欠
陥を修生ずる方法に関するものである。超ＬＳＩの製造
技術の中でリソグラフィ技術の占める役割は、極めて大
きいことは云うまでもない。１９８０年代初期には最小
寸法３ミクロンデバイスの製造技術が、最先端であった
ものが、２年後には２ミクロンに、更に１９８５年には
１ミクロン技術が主流になろうとしている。
ることによって、その部所で反応性ガスと反応を生ぜし
め、金属を析出させることによってマスクパターンの欠
陥を修生ずる方法に関するものである。超ＬＳＩの製造
技術の中でリソグラフィ技術の占める役割は、極めて大
きいことは云うまでもない。１９８０年代初期には最小
寸法３ミクロンデバイスの製造技術が、最先端であった
ものが、２年後には２ミクロンに、更に１９８５年には
１ミクロン技術が主流になろうとしている。
このような微細な寸法の加工の中心技術は微細加工でち
り、その主役がリングラフィ技術である。
り、その主役がリングラフィ技術である。
リングラフィ技術のりｎ工限界が論じられ、光技術では
３ミクロンが限ＦＬと思われて来たが、短波長の光源の
開発、投影型リソグラフィ技術の進歩などで光技術でも
０．６ミクロンまで加工ができると期待されるまでに到
っている。光転ず技術は電子ビーム転写技術、Ｘ線転写
技術などに比べ、技術蓄積が多いだけでなく簡便であり
、信頼度も最も高く、なにより経済性に優れているため
量産技術として不動の位置を占めている。
３ミクロンが限ＦＬと思われて来たが、短波長の光源の
開発、投影型リソグラフィ技術の進歩などで光技術でも
０．６ミクロンまで加工ができると期待されるまでに到
っている。光転ず技術は電子ビーム転写技術、Ｘ線転写
技術などに比べ、技術蓄積が多いだけでなく簡便であり
、信頼度も最も高く、なにより経済性に優れているため
量産技術として不動の位置を占めている。
光転写技術は他の転ず技術と同様にフォトマスクと呼ば
れるマスクが用いられる。言い換えれば光転写技術の生
死を握っているのはフォトマスクの質如何による訳であ
る。一般に７オトマスクの製造は光学的技術によるパタ
ーンジェネレータを用いる場合と、電子ビーム露光技術
を用いて作る場合とがある。
れるマスクが用いられる。言い換えれば光転写技術の生
死を握っているのはフォトマスクの質如何による訳であ
る。一般に７オトマスクの製造は光学的技術によるパタ
ーンジェネレータを用いる場合と、電子ビーム露光技術
を用いて作る場合とがある。
今日のように超ＬＳＩ水準のフォトマスクでＩｄ １チ
ップ当り１００万個のパターンを含むことは、めずらし
く々い規模である。このような大規模なパターン数でも
数個の欠陥が許される訳にはいかない。比較的欠陥発生
率の少ない電子ビーム露光法でも１００万個のパターン
のうち、欠陥は１０個以−ヒ発生する。常に価欠陥のダ
マスフパターンを作ることは至幡の技と言える。従って
、通常作られたフォトマスクは厳密にそのパターンを検
査し、欠陥の発生部分を千、ツクし、この欠陥部にレー
ザの強い光をあてて、欠陥部を蒸発させることで１良正
シ、フォトマスクが仕上げられる。しかしレーザ光で蒸
発させる以外、有効な手段がない修正方法は、マスクパ
ターンが余分について欠陥となっている場合には有効で
あるが、パターンに穴あるいは欠損部分がある場合、そ
の修正は不可能であった。しかし、その発生確率は、は
とんど同じと見られ、欠損部分を修正する技術の開発が
切望されているのけ当然である。
ップ当り１００万個のパターンを含むことは、めずらし
く々い規模である。このような大規模なパターン数でも
数個の欠陥が許される訳にはいかない。比較的欠陥発生
率の少ない電子ビーム露光法でも１００万個のパターン
のうち、欠陥は１０個以−ヒ発生する。常に価欠陥のダ
マスフパターンを作ることは至幡の技と言える。従って
、通常作られたフォトマスクは厳密にそのパターンを検
査し、欠陥の発生部分を千、ツクし、この欠陥部にレー
ザの強い光をあてて、欠陥部を蒸発させることで１良正
シ、フォトマスクが仕上げられる。しかしレーザ光で蒸
発させる以外、有効な手段がない修正方法は、マスクパ
ターンが余分について欠陥となっている場合には有効で
あるが、パターンに穴あるいは欠損部分がある場合、そ
の修正は不可能であった。しかし、その発生確率は、は
とんど同じと見られ、欠損部分を修正する技術の開発が
切望されているのけ当然である。
本発明の目的は、上記のような状況のもとて任意の場所
の欠陥部分を修正するマスクパターン、Ｂ正方法を提供
しようとするものである。
の欠陥部分を修正するマスクパターン、Ｂ正方法を提供
しようとするものである。
まず、本発明の詳細な説明するため例として錯体化合物
を取り上げる。ビスベンゼンクロームＣｒ（Ｃ，Ｈ６耳
、ビスベンゼンモリブデンへｉｏ （Ｃ６Ｈａ ％ｆｘ
どの有機化合物は熱、電子衝突、光子陣突などによって
容易に分解する。
を取り上げる。ビスベンゼンクロームＣｒ（Ｃ，Ｈ６耳
、ビスベンゼンモリブデンへｉｏ （Ｃ６Ｈａ ％ｆｘ
どの有機化合物は熱、電子衝突、光子陣突などによって
容易に分解する。
光子はその波長に依存し、集束できるビーム径は、かな
り大きく、分解に必要なエネルギーを得るために１ミク
ロン以下にするのは内路である。
り大きく、分解に必要なエネルギーを得るために１ミク
ロン以下にするのは内路である。
熱を利用すれば、さらに局在化した分１りは内端である
。本発明はこれらの串状を克服するために考慮したもの
で、電子ビームとの相互作用によって錯体が析出する性
質を利用しようとするものである。第１図に示すように
電子ビーム１６が基板１１の表面にａ々着している分子
１２と衝突し、この時得たエネルギーで反応を生じ、金
属クローム又は金属モリブデン］４．が析出し、ベンゼ
ンなど不要な物１５は気化させることによって基板上の
電子ビームが照射された部分にだけ金属を選択的に析出
させることがでべろ。
。本発明はこれらの串状を克服するために考慮したもの
で、電子ビームとの相互作用によって錯体が析出する性
質を利用しようとするものである。第１図に示すように
電子ビーム１６が基板１１の表面にａ々着している分子
１２と衝突し、この時得たエネルギーで反応を生じ、金
属クローム又は金属モリブデン］４．が析出し、ベンゼ
ンなど不要な物１５は気化させることによって基板上の
電子ビームが照射された部分にだけ金属を選択的に析出
させることがでべろ。
ビスベンゼンクロームＣｒ（ＣａＨ６）ｔの例−１’、
ｆｉ電子ビーム照射量と照射によって析出する金属；漠
の厚さの１損保を第２図に示しである。電子ビームの加
速電圧は１０ＫｅＶである。金４クロームの厚さ０．５
ミクロンにするには、３．５ Ｘ ｉｏ ＣＡｆｔの照
射量を与えればよいことが分かる。
ｆｉ電子ビーム照射量と照射によって析出する金属；漠
の厚さの１損保を第２図に示しである。電子ビームの加
速電圧は１０ＫｅＶである。金４クロームの厚さ０．５
ミクロンにするには、３．５ Ｘ ｉｏ ＣＡｆｔの照
射量を与えればよいことが分かる。
この原理に慧づいて本発明はなされたもので簡単のため
に第３図で説明する。フォトマスクはガラス基板３３の
上に０．１ミクロン程度の厚みの金ｌ・４クロームをパ
ターン化したものでできている。
に第３図で説明する。フォトマスクはガラス基板３３の
上に０．１ミクロン程度の厚みの金ｌ・４クロームをパ
ターン化したものでできている。
すでに前述した様にフォトマスクパターンには、３４に
示すような欠落パターンと３７に示すような余分な付着
パターンがある。３７のようなパターンはレーザ修正法
を使ってぽ正することは、すでに実用化されているが、
３４の欠落パターンの修正が適当な手段がなかった。そ
こで上述の原理を用いて、これを修正する方法を本発明
は与えている。すなわち、基板上に３１で示す気体伝送
管を通じてビスベンゼンクロームあるいはビスベンゼン
モリブデン３５を基板表面に流し、基板面上に吸着せし
める。次に電子ビーム３２を欠落したパターン上に照射
することによって、吸着分子が分解、金属クローム、又
はモリブデンを照射部に析出せしめることで、欠陥パタ
ーンを修正できる。
示すような欠落パターンと３７に示すような余分な付着
パターンがある。３７のようなパターンはレーザ修正法
を使ってぽ正することは、すでに実用化されているが、
３４の欠落パターンの修正が適当な手段がなかった。そ
こで上述の原理を用いて、これを修正する方法を本発明
は与えている。すなわち、基板上に３１で示す気体伝送
管を通じてビスベンゼンクロームあるいはビスベンゼン
モリブデン３５を基板表面に流し、基板面上に吸着せし
める。次に電子ビーム３２を欠落したパターン上に照射
することによって、吸着分子が分解、金属クローム、又
はモリブデンを照射部に析出せしめることで、欠陥パタ
ーンを修正できる。
その際フォトマスクの遮光率は９０％以上が望ましく、
析出させた金属膜の厚みも、この場合０．１ミクロン以
上あることが必要でちる。この方法を効率良く行なうた
めの装置の例を第４図に示す。
析出させた金属膜の厚みも、この場合０．１ミクロン以
上あることが必要でちる。この方法を効率良く行なうた
めの装置の例を第４図に示す。
４０１、４０２は反応ガスの供給容器で真空度を上げる
ことによって昇華するガスを４０３の供給パイプで反応
容器に導へ入れている。４０４はステージ、４０５は試
料、４０６は内部真空容器、４０８は外部真空容器、４
０７は電子ビームの入射開口部である。４０９゜４１０
、４１１で示すような電子光学系を利用し、既に電子ビ
ーム直接描画技術で８ｍ実用化されている重ね金塗技術
を適用することによって効率良く任意の必要な位置のマ
スクパターン修正が可能となる。このように本発明は従
来適当な手法がなかった欠落パターンの修正を精度良く
、しかも板めて小さなパターンまで効率良く行なうこと
ができる技術を提供するもので、超ＬＳＩＢＩ造技術へ
の貢献１ｄ大きなものがある。ここでは説明を簡単にす
るためビスベンゼンクローム、ビスベンゼンモリブデン
を（ケリにしているが、成子ビームと相互作用し金属を
析出する物質も同様に本発明は適用をれる。
ことによって昇華するガスを４０３の供給パイプで反応
容器に導へ入れている。４０４はステージ、４０５は試
料、４０６は内部真空容器、４０８は外部真空容器、４
０７は電子ビームの入射開口部である。４０９゜４１０
、４１１で示すような電子光学系を利用し、既に電子ビ
ーム直接描画技術で８ｍ実用化されている重ね金塗技術
を適用することによって効率良く任意の必要な位置のマ
スクパターン修正が可能となる。このように本発明は従
来適当な手法がなかった欠落パターンの修正を精度良く
、しかも板めて小さなパターンまで効率良く行なうこと
ができる技術を提供するもので、超ＬＳＩＢＩ造技術へ
の貢献１ｄ大きなものがある。ここでは説明を簡単にす
るためビスベンゼンクローム、ビスベンゼンモリブデン
を（ケリにしているが、成子ビームと相互作用し金属を
析出する物質も同様に本発明は適用をれる。
また、前記実地例ではフォトマスクについて説明したが
、本発明はレチクル、Ｘ線マスク等に対しても適用でき
る。
、本発明はレチクル、Ｘ線マスク等に対しても適用でき
る。
第１図は本発明の基である電子ビームと吸着分子との相
互作用の原理図。１１は基板、１２．１３は吸着分子、
１４は電子ビームとの反応後析出した金属分子、１５は
反応波気化した分子、１６は電子ビームである。 第２図はシ子ビーム照射量と電子ビームとの相互作用を
析出する金属膜の厚さとの関係を示す図。 このデータはビスベンゼンクロームの場合である。 １７） 第３図はマスクパターン修正の原理を説、明するための
斜視概略図である。３１は反応ガスを導き入れる伝送管
で、３２は電子ビーム、３３はマスク基板、３４け欠落
したパターンを示す。３５は反応ガスを示す。３６は正
常々マスクパターン、３７は余分１でついたマスクパタ
ーンである。 第４図は本発明に基づく装置行の例を示す図である。４
０１．４０２は反応ガスの供給容器で真空度を一ヒげる
ことによって昇華するガスを４０３の供給パイプで反応
容器に導き入れている。４０４けステージ４０５は試料
、４０６は内部真空容器、４０８は外部真空容器、４０
７は電子ビームの入射開口部である。 ４０９は電子光学系、４１０は鏡筒、４１１けフィラメ
ントで、４１２は部子ビームを示している。 １１鮫 （８） 悴 ２ 図 照瑠才量 （ｘｉσ３ｃ／ｃｍ２）
互作用の原理図。１１は基板、１２．１３は吸着分子、
１４は電子ビームとの反応後析出した金属分子、１５は
反応波気化した分子、１６は電子ビームである。 第２図はシ子ビーム照射量と電子ビームとの相互作用を
析出する金属膜の厚さとの関係を示す図。 このデータはビスベンゼンクロームの場合である。 １７） 第３図はマスクパターン修正の原理を説、明するための
斜視概略図である。３１は反応ガスを導き入れる伝送管
で、３２は電子ビーム、３３はマスク基板、３４け欠落
したパターンを示す。３５は反応ガスを示す。３６は正
常々マスクパターン、３７は余分１でついたマスクパタ
ーンである。 第４図は本発明に基づく装置行の例を示す図である。４
０１．４０２は反応ガスの供給容器で真空度を一ヒげる
ことによって昇華するガスを４０３の供給パイプで反応
容器に導き入れている。４０４けステージ４０５は試料
、４０６は内部真空容器、４０８は外部真空容器、４０
７は電子ビームの入射開口部である。 ４０９は電子光学系、４１０は鏡筒、４１１けフィラメ
ントで、４１２は部子ビームを示している。 １１鮫 （８） 悴 ２ 図 照瑠才量 （ｘｉσ３ｃ／ｃｍ２）
Claims (1)
- 電子ビームとの相互作用で金属を析出する反応性ガスを
マスク上に流し、マスクパターンの欠陥部に局所的に電
子ビーム４．ｌｆｌ対するととによって金属を析出させ
欠陥部を修正することを特徴とするマスクパターン修正
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159817A JPS6052022A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | マスクパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58159817A JPS6052022A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | マスクパタ−ン修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052022A true JPS6052022A (ja) | 1985-03-23 |
Family
ID=15701891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58159817A Pending JPS6052022A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | マスクパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052022A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0221184A1 (en) * | 1984-06-26 | 1987-05-13 | Seiko Instruments Inc. | Mask repairing apparatus |
| JPS62229956A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Hitachi Ltd | Ｉｃ素子における配線接続方法 |
| JPS63114769U (ja) * | 1986-08-29 | 1988-07-23 | ||
| US4774851A (en) * | 1986-04-18 | 1988-10-04 | Koyo Seiko Kabushiki Kaisha | Apparatus for adjusting position of steering wheel |
| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58159817A patent/JPS6052022A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0221184A1 (en) * | 1984-06-26 | 1987-05-13 | Seiko Instruments Inc. | Mask repairing apparatus |
| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
| JPS62229956A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Hitachi Ltd | Ｉｃ素子における配線接続方法 |
| US5824598A (en) * | 1986-03-31 | 1998-10-20 | Hitachi, Ltd. | IC wiring connecting method using focused energy beams |
| US4774851A (en) * | 1986-04-18 | 1988-10-04 | Koyo Seiko Kabushiki Kaisha | Apparatus for adjusting position of steering wheel |
| JPS63114769U (ja) * | 1986-08-29 | 1988-07-23 |
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