JP2019009469A - 部材 - Google Patents
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Abstract
Description
そして、このような状態になると、テンプレートのアライメントマークを構成する材料(一般的には、石英)の屈折率と、被転写樹脂の屈折率とがほとんど同じ値であることから、テンプレートのアライメントマークを光学的に識別することが困難になってしまうという問題がある。
さらに、その上からレジスト膜170(保護層に相当)を形成し、段差基板を押し付けて、アライメントマーク領域130の膜厚が転写パターン領域120の膜厚よりも厚くなるようにレジスト膜170を変形させる(図5(c))。
その後、レジスト膜170の所定の厚み分をドライエッチングして、アライメントマーク領域130の凹部内のみにレジスト膜170が残る状態にする(図5(d))。
次に、露出する視認性薄膜140を所定量ドライエッチングし、最後に、アライメントマーク領域130の凹部内のレジスト膜170を除去して、アライメントマーク領域130の凹部に視認性薄膜140を有するテンプレート110aを得る(図5(e))。
図1は、本発明に係るテンプレートの製造方法の第1の実施形態の一例を説明する図である。
本実施形態においては、まず、図1(a)に示すように、主面2に、転写パターン領域20とアライメントマーク領域30を有するテンプレート1を準備する。
転写パターン領域20に形成される転写パターンは、例えば、テンプレート1が半導体用途のテンプレートならば回路パターンなどである。
アライメントマーク領域30に形成されるアライメントマークは、凹部31と凸部32で構成されている。
なお、図1(a)においては、煩雑となるのを避けるため、アライメントマーク領域30に形成されるアライメントマークが2個の凹部31と1個の凸部32で構成されている形態を模式的に示しているが、実際には、アライメントマーク領域30に形成されるアライメントマークは、より多くの凹部31と凸部32の繰り返しパターンで構成されている。
アライメントマーク領域30に形成されるアライメントマークの凹部31の深さは、通常、転写パターン領域20に形成される転写パターンの深さと同程度になり、例えば、20nm〜100nmの範囲とすることができる。
上記のアライメントマークは例えば、30nm〜5μm幅の凹部31と凸部32の繰り返しパターンとすることができる。
エネルギー線52にレーザを用いる場合には、通常、電子線を用いる場合よりも短い時間で高屈折材料膜40を堆積させることができる。また、エネルギー線52にガリウムイオンビームを用いる場合には、ガリウムがテンプレート内に残ってしまうという現象も生じ得るが、レーザであれば、このような現象が生じるおそれはない。
上記のレーザとしては、アルゴンレーザや連続励起Nd:YAGレーザを挙げることができる。
上記レーザのスポット径は、例えば10μmよりも小さいサイズとすることができ、これはアライメントマーク領域30の大きさよりも小さいため、アライメントマーク領域30のみにエネルギー線52を照射することができる。
それゆえ、本実施形態においては、例えば、5nm〜50nmの範囲とすることが好ましい。
上記のように、高屈折材料膜40としてクロム系材料膜を形成した場合には、エッチング用ガス61には塩素と酸素の混合ガスを用いることができる。
それゆえ、テンプレート1の主面2から突出する高屈折材料膜40を除去するようにドライエッチングを施す場合、アライメントマーク領域30の凹部31の底面に堆積した高屈折材料膜40も、通常、消失してしまうことになる。
それゆえ、テンプレート1の主面2から突出する高屈折材料膜40を除去するようにドライエッチングを施す場合であっても、アライメントマーク領域30の凹部31の側壁面に堆積した高屈折材料膜40は、消失せずに残存することができる。
図2は、本発明に係るテンプレートの製造方法の第2の実施形態の一例を説明する図である。
図2(a)に示すように、本実施形態においても、上記の第1の実施形態と同様に、まず、主面2に転写パターン領域20とアライメントマーク領域30を有するテンプレート1を準備する。
ここで、高屈折材料膜41としてクロム系材料膜を形成した場合には、エッチング用ガス62には塩素と酸素の混合ガスを用いることができる。
図3及び図4は、本発明に係るテンプレートの製造方法の第3の実施形態の一例を説明する図である。
このような形態であれば、部材81と転写パターン領域20との接触を、より確実に回避することができ、転写パターン領域20に異物の付着や欠陥を生じさせてしまうことを、より確実に防止することができるからである。
部材81が紫外線透過性の材料から構成されていれば、後述するように硬化性樹脂71が紫外線硬化性樹脂である場合に、部材81側から(図3に示すZ方向側)から紫外線照射して、硬化性樹脂71を硬化させることができるからである。
紫外線透過性の材料としては、例えば、石英等、テンプレート1を構成する材料として用いられるものを挙げることができる。
そして、硬化性樹脂71に紫外線硬化性樹脂を用いた場合には、部材81側、若しくはテンプレート1側から紫外線照射して、硬化性樹脂71を硬化させることができる。
エッチング用ガス63としては、硬化性樹脂71を除去できるものであれば用いることができ、例えば、酸素ガスを挙げることができる。
それゆえ、テンプレート1の主面2から突出する高屈折材料膜42を除去するようにドライエッチングを施す場合であっても、凹部31の側壁面に堆積した高屈折材料膜42は、消失せずに残存することができる。
2 主面
20 転写パターン領域
30 アライメントマーク領域
31 凹部
32 凸部
40、41、42 高屈折材料膜
51 デポジション用ガス
52 エネルギー線
53 マスク
61、62、63、64 エッチング用ガス
71 硬化性樹脂
81 部材
101、110a テンプレート
102 主面
120 転写パターン領域
130 アライメントマーク領域
140 視認性薄膜
170 レジスト膜
Claims (4)
- 主面に、転写パターン領域とアライメントマーク領域を有し、前記アライメントマーク領域に形成されるアライメントマークは凹部と凸部から構成されており、前記アライメントマークの凹部には、高屈折材料膜が形成されているテンプレートの製造方法であって、
前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程と、
前記アライメントマークの前記凹部に堆積した前記高屈折材料膜を残して、前記主面から突出する前記高屈折材料膜を除去する工程と、
を順に備え、
前記アライメントマークの前記凹部に堆積した前記高屈折材料膜を残して、前記主面から突出する前記高屈折材料膜を除去する工程が、
前記高屈折材料膜を堆積した前記アライメントマークの前記凹部に局所的にエッチング保護膜を形成する工程と、
前記エッチング保護膜から露出する前記高屈折材料膜をエッチングにより除去する工程と、
前記エッチング保護膜を除去する工程と、
を順に備え、
前記エッチング保護膜が硬化性樹脂から構成されており、
前記高屈折材料膜を堆積した前記アライメントマークの前記凹部に局所的にエッチング保護膜を形成する工程が、
前記アライメントマーク領域に局所的に前記硬化性樹脂を配設する工程と、
前記アライメントマーク領域に対向配置され、前記アライメントマーク領域に対向する領域に平面を有する部材により、前記硬化性樹脂を押し付ける工程と、
前記硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記硬化性樹脂と前記部材を離間する工程と、
前記主面から突出する前記高屈折材料膜の上に位置する前記硬化性樹脂を除去する工程と、
を順に備えることを特徴とするテンプレートの製造方法。 - 前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程が、
デポジション用ガスを供給しながら、前記アライメントマーク領域に局所的にエネルギー線を照射する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載のテンプレートの製造方法。 - 前記エネルギー線が、レーザであることを特徴とする請求項2に記載のテンプレートの製造方法。
- 前記アライメントマーク領域に局所的に前記高屈折材料膜を堆積させる工程が、
前記主面の上に、前記アライメントマーク領域に対向する領域に開口部を有するマスクを配置し、前記マスクを介したスパッタ法により、前記アライメントマーク領域に前記高屈折材料膜を堆積させる工程を備えることを特徴とする請求項1に記載のテンプレートの製造方法。
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JP2010274460A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントモールドおよびパターン形成方法 |
JP2013519236A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 高コントラスト位置合わせマークを有するテンプレート |
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