JP3044811B2 - フォトマスク修正装置 - Google Patents
フォトマスク修正装置Info
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- JP3044811B2 JP3044811B2 JP8291091A JP8291091A JP3044811B2 JP 3044811 B2 JP3044811 B2 JP 3044811B2 JP 8291091 A JP8291091 A JP 8291091A JP 8291091 A JP8291091 A JP 8291091A JP 3044811 B2 JP3044811 B2 JP 3044811B2
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- Japan
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- photomask
- laser
- laser beam
- laser light
- irradiated
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトマスクの白欠陥を
修正する装置に係わり、とくにレーザＣＶＤ技術を用い
たフォトマスク修正装置に関する。
修正する装置に係わり、とくにレーザＣＶＤ技術を用い
たフォトマスク修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクの白欠陥すなわち欠損欠陥
を修正するための修正方法としては、ＦＩＢ（Focused
Ion Beam；集束イオンビーム）を用いるものと、レーザ
光を用いるものが提案されている。後者のレーザ光を用
いるものは、更に紫外レーザ光を使用する光ＣＶＤ（ph
otolytic chemical vaper deposition) 技術を応用する
ものと、主にレーザ光による対象の加熱効果を利用する
熱ＣＶＤ（pyrolytic chemical vaper deposition)技術
を使用するものとに分けることができる。
を修正するための修正方法としては、ＦＩＢ（Focused
Ion Beam；集束イオンビーム）を用いるものと、レーザ
光を用いるものが提案されている。後者のレーザ光を用
いるものは、更に紫外レーザ光を使用する光ＣＶＤ（ph
otolytic chemical vaper deposition) 技術を応用する
ものと、主にレーザ光による対象の加熱効果を利用する
熱ＣＶＤ（pyrolytic chemical vaper deposition)技術
を使用するものとに分けることができる。
【０００３】前者のＦＩＢを利用する装置は、後者のレ
ーザ光を用いる装置に比べてビームの集束径を直径０．
１〜０．５μｍ程度と小さくすることができる。したが
って、高精度の修正が可能となる。しかしながら、原料
ガスが希薄な状態でなければ装置を作動することができ
ないために炭素膜の堆積速度が遅く、１０μｍ角の領域
に光学濃度２．５〜３程度の炭素膜を堆積する場合に
は、１０００秒程度の時間を要する。また、動作中に１
×１０-6Torr程度の高真空を維持する必要があり、真空
容器を大きくすることができない。
ーザ光を用いる装置に比べてビームの集束径を直径０．
１〜０．５μｍ程度と小さくすることができる。したが
って、高精度の修正が可能となる。しかしながら、原料
ガスが希薄な状態でなければ装置を作動することができ
ないために炭素膜の堆積速度が遅く、１０μｍ角の領域
に光学濃度２．５〜３程度の炭素膜を堆積する場合に
は、１０００秒程度の時間を要する。また、動作中に１
×１０-6Torr程度の高真空を維持する必要があり、真空
容器を大きくすることができない。
【０００４】したがって、前者のＦＩＢを利用する装置
は大型の基板への対応が困難であり、これまでに装置化
されているフォトマスク修正装置では、７インチ角の基
板が限度となっているという問題がある。このため、特
別に高精度が要求される用途以外の一般的なフォトマス
クあるいはＬＣＤ（Liquid Crystal display；液晶ディ
スクプレイ）用の大型のフォトマスクについては、この
装置を適用できないのが現状である。
は大型の基板への対応が困難であり、これまでに装置化
されているフォトマスク修正装置では、７インチ角の基
板が限度となっているという問題がある。このため、特
別に高精度が要求される用途以外の一般的なフォトマス
クあるいはＬＣＤ（Liquid Crystal display；液晶ディ
スクプレイ）用の大型のフォトマスクについては、この
装置を適用できないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一方、後者のレーザを
用いるフォトマスクの白欠陥修正装置のうち、紫外レー
ザを用いる装置では、紫外光を用いるためにレンズ材が
限定され、装置の設計が困難であるという問題があっ
た。しかも、この装置で観察とレーザ加工を兼ねる対物
レンズは紫外域と可視域の間で色消しを行う必要があ
り、その製作が困難である等、光学系の構成上に問題が
あった。また、この後者の装置では光解離反応が主体と
なるために、レーザ光を導入する窓材へもＣＶＤによる
薄膜の堆積が生じ、窓の透過率が低下していわゆる窓曇
りが生じるといった問題があった。
用いるフォトマスクの白欠陥修正装置のうち、紫外レー
ザを用いる装置では、紫外光を用いるためにレンズ材が
限定され、装置の設計が困難であるという問題があっ
た。しかも、この装置で観察とレーザ加工を兼ねる対物
レンズは紫外域と可視域の間で色消しを行う必要があ
り、その製作が困難である等、光学系の構成上に問題が
あった。また、この後者の装置では光解離反応が主体と
なるために、レーザ光を導入する窓材へもＣＶＤによる
薄膜の堆積が生じ、窓の透過率が低下していわゆる窓曇
りが生じるといった問題があった。
【０００６】このため、可視レーザ光とその加熱効果を
利用する方が、より実用性の高いフォトマスク修正装置
を構成することができる。
利用する方が、より実用性の高いフォトマスク修正装置
を構成することができる。
【０００７】ところで、レーザ光による加熱効果を利用
した従来のフォトマスク修正装置では、レーザとして連
続発振を行うアルゴンレーザを使用しており、レーザ光
は単にスポット状に集光して使用している。このため、
レーザ光照射部周辺への熱拡散が大きくなり、レーザ光
の集光径よりもはるかに広い幅で薄膜の堆積が生じると
いう問題を有していた。なお、J.K.Tison and M.G.Cohe
n,Solid State Technology,Feb.(1987),"Laser in Mask
Repair"の第１１３ページにおける図２（Fig.2 ）に示
した写真を参考にされたい。
した従来のフォトマスク修正装置では、レーザとして連
続発振を行うアルゴンレーザを使用しており、レーザ光
は単にスポット状に集光して使用している。このため、
レーザ光照射部周辺への熱拡散が大きくなり、レーザ光
の集光径よりもはるかに広い幅で薄膜の堆積が生じると
いう問題を有していた。なお、J.K.Tison and M.G.Cohe
n,Solid State Technology,Feb.(1987),"Laser in Mask
Repair"の第１１３ページにおける図２（Fig.2 ）に示
した写真を参考にされたい。
【０００８】そこで本発明の目的は、可視レーザ光とそ
の加熱効果を利用し、しかもレーザ光照射部周辺への熱
拡散をできるだけ抑えることにより、エッジ精度良く金
属膜を形成することのできるフォトマスク修正装置を提
供することにある。
の加熱効果を利用し、しかもレーザ光照射部周辺への熱
拡散をできるだけ抑えることにより、エッジ精度良く金
属膜を形成することのできるフォトマスク修正装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、解離反応により金属の堆積を可能とする化合物気体
を含む雰囲気に接するフォトマスク表面にレーザ光を照
射し、主に化合物気体の熱分解によりレーザ光照射部に
選択的に形成した金属薄膜、または、レーザ光を前記し
たフォトマスクに対して相対的に走査してフォトマスク
上に帯状に堆積した金属薄膜により、フォトマスク上の
白欠陥を修正するようにしたフォトマスク修正装置にお
いて、（イ）所定の周波数以上の周波数でレーザパルス
を出力できるレーザと、（ロ）このレーザから出力され
るパルス状のレーザ光のビーム径を拡大するビームエキ
スパンダと、（ハ）このビームエキスパンダにより拡大
されたレーザ光の光路中に配置され、フォトマスク上に
照射するレーザ光の幅方向の寸法を欠陥に応じた幅に調
整自在に設定すると共に、この幅方向と直交する方向の
長さを比較的短い予め定めた長さに設定することで、レ
ーザ光照射部に矩形状のレーザ光が照射されるようにそ
の照射形状を整形する整形手段と、（ニ）矩形状に整形
されたレーザ光の強度分布を均一にする均一化手段と、
（ホ）レーザ光照射部における欠陥を埋めつくすように
整形手段で整形したレーザ光で幅方向と直交する方向に
走査するレーザ光走査手段とをフォトマスク修正装置に
具備させる。
は、解離反応により金属の堆積を可能とする化合物気体
を含む雰囲気に接するフォトマスク表面にレーザ光を照
射し、主に化合物気体の熱分解によりレーザ光照射部に
選択的に形成した金属薄膜、または、レーザ光を前記し
たフォトマスクに対して相対的に走査してフォトマスク
上に帯状に堆積した金属薄膜により、フォトマスク上の
白欠陥を修正するようにしたフォトマスク修正装置にお
いて、（イ）所定の周波数以上の周波数でレーザパルス
を出力できるレーザと、（ロ）このレーザから出力され
るパルス状のレーザ光のビーム径を拡大するビームエキ
スパンダと、（ハ）このビームエキスパンダにより拡大
されたレーザ光の光路中に配置され、フォトマスク上に
照射するレーザ光の幅方向の寸法を欠陥に応じた幅に調
整自在に設定すると共に、この幅方向と直交する方向の
長さを比較的短い予め定めた長さに設定することで、レ
ーザ光照射部に矩形状のレーザ光が照射されるようにそ
の照射形状を整形する整形手段と、（ニ）矩形状に整形
されたレーザ光の強度分布を均一にする均一化手段と、
（ホ）レーザ光照射部における欠陥を埋めつくすように
整形手段で整形したレーザ光で幅方向と直交する方向に
走査するレーザ光走査手段とをフォトマスク修正装置に
具備させる。
【００１０】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
フォトマスク修正装置の整形手段は、周縁部にナイフエ
ッジ部を有するスリット機構であることを特徴としてい
る。
フォトマスク修正装置の整形手段は、周縁部にナイフエ
ッジ部を有するスリット機構であることを特徴としてい
る。
【００１１】請求項３記載の発明では、レーザ光の光路
中に、金属膜形成開始時にレーザ光の強度を絞り、レー
ザ光の強度が応答よく変化するようにするためのアッテ
ネータを配置したことを特徴としている。
中に、金属膜形成開始時にレーザ光の強度を絞り、レー
ザ光の強度が応答よく変化するようにするためのアッテ
ネータを配置したことを特徴としている。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明によれば、レーザ光が照射
される欠陥箇所に、その欠陥の幅に合わせた幅の矩形状
に整形されたレーザ光を照射し、しかもその幅方向と直
交する方向にパルス状のレーザ光を欠陥を埋めつくすよ
うに走査することにしたので、フォトマスクの欠陥箇所
を精度よく修正することができる。 また請求項２記載の
発明によれば、周縁部にナイフエッジ部を有するスリッ
ト機構を使用するので、レーザによる加熱効果を利用す
るレーザＣＶＤ技術を用いたフォトマスク修正装置であ
りながら、エッジの直線性の良い金属膜堆積が可能にな
る。 更に、請求項３記載の発明によれば、レーザ光の光
路中に、金属膜形成開始時にレーザ光の強度を絞り、レ
ーザ光の強度が応答よく変化するようにするためのアッ
テネータを配置したので、基板の加熱が過剰になるのを
防止することができる。
される欠陥箇所に、その欠陥の幅に合わせた幅の矩形状
に整形されたレーザ光を照射し、しかもその幅方向と直
交する方向にパルス状のレーザ光を欠陥を埋めつくすよ
うに走査することにしたので、フォトマスクの欠陥箇所
を精度よく修正することができる。 また請求項２記載の
発明によれば、周縁部にナイフエッジ部を有するスリッ
ト機構を使用するので、レーザによる加熱効果を利用す
るレーザＣＶＤ技術を用いたフォトマスク修正装置であ
りながら、エッジの直線性の良い金属膜堆積が可能にな
る。 更に、請求項３記載の発明によれば、レーザ光の光
路中に、金属膜形成開始時にレーザ光の強度を絞り、レ
ーザ光の強度が応答よく変化するようにするためのアッ
テネータを配置したので、基板の加熱が過剰になるのを
防止することができる。
【００１３】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明に係わるフォトマスク修正装
置の一実施例を示す概略構成図である。本実施例の装置
では、ＣＶＤの原料としてモリブデンカルボニル（Ｍｏ
（ＣＯ）6 ）を、また、レーザとして連続励起Ｑスイッ
チＮｄ：ＹＡＧレーザ（以下、ＣＷ−ＹＡＧレーザと称
する。）の第２高調波（ＳＨＧ：波長０．５３μｍ）を
使用している。
置の一実施例を示す概略構成図である。本実施例の装置
では、ＣＶＤの原料としてモリブデンカルボニル（Ｍｏ
（ＣＯ）6 ）を、また、レーザとして連続励起Ｑスイッ
チＮｄ：ＹＡＧレーザ（以下、ＣＷ−ＹＡＧレーザと称
する。）の第２高調波（ＳＨＧ：波長０．５３μｍ）を
使用している。
【００１５】Ｍｏ（ＣＯ）6 のような金属カルボニルは
室温で固体または液体なので、加熱・気化させて使用す
る。本実施例では、リザーバ１内で５０°Ｃで気化させ
て使用する。このときの飽和蒸気圧は、化学大辞典（共
立出版、東京）、Ｐ２９４、「モリブデンカルボニル」
にも示されているように１．４Torrである。キャリアガ
スとしてはアルゴンガスを用い、流量２５０ｃｃ／分〜
５００ｃｃ／分で使用する。
室温で固体または液体なので、加熱・気化させて使用す
る。本実施例では、リザーバ１内で５０°Ｃで気化させ
て使用する。このときの飽和蒸気圧は、化学大辞典（共
立出版、東京）、Ｐ２９４、「モリブデンカルボニル」
にも示されているように１．４Torrである。キャリアガ
スとしてはアルゴンガスを用い、流量２５０ｃｃ／分〜
５００ｃｃ／分で使用する。
【００１６】図１に示すように、原料ガスＡはリザーバ
１から取り出されたキャリアガスＢと共に、気密の保た
れたチェンバ２内へ導かれる。原料ガスＡはチェンバ２
内のフォトマスク３の表面を流れる。チェンバ２上面に
はガラス窓４が設けられており、これを介してレーザ光
がフォトマスク３上に集光される。このレーザ光の集光
部にて、ＣＶＤによるＭｏ膜の堆積が生ずる。チェンバ
２中のフォトマスク３は原料ガスＡとの温度バランスを
とり、Ｍｏ（ＣＯ）6 がフォトマスク３上に析出せず、
しかも、表面への吸着量を制御し、Ｍｏ膜の堆積速度を
制御するために、ヒータ５にて５０°Ｃ程度に加熱され
ている。原料ガスＡはフォトマスク３の表面を流れた
後、排気ガス処理部１４に導かれ、処理された後、排気
ガスＣとして排出されるようになっている。
１から取り出されたキャリアガスＢと共に、気密の保た
れたチェンバ２内へ導かれる。原料ガスＡはチェンバ２
内のフォトマスク３の表面を流れる。チェンバ２上面に
はガラス窓４が設けられており、これを介してレーザ光
がフォトマスク３上に集光される。このレーザ光の集光
部にて、ＣＶＤによるＭｏ膜の堆積が生ずる。チェンバ
２中のフォトマスク３は原料ガスＡとの温度バランスを
とり、Ｍｏ（ＣＯ）6 がフォトマスク３上に析出せず、
しかも、表面への吸着量を制御し、Ｍｏ膜の堆積速度を
制御するために、ヒータ５にて５０°Ｃ程度に加熱され
ている。原料ガスＡはフォトマスク３の表面を流れた
後、排気ガス処理部１４に導かれ、処理された後、排気
ガスＣとして排出されるようになっている。
【００１７】このフォトマスク修正装置では、レーザ光
を導入する光学系は固定とし、ＸＹステージ６でフォト
マスク３を移動することにより、Ｍｏ膜を帯状に形成す
る方法を採用している。
を導入する光学系は固定とし、ＸＹステージ６でフォト
マスク３を移動することにより、Ｍｏ膜を帯状に形成す
る方法を採用している。
【００１８】ところで、このフォトマスク修正装置で
は、フォトマスク３上に照射するレーザ光を矩形に整形
するために、開口部７Ａを形成する端部側に２軸ともそ
の間隔を変えることのできるナイフエッジを有するスリ
ット機構７を有している。このスリット機構７の開口部
７Ａが対物レンズ８でフォトマスク３上にイメージ転写
されるようになっている。このスリット機構７の開口部
７Ａを通過した後のレーザ光の強度を均一にするため
に、ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０の出力側にはビームエキス
パンダ９が配置されている。ビームエキスパンダ９は、
レーザ光のビーム径を拡大し、強度分布変化が小さい中
央部のみがスリット機構７の開口部７Ａを通過できるよ
うに構成している。
は、フォトマスク３上に照射するレーザ光を矩形に整形
するために、開口部７Ａを形成する端部側に２軸ともそ
の間隔を変えることのできるナイフエッジを有するスリ
ット機構７を有している。このスリット機構７の開口部
７Ａが対物レンズ８でフォトマスク３上にイメージ転写
されるようになっている。このスリット機構７の開口部
７Ａを通過した後のレーザ光の強度を均一にするため
に、ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０の出力側にはビームエキス
パンダ９が配置されている。ビームエキスパンダ９は、
レーザ光のビーム径を拡大し、強度分布変化が小さい中
央部のみがスリット機構７の開口部７Ａを通過できるよ
うに構成している。
【００１９】本実施例のフォトマスク修正装置では、ス
リット機構７の開口部７Ａの幅寸法を変えることによ
り、欠陥の大きさに応じた適切な幅のＭｏ膜を形成する
ことが可能となる。また、ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０によ
る高周波数のレーザパルスを用いているため、レーザ照
射部以外への熱拡散を僅少に抑制でき、エッジ精度の良
いＭｏ膜の形成が可能となる。
リット機構７の開口部７Ａの幅寸法を変えることによ
り、欠陥の大きさに応じた適切な幅のＭｏ膜を形成する
ことが可能となる。また、ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０によ
る高周波数のレーザパルスを用いているため、レーザ照
射部以外への熱拡散を僅少に抑制でき、エッジ精度の良
いＭｏ膜の形成が可能となる。
【００２０】図１に示したフォトマスク修正装置では、
スリット機構７の図で左側にはダイクロイックミラー１
１が配設されており、レーザ光を対物レンズ８側に反射
させるようになっている。また、このダイクロイックミ
ラー１１の上方側には、これを透過して観察を行うため
の接眼装置１２Ａと、ＣＣＤカメラ１２Ｂとがハーフミ
ラー１２Ｃによって分岐された光線を入射するように配
置されている。ＣＣＤカメラ１２Ｂの読取画像は、モニ
タＴＶ１３によっても観察できるようになっている。
スリット機構７の図で左側にはダイクロイックミラー１
１が配設されており、レーザ光を対物レンズ８側に反射
させるようになっている。また、このダイクロイックミ
ラー１１の上方側には、これを透過して観察を行うため
の接眼装置１２Ａと、ＣＣＤカメラ１２Ｂとがハーフミ
ラー１２Ｃによって分岐された光線を入射するように配
置されている。ＣＣＤカメラ１２Ｂの読取画像は、モニ
タＴＶ１３によっても観察できるようになっている。
【００２１】図２は本実施例のフォトマスク修正装置を
用いてフォトマスク上に形成したＭｏ膜を表わしたもの
である。マスク３上には、Ｍｏ膜１５が帯状に形成され
ている。この図で右側の部分はガラス面１７を表わして
いる。
用いてフォトマスク上に形成したＭｏ膜を表わしたもの
である。マスク３上には、Ｍｏ膜１５が帯状に形成され
ている。この図で右側の部分はガラス面１７を表わして
いる。
【００２２】図３はこのようなＭｏ膜の形成を行うため
の手順を示したものである。この図に示すように５μｍ
×１０μｍの矩形レーザ光１６を矢印Ｄ方向に走査する
ことにより、擬似欠陥を埋めつくすようにＭｏ膜１５を
形成した。本実施例では、矩形レーザ光１６の強度は、
フォトマスク３の表面上で約５ｍｗであり、そのＱスイ
ッチの繰り返し周波数は１０ＫＨｚであった。また、フ
ォトマスク３の移動速度は３μｍ／ｓであった。
の手順を示したものである。この図に示すように５μｍ
×１０μｍの矩形レーザ光１６を矢印Ｄ方向に走査する
ことにより、擬似欠陥を埋めつくすようにＭｏ膜１５を
形成した。本実施例では、矩形レーザ光１６の強度は、
フォトマスク３の表面上で約５ｍｗであり、そのＱスイ
ッチの繰り返し周波数は１０ＫＨｚであった。また、フ
ォトマスク３の移動速度は３μｍ／ｓであった。
【００２３】図４は本発明に係わるフォトマスク修正装
置の変形例を示すものである。図１と同一部分には同一
の符号を付しており、これらの説明を定義省略する。こ
の変形例では、レーザ光の光路中のスリット機構７とダ
イクロイックミラー１１との間にアッテネータ１８を配
置している。アッテネータ１８は、Ｍｏ膜形成開始時に
ＣＶＤ反応への吸熱が少なく基板加熱が過剰となること
を防止するために、スタート時点でのレーザ光強度を絞
るために使用するものである。このアッテネータ１８に
よって、レーザ光の強度を応答性良く変化させることが
できる。
置の変形例を示すものである。図１と同一部分には同一
の符号を付しており、これらの説明を定義省略する。こ
の変形例では、レーザ光の光路中のスリット機構７とダ
イクロイックミラー１１との間にアッテネータ１８を配
置している。アッテネータ１８は、Ｍｏ膜形成開始時に
ＣＶＤ反応への吸熱が少なく基板加熱が過剰となること
を防止するために、スタート時点でのレーザ光強度を絞
るために使用するものである。このアッテネータ１８に
よって、レーザ光の強度を応答性良く変化させることが
できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、レーザ光が照射される欠陥箇所に、その欠陥
の幅に合わせた幅の矩形状に整形されたレーザ光を照射
し、しかもその幅方向と直交する方向にパルス状のレー
ザ光を欠陥を埋めつくすように走査することにしたの
で、フォトマスクの欠陥箇所のみを精度よく修正するこ
とができる。 また請求項２記載の発明によれば、周縁部
にナイフエッジ部を有するスリット機構を使用するの
で、レーザによる加熱効果を利用するレーザＣＶＤ技術
を用いたフォトマスク修正装置でありながら、エッジの
直線性の良い金属膜堆積が可能になる。 更に、請求項３
記載の発明によれば、レーザ光の光路中に、金属膜形成
開始時にレーザ光の強度を絞り、レーザ光の強度が応答
よく変化するようにするためのアッテネータを配置した
ので、基板の加熱が過剰になるのを防止することができ
る。
によれば、レーザ光が照射される欠陥箇所に、その欠陥
の幅に合わせた幅の矩形状に整形されたレーザ光を照射
し、しかもその幅方向と直交する方向にパルス状のレー
ザ光を欠陥を埋めつくすように走査することにしたの
で、フォトマスクの欠陥箇所のみを精度よく修正するこ
とができる。 また請求項２記載の発明によれば、周縁部
にナイフエッジ部を有するスリット機構を使用するの
で、レーザによる加熱効果を利用するレーザＣＶＤ技術
を用いたフォトマスク修正装置でありながら、エッジの
直線性の良い金属膜堆積が可能になる。 更に、請求項３
記載の発明によれば、レーザ光の光路中に、金属膜形成
開始時にレーザ光の強度を絞り、レーザ光の強度が応答
よく変化するようにするためのアッテネータを配置した
ので、基板の加熱が過剰になるのを防止することができ
る。
【図１】本発明に係わるフォトマスク修正装置の一実施
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図２】この実施例の装置でフォトマスク上に形成した
Ｍｏ膜を示す平面図である。
Ｍｏ膜を示す平面図である。
【図３】この実施例の装置でＭｏ膜の形成の手順を示し
た説明図である。
た説明図である。
【図４】本発明の変形例におけるフォトマスク修正装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
３ フォトマスク ７ スリット機構 ７Ａ 開口部 ９ ビームエキスパンダ １０ ＣＷ−ＹＡＧレーザ １５ Ｍｏ膜 １６ 矩形レーザ光 １８ アッテネータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−195451（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−252556（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−106062（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−18149（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−97945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−162748（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−204746（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16
Claims (3)
- 【請求項１】 解離反応により金属の堆積を可能とする
化合物気体を含む雰囲気に接するフォトマスク表面にレ
ーザ光を照射し、主に化合物気体の熱分解によりレーザ
光照射部に選択的に形成した金属薄膜、またはレーザ光
を前記フォトマスクに対して相対的に走査してフォトマ
スク上に帯状に堆積した金属薄膜により、フォトマスク
上の白欠陥を修正するようにしたフォトマスク修正装置
において、 所定の周波数以上の周波数でレーザパルスを出力できる
レーザと、このレーザから出力されるパルス状のレーザ光のビーム
径を拡大するビームエキスパンダと、 このビームエキスパンダにより拡大されたレーザ光の光
路中に配置され、 前記フォトマスク上に照射するレーザ
光の幅方向の寸法を欠陥に応じた幅に調整自在に設定す
ると共に、この幅方向と直交する方向の長さを比較的短
い予め定めた長さに設定することで、前記レーザ光照射
部に矩形状のレーザ光が照射されるようにその照射形状
を整形する整形手段と、 矩形状に整形されたレーザ光の強度分布を均一にする均
一化手段と、 前記レーザ光照射部における欠陥を埋めつくすように前
記整形手段で整形したレーザ光で前記幅方向と直交する
方向に走査するレーザ光走査手段 とを具備することを特
徴とするフォトマスク修正装置。 - 【請求項２】 前記整形手段は、周縁部にナイフエッジ
部を有するスリット機構を具備することを特徴とする請
求項１記載のフォトマスク修正装置。 - 【請求項３】 前記レーザ光の光路中に、金属膜形成開
始時にレーザ光の強度を絞り、レーザ光の強度が応答よ
く変化するようにするためのアッテネータを配置したこ
とを特徴とする請求項１記載のフォトマスク修正装置。
Priority Applications (1)
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| JP8291091A JP3044811B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | フォトマスク修正装置 |
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| JPH04295851A JPH04295851A (ja) | 1992-10-20 |
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ID=13787410
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1991
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