JPH0812417B2 - フォトマスクの欠損欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスクの欠損欠陥修正方法Info
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- JPH0812417B2 JPH0812417B2 JP2263289A JP2263289A JPH0812417B2 JP H0812417 B2 JPH0812417 B2 JP H0812417B2 JP 2263289 A JP2263289 A JP 2263289A JP 2263289 A JP2263289 A JP 2263289A JP H0812417 B2 JPH0812417 B2 JP H0812417B2
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- slit
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザCVD法によるフォトマスクの欠損欠陥
修正方法に関する。
修正方法に関する。
半導体集積回路や液晶表示素子等の製造に用いられる
フォトマスクには残留欠陥，欠損欠陥と呼ばれる２種類
の欠陥が存在する。前者は不要な部分に遮光膜となる金
属膜（Cr膜やFeO膜等）が残存している欠陥であり，後
者は，逆に，必要な部分の金属膜が欠落している欠陥で
ある。フォトマスクにこれらの欠陥が存在すると，半導
体の性能不良をひき起こし歩留りを低下させる原因とな
るため，これらの欠陥を無くするようフォトマスク製造
プロセスの改善がなされているが，現状では無欠陥にす
ることは不可能である。そこで，これらの欠陥を修正す
る必要があるが，現在残留欠陥の修正はレーザ光を用い
た修正装置により実現され，レーザマスクリペアとして
普及している。
フォトマスクには残留欠陥，欠損欠陥と呼ばれる２種類
の欠陥が存在する。前者は不要な部分に遮光膜となる金
属膜（Cr膜やFeO膜等）が残存している欠陥であり，後
者は，逆に，必要な部分の金属膜が欠落している欠陥で
ある。フォトマスクにこれらの欠陥が存在すると，半導
体の性能不良をひき起こし歩留りを低下させる原因とな
るため，これらの欠陥を無くするようフォトマスク製造
プロセスの改善がなされているが，現状では無欠陥にす
ることは不可能である。そこで，これらの欠陥を修正す
る必要があるが，現在残留欠陥の修正はレーザ光を用い
た修正装置により実現され，レーザマスクリペアとして
普及している。
一方，欠損欠陥修正の方はこれまで簡便な修正方法が
なく，煩雑なリフトオフ法に頼っていたが，最近になっ
てレーザーCVD法を用いた修正方法が実用化され出し
た。これは，金属ガスの雰囲気中に置かれたフォトマス
クの欠損欠陥部にレーザ光を照射し，金属ガスを光分解
あるいは熱分解してフォトマスク上に金属膜を堆積さ
せ，欠損欠陥を修正する方法である。金属ガスとして
は,CrやMo等の金属カルボニルが主として用いられる。
またレーザ光の照射法としては，可視レーザ光をスポッ
ト状に集光して欠損欠陥部を走査する方法と，紫外レー
ザ光を結像光学法により欠損欠陥部全体に一括して照射
する方法がある。
なく，煩雑なリフトオフ法に頼っていたが，最近になっ
てレーザーCVD法を用いた修正方法が実用化され出し
た。これは，金属ガスの雰囲気中に置かれたフォトマス
クの欠損欠陥部にレーザ光を照射し，金属ガスを光分解
あるいは熱分解してフォトマスク上に金属膜を堆積さ
せ，欠損欠陥を修正する方法である。金属ガスとして
は,CrやMo等の金属カルボニルが主として用いられる。
またレーザ光の照射法としては，可視レーザ光をスポッ
ト状に集光して欠損欠陥部を走査する方法と，紫外レー
ザ光を結像光学法により欠損欠陥部全体に一括して照射
する方法がある。
第３図は上記の結像光学法による後者の場合の装置の
一般的構成の一例を示す。１はレーザ光源で，レーザ光
源１としては,Nd:YAGレーザの第４高調波や,Arレーザの
第２高調波等が用いられる。このレーザ光はビームエキ
スパンダ２によりビーム径を拡大され，且つコリメート
された後，開口幅可変の矩形スリット４に入射する。こ
のスリット４により所望の形状に整形されたレーザ光は
ダイクロイックミラー６で反射されて対物レンズ10に入
射する。対物レンズ10はこのレーザ光をウィンドー11を
通してフォトマスク14上に集光する。なお，スリットと
フォトマスクは対物レンズに対して物点と像点の関係に
なるように配置され，スリットの像がフォトマスク上に
縮小して結像されるようになっている。これは，いわゆ
る結像光学法と呼ばれる。従って，フォトマスク上には
スリットで制限された矩形状のレーザ光が照射されるこ
とになる。但し，レーザ光は不可視なためこの矩形スリ
ットの形を観察することはできない。そこで，別の可視
光の照明光源５によりスリットを証明してレーザ光と同
様にフォトマスク上に結像することにより，スリットの
形状を観察できるようになっている。このスリット像及
びフォトマスクの観察のために本構成例では反射照明光
源8,透過照明光源20及び接眼光学系９を備えている。フ
ォトマスク14はチェンバ19内のXYスラージ15上に載置さ
れる。本チェンバ19には金属ガス供給装置16及び排気装
置18が接続されており，フォトマスク表面に金属ガスを
供給できるようになっている。通常用いられる金属ガス
は有毒であるため，外部へ排気する前に無毒化するため
のトラップ17を備えて回収するようにしている。排気装
置18としては通常ロータリーポンプ等が用いられる。
一般的構成の一例を示す。１はレーザ光源で，レーザ光
源１としては,Nd:YAGレーザの第４高調波や,Arレーザの
第２高調波等が用いられる。このレーザ光はビームエキ
スパンダ２によりビーム径を拡大され，且つコリメート
された後，開口幅可変の矩形スリット４に入射する。こ
のスリット４により所望の形状に整形されたレーザ光は
ダイクロイックミラー６で反射されて対物レンズ10に入
射する。対物レンズ10はこのレーザ光をウィンドー11を
通してフォトマスク14上に集光する。なお，スリットと
フォトマスクは対物レンズに対して物点と像点の関係に
なるように配置され，スリットの像がフォトマスク上に
縮小して結像されるようになっている。これは，いわゆ
る結像光学法と呼ばれる。従って，フォトマスク上には
スリットで制限された矩形状のレーザ光が照射されるこ
とになる。但し，レーザ光は不可視なためこの矩形スリ
ットの形を観察することはできない。そこで，別の可視
光の照明光源５によりスリットを証明してレーザ光と同
様にフォトマスク上に結像することにより，スリットの
形状を観察できるようになっている。このスリット像及
びフォトマスクの観察のために本構成例では反射照明光
源8,透過照明光源20及び接眼光学系９を備えている。フ
ォトマスク14はチェンバ19内のXYスラージ15上に載置さ
れる。本チェンバ19には金属ガス供給装置16及び排気装
置18が接続されており，フォトマスク表面に金属ガスを
供給できるようになっている。通常用いられる金属ガス
は有毒であるため，外部へ排気する前に無毒化するため
のトラップ17を備えて回収するようにしている。排気装
置18としては通常ロータリーポンプ等が用いられる。
従来において，この装置による欠損欠陥修正は次のよ
うにしてなされる。まず，フォトマスクの欠損欠陥部を
接眼光学系で観察しながら，フォトマスクを移動させて
欠陥部をレーザ光照射位置，すなわちスリット像の位置
に目合せする。次にスリット像が欠陥部を完全に覆うよ
うにスリットサイズを調節する。
うにしてなされる。まず，フォトマスクの欠損欠陥部を
接眼光学系で観察しながら，フォトマスクを移動させて
欠陥部をレーザ光照射位置，すなわちスリット像の位置
に目合せする。次にスリット像が欠陥部を完全に覆うよ
うにスリットサイズを調節する。
第４図はこの時の観察像を示す。第４図において21は
クロムパタン,22は欠損欠陥,23はスリット像である。こ
のようにした後，レーザ光を所定時間照射すると，スリ
ット像の範囲内に金属膜が堆積し，修正が完了する。金
属ガスとしてクロムカルボニルを，レーザ光としてNd:Y
AGレーザの第４高調波（波長0.266μｍ）を用いた場合,
100μｍ2程度の欠陥を10秒程度で修正することができ
る。その場合の膜厚は1500Å程度であり，通常のクロム
パターンの膜厚と同程度である。
クロムパタン,22は欠損欠陥,23はスリット像である。こ
のようにした後，レーザ光を所定時間照射すると，スリ
ット像の範囲内に金属膜が堆積し，修正が完了する。金
属ガスとしてクロムカルボニルを，レーザ光としてNd:Y
AGレーザの第４高調波（波長0.266μｍ）を用いた場合,
100μｍ2程度の欠陥を10秒程度で修正することができ
る。その場合の膜厚は1500Å程度であり，通常のクロム
パターンの膜厚と同程度である。
第５図は上記の修正後のフォトマスクの断面形状を示
す。この種の装置では,1回で可能な堆積サイズはレーザ
パワーと対物レンズの性能から制限され，現状では25μ
ｍ2程度である。従って，これより大きい欠陥に対して
は，上記の修正を何回か繰り返して修正がなされる。
す。この種の装置では,1回で可能な堆積サイズはレーザ
パワーと対物レンズの性能から制限され，現状では25μ
ｍ2程度である。従って，これより大きい欠陥に対して
は，上記の修正を何回か繰り返して修正がなされる。
第６図は堆積膜の付着強度を一層高めたい場合を示す
もので，修正を２つの工程に分けて行なう方が良いこと
が分っている。これは，（a1）に平面図，（a2）に断面
図を示すように，欠陥部のガラス面25上にCVDを行な
い，体積膜24を形成する第１の工程と，（b1）に平面
図，（b2）に断面図を示すようにスリットサイズを広げ
て，欠陥部22を完全に覆うようにしてCVDを行ない，再
度堆積膜24を形成する第２の工程から成る。ただし，こ
の場合堆積膜の付着強度を高めるために第１の工程での
レーザパワーを第２のそれより２〜３倍程度高くしてい
る。なお，第１図の工程での膜形成範囲は，可能な限り
エッジ部に近づけて，隙間を少なくした方が良いこと，
膜厚は必ずしも完全に遮光性を有するまで暑くする必要
はなく,500Å程度以上あれば十分なことが実験の結果分
っている。従って，第１の工程でのレーザ光照射時間
は，第２のそれの1/3程度でよい。
もので，修正を２つの工程に分けて行なう方が良いこと
が分っている。これは，（a1）に平面図，（a2）に断面
図を示すように，欠陥部のガラス面25上にCVDを行な
い，体積膜24を形成する第１の工程と，（b1）に平面
図，（b2）に断面図を示すようにスリットサイズを広げ
て，欠陥部22を完全に覆うようにしてCVDを行ない，再
度堆積膜24を形成する第２の工程から成る。ただし，こ
の場合堆積膜の付着強度を高めるために第１の工程での
レーザパワーを第２のそれより２〜３倍程度高くしてい
る。なお，第１図の工程での膜形成範囲は，可能な限り
エッジ部に近づけて，隙間を少なくした方が良いこと，
膜厚は必ずしも完全に遮光性を有するまで暑くする必要
はなく,500Å程度以上あれば十分なことが実験の結果分
っている。従って，第１の工程でのレーザ光照射時間
は，第２のそれの1/3程度でよい。
上述した従来のレーザCVD法によるフォトマスク欠損
欠陥修正法では,CVD工程を２つに分けることにより付着
強度を高めることができる。しかしながら，欠陥形状は
必ずしも矩形でなく，複雑な形状をしている場合があ
り，幾つかの課題点がある。
欠陥修正法では,CVD工程を２つに分けることにより付着
強度を高めることができる。しかしながら，欠陥形状は
必ずしも矩形でなく，複雑な形状をしている場合があ
り，幾つかの課題点がある。
第７図はその一例を示すものであって，（ａ）に示す
ように，エッジ部の隙間がどうしても大きくなって付着
強度を十分確保できなかったり，（ｂ）に示すように，
第１の工程をスリットサイズを種々変えて何回も実行し
なければならないため，修正工程が煩雑になったりする
ことである。また，スリットサイズの調整はオペレータ
の判断にまかされているので，付着強度がオペレータの
癖や熟練度に依存する危険性もある。
ように，エッジ部の隙間がどうしても大きくなって付着
強度を十分確保できなかったり，（ｂ）に示すように，
第１の工程をスリットサイズを種々変えて何回も実行し
なければならないため，修正工程が煩雑になったりする
ことである。また，スリットサイズの調整はオペレータ
の判断にまかされているので，付着強度がオペレータの
癖や熟練度に依存する危険性もある。
本発明は従来のもののこのような課題を解決しようと
するもので，修正の能率を向上し，またオペレータによ
るミスが発生しないフォトマスク欠損欠陥修正方法を提
供するものである。
するもので，修正の能率を向上し，またオペレータによ
るミスが発生しないフォトマスク欠損欠陥修正方法を提
供するものである。
本発明のフォトマスクの欠損欠陥修正方法は、レーザ
光をフォトマスクの欠損欠陥部に集光してレーザCVD法
により該欠損欠陥部に金属膜を堆積させて欠損欠陥を修
正する方法において、最初に欠損欠陥をレーザ加工によ
り矩形の欠陥に整形処理し、該矩形欠陥のサイズよりも
小さい矩形の金属膜を堆積し、次に前記矩形欠陥のサイ
ズよりも大きい矩形の金属膜を堆積してレーザCVD法に
より該矩形状欠損欠陥を修正することを特徴とする。
光をフォトマスクの欠損欠陥部に集光してレーザCVD法
により該欠損欠陥部に金属膜を堆積させて欠損欠陥を修
正する方法において、最初に欠損欠陥をレーザ加工によ
り矩形の欠陥に整形処理し、該矩形欠陥のサイズよりも
小さい矩形の金属膜を堆積し、次に前記矩形欠陥のサイ
ズよりも大きい矩形の金属膜を堆積してレーザCVD法に
より該矩形状欠損欠陥を修正することを特徴とする。
次に，本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図である。
（ａ）は欠損欠陥を観察して，この欠陥を完全に覆うよ
うにスリットサイズを調整した状態を示す。（ｂ）はこ
の状態で所定のレーザ光を照射して，スリット像内のク
ロムパターンを蒸発させ，欠損欠陥をスリット像と同一
の矩形23′に整形する第１の工程を示している。（ｃ）
はスリットサイズを少し縮小して，上記欠陥内のガラス
面上にCVDを実施する第２の工程を示している。そし
て，（ｄ）は最後に上記欠陥を完全に覆ってクロムパタ
ーンとオーバラップするようにスリットサイズを広げて
CVDを実施する第３の工程を示している。第2,第３の工
程は従来法で述べた第1,第２の工程と同じである。従来
法と異なる点は，欠陥を矩形に整形する工程がCVDの前
に追加されていることである。
（ａ）は欠損欠陥を観察して，この欠陥を完全に覆うよ
うにスリットサイズを調整した状態を示す。（ｂ）はこ
の状態で所定のレーザ光を照射して，スリット像内のク
ロムパターンを蒸発させ，欠損欠陥をスリット像と同一
の矩形23′に整形する第１の工程を示している。（ｃ）
はスリットサイズを少し縮小して，上記欠陥内のガラス
面上にCVDを実施する第２の工程を示している。そし
て，（ｄ）は最後に上記欠陥を完全に覆ってクロムパタ
ーンとオーバラップするようにスリットサイズを広げて
CVDを実施する第３の工程を示している。第2,第３の工
程は従来法で述べた第1,第２の工程と同じである。従来
法と異なる点は，欠陥を矩形に整形する工程がCVDの前
に追加されていることである。
ここで，欠陥を矩形に整形する方法について以下に説
明する。これは，フォトマスクの残留欠陥修正時に用い
られるレーザ蒸発法による。つまり，パルス幅が数ns乃
至数十nsで，エネルギーが数百μＪのパルスレーザ光
を，前述の結像光学法を用いてフォトマスク上に照射す
ると，スリット像内のクロムパターンが瞬時に溶融・蒸
発して除去されるという加工法に基づくものである。一
般に，レーザ光を用いたフォトマスク欠陥修正装置で
は，残留欠陥と欠損欠陥の両方を修正できるように，上
記のパルスレーザ光源とCWレーザ光源（場合によっては
CW励起Ｑスイッチパルスレーザ光源）の２種類のレーザ
光源を備えており，随時光路を切換えられるように構成
されている。従って，上述したように欠損欠陥を矩形に
整形することには何ら問題は生じない。
明する。これは，フォトマスクの残留欠陥修正時に用い
られるレーザ蒸発法による。つまり，パルス幅が数ns乃
至数十nsで，エネルギーが数百μＪのパルスレーザ光
を，前述の結像光学法を用いてフォトマスク上に照射す
ると，スリット像内のクロムパターンが瞬時に溶融・蒸
発して除去されるという加工法に基づくものである。一
般に，レーザ光を用いたフォトマスク欠陥修正装置で
は，残留欠陥と欠損欠陥の両方を修正できるように，上
記のパルスレーザ光源とCWレーザ光源（場合によっては
CW励起Ｑスイッチパルスレーザ光源）の２種類のレーザ
光源を備えており，随時光路を切換えられるように構成
されている。従って，上述したように欠損欠陥を矩形に
整形することには何ら問題は生じない。
次に，本発明によれば,CVDを行なう際のスリット調整
を自動化できるという利点について述べる。ここで，ス
リットはモータ駆動されており，たとえば駆動パルスで
その開口幅を認識することができるか，あるいは他の検
知法により開口幅が自動的に測定できるものとする。こ
のようにしておけば，まず第１の工程でスリットサイズ
を記憶しておき，第２の工程ではスリットサイズを自動
的に１μｍ程度小さくしてCVDを行ない，第３の工程で
は逆に自動的に５μｍ程度大きくしてCVDを行なえばよ
い。勿論，レーザパワーや照射時間もスリットサイズに
合せてプログラムしておくことができる。このように，
第１の工程で一度オペレータによりスリットサイズを設
定した後はすべてを自動化することができる。
を自動化できるという利点について述べる。ここで，ス
リットはモータ駆動されており，たとえば駆動パルスで
その開口幅を認識することができるか，あるいは他の検
知法により開口幅が自動的に測定できるものとする。こ
のようにしておけば，まず第１の工程でスリットサイズ
を記憶しておき，第２の工程ではスリットサイズを自動
的に１μｍ程度小さくしてCVDを行ない，第３の工程で
は逆に自動的に５μｍ程度大きくしてCVDを行なえばよ
い。勿論，レーザパワーや照射時間もスリットサイズに
合せてプログラムしておくことができる。このように，
第１の工程で一度オペレータによりスリットサイズを設
定した後はすべてを自動化することができる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す工程図である。
これは，欠陥サイズが大きい場合，つまり欠陥サイズが
１回で可能な最大CVD面積（従来装置例では約25μｍ2程
度）を超えた場合の実施例である。例えば，今欠陥サイ
ズが約50μｍ2であるとする。この場合，第１の工程は
４回に分けて実施する。すなわち，スリットサイズを25
μｍ2程度にして，順番にレーザ加工を行なう。（ｂ）
図にこの工程の途中段階を示す。このようにして,4回の
加工が終了したら，次に第２の工程のCVDを行なう。こ
の場合はスリットサイズを23μｍ2程度にして４回に分
けて順次実施する。（ｃ）はこの第２の工程の終了時を
示す。そして最後に，第３の工程を行なう。この場合
は，スリットサイズを20μｍ2程度にして,9回に分けて
欠陥全体にCVDを実施する。（ｄ）図に第３の工程の途
中段階を示す。なお，この工程では，隣接する堆積膜は
隙間が生じないように少しずつ重なり合って形成されね
ばならない。
これは，欠陥サイズが大きい場合，つまり欠陥サイズが
１回で可能な最大CVD面積（従来装置例では約25μｍ2程
度）を超えた場合の実施例である。例えば，今欠陥サイ
ズが約50μｍ2であるとする。この場合，第１の工程は
４回に分けて実施する。すなわち，スリットサイズを25
μｍ2程度にして，順番にレーザ加工を行なう。（ｂ）
図にこの工程の途中段階を示す。このようにして,4回の
加工が終了したら，次に第２の工程のCVDを行なう。こ
の場合はスリットサイズを23μｍ2程度にして４回に分
けて順次実施する。（ｃ）はこの第２の工程の終了時を
示す。そして最後に，第３の工程を行なう。この場合
は，スリットサイズを20μｍ2程度にして,9回に分けて
欠陥全体にCVDを実施する。（ｄ）図に第３の工程の途
中段階を示す。なお，この工程では，隣接する堆積膜は
隙間が生じないように少しずつ重なり合って形成されね
ばならない。
次に，本実施例においても工程の自動化が計れること
を説明する。まず，第２図（ａ）に示すように欠陥の大
きさを知るためにレーザ加工の中心位置（普通は接眼レ
ンズのクロスライン位置）を欠陥の対角位置P1とP2に合
わせて，その座標値から欠陥サイズを計算する。しかる
後に，その面積を小領域に等分割し，各小領域の中心座
標を計算しておく。次に，この小領域サイズにスリット
サイズを自動的に調整し,XYステージをその中心位置に
自動的に移動させてレーザ加工を実行して第１の工程を
終了する。次の第２の工程では，各小領域の中心位置を
同じにしてスリットサイズを第１の工程より１μｍ程度
小さくして，順次CVDを実行する。第３の工程では，欠
陥全体の大きさと形から判断して最適なスリットサイズ
と各小領域の中心座標を計算し，第２の工程と同様に順
次CVDを実行する。このために，あらかじめ欠陥の大き
さと最適な小領域サイズの関係式をコンピュータに記憶
させておく必要がある。
を説明する。まず，第２図（ａ）に示すように欠陥の大
きさを知るためにレーザ加工の中心位置（普通は接眼レ
ンズのクロスライン位置）を欠陥の対角位置P1とP2に合
わせて，その座標値から欠陥サイズを計算する。しかる
後に，その面積を小領域に等分割し，各小領域の中心座
標を計算しておく。次に，この小領域サイズにスリット
サイズを自動的に調整し,XYステージをその中心位置に
自動的に移動させてレーザ加工を実行して第１の工程を
終了する。次の第２の工程では，各小領域の中心位置を
同じにしてスリットサイズを第１の工程より１μｍ程度
小さくして，順次CVDを実行する。第３の工程では，欠
陥全体の大きさと形から判断して最適なスリットサイズ
と各小領域の中心座標を計算し，第２の工程と同様に順
次CVDを実行する。このために，あらかじめ欠陥の大き
さと最適な小領域サイズの関係式をコンピュータに記憶
させておく必要がある。
以上述べたように，本発明によれば，したがって，最
初に欠陥の大きさを知るための作業をオペレータが行な
えば，その後の工程は完全に自動化できる。
初に欠陥の大きさを知るための作業をオペレータが行な
えば，その後の工程は完全に自動化できる。
以上説明したように本発明は，欠損欠陥をあらかじめ
レーザ加工により矩形に整形した後，レーザCVD法によ
り修正を実施するので,CVDを実施する際のスリットサイ
ズの調整が容易となり，ひいてはオペレータによるばら
つきを軽減できて，修正の信頼性が向上するという効果
がある。さらに，欠陥が大きい場合従来法では修正の手
間が煩雑となるが，本発明によれば修正工程を自動化で
きるので，修正の能率が上がるばかりでなく，オペレー
タによるミスが発生しないという利点がある。
レーザ加工により矩形に整形した後，レーザCVD法によ
り修正を実施するので,CVDを実施する際のスリットサイ
ズの調整が容易となり，ひいてはオペレータによるばら
つきを軽減できて，修正の信頼性が向上するという効果
がある。さらに，欠陥が大きい場合従来法では修正の手
間が煩雑となるが，本発明によれば修正工程を自動化で
きるので，修正の能率が上がるばかりでなく，オペレー
タによるミスが発生しないという利点がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す工程図，第２図は
第２の実施例を示す工程図，第３図は従来装置の一般的
構成図，第４図はフォトマスクの観察像，第５図は欠損
欠陥修正後のフォトマスク断面図，第６図及び第７図は
従来法による修正工程図である。 記号の説明:1……レーザ光源,2……ビームエキスパン
ダ,3……ダイクロイックミラー,4……スリット,5……ス
リット照明光源,6……ダイクロイックミラー,8……反射
照明光源,9……接眼光学系,10……対物レンズ,14……フ
ォトマスク,16……金属ガス供給装置,19……チェンバ,2
0……透過照明光源,21……クロムパターン,22……欠損
欠陥,23……スリット像,24……堆積膜,25……ガラス基
板。
第２の実施例を示す工程図，第３図は従来装置の一般的
構成図，第４図はフォトマスクの観察像，第５図は欠損
欠陥修正後のフォトマスク断面図，第６図及び第７図は
従来法による修正工程図である。 記号の説明:1……レーザ光源,2……ビームエキスパン
ダ,3……ダイクロイックミラー,4……スリット,5……ス
リット照明光源,6……ダイクロイックミラー,8……反射
照明光源,9……接眼光学系,10……対物レンズ,14……フ
ォトマスク,16……金属ガス供給装置,19……チェンバ,2
0……透過照明光源,21……クロムパターン,22……欠損
欠陥,23……スリット像,24……堆積膜,25……ガラス基
板。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザ光をフォトマスクの欠損欠陥部に集
光してレーザCVD法により該欠損欠陥部に金属膜を堆積
させて欠損欠陥を修正する方法において、最初に欠損欠
陥をレーザ加工により矩形の欠陥に整形処理し、該矩形
欠陥のサイズよりも小さい矩形の金属膜を堆積し、次に
前記矩形欠陥のサイズよりも大きい矩形の金属膜を堆積
してレーザCVD法により該矩形状欠損欠陥を修正するこ
とを特徴とするフォトマスクの欠損欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263289A JPH0812417B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | フォトマスクの欠損欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2263289A JPH0812417B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | フォトマスクの欠損欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02204746A JPH02204746A (ja) | 1990-08-14 |
| JPH0812417B2 true JPH0812417B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=12088205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2263289A Expired - Lifetime JPH0812417B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | フォトマスクの欠損欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812417B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007123534A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Sony Corp | 配線パターンの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
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| JP5037231B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2012-09-26 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | ハーフトーンマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正されたハーフトーンマスク |
| KR100762245B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 패턴 결함 수정 방법 |
| JP5057866B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2012-10-24 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
| JP2010139693A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Olympus Corp | レーザリペア装置、レーザリペア方法、および情報処理装置 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-02-02 JP JP2263289A patent/JPH0812417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02204746A (ja) | 1990-08-14 |
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