JPS627691B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS627691B2
JPS627691B2 JP16151880A JP16151880A JPS627691B2 JP S627691 B2 JPS627691 B2 JP S627691B2 JP 16151880 A JP16151880 A JP 16151880A JP 16151880 A JP16151880 A JP 16151880A JP S627691 B2 JPS627691 B2 JP S627691B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
laser beam
vapor deposition
deposition material
defect
Prior art date
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Expired
Application number
JP16151880A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5785228A (en
Inventor
Yoichi Yoshino
Ryuji Tatsumi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP16151880A priority Critical patent/JPS5785228A/ja
Publication of JPS5785228A publication Critical patent/JPS5785228A/ja
Publication of JPS627691B2 publication Critical patent/JPS627691B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザ光を用いたフオトマスクの欠陥
修正法に関する。
半導体製造に用いられるフオトマスクは、ガラ
ス基板上に金属を蒸着させた後レジスト材料を塗
布し、所要のパターンで露光した後現像処理、エ
ツチング処理を施して前記所要のパターンを形成
したものであるが、このような製造工程を通過す
る間にフオトマスクには種々の原因により残留欠
陥及びピンホールやパターン欠除等の欠損欠陥が
発生する。フオトマスクのこのような欠陥は、そ
れを用いて製造された半導体に不良をひき起こす
原因となるため、修正を行なう必要がある。
近年、残留欠陥の修正には、レーザ光照射によ
り残留金属膜を蒸発させ除去修正する方法が適用
され成果を上げている。しかし、欠損欠陥の修正
に関しては種々の提案がなされてはいるものの未
だ実用となつていない。例えば、特開昭54−
57964に提案されている方法は、修正すべき欠陥
のあるパターン面上にパターン材料層を近接させ
て置きそのパターン材料層の前記欠陥部分と対応
した部分にレーザ光を照射し、パターン材料を溶
融またはガス化して欠陥部の基板に付着させると
いうものである。しかし、この方法では正規のパ
ターンを不必要に損傷したり、欠陥部以外の正規
のパターン上に金属膜を重ねて付着させたりし
て、パターンの面精度を低下させるという欠点が
ある。
また、本発明の発明者より出願中の発明に、フ
オトマスクのパターン面に保護膜を塗布し、この
保護膜面と蒸着材料とを対面して近接配置し、フ
オトマスクの欠陥部を含む微小部分にレーザ光を
照射し、前記微小部分を蒸発させ微小窓を形成し
しかる後に前記レーザ光を前記微小窓に対向する
前記蒸着材料に照射して蒸発させその蒸発物質を
前記微小窓に蒸着するという方法がある。しかし
ながら、この方法では、修正を施すべき第1の欠
陥部の近傍に第2或いは第3の欠陥が存在する場
合、それらの欠陥部も同時に蒸着されてしまい、
次の検査過程で前記第2、第3の欠陥は確認され
ず、そのまま未修正の欠陥として残るという欠点
を有している。
このように従来の方法ではフオトマスク上の欠
損欠陥を修正することがきわめて困難であるため
欠損欠陥の修正は殆んど行なわれていないのが現
状である。
本発明の目的は、従来の欠点を除去した、レー
ザ光によるフオトマスクの欠損欠陥修正法を提供
することである。
前記目的を達成するため、本発明のフオトマス
クの欠陥修正法は、フオトマスクのパターン面と
蒸着材料とを対面して配置し、前記蒸着材料に熱
源用レーザ光を照射して蒸発させその蒸発物質を
前記フオトマスクの欠陥部に蒸着する欠陥修正法
において、欠陥部に熱源用レーザ光を前記欠陥部
およびその周囲に所定のビーム形状をもつて照射
し欠陥部周囲蒸着膜を除去し、その後案内用レー
ザ光を同じビーム形状をもつて同じ欠陥部および
その周囲に照射しながら蒸着材料に熱源用レーザ
光を照射し蒸着材料を蒸発せしめた欠陥部及び蒸
着膜が除去された場所に新たな蒸着膜を形成する
ことを特徴とするものである。
本発明の特徴をなす案内用レーザ光の働き、す
なわちレーザ光により照射されている部分に機械
的強度の強い蒸着膜が形成されることは実験によ
り確認した。
以下本発明を実施例につき詳述する。第1図は
本発明の実施例の構成を示すブロツク図である。
図において、1は案内用レーザ光を出射するレー
ザ装置(1)、3は加工用レーザ光及び熱源用レーザ
光を出射するレーザ装置(2)、2及び4は可動ミラ
ー、5はレーザ光の照射形状を制御するスリツト
機構、6はスリツト機構5により制御されたレー
ザ光、7は観察用光学系、8は対物レンズ、9は
フオトマスク、10は蒸着材料、11は蒸着材料
10を支持するボート、12は真空容器、13は
スライド台である。フオトマスク9は第2図に示
す構造をしており、15はガラス基板、16はク
ロム、酸化クロム等の金属薄膜で形成されたパタ
ーン、17はレジスト材を塗布した保護膜、18
は欠損欠陥である。
第1図を用いて欠陥修正を行なう場合の手順を
次に述べる。先ず、フオトマスク9をフオトマス
クのパターン16が蒸着材料10と相対するよう
にしてスライド台13に装着する。このスライド
台13は図には示さないがXY移動装置を備えて
おり、任意の位置に位置決めすることができる。
次に、観察用光学系7によりフオトマスク9上の
欠陥18を観察しながら、スライド台13を微調
整して対物レンズ8の焦点位置に移動させる。こ
の間真空容器12の中は図には示されていないが
排気装置により真空にされ、また同時に可動ミラ
ー4を4′の位置に移動させ、熱源用レーザ装置
3を動作させて蒸着材料10を加熱し、吸気ガス
を脱気する。そのとき、不必要なガスがフオトマ
スク9に付着しないようにシヤツタ14は閉じて
おく。次に、レーザ装置3を停止させ、可動ミラ
ー4′を4の位置にもどしてシヤツタ14を開
き、蒸発物質がフオトマスク9に到達可能なよう
にしておく。次に、欠損欠陥18の形状に応じて
スリツト機構5を調整してからレーザ装置3を動
作させると、レーザ光はスリツト機構5により制
限を受けた加工用レーザ光6となり、対物レンズ
8によりフオトマスク9のパターン16上に照射
される。その結果、加工用レーザ光の照射前は第
3図aに示すような欠損欠陥18であつたもの
が、同図bに示すような欠損欠陥19に変形され
る。このとき、フオトマスク上の金属薄膜ととも
に保護膜17も除去され、第3図cに示すような
断面構造が得られる。図において19は加工用レ
ーザの照射により発生した窓である。この窓を形
成するための加工用レーザの発振時間は短い程良
いことが知られている。次に、可動ミラー2及び
4を各々2′、4′の位置に移動さして、レーザ装
置3より熱源用レーザ光をボート11に照射し、
蒸着材料10を加熱して蒸発させる。このとき、
シヤツタ14は開いている。この間、レーザ装置
1を動作させて第3図に示した窓19に案内用レ
ーザ光を照射する。この案内用レーザ光の照射形
状は、窓19を形成するときに用いた加工用レー
ザ光の照射形状と等しい。このようにすると、蒸
着材料10より蒸発した蒸気は案内用レーザ光の
吸引力によつてフオトマスクの窓19の部分にの
み強く付着し、窓19を不透明にする。しかる後
このフオトマスクを剥離剤に浸すと保護膜17が
とれ、欠損欠陥の修正されたフオトマスクが得ら
れる。
上述の作業工程において、案内用レーザ光のエ
ネルギーは真空容器内の真空度、蒸着材料の性質
等に依存するが、加工用レーザ光のエネルギーよ
りはるかに小さくて良いことが確認された。また
熱源用レーザ光のエネルギーは蒸着材料の形状及
びレーザ光の蒸着材料への照射形態に依存する。
以上説明したように、本発明によるフオトマス
クの欠陥修正法によれば、エネルギー量のきわめ
て小さい案内用レーザ光をフオトマスクの欠損欠
陥部に照射しながら蒸着を行なうことにより、必
要十分な範囲に金属膜を蒸着することが可能とな
り、二次的な欠陥を発生させる恐れもなく、欠損
欠陥の修正を一工程できわめて容易に行なうこと
が可能となる。また、案内用レーザ光の照射形状
を制御することにより、いかなる形状の欠損欠陥
でも修正することができ、更に新なパターンをフ
オトマスク上に追加することもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるフオトマスクの欠陥修正
を説明するためのブロツク図、第2図はフオトマ
スクの断面図、第3図は欠陥修正過程を説明する
もので、a及びbは部分平面図、cは部分断面図
である。 図中、1……レーザ装置(1)、2,4……可動ミ
ラー、3……レーザ装置(2)、5……スリツト機
構、6……レーザ光、7……観察用光学系、8…
…対物レンズ、9……フオトマスク、10……蒸
着材料、11……ボート、12……真空容器、1
3……スライド台、14……シヤツタ、15……
ガラス基板、16……マスクパターン、17……
保護膜、18……欠損欠陥、19……窓である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 フオトマスクのパターン面と蒸着材料とを対
    面して配置し、前記蒸着材料に熱源用レーザ光を
    照射して蒸発させその蒸発物質を前記フオトマス
    クの欠陥部に蒸着する欠陥修正法において、 前記熱源用レーザ光を前記欠陥部およびその周
    囲に所定のビーム形状をもつて照射し前記欠陥部
    周囲の前記蒸着膜を除去し、その後他のレーザ装
    置から出射される案内用レーザ光を前記所定のビ
    ーム形状をもつて前記欠陥部およびその周囲に照
    射しながら前記蒸着材料に前記熱源用レーザ光を
    照射し前記蒸着材料を蒸発せしめ前記欠陥部及び
    前記蒸着膜が除去された場所に新たな蒸着膜を形
    成することを特徴とするフオトマスクの欠陥修正
    法。
JP16151880A 1980-11-17 1980-11-17 Defect correction of photo mask using laser Granted JPS5785228A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16151880A JPS5785228A (en) 1980-11-17 1980-11-17 Defect correction of photo mask using laser

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JP16151880A JPS5785228A (en) 1980-11-17 1980-11-17 Defect correction of photo mask using laser

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JPS5785228A JPS5785228A (en) 1982-05-27
JPS627691B2 true JPS627691B2 (ja) 1987-02-18

Family

ID=15736590

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JP16151880A Granted JPS5785228A (en) 1980-11-17 1980-11-17 Defect correction of photo mask using laser

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60196942A (ja) * 1984-03-21 1985-10-05 Hitachi Ltd フオトマスク欠陥修正方法
JPH0812417B2 (ja) * 1989-02-02 1996-02-07 日本電気株式会社 フォトマスクの欠損欠陥修正方法
WO2003040427A1 (en) * 2001-10-16 2003-05-15 Data Storage Institute Thin film deposition by laser irradiation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5235596A (en) * 1975-09-12 1977-03-18 Hitachi Ltd Burglar watch system

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JPS5235596A (en) * 1975-09-12 1977-03-18 Hitachi Ltd Burglar watch system

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JPS5785228A (en) 1982-05-27

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