JPH08160600A

JPH08160600A - フォトマスクの欠損欠陥修正方法および装置

Info

Publication number: JPH08160600A
Application number: JP30000394A
Authority: JP
Inventors: Yosuke Kusumi; 庸輔久住
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-12-02
Filing date: 1994-12-02
Publication date: 1996-06-21
Anticipated expiration: 2013-05-20
Also published as: JP2755189B2

Abstract

(57)【要約】【目的】フォトマスクの欠損欠陥修正後に薬液等で洗
浄しても剥離することない薄膜を欠損欠陥部分を完全に
覆うように堆積させる。【構成】クロム化合物ガス雰囲気中に配置されたフォ
トマスク１０の欠損欠陥部分２２に紫外レーザ光を照射
することによって、その欠損欠陥部分２２を完全に覆う
ように第１の薄膜２５を堆積させる第１の工程と、前記
第１の薄膜２５を含む領域に可視レーザ光を照射するこ
とによって、前記第１の薄膜２５を完全に覆うように第
２の薄膜２８を堆積させる第２の工程とを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクの欠損欠
陥修正方法に関し、特に、レーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるフォ
トマスクの欠損欠陥修正方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のレーザＣＶＤによるフォトマスク
の欠損欠陥修正方法は、例えば、ジャーナル・オブ・バ
キューム・サイエンス・アンド・テクノロジ（Ｊ．Ｖ
ａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．）Ｂ５（２）（１
９８７）第４９６頁から第５０３頁に開示されている。
この方法は、図４に示すように、ＣＶＤガスとして有機
金属化合物気体を用い、フォトマスク１０の欠損欠陥部
分２２のパターン２１上で薄膜堆積の核形成を行った
後、可視レーザ光であるアルゴンレーザ光を直径１〜２
μｍの微少なスポットに集光した集光スポット４１をフ
ォトマスク１０に対して相対的に移動させる。そして、
照射されたレーザ光によりＣＶＤガスを熱分解させて、
微少な線幅の金属薄膜４２を堆積させることで、フォト
マスク１０の欠損欠陥部分２２を修正するというもので
ある。

【０００３】しかし、この方法では、集光スポット４１
の大きさが固定であるために、堆積する薄膜４２の線幅
の制御は困難であり、堆積後に余分な薄膜４３を除去し
なければならないという問題点があった。

【０００４】一方、図５に示すように、照射されたレー
ザ光を開口幅可変の矩形スリットにより所望の形状に矩
形スポット５１を結像させることにより、堆積する薄膜
５２の線幅を可変制御する方法もあるが、レーザ光源が
連続発振（ＣＷ励起）の場合、矩形スポット５１の周辺
部で熱拡散作用のために余分な薄膜５３の堆積が起こ
り、この方法でも結局のところ、この余分な薄膜５３を
除去しなければならなかった。

【０００５】なお、線幅の制御性では、例えば、特開昭
６１−２５２５５６号公報に開示されているようなレー
ザ光源として紫外レーザを用いる薄膜の堆積方法が優れ
ている。つまり、クロム化合物ガス等の雰囲気中に配置
されたフォトマスクの欠損欠陥部分に、観察光学系によ
り観察しつつＮｄ：ＹＡＧレーザの第四高調波等の紫外
レーザ光を照射して、光分解および熱分解により金属ク
ロムを堆積させて欠損欠陥部分を修正する。

【０００６】ところで、この紫外レーザ光を用いた薄膜
形成方法では、フォトマスクを構成するガラス基板上へ
の薄膜の付着力を向上させるために、紫外レーザ光の出
力をその照射開始時に強くする必要がある。ここで、出
力の弱いレーザ光を用いた場合、堆積された薄膜は、フ
ォトマスクの洗浄工程（例えば、酸性溶液による洗浄
等）により剥離しやすく、特に、堆積する膜の面積が広
いほどその傾向が強くなる。しかしながら、フォトマス
クの洗浄工程に対して十分な耐性を有する膜を形成する
ためには、照射開始時の紫外レーザ光の出力は、フォト
マスクを構成するパターン（クロム膜等）にダメージを
与える程度以上でなければならなかった。

【０００７】ＣＶＤ原料ガスをクロムカルボニルガスと
し、紫外レーザ光を用いた場合に、堆積された薄膜の付
着力が不十分となる原因は、紫外レーザ光によるクロム
カルボニルガスの分解では、金属クロム以外にクロムカ
ルボニルの分解派生物も多く薄膜中に取り込まれてしま
うことにある。さらに、ガラス基板上では、紫外レーザ
光の吸収はあるものの、パターン部分（金属クロム）に
比べてその吸収率は低いために、クロムカルボニルの分
解温度が適正な分解温度と比べて低くなってしまい、こ
れが原因で、ガラス基板表面境界における薄膜の膜質は
非常に不十分なものとなってしまっていた。

【０００８】この問題点を改善したレーザＣＶＤ法を用
いたフォトマスクの欠損欠陥修正方法が特開平２−１４
０７４４号公報に開示されている。

【０００９】特開平２−１４０７４４号公報に開示され
ている方法では、図６に示すように、第１の工程とし
て、まず、フォトマスク１０の欠損欠陥部分２２のガラ
ス基板２３の上に付着力の強い薄膜を堆積させるため
に、その基板２３のみに高パワーの紫外レーザを照射し
て第１の薄膜６１を堆積させた後、第２の工程として、
パターン２１および第１の薄膜６１にダメージを与えな
い程度のパワーの紫外レーザを照射してパターン２１に
重ね合わせて第２の薄膜６２を堆積させている。

【００１０】しかしながら、この特開平２−１４０７４
４号公報に開示されている方法では、図７（ａ）に示す
ように欠損欠陥部分２２が複雑な形状をしている場合に
は、第１の薄膜６１とパターン２１との隙間部分が大き
くなってしまい、この部分には第２の薄膜６２だけしか
堆積していないために、この第２の薄膜６２の付着力が
不十分であるという問題点があった。

【００１１】この問題点を解決するために、特開平２−
２０４７４６号公報に開示されている方法では、図７に
示すように、欠損欠陥部分２２を高ピークパワーのレー
ザ光で矩形に蒸発除去加工（以下、ザッピング）した
後、その整形後の欠損欠陥部分７１に対して、前述の特
開平２−１４０７４４号公報に開示された方法における
第１の工程および第２の工程を行うことで薄膜７２およ
び薄膜７３を堆積させている。

【００１２】しかしながら、前述の特開平２−２０４７
４６号公報に開示されているフォトマスクの欠損欠陥修
正方法では、欠陥サイズが大きくザッピングを数回繰り
返す必要がある場合に、このザッピングの際に周囲に飛
散する微細な粒子によって、薄膜の堆積速度が増加する
ため膜厚が部分的に厚くなってしまい、薄膜堆積後の洗
浄工程における薄膜の剥離の原因となるという問題点が
あった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のフォトマスクの欠損欠陥修正方法のうち、可視光
を用いた方法では、堆積する薄膜の線幅の制御が困難で
あるため、本来のマスクパターンからはみ出した余分な
薄膜を除去する必要があり、線幅制御性を改善した方法
であっても、堆積する薄膜の品質が不十分であるという
問題点があった。

【００１４】また、紫外レーザ光を用いた方法では、線
幅の制御性には優れているものの、堆積する薄膜の品質
が甚だ不十分であるという問題点があった。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、ＣＶＤ原料ガス、例えばクロム化合物
ガス雰囲気中に配置されたフォトマスクの欠損欠陥部分
に紫外レーザ光を照射することによって、その欠損欠陥
部分を完全に覆うように第１の薄膜を堆積させる第１の
工程と、前記第１の薄膜を含む領域に可視レーザ光を照
射することによって、前記第１の薄膜を完全に覆うよう
に第２の薄膜を堆積させる第２の工程とを行うことによ
って、耐薬性の優れた薄膜でフォトマスクの欠損欠陥部
分を完全に覆うことができる。さらに、本発明では、紫
外レーザ光のパワーを、フォトマスク上のパターンにダ
メージを与えない程度の強度とし、さらに、紫外レーザ
光の集光スポットを所望のサイズに設定することによっ
て、フォトマスクのパターンのエッジ部分は高精度に修
正される。

【００１６】

【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。

【００１７】本実施例では、耐薬性のあるクロムカルボ
ニルガスを原料ガスとし、まず、紫外レーザ光により、
フォトマスクの欠損欠陥部分に第１の薄膜を堆積させ、
次いで、可視レーザ光により、第１の薄膜を覆うように
第２の薄膜を堆積させるものである。

【００１８】図１は、本発明の一実施例の構成を示す図
であり、レーザ発振器１は、ＣＷ励起ＱスイッチＮｄ：
ＹＡＧレーザの第２高調波（以下、可視レーザ光）を出
射する。駆動ミラー２は、レーザ発振器１からのレーザ
光の光軸上を遮るように駆動して、可視レーザ光を反射
し、ミラー３を介して波長変換器４に入射させる。波長
変換器４は、レーザ発振器１から出射された可視レーザ
光をＮｄ：ＹＡＧレーザの第４高調波（以下、紫外レー
ザ光）に変換する。光学系１４は、レーザ発振器１から
出射された可視レーザ光または波長変換器４からの紫外
レーザ光をフォトマスク１０の表面に導くとともに、備
えられた可変開口８によって、フォトマスク１０の表面
に各レーザ光による所望の集光スポット（開口像）を結
像する。さらに、パイロット照明７に照明された可変開
口８の像をフォトマスク１０の表面に結像する。パイロ
ット照明７は、レーザ装置１とは異なる位置に配置さ
れ、そのパイロット照明７から出射された照明光は、レ
ーザ装置１から出射されたレーザ光と光軸が一致するよ
うにミラー６で反射された後、可変開口８を介して、フ
ォトマスク１０上にその開口像が結像される。ガス供給
部９は、チャンバ１２内に設けられるＸＹステージ１１
上に載置されたフォトマスク１０の欠損欠陥部分にＣＶ
Ｄ原料ガスを供給する。本実施例では、ＣＶＤ原料ガス
として、クロムカルボニルガスを用いる。このクロムカ
ルボニルガスを用いた場合に堆積される金属クロムの薄
膜は、耐薬性に優れている。観察光学系１９は、フォト
マスク１０上のマスクパターンの像等を観察するもので
ある。つまり、上方からフォトマスクをミラー１５を介
して照明する落射照明１７または下方からフォトマスク
１０を透過照明する透過照明１３により照明されたフォ
トマスク１０のパターン像や、また、パイロット照明７
によりフォトマスク１０の表面に結像された開口像をミ
ラー１６を介して顕微鏡１８で観察する。

【００１９】次に、本実施例の動作を図１および図２を
参照して説明する。

【００２０】図２は、本実施例の薄膜形成工程を示す図
であり、（Ａ）は、欠損欠陥部分に紫外レーザ光の集光
スポットが位置決めされている状態を示す平面図であ
る。図２（Ｂ）は、欠損欠陥部分を覆うように第１の薄
膜が堆積された状態を示す平面図であり、（Ｃ）は、
（Ｂ）の断面図である。また、図２（Ｄ）は、第２の薄
膜の形成途中を示す平面図である。また、図２（Ｅ）
は、第１の薄膜を覆うように第２の薄膜が堆積された状
態を示す平面図であり、（Ｆ）は、（Ｅ）の断面図であ
る。

【００２１】ここでは、図２（Ａ）に示すようなフォト
マスク１０上のパターン２１のエッジ部分の欠損欠陥部
分２２を修正するものとする。

【００２２】本実施例では、紫外レーザ光を用いた第１
の工程と、可視レーザ光を用いた第２の工程とからな
り、まず、第１の工程から説明する。紫外レーザ光によ
り薄膜を堆積させるために、駆動ミラー２を、レーザ発
振器１から出射される可視レーザ光の光軸を遮るように
配置する。すると、可視レーザ光は、駆動ミラー２で反
射され、さらに、ミラー３で反射されて波長変換器４に
入射される。入射された可視レーザ光は、波長変換器４
において、紫外レーザ光に変換される。波長変換器４か
ら出力される紫外レーザ光は、ミラー３’およびダイク
ロイックミラー５を介して可変開口８に照射される。可
変開口８はフォトマスク１０の欠損欠陥部分２２の大き
さに合わせて所望の開口サイズに設定されており、紫外
レーザ光は、可変開口８を含む光学系１４を介して所望
のサイズの集光スポット２４に整形されてフォトマスク
１０の欠損欠陥部分２２に照射される。この集光スポッ
ト２４の照射位置は、パイロット照明７および観察光学
系１９を用いて位置決めされる。つまり、図２（Ａ）に
示すように、落射照明１７または透過照明１３により照
明されたフォトマスク１０のパターン像の位置とパイロ
ット照明７から照射された可変開口８の開口像の結像位
置とを観察光学系１９により観察しながらＸＹステージ
１１を操作することによって、パイロット照明７による
結像の位置をフォトマスク１０上の所望の位置にセット
する。そして、その結像の位置が所望の位置にセットさ
れた後、紫外レーザ光が照射されることになる。

【００２３】紫外レーザ光による集光スポット２４は、
図２（Ｂ）および（Ｃ）に示すように、パイロット照明
８による結像が存在した位置に照射され、クロムカルボ
ニルガスを分解して、フォトマスク１０上に第１の薄膜
２５を堆積させる。ここで、紫外レーザ光を用いた薄膜
の形成では、熱拡散による余分な薄膜の形成といった弊
害がないために、パイロット照明７の開口像の結像の形
状と第１の薄膜２５の堆積領域とはほぼ一致することに
なる。また、堆積させる薄膜２５の厚さは、第２の工程
で可視レーザ光が十分に吸収される程度の厚さ、例え
ば、５００μｍ程度でかまわない。ここで、紫外レーザ
光の出力は、フォトマスク１０上のパターン２１にダメ
ージを与えない程度でよく、薄膜２５の付着力はそれほ
ど強くする必要はない。

【００２４】以上の工程により、フォトマスク１０の欠
損欠陥部分２２を完全に覆うように第１の薄膜２５が紫
外レーザ光により堆積される。

【００２５】次に、第２の工程について説明する。

【００２６】第２の工程では、駆動ミラー２をレーザ発
振器１からの出射光の光軸上からはずすことによって、
可視レーザ光を直接可変開口８に照射することになる。
そして、可視レーザ光を用いて第２の薄膜２８を堆積さ
せることになる。

【００２７】可視レーザ光を出射させる前に、紫外レー
ザ光の場合と同様に、パイロット照明７および観察光学
系１９を用いて、可視レーザ光のフォトマスク１０上に
おける照射位置を位置決めしなければならない。前述の
紫外レーザ光を用いた場合では、フォトマスク１０の欠
損欠陥部分２２の全体を覆うようにパイロット照明７に
よる開口像の結像をセットしたが、可視レーザ光を用い
る場合には、このように広範囲を一括で照射すると照射
光の光束断面のエネルギ分布の不均一さが原因で膜質の
悪化等が生じて好ましくない。したがって、可視レーザ
光の集光スポット２７は可変開口８を調整してエネルギ
分布の不均一性等の問題が回避できる程度のサイズにす
る必要がある。ただし、紫外レーザ光を用いる場合に
は、薄膜を堆積させたい範囲全体をカバーできるだけの
サイズの集光スポットをフォトマスク上に照射して薄膜
を堆積させてもそれほど問題にはならない。

【００２８】本実施例における可視レーザ光による薄膜
形成工程では、図２（Ｄ）に示すような集光スポット２
７をフォトマスク１０上に照射しているが、その集光ス
ポット２７の幅を第１の薄膜２５の幅よりも若干大きく
している。それは、可視レーザ光により堆積される第２
の薄膜２８により第１の薄膜２５を完全にカバーするた
めである。そして、この集光スポット２７を走査するこ
とによって、第１の薄膜２５を完全に覆うように第２の
薄膜２８を堆積させていく。ここで、可視レーザ光の集
光スポット２７が図２（Ｄ）に示すようにフォトマスク
１０のパターン２１のエッジ部分からはみ出していたと
しても、可視レーザ光は、フォトマスク１０のガラス基
板２３を透過してしまうために、クロムカルボニルガス
は、ガラス基板２３上では分解されないために、可視レ
ーザ光により形成される第２の薄膜のエッジ２９は、第
１の薄膜のエッジ２６部分で分解されて堆積された金属
クロムの分だけはみ出すことなる。しかしながら、この
はみ出し部分は約０．５μｍ程度であり、それほど問題
にならない。したがって、フォトマスク１０の欠損欠陥
部分２２を修正した場合に、第１の薄膜のエッジ２６が
修正後のパターン２１のエッジ形状を決定することにな
る。

【００２９】このように、第２の工程における薄膜の堆
積ではクロムカルボニルガスの熱分解によってのみ薄膜
が生じるため、フォトマスク上に照射する可視レーザ光
の出力を適当に選ぶことで、緻密で耐薬性に優れた膜質
を有する薄膜を堆積させることができる。ただし、可視
レーザ光の集光スポット内の温度の過度の上昇による熱
ストレスが堆積される薄膜中に残留しないように、レー
ザ光のピークパワーはあまり高くしないほうが好まし
い。

【００３０】以上のように、膜質の優れた第２の薄膜を
第１の薄膜を覆うように堆積させることで、フォトマス
クの欠損欠陥部分の修正後に、そのフォトマスクを洗浄
したとしても薄膜の剥離等を防止することできる。

【００３１】上記実施例では、フォトマスクのパターン
のエッジ部分の欠損欠陥を修正する例を示したが、次
に、他の部分の欠損欠陥を修正する例として、フォトマ
スクのパターン中の比較的大きな面積のピンホール状の
欠損欠陥の修正方法について図１および図３を参照して
説明する。

【００３２】図３は、フォトマスクのパターン中のピン
ホール状の欠損欠陥の修正を手順を追って説明する図で
あり、（Ａ）は、欠損欠陥部分にパイロット照明の結像
を位置決めした状態を示す平面図であり、（Ｂ）は、欠
損欠陥部分に第１の薄膜を堆積させた状態を示す平面図
であり、（Ｃ）は、（Ｂ）の断面図である。また、
（Ｄ）は、第１の薄膜上に第２の薄膜を堆積させている
状態を示す平面図であり、（Ｅ）は、（Ｄ）の断面図で
ある。また、（Ｆ）は、第１の薄膜を覆うように第２の
薄膜が堆積された状態を示す平面図であり、（Ｇ）は、
その断面図である。

【００３３】まず、紫外レーザ光の集光スポットをフォ
トマスク上の欠損欠陥部分に照射して第１の薄膜を堆積
させることになる。図３（Ａ）に示すように、欠損欠陥
部分２２の面積が大きい場合には、前述のように、欠損
欠陥部分２２の全体をカバーするような集光スポットを
照射すると、紫外レーザ光であっても、堆積される薄膜
の品質が悪化してしまう。そこで、本実施例の場合で
は、薄膜を堆積させるべき領域を例えば、４分割して、
集光スポット３１のサイズをある程度小さくして第１の
薄膜２５を堆積させている。ただし、それぞれの集光ス
ポット３１の境界は、図３（Ｂ）に示すように、第１の
薄膜２５で隙間なく欠損欠陥部分２２全体をカバーでき
るように、若干重ならせておくことが好ましい。

【００３４】次に、可視レーザ光の集光スポット３２を
フォトマスク１０上に照射して第２の薄膜２８を堆積さ
せる。可視レーザ光の集光スポット３２は、前述のとお
り、紫外レーザ光の集光スポット３１よりも小さくする
必要がある。本実施例では、図３（Ｄ）に示すように、
第１の薄膜２５が堆積された領域を２分割し、それぞれ
の領域上で、可視レーザ光の集光スポット３２を走査し
て第２の薄膜２８を堆積させていく。ここで、集光スポ
ット３２をその走査方向に対しては重ねる必要はない
が、前述の２つの領域の境界部分に関しては、第２の薄
膜２８が隙間なく堆積されるために若干重ならせておく
ことが好ましい。

【００３５】ここで、この第１の薄膜形成工程および第
２の薄膜形成工程は、前述のフォトマスクのエッジ部分
の欠損欠陥を修正した場合と基本的には同様であり、条
件等の同一部分は詳細な説明を省略した。

【００３６】以上のような工程を行うことにより、大き
いサイズのピンホール状の欠損欠陥であっても、その表
面を耐薬性に優れた第２の薄膜で覆うことによって、洗
浄工程での薬液の浸潤を防ぎ、さらに、薄膜の剥離を防
止することができる。

【００３７】また、本発明は、パターンのエッジ部分の
欠損欠陥部分やパターン中のピンホール状の欠損欠陥部
分の修正だけではなく、パターンのコーナー部分の欠損
欠陥等、薄膜の堆積により修正できるものであれば、そ
の対象は特に限定されない。

【００３８】また、本実施例では、レーザ発振器からは
ＣＷ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波が
出射されるものとして説明したが、アルゴンレーザ（可
視レーザ光）を出射するものとしても差し支えない。ま
た、本実施例では、レーザ発振器から出射された可視レ
ーザ光を波長変換器によって紫外レーザ光に変換してい
るが、可視レーザ光を出射するレーザ発振器と紫外レー
ザ光を出射するレーザ発振器との２つを備えるものとし
てもかまわない。

【００３９】また、本実施例では、ＣＶＤ原料ガスとし
てクロム化合物ガスを用いたが、フォトマスクの洗浄工
程において、耐薬性のある薄膜が形成できるものであれ
ば、特に、これに限定されるものではない。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトマ
スクの欠損欠陥修正方法では、線制御性の優れた紫外レ
ーザ光で第１の薄膜を欠損欠陥部分を覆うように堆積さ
せ、その後、可視レーザ光で耐薬性の優れた第２の薄膜
を第１の薄膜を覆うように堆積させることによって、修
正後のパターンのエッジを高精度に保つとともに、フォ
トマスクの洗浄工程において、薄膜が剥離が生じること
を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成を示す図である。

【図２】フォトマスクのパターンのエッジ部分に欠損欠
陥が存在する場合の本発明による修正方法の手順を示す
図である。

【図３】フォトマスクのパターン中にピンホール状の欠
損欠陥が存在する場合の本発明による修正方法の手順を
示す図である。

【図４】従来のフォトマスクの欠損欠陥の修正方法を説
明する図である。

【図５】従来のフォトマスクの欠損欠陥の修正方法を説
明する図である。

【図６】従来のフォトマスクの欠損欠陥の修正方法を説
明する図である。

【図７】従来のフォトマスクの欠損欠陥の修正方法を説
明する図である。

【符号の説明】

１レーザ発振器２駆動ミラー３、３’ ミラー４波長変換器５ダイクロイックミラー６ミラー７パイロット照明８可変開口９ガス供給部１０フォトマスク１１ＸＹステージ１２チャンバ１３透過照明１４光学系１５、１６ミラー１７落射照明１８顕微鏡１９観察光学系２１パターン２２欠損欠陥部分２３ガラス基板２４、２７集光スポット２５第１の薄膜２６第１の薄膜のエッジ２８第２の薄膜２９第２の薄膜のエッジ３１、３２集光スポット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＣＶＤ原料ガス雰囲気中に配置されたフ
ォトマスクの欠損欠陥部分に紫外レーザ光を照射するこ
とによって、その欠損欠陥部分を完全に覆うように第１
の薄膜を堆積させる第１の工程と、前記第１の薄膜を含む領域に可視レーザ光を照射するこ
とによって、前記第１の薄膜を完全に覆うように第２の
薄膜を堆積させる第２の工程とを含むことを特徴とする
フォトマスクの欠損欠陥修正方法。
【請求項２】前記ＣＶＤ原料ガスは、クロム化合物ガ
スであることを特徴とする前記請求項１に記載のフォト
マスクの欠損欠陥修正方法。
【請求項３】前記欠損欠陥部分が、前記フォトマスク
のパターンのエッジ部分に存在する場合において、可変開口によって整形される前記紫外レーザ光の集光ス
ポットの境界を前記エッジ部分に一致させることを特徴
とする前記請求項１に記載のフォトマスクの欠損欠陥修
正方法。
【請求項４】前記第１の薄膜は、前記フォトマスクの
欠損欠陥部分を完全に覆うサイズの集光スポットに整形
された前記紫外レーザ光がそのフォトマスク上に照射さ
れることによって堆積され、前記第２の薄膜は、前記紫外レーザ光の集光スポットの
サイズよりも小さいサイズの集光スポットに整形された
前記可視レーザ光を前記フォトマスク上で走査すること
によって、前記第１の薄膜を完全に覆うように堆積され
ることを特徴とする前記請求項１に記載のフォトマスク
の欠損欠陥修正方法。
【請求項５】可視レーザ光を出射する手段と、紫外レーザ光を出射する手段と、前記紫外レーザ光および前記可視レーザ光を所望の集光
スポットに整形してフォトマスク上に照射する手段と、前記紫外レーザ光および前記可視レーザ光のフォトマス
ク上における照射位置を設定する位置決め手段と、前記フォトマスクおよびそのフォトマスクを移動させる
ステージとを格納する収納機構と、前記収納機構内へＣＶＤ原料ガスを供給するガス供給部
とを備え、前記収納機構内のＣＶＤ原料ガス雰囲気中に配置された
フォトマスクの欠損欠陥部分に前記紫外レーザ光を照射
することによって、その欠損欠陥部分を完全に覆うよう
に第１の薄膜を堆積させるとともに、前記第１の薄膜を含む領域に前記可視レーザ光を照射す
ることによって、前記第１の薄膜を完全に覆うように第
２の薄膜を堆積させることを特徴とするフォトマスクの
欠損欠陥修正装置。