JP5942551B2 - ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明のマスターテンプレートの実施形態の一例を示す平面模式図(図1(a))、および図1(a)のA−A線における断面模式図(図1(b))である。図1(a)は、凹凸パターンを形成した側から見た平面図である。
図1において、マスターテンプレート10は石英ガラス基板11の一主面に転写すべき凹凸パターンを設けたフィールドエリア12が形成されており、フィールドエリア12の外側に、ナノインプリントに際して、石英ガラス基板11上の余分な光硬化性材料を吸収して溜めるための凹部13(以後、単に凹部13とも記す)が設けられている。凹部13に吸収された光硬化性材料の揮発成分は、時間の経過とともに蒸発し、インプリントに影響を与えることはない。
図2は、本発明のマスターテンプレートの別な実施形態を示す平面模式図で、凹凸パターンを形成した側から見た図である。図2に示すマスターテンプレート20は、フィールドエリア22の外側に、余分な光硬化性材料を吸収して溜めるための凹部23(単に凹部23とも記す)に誘導するための複数の微細な放射状の溝24が、凹部23に接続して形成されている。フィールドエリア22のエッジからはみ出した光硬化性材料は、複数の微細な放射状の溝24により毛細管力によってマスターテンプレート20の外周部に設けられた凹部23に向かって濡れ広がり、凹部23に吸収され溜められる。放射状の溝24及び凹部23に吸収された光硬化性材料の揮発成分は、時間の経過とともに蒸発し、インプリントに影響を与えることはない。本実施形態によれば、フィールドエリアの周辺に光硬化性材料が溜まらない効果がより顕著になる。
図3は、本発明のマスターテンプレート30を用いて、ナノインプリント法により光透過性基板34に凹凸のパターンを転写してレプリカテンプレート40を作製する工程を示す断面模式図である。
マスターテンプレートとして、大きさ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板の一主面上にスパッタリング法により石英エッチングマスク膜としてクロム膜を10nmの厚さに成膜した。次に、クロム膜上に電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、パターン領域に凹凸パターンと、このパターン領域を含むフィールドエリアの外側に余分な光硬化性材料を吸収し溜めるための凹部パターンとのレジストパターンを形成した。
実施例1と同様にして、図2に示すように、大きさ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板上に凹凸パターンを有するフィールドエリアと、このフィールドエリアの外側に、余分な光硬化性材料を吸収し溜めておくための凹部と、余分な光硬化性材料を上記の凹部に誘導するための複数の微細な放射状の溝を形成したマスターテンプレートを作製した。
11、21、31 石英ガラス基板
12、22、32 フィールドエリア
13、23、33 余分な光硬化性材料を吸収して溜めるための凹部
24 放射状の溝
34 光透過性基板
35 パターン領域
36 凸状の段差構造(メサ構造)
37 くぼみ
38 光硬化性材料
38a 硬化した光硬化性材料パターン
39 余分な光硬化性材料
40 レプリカテンプレート
41 転写された凹凸パターン
51 石英ガラス基板
52 フィールドエリア
54 光透過性基板
55 パターン領域
56 凸状の段差構造(メサ構造)
57 くぼみ
58 光硬化性材料
58a 硬化した光硬化性材料パターン
59 余分な光硬化性材料
60 レプリカテンプレート
61 転写された凹凸パターン
Claims (5)
- 光透過性基板にナノインプリント法により凹凸のパターンを転写してレプリカテンプレートを作製する際に用いるマスターテンプレートであって、
前記マスターテンプレートは、平行平面の石英ガラス基板の一方の主面上に前記凹凸のパターンを設けたフィールドエリアが形成されており、前記フィールドエリアの外側に、前記ナノインプリント時に生じる余分な光硬化性材料を吸収し溜めるための凹部と、前記余分な光硬化性材料を前記凹部に誘導するための複数の微細な放射状の溝が形成されていることを特徴とするマスターテンプレート。 - 前記余分な光硬化性材料を吸収するための前記凹部の深さが、前記凹凸のパターンの凹部の深さと同じであることを特徴とする請求項1に記載のマスターテンプレート。
- 前記放射状の溝の深さが、前記凹凸のパターンの凹部の深さと同じであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスターテンプレート。
- 前記マスターテンプレートは、大きさ6インチ角、厚さ0.25インチの平行平面の石英ガラス基板上に前記凹凸のパターンと、前記余分な光硬化性材料を吸収し溜めるための凹部と前記放射状の溝とが少なくとも形成され、段差構造及びくぼみを有していないマスターテンプレートであることを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスターテンプレート。
- 光透過性基板にナノインプリント法によりマスターテンプレートの凹凸のパターンを転写してレプリカテンプレートを作製するレプリカテンプレートの製造方法であって、
前記マスターテンプレートが、請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載のマスターテンプレートであり、
前記光透過性基板が、前記凹凸のパターンを転写するパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、前記パターン領域に相対する前記光透過性基板の他方の面が前記パターン領域と重なり、かつ、前記パターン領域よりも広い面積のくぼみを有しており、
前記段差構造の前記パターン領域に光硬化性材料を塗布してナノインプリントすることを特徴とするレプリカテンプレートの製造方法。
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Families Citing this family (9)
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4854383B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2012-01-18 | アピックヤマダ株式会社 | インプリント方法およびナノ・インプリント装置 |
JP2009170773A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールドおよびインプリント装置 |
JP2011023660A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | パターン転写方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10288999B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes |
US11061324B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-07-13 | Toshiba Memory Corporation | Manufacturing method of replica template, manufacturing method of semiconductor device, and master template |
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