JP2018133591A - テンプレートの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 テンプレートの転写パターン領域に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを防止しつつ、高精度な位置合わせを可能とするテンプレートの製造方法を提供する。【解決手段】 主面２に、転写パターン領域２０とアライメントマーク領域３０を有し、アライメントマーク領域３０に形成されるアライメントマークは凹部３１と凸部３２で構成されているテンプレート１を準備し、アライメントマーク領域３０に局所的に高屈折材料膜４０を堆積させ、その後、アライメントマーク領域３０の凹部３１に堆積した高屈折材料膜４０を残して、テンプレート１の主面２から突出する前記高屈折材料膜４０を除去する。【選択図】 図１

Description

本発明は、微細な転写パターンを被転写基板上に形成された被転写樹脂に転写するナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの製造方法に関するものである。

近年、半導体リソグラフィにおいては、デバイスの微細化の要求に対して、露光波長の問題や製造コストの問題などからフォトリソグラフィ方式の限界が指摘されており、その対案として、ナノインプリント技術を用いたナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ：Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）が注目を集めている。

ナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したテンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された被転写樹脂に接触させ、この被転写樹脂の表面側の形状を、テンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型した後に離型し、次いで、ドライエッチング等により余分な部分（残膜部分）を除去することで、被転写基板の上の被転写樹脂にテンプレートの転写パターンの凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を転写させる技術である

このナノインプリントリソグラフィは、一度テンプレート（適宜、ナノインプリント用テンプレートとも呼ぶ）を作製すれば、微細な凹凸形状の転写パターンを繰り返し転写成型でき、この転写工程には高額な露光装置（ステッパー）を用いないため、経済的にも有利である。

上述のようなナノインプリントリソグラフィにより、テンプレートの転写パターンを被転写基板に位置精度良く転写するには、テンプレートと被転写基板との位置合わせを精密に行う必要がある。一般的には、テンプレートに設けられている凹凸構造のアライメントマークと、被転写基板に設けられているアライメントマークとを、テンプレート側から光学的に検出することにより位置合わせを行う。

ここで、テンプレートを被転写樹脂に接触させると、テンプレートのアライメントマークの凹部が、被転写樹脂によって充填された状態になる。
そして、このような状態になると、テンプレートのアライメントマークを構成する材料（一般的には、石英）の屈折率と、被転写樹脂の屈折率とがほとんど同じ値であることから、テンプレートのアライメントマークを光学的に識別することが困難になってしまうという問題がある。

この問題に対して、テンプレートのアライメントマークの凹部に高屈折率材料膜を形成することによって、被転写樹脂によって充填された状態でも、アライメントマークを光学的に識別する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜３）。

例えば、上記の特許文献１に記載のテンプレートの製造方法においては、図５に例示するように、まず、主面１０２に、転写パターン領域１２０とアライメントマーク領域１３０を有するテンプレート１０１を準備し（図５（ａ））、スパッタ法等の手法を用いて、アライメントマーク領域１３０のみならず、転写パターン領域１２０も覆うように視認性薄膜１４０（高屈折材料膜に相当）を形成する（図５（ｂ））。
さらに、その上からレジスト膜１７０（保護層に相当）を形成し、段差基板を押し付けて、アライメントマーク領域１３０の膜厚が転写パターン領域１２０の膜厚よりも厚くなるようにレジスト膜１７０を変形させる（図５（ｃ））。
その後、レジスト膜１７０の所定の厚み分をドライエッチングして、アライメントマーク領域１３０の凹部内のみにレジスト膜１７０が残る状態にする（図５（ｄ））。
次に、露出する視認性薄膜１４０を所定量ドライエッチングし、最後に、アライメントマーク領域１３０の凹部内のレジスト膜１７０を除去して、アライメントマーク領域１３０の凹部に視認性薄膜１４０を有するテンプレート１１０ａを得る（図５（ｅ））。

上記の特許文献２、３に記載のテンプレートの製造方法においても、上記の特許文献１に記載のテンプレートの製造方法と同様に、アライメントマーク領域と転写パターン領域を、高屈折材料膜と保護層の両方、又は高屈折材料膜若しくは保護層のいずれか一方で覆い、これらに対して各種加工を施して、アライメントマーク領域の凹部に高屈折率材料膜を形成する。

特開２０１３−１６８６０４号公報 特開２００７−１０３９１５号公報 特表２０１３−５１９２３６号公報

しかしながら、上記の特許文献１〜３に記載のテンプレートの製造方法では、アライメントマーク領域のみならず転写パターン領域も、高屈折材料膜と保護層の両方、又は高屈折材料膜若しくは保護層のいずれか一方で覆い、これらに対して各種加工を施すため、転写パターン領域に異物を付着させてしまうというおそれや、転写パターン領域に欠陥を生じさせてしまうというおそれがある。

そして、転写パターン領域に、異物付着や欠陥を生じたテンプレートを用いて、上記のナノインプリントリソグラフィを行うと、転写された被転写樹脂のパターンにも欠陥を生じさせてしまうことになる。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、テンプレートの転写パターン領域に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを防止しつつ、高精度な位置合わせを可能とするテンプレートの製造方法を提供することを目的とする。

すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、主面に、転写パターン領域とアライメントマーク領域を有し、前記アライメントマーク領域に形成されるアライメントマークは凹部と凸部から構成されており、前記アライメントマークの凹部には、高屈折材料膜が形成されているテンプレートの製造方法であって、前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程と、前記アライメントマークの前記凹部に堆積した前記高屈折材料膜を残して、前記主面から突出する前記高屈折材料膜を除去する工程と、を順に備えることを特徴とするテンプレートの製造方法である。

また、本発明の請求項２に係る発明は、前記アライメントマークの前記凹部に堆積した前記高屈折材料膜を残して、前記主面から突出する前記高屈折材料膜を除去する工程が、前記高屈折材料膜を堆積した前記アライメントマークの前記凹部に局所的にエッチング保護膜を形成する工程と、前記エッチング保護膜から露出する前記高屈折材料膜をエッチングにより除去する工程と、前記エッチング保護膜を除去する工程と、を順に備えることを特徴とする請求項１に記載のテンプレートの製造方法である。

また、本発明の請求項３に係る発明は、前記エッチング保護膜が硬化性樹脂から構成されており、前記高屈折材料膜を堆積した前記アライメントマークの前記凹部に局所的にエッチング保護膜を形成する工程が、前記アライメントマーク領域に局所的に前記硬化性樹脂を配設する工程と、前記アライメントマーク領域に対向配置され、前記アライメントマーク領域に対向する領域に平面を有する部材により、前記硬化性樹脂を押し付ける工程と、前記硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記硬化性樹脂と前記部材を離間する工程と、前記主面から突出する前記高屈折材料膜の上に位置する前記硬化性樹脂を除去する工程と、を順に備えることを特徴とする請求項２に記載のテンプレートの製造方法である。

また、本発明の請求項４に係る発明は、前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程が、デポジション用ガスを供給しながら、前記アライメントマーク領域に局所的にエネルギー線を照射する工程を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のテンプレートの製造方法である。

また、本発明の請求項５に係る発明は、前記エネルギー線が、レーザであることを特徴とする請求項４に記載のテンプレートの製造方法である。

また、本発明の請求項６に係る発明は、前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程が、前記主面の上に、前記アライメントマーク領域に対向する領域に開口部を有するマスクを配置し、前記マスクを介したスパッタ法により、前記アライメントマーク領域に前記高屈折材料膜を堆積させる工程を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のテンプレートの製造方法である。

本発明によれば、テンプレートの転写パターン領域に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを防止しつつ、高精度な位置合わせを可能とするテンプレートを製造することができる。

本発明に係るテンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を説明する図である。 本発明に係るテンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を説明する図である。 本発明に係るテンプレートの製造方法の第３の実施形態の一例を説明する図である。 図３に続く、本発明に係るテンプレートの製造方法の第３の実施形態の一例を説明する図である。 従来のテンプレートの製造方法の一例を説明する図である。

以下、本発明に係るテンプレートの製造方法の各実施形態について詳しく説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明に係るテンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を説明する図である。
本実施形態においては、まず、図１（ａ）に示すように、主面２に、転写パターン領域２０とアライメントマーク領域３０を有するテンプレート１を準備する。
転写パターン領域２０に形成される転写パターンは、例えば、テンプレート１が半導体用途のテンプレートならば回路パターンなどである。
アライメントマーク領域３０に形成されるアライメントマークは、凹部３１と凸部３２で構成されている。
なお、図１（ａ）においては、煩雑となるのを避けるため、アライメントマーク領域３０に形成されるアライメントマークが２個の凹部３１と１個の凸部３２で構成されている形態を模式的に示しているが、実際には、アライメントマーク領域３０に形成されるアライメントマークは、より多くの凹部３１と凸部３２の繰り返しパターンで構成されている。

アライメントマーク領域３０の大きさは、アライメント精度を確保できる大きさであれば特に制限されるものではないが、例えば、１０μｍ×５０μｍ〜１００μｍ×５００μｍの範囲とすることができる。
アライメントマーク領域３０に形成されるアライメントマークの凹部３１の深さは、通常、転写パターン領域２０に形成される転写パターンの深さと同程度になり、例えば、２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲とすることができる。
上記のアライメントマークは例えば、３０ｎｍ〜５μｍ幅の凹部３１と凸部３２の繰り返しパターンとすることができる。

次に、図１（ｂ）に示すように、デポジション用ガス５１を供給しながら、アライメントマーク領域３０のみにエネルギー線５２を照射して、アライメントマーク領域３０のみに高屈折材料膜４０を堆積させる。

上記のエネルギー線５２としては、例えば、電子線、ガリウムイオンビーム、レーザ等をあげることができる。中でも、本実施形態においては、レーザを好適に用いることができる。
エネルギー線５２にレーザを用いる場合には、通常、電子線を用いる場合よりも短い時間で高屈折材料膜４０を堆積させることができる。また、エネルギー線５２にガリウムイオンビームを用いる場合には、ガリウムがテンプレート内に残ってしまうという現象も生じ得るが、レーザであれば、このような現象が生じるおそれはない。
上記のレーザとしては、アルゴンレーザや連続励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザを挙げることができる。
上記レーザのスポット径は、例えば１０μｍよりも小さいサイズとすることができ、これはアライメントマーク領域３０の大きさよりも小さいため、アライメントマーク領域３０のみにエネルギー線５２を照射することができる。

また、デポジション用ガス５１には、例えば、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）ガスを用いることができる。上記のガスにより堆積されるクロム系材料膜は、石英よりも高い屈折率を有しているため、本実施形態における高屈折材料膜４０として用いることができる。

堆積させる高屈折材料膜４０の膜厚（図１（ｃ）に示す膜厚Ｔ₁）としては、最終的に、凹部３１に残る高屈折材料膜４０によってアライメント精度を確保できるものであれば特に制限されるものではないが、無用に膜厚を大きくすると、それだけ堆積時間がかかることになり、生産性が低下することになる。
それゆえ、本実施形態においては、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲とすることが好ましい。

上記のように、エネルギー線５２としてレーザを照射して、アライメントマーク領域３０のみに高屈折材料膜４０を堆積させる工程には、例えば、ＬＣＤ用フォトマスクの欠陥修正に用いられるレーザリペア装置を好適に用いることができる。

次に、図１（ｃ）に示すように、エッチング用ガス６１を用いたドライエッチングにより、アライメントマーク領域３０の凹部３１の側壁面に堆積した高屈折材料膜４０を残して、テンプレート１の主面２から突出する高屈折材料膜４０を除去し、図１（ｄ）に示すように、主面２に転写パターン領域２０とアライメントマーク領域３０を有し、アライメントマーク領域３０の凹部３１には、高屈折材料膜４０が形成されているテンプレート１０ａを得る。
上記のように、高屈折材料膜４０としてクロム系材料膜を形成した場合には、エッチング用ガス６１には塩素と酸素の混合ガスを用いることができる。

ここで、アライメントマーク領域３０の凹部３１の底面に堆積した高屈折材料膜４０の膜厚Ｔ₂は、通常、アライメントマーク領域３０の凸部３２の上面に堆積した高屈折材料膜４０の膜厚Ｔ₁と同じか、若しくは、膜厚Ｔ₁よりも薄い厚みとなる。
それゆえ、テンプレート１の主面２から突出する高屈折材料膜４０を除去するようにドライエッチングを施す場合、アライメントマーク領域３０の凹部３１の底面に堆積した高屈折材料膜４０も、通常、消失してしまうことになる。

一方、アライメントマーク領域３０の凹部３１の側壁面に堆積した高屈折材料膜４０は、主面２に垂直な方向（図１に示すＺ方向）の膜厚が、概ねアライメントマーク領域３０の凹部３１の深さと同じになり、この膜厚は膜厚Ｔ₁よりも大きい。
それゆえ、テンプレート１の主面２から突出する高屈折材料膜４０を除去するようにドライエッチングを施す場合であっても、アライメントマーク領域３０の凹部３１の側壁面に堆積した高屈折材料膜４０は、消失せずに残存することができる。

上記のように、本実施形態によれば、アライメントマーク領域３０に局所的に高屈折材料膜４０を堆積させることができ、転写パターン領域２０には高屈折材料膜４０を堆積させずに済むため、転写パターン領域２０に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを防止することができる。

そして、本実施形態によれば、アライメントマーク領域３０の凹部３１に高屈折材料膜４０が形成されているテンプレート１０ａを製造することができ、このテンプレート１０ａを用いれば、インプリントに際して凹部３１が被転写樹脂によって充填された状態となっても、良好にアライメントマークを光学的に識別することができ、高精度な位置合わせが可能となる。

（第２の実施形態）
図２は、本発明に係るテンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を説明する図である。
図２（ａ）に示すように、本実施形態においても、上記の第１の実施形態と同様に、まず、主面２に転写パターン領域２０とアライメントマーク領域３０を有するテンプレート１を準備する。

次に、図２（ｂ）に示すように、テンプレート１の主面２の上に、アライメントマーク領域３０に対向する領域に開口部を有するマスク５３を配置し、マスク５３を介したスパッタ法により、アライメントマーク領域３０のみに高屈折材料膜４１を堆積させる。

本実施形態においては、上記のように、アライメントマーク領域３０に対向する領域に開口部を有するマスク５３を介して局所的にスパッタ成膜するため、アライメントマーク領域３０のみに高屈折材料膜４１を堆積させることができる。

本実施形態において、スパッタターゲット５４の材料としては、被転写樹脂によって充填された状態でもアライメントマークを光学的に識別することが可能な高屈折材料膜４１を堆積させることができるものであれば、特に制限されるものではないが、例えば、クロム（Ｃｒ）を好適に用いることができる。また、スパッタに用いるガスとしては、例えば、アルゴンガスの他に、酸素ガスや窒素ガスを含めたものを用いることができる。

次に、図２（ｃ）に示すように、エッチング用ガス６２を用いたドライエッチングにより、上記の第１の実施形態と同様に、アライメントマーク領域３０の凹部３１の側壁面に堆積した高屈折材料膜４１を残して、テンプレート１の主面２から突出する高屈折材料膜４１を除去し、図２（ｄ）に示すように、主面２に、転写パターン領域２０とアライメントマーク領域３０を有し、アライメントマーク領域３０の凹部３１には、高屈折材料膜４１が形成されているテンプレート１０ｂを得る。
ここで、高屈折材料膜４１としてクロム系材料膜を形成した場合には、エッチング用ガス６２には塩素と酸素の混合ガスを用いることができる。

上記のように、本実施形態によれば、アライメントマーク領域３０に局所的に高屈折材料膜４１を堆積させることができ、転写パターン領域２０には高屈折材料膜４１を堆積させずに済むため、転写パターン領域２０に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを防止することができる。

そして、本実施形態によれば、アライメントマーク領域３０の凹部３１に高屈折材料膜４１が形成されているテンプレート１０ｂを製造することができ、このテンプレート１０ｂを用いれば、インプリントに際して凹部３１が被転写樹脂によって充填された状態となっても、良好にアライメントマークを光学的に識別することができ、高精度な位置合わせが可能となる。

（第３の実施形態）
図３及び図４は、本発明に係るテンプレートの製造方法の第３の実施形態の一例を説明する図である。

本実施形態においても、上記の第１の実施形態や第２の実施形態と同様に、まず、主面２に、転写パターン領域２０とアライメントマーク領域３０を有するテンプレート１を準備し（図３（ａ））、次いで、アライメントマーク領域３０のみに高屈折材料膜４２を堆積させる（図３（ｂ））。

ここで、図３（ｂ）に示すアライメントマーク領域３０のみに高屈折材料膜４２を堆積させる方法は、第１の実施形態において説明した方法であっても良く、また、第２の実施形態において説明した方法であっても良い。

次に、アライメントマーク領域３０のみにエッチング保護膜として硬化性樹脂７１を配設し（図３（ｃ））、アライメントマーク領域３０に対向配置され、アライメントマーク領域３０に対向する領域に平面を有する部材８１により、硬化性樹脂７１を押し付けて、主面２から突出する高屈折材料膜４２の上に位置する硬化性樹脂７１の膜厚Ｔ₃が一定の範囲内になるように平坦化し（図３（ｄ））、この状態で硬化性樹脂７１を硬化させ、その後、硬化性樹脂７１と部材８１を離間する。

本実施形態において、部材８１は、硬化性樹脂７１を押し付けることによって、硬化性樹脂７１の膜厚Ｔ₃が一定の範囲内になるように平坦化することができるものであれば、特に制限されるものではないが、図３（ｄ）に示すように、アライメントマーク領域３０に対向する領域が他の部位よりも突出している形態を有しているものであることが、好ましい。
このような形態であれば、部材８１と転写パターン領域２０との接触を、より確実に回避することができ、転写パターン領域２０に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを、より確実に防止することができるからである。

部材８１を構成する材料としては、上記のように、硬化性樹脂７１を押し付けることによって平坦化することができるものであれば、特に制限されるものではないが、紫外線透過性の材料であることが好ましい。
部材８１が紫外線透過性の材料から構成されていれば、後述するように硬化性樹脂７１が紫外線硬化性樹脂である場合に、部材８１側から（図３に示すＺ方向側）から紫外線照射して、硬化性樹脂７１を硬化させることができるからである。
紫外線透過性の材料としては、例えば、石英等、テンプレート１を構成する材料として用いられるものを挙げることができる。

また、図３（ｄ）に示す硬化性樹脂７１の膜厚Ｔ₃の範囲としては、後述するドライエッチング工程によって除去できる膜厚であれば、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とすることができる。

なお、アライメントマーク領域３０のみに硬化性樹脂７１を配設する方法としては、ナノインプリントの技術分野で用いられているインクジェット方式によるものを好適に用いることができる。上記のインクジェット方式は、ナノインプリント分野で実績があり、所望の微量な硬化性樹脂７１を所望の位置に配設できるからである。

硬化性樹脂７１には、ナノインプリントの技術分野で用いられている硬化性樹脂、特に、紫外線硬化性樹脂を、好適に用いることができる。上記の紫外線硬化性樹脂は、ナノインプリント分野で実績があり、紫外線照射によって硬化するため特別な加熱や冷却を要せず、それゆえ加熱や冷却によって生じるテンプレート１の負荷等を回避することができるからである。
そして、硬化性樹脂７１に紫外線硬化性樹脂を用いた場合には、部材８１側、若しくはテンプレート１側から紫外線照射して、硬化性樹脂７１を硬化させることができる。

次に、図４（ｅ）に示すように、エッチング用ガス６３を用いたドライエッチングにより、硬化性樹脂７１の膜厚Ｔ₃の部分を除去する。これにより、アライメントマーク領域３０の凹部３１の中の硬化性樹脂７１は残されたまま、主面２から突出する高屈折材料膜４２の上に位置する硬化性樹脂７１は除去される。
エッチング用ガス６３としては、硬化性樹脂７１を除去できるものであれば用いることができ、例えば、酸素ガスを挙げることができる。

次に、図４（ｆ）に示すように、エッチング用ガス６４を用いたドライエッチングにより、残された硬化性樹脂７１から露出する高屈折材料膜４２を除去する。これにより、高屈折材料膜４２のうち、主面２から突出する膜厚Ｔ₄の部分は除去されるが、凹部３１の底面に堆積した高屈折材料膜４２は、硬化性樹脂７１で覆われているため、残存することになる。

ここで、凹部３１の側壁面に堆積した高屈折材料膜４２は、主面２に垂直な方向（図４に示すＺ方向）の膜厚が、概ね凹部３１の深さと同じになり、この膜厚は膜厚Ｔ₄よりも大きい。
それゆえ、テンプレート１の主面２から突出する高屈折材料膜４２を除去するようにドライエッチングを施す場合であっても、凹部３１の側壁面に堆積した高屈折材料膜４２は、消失せずに残存することができる。

上記の第１の実施形態や第２の実施形態のように、高屈折材料膜４０としてクロム系材料膜を形成した場合には、エッチング用ガス６４には塩素と酸素の混合ガスを用いることができる。

その後、図４（ｇ）に示すように、エッチング用ガス６３を用いたドライエッチングにより、凹部３１の中に残存する硬化性樹脂７１を除去し、図４（ｈ）に示すように、主面２に転写パターン領域２０とアライメントマーク領域３０を有し、アライメントマーク領域３０の凹部３１には、高屈折材料膜４２が形成されているテンプレート１０ｃを得る。

上記のように、本実施形態によれば、アライメントマーク領域３０に局所的に高屈折材料膜４２を堆積させることができ、かつ、エッチング保護膜としての硬化性樹脂７１もアライメントマーク領域３０に局所的に配設するため、転写パターン領域２０には高屈折材料膜４２を堆積させずに済み、かつ、エッチング保護膜としての硬化性樹脂７１も転写パターン領域２０には配設させないことになり、転写パターン領域２０に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを防止することができる。

そして、本実施形態によれば、アライメントマーク領域３０の凹部３１（特に凹部３１の底面）に高屈折材料膜４２が形成されているテンプレート１０ｃを製造することができ、このテンプレート１０ｃを用いれば、インプリントに際して凹部３１が被転写樹脂によって充填された状態となっても、より良好にアライメントマークを光学的に識別することができ、高精度な位置合わせが可能となる。

以上、本発明に係るテンプレートの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。

１、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ テンプレート
２ 主面
２０ 転写パターン領域
３０ アライメントマーク領域
３１ 凹部
３２ 凸部
４０、４１、４２ 高屈折材料膜
５１ デポジション用ガス
５２ エネルギー線
５３ マスク
６１、６２、６３、６４ エッチング用ガス
７１ 硬化性樹脂
８１ 部材
１０１、１１０ａ テンプレート
１０２ 主面
１２０ 転写パターン領域
１３０ アライメントマーク領域
１４０ 視認性薄膜
１７０ レジスト膜

Claims (6)

1. 主面に、転写パターン領域とアライメントマーク領域を有し、前記アライメントマーク領域に形成されるアライメントマークは凹部と凸部から構成されており、前記アライメントマークの凹部の側壁面に、高屈折材料膜が形成されているテンプレートの製造方法であって、
   前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程と、
   前記アライメントマークの前記凹部の側壁面に堆積した前記高屈折材料膜を残存させつつ、前記主面に堆積した前記高屈折材料膜を除去し、かつ、前記アライメントマークの前記凹部の底面に堆積した前記高屈折材料膜の少なくとも一部を除去して該底面の少なくとも一部を露出させる工程と、
   を順に備えることを特徴とするテンプレートの製造方法。
2. 前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程により、前記アライメントマークの前記凹部の底面に堆積した前記高屈折材料膜の少なくとも一部の膜厚が、
   前記主面に堆積した前記高屈折材料膜の膜厚と同じか、若しくは、前記主面に堆積した前記高屈折材料膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のテンプレートの製造方法。
3. 前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程により、前記アライメントマークの前記凹部の側壁面に堆積した前記高屈折材料膜の前記主面に垂直な方向の膜厚が、
   前記主面に堆積した前記高屈折材料膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のテンプレートの製造方法。
4. 前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程が、
   デポジション用ガスを供給しながら、前記アライメントマーク領域に局所的にエネルギー線を照射する工程を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のテンプレートの製造方法。
5. 前記エネルギー線が、レーザであることを特徴とする請求項４に記載のテンプレートの製造方法。
6. 前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程が、
   前記主面の上に、前記アライメントマーク領域に対向する領域に開口部を有するマスクを配置し、前記マスクを介したスパッタ法により、前記アライメントマーク領域に前記高屈折材料膜を堆積させる工程を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のテンプレートの製造方法。

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