JP2658431B2 - レーザｃｖｄ装置 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザCVDにより半導体や集積回路等の試
料上に金属薄膜を形成し、配線パターンの修正を行う装
置に関するものである。
料上に金属薄膜を形成し、配線パターンの修正を行う装
置に関するものである。
近年、半導体・集積回路の修正や故障解析を迅速に行
える技術としてレーザCVDによる薄膜形成法が注目さ
れ、種々の研究がなされている。例えば、Ｗ（Co）
６（タングステンカルボニム）蒸気雰囲気中に置かれた
LSI基板上に、Arレーザ光をスポット状に集光して照射
し、基板を移動することにより数μｍ幅のＷ線を描画し
たという報告がある（第35回応用物理学関係連合講演
会,29P−Ｇ−７）。また、同種の技術は液晶パネル用TF
T基板の配線パターン修正にも適用可能であり、Crパタ
ーンの断線をＷ線のCVDにより修正できたという報告が
ある（第35回応用物理学関係連合講演会,30a−ZG−
３）。この技術を用いた一般的な修正工程を第４図，第
５図を用いて説明する。第４図は修正したい配線パター
ン（通常はAl）上に保護膜が無い場合で、試料を金属化
合物蒸気中に配置してArレーザ光を配線ｌから配線ｍへ
数μm/s程度のスピードで走査することにより、膜厚数
線Å程度の金属膜（CVD膜）40を描画する。第５図は修
正したい配線パターン上に保護膜50が付いている場合
で、まず、配線ｌとｍ上の保護膜50を別のレーザ光、例
えばパルス励起ＱスイッチNd:YAGレーザ等の集束レーザ
ビームで除去した後（第５図（ａ））、第４図と同様に
してArレーザ光を配線ｌからｍへ走査する（第５図
（ｂ））。このようにして配線ｌとｍを電気的に接続し
て、回路パターンを修正することができる。
える技術としてレーザCVDによる薄膜形成法が注目さ
れ、種々の研究がなされている。例えば、Ｗ（Co）
６（タングステンカルボニム）蒸気雰囲気中に置かれた
LSI基板上に、Arレーザ光をスポット状に集光して照射
し、基板を移動することにより数μｍ幅のＷ線を描画し
たという報告がある（第35回応用物理学関係連合講演
会,29P−Ｇ−７）。また、同種の技術は液晶パネル用TF
T基板の配線パターン修正にも適用可能であり、Crパタ
ーンの断線をＷ線のCVDにより修正できたという報告が
ある（第35回応用物理学関係連合講演会,30a−ZG−
３）。この技術を用いた一般的な修正工程を第４図，第
５図を用いて説明する。第４図は修正したい配線パター
ン（通常はAl）上に保護膜が無い場合で、試料を金属化
合物蒸気中に配置してArレーザ光を配線ｌから配線ｍへ
数μm/s程度のスピードで走査することにより、膜厚数
線Å程度の金属膜（CVD膜）40を描画する。第５図は修
正したい配線パターン上に保護膜50が付いている場合
で、まず、配線ｌとｍ上の保護膜50を別のレーザ光、例
えばパルス励起ＱスイッチNd:YAGレーザ等の集束レーザ
ビームで除去した後（第５図（ａ））、第４図と同様に
してArレーザ光を配線ｌからｍへ走査する（第５図
（ｂ））。このようにして配線ｌとｍを電気的に接続し
て、回路パターンを修正することができる。
上述した従来のレーザCVD装置によれば、集積回路やT
FT基板の配線パターンを修正することができるが、レー
ザCVDにより形成された金属膜は表面に露出しているた
め、金具表面が酸化されて抵抗値が徐々に高くなった
り、湿度や温度変化により電気特性や物理的強度が劣化
する恐れがある。したがって、修正したサンプルは開発
段階の動作評価用サンプルとしては十分使用できるが、
市場へ出荷する最終製品としては使用できないという問
題点がある。また、液晶パネル用TFT基板の場合は、TFT
回路パターン上に液晶を充填し、透明電極パターンの付
いたガラス板ではさみ込む構造となっているので、ショ
ートしないようにTFT回路パターン上には絶縁膜を付け
る必要があり、やはり従来のレーザCVD装置で修正した
回路をそのまま最終製品として使用することはできない
ため、修正後別の装置により再度絶縁膜を付けなければ
ならないという問題点を有している。
FT基板の配線パターンを修正することができるが、レー
ザCVDにより形成された金属膜は表面に露出しているた
め、金具表面が酸化されて抵抗値が徐々に高くなった
り、湿度や温度変化により電気特性や物理的強度が劣化
する恐れがある。したがって、修正したサンプルは開発
段階の動作評価用サンプルとしては十分使用できるが、
市場へ出荷する最終製品としては使用できないという問
題点がある。また、液晶パネル用TFT基板の場合は、TFT
回路パターン上に液晶を充填し、透明電極パターンの付
いたガラス板ではさみ込む構造となっているので、ショ
ートしないようにTFT回路パターン上には絶縁膜を付け
る必要があり、やはり従来のレーザCVD装置で修正した
回路をそのまま最終製品として使用することはできない
ため、修正後別の装置により再度絶縁膜を付けなければ
ならないという問題点を有している。
本発明のレーザCVD装置は、金属化合物蒸気と接触す
る試料基板にレーザ光を照射して、該金属化合物蒸気を
分解することにより該試料基板上に金属薄膜を形成する
装置において、絶縁材供給源とノズルを備え、試料表面
に絶縁膜を塗布できるようにし、かつ該絶縁膜部分を局
所的に加熱して絶縁膜を乾燥固化するための構成を有し
ている。
る試料基板にレーザ光を照射して、該金属化合物蒸気を
分解することにより該試料基板上に金属薄膜を形成する
装置において、絶縁材供給源とノズルを備え、試料表面
に絶縁膜を塗布できるようにし、かつ該絶縁膜部分を局
所的に加熱して絶縁膜を乾燥固化するための構成を有し
ている。
本発明は試料の所望の箇所に絶縁膜を塗布できる構成
を備えており、レーザCVDにより修正したサンプルの信
頼性を向上できるばかりでなく、従来装置で困難であっ
た最終製品への適用もできるという利点を有する。
を備えており、レーザCVDにより修正したサンプルの信
頼性を向上できるばかりでなく、従来装置で困難であっ
た最終製品への適用もできるという利点を有する。
〔実施例１〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。第１
図は本発明の実施例１を示す装置構成ブロック図であ
る。１と２はレーザ光源で、各々レーザCVD用の連続発
振のレーザ光源及び保護膜除去用のパルス発振のレーザ
光源である。３は全反射ミラー、４はダイクロイックミ
ラーあるいはパーシルミラーで、レーザ光源１よりのレ
ーザ光を反射し、レーザ光源２よりのレーザ光を透過さ
せる特性を持っている。５はビームエキスパンダで、レ
ーザ光源よりのレーザ光のビーム径を拡大し、かつ平行
光束とする働きをする。普通レーザ光軸からのレーザ光
のビーム径（直径）は１〜2mm程度であるので、これを
５〜10mm程度に拡大する。これはレーザ光をレンズで集
光する場合に、より小さく集光できるようにするためで
あるが、試料上でのビーム径をそれ程小さくする必要が
なければ、このビームエキスパンダはなくても構わな
い。６はダイクロイックミラーで、レーザ光を反射し、
レーザ波長以外の可視光を透過する特性を持っている。
７は集光レンズで、レーザ光を試料上に集光する働きを
している。通常はこれには顕微鏡用対物レンズが用いら
れる。８はウィンドーで、レーザ光や観察光用可視光を
良く透過する石英ガラスが用いられる。９はチェンバ
で、試料を載置できると共に、反応ガスを流せる構造と
なっている。10は半導体や集積回路等の試料で、加工面
を上側にしてXYステージ19上に載置されている。11はCV
D反応用の金属化合物蒸気供給源である。通常、Ｗ（C
o）６やMo（Co）６等の金属カルボニルを原料とする場
合、原料を気化するためのヒータ、気化したガスを希釈
してチェンバへ供給するための不活性ガス供給源等から
成っている。12はチェンバ内のガスを排気するための排
気ユニットで、金属化合物のトラップと真空ポンプ等で
成っている。13は絶縁材供給源で、通常液状の絶縁材が
充填され、必要時に一定量をチェンバ内へ供給できる構
造となっている。14は熱風供給ユニットで、ヒーターと
送風ファンとからなっている。15は絶縁材供給ノズル
で、ノズル先端は外径1mm、内径0.5mm程度の針状となっ
て、試料表面に近接して配置されている。16は熱風供給
ノズルで、やはり試料表面近傍に設置され、狭い範囲を
局所的に加熱できるようになっている。17は金属化合物
蒸気導入口、18は金属化合物蒸気排出口である。20はレ
ーザ光を遮断するためのフィルタで、観察ユニット23へ
のレーザ口が入射しないようにするためのものである。
21はハーフミラーで、照明光を反射し、観察光を透過す
るものである。22は照明ユニットで、ランプとコリメー
タとから成る。23は観察ユニットで、接眼鏡やTVカメラ
から成り、試料表面を内眼もしくはTVモニタ等で観察で
きるようになっている。
図は本発明の実施例１を示す装置構成ブロック図であ
る。１と２はレーザ光源で、各々レーザCVD用の連続発
振のレーザ光源及び保護膜除去用のパルス発振のレーザ
光源である。３は全反射ミラー、４はダイクロイックミ
ラーあるいはパーシルミラーで、レーザ光源１よりのレ
ーザ光を反射し、レーザ光源２よりのレーザ光を透過さ
せる特性を持っている。５はビームエキスパンダで、レ
ーザ光源よりのレーザ光のビーム径を拡大し、かつ平行
光束とする働きをする。普通レーザ光軸からのレーザ光
のビーム径（直径）は１〜2mm程度であるので、これを
５〜10mm程度に拡大する。これはレーザ光をレンズで集
光する場合に、より小さく集光できるようにするためで
あるが、試料上でのビーム径をそれ程小さくする必要が
なければ、このビームエキスパンダはなくても構わな
い。６はダイクロイックミラーで、レーザ光を反射し、
レーザ波長以外の可視光を透過する特性を持っている。
７は集光レンズで、レーザ光を試料上に集光する働きを
している。通常はこれには顕微鏡用対物レンズが用いら
れる。８はウィンドーで、レーザ光や観察光用可視光を
良く透過する石英ガラスが用いられる。９はチェンバ
で、試料を載置できると共に、反応ガスを流せる構造と
なっている。10は半導体や集積回路等の試料で、加工面
を上側にしてXYステージ19上に載置されている。11はCV
D反応用の金属化合物蒸気供給源である。通常、Ｗ（C
o）６やMo（Co）６等の金属カルボニルを原料とする場
合、原料を気化するためのヒータ、気化したガスを希釈
してチェンバへ供給するための不活性ガス供給源等から
成っている。12はチェンバ内のガスを排気するための排
気ユニットで、金属化合物のトラップと真空ポンプ等で
成っている。13は絶縁材供給源で、通常液状の絶縁材が
充填され、必要時に一定量をチェンバ内へ供給できる構
造となっている。14は熱風供給ユニットで、ヒーターと
送風ファンとからなっている。15は絶縁材供給ノズル
で、ノズル先端は外径1mm、内径0.5mm程度の針状となっ
て、試料表面に近接して配置されている。16は熱風供給
ノズルで、やはり試料表面近傍に設置され、狭い範囲を
局所的に加熱できるようになっている。17は金属化合物
蒸気導入口、18は金属化合物蒸気排出口である。20はレ
ーザ光を遮断するためのフィルタで、観察ユニット23へ
のレーザ口が入射しないようにするためのものである。
21はハーフミラーで、照明光を反射し、観察光を透過す
るものである。22は照明ユニットで、ランプとコリメー
タとから成る。23は観察ユニットで、接眼鏡やTVカメラ
から成り、試料表面を内眼もしくはTVモニタ等で観察で
きるようになっている。
本実施例による配線修正ほ次のようにしてなされる。
また、試料をチェンバ内に載置した後、チェンバの排気
とパージを行ない、金属化合物蒸気を流す。次に、試料
が保護膜無しの試料であれば、そのままレーザ光源１を
用いてレーザCVDを行ない、試料が保護膜付の試料であ
れば、レーザ光源２を用いて保護膜の除去を行なった
後、レーザ光源１を用いてレーザCVDを行なう。レーザC
VDの工程が終了したら、金属化合物蒸気の供給を停止
し、チェンバの排気とパージを行なう。そして、最後
に、先のレーザCVDを施した箇所に絶縁材を滴下した
後、同一箇所に熱風を吹きつけて絶縁材を乾燥・固化さ
せる。乾燥・固化の工程が終了したら、試料を取り出し
て作業完了とする。
また、試料をチェンバ内に載置した後、チェンバの排気
とパージを行ない、金属化合物蒸気を流す。次に、試料
が保護膜無しの試料であれば、そのままレーザ光源１を
用いてレーザCVDを行ない、試料が保護膜付の試料であ
れば、レーザ光源２を用いて保護膜の除去を行なった
後、レーザ光源１を用いてレーザCVDを行なう。レーザC
VDの工程が終了したら、金属化合物蒸気の供給を停止
し、チェンバの排気とパージを行なう。そして、最後
に、先のレーザCVDを施した箇所に絶縁材を滴下した
後、同一箇所に熱風を吹きつけて絶縁材を乾燥・固化さ
せる。乾燥・固化の工程が終了したら、試料を取り出し
て作業完了とする。
ここで、本発明に使用できる絶縁材について述べる。
最も扱い易いのは、常温で液体であり、加熱することに
より固化するものである。最近、半導体用にこの種のSi
O2系被膜形成用塗布液が市販されており、例えば東京広
化工業製のOCD塗布液がある。これは、半導体分野だけ
でなく、各種電子部品材料の製造時に必要となる保護膜
や絶縁膜を形成する時に使用される塗布液で、ケイ素化
合物と添加剤を有機溶剤に溶解したもので、本発明に適
する。これ以外でも、同様の性質を持てば使用すること
ができる。
最も扱い易いのは、常温で液体であり、加熱することに
より固化するものである。最近、半導体用にこの種のSi
O2系被膜形成用塗布液が市販されており、例えば東京広
化工業製のOCD塗布液がある。これは、半導体分野だけ
でなく、各種電子部品材料の製造時に必要となる保護膜
や絶縁膜を形成する時に使用される塗布液で、ケイ素化
合物と添加剤を有機溶剤に溶解したもので、本発明に適
する。これ以外でも、同様の性質を持てば使用すること
ができる。
なお、上の実施例では絶縁材を液体のまま滴下するも
のとして説明したが、霧状にして吹きつけても良い。
のとして説明したが、霧状にして吹きつけても良い。
〔実施例２〕 第２図は本発明の実施例２の装置構成ブロック図であ
る。本例はレーザ部、光学系等は実施例１と同じ構成で
（図面は省略）、絶縁材を乾燥・固化する機構が異なる
ものである。すなわち、絶縁材を乾燥・固化する機構は
第２図に示すように、赤外線供給ユニット24、シャッタ
25、赤外線反射ミラー26、及びレンズ27から成る。赤外
線供給ユニットは赤外線ランプ、凹面鏡、及びコンデン
サレンズ等から成る。このユニットから発生した赤外線
はシャッタ25が開いている時、ミラー26で反射されてレ
ンズ27に入射し、ウィンド８を透過して試料表面に集光
される。この赤外線の集光位置は、ノズル15より供給さ
れる絶縁材の塗布位置と一致するようあらかじめ調整さ
れている。本装置を使って絶縁材を乾燥・固化するに
は、シャッタ25を所定時間開いておくだけでよい。
る。本例はレーザ部、光学系等は実施例１と同じ構成で
（図面は省略）、絶縁材を乾燥・固化する機構が異なる
ものである。すなわち、絶縁材を乾燥・固化する機構は
第２図に示すように、赤外線供給ユニット24、シャッタ
25、赤外線反射ミラー26、及びレンズ27から成る。赤外
線供給ユニットは赤外線ランプ、凹面鏡、及びコンデン
サレンズ等から成る。このユニットから発生した赤外線
はシャッタ25が開いている時、ミラー26で反射されてレ
ンズ27に入射し、ウィンド８を透過して試料表面に集光
される。この赤外線の集光位置は、ノズル15より供給さ
れる絶縁材の塗布位置と一致するようあらかじめ調整さ
れている。本装置を使って絶縁材を乾燥・固化するに
は、シャッタ25を所定時間開いておくだけでよい。
第３図は抵抗加熱を用いた参考例の装置構成ブロック
図である。本例は実施例２と同様に、レーザ部と光学系
は実施例１と同じ構成（図面では省略）で、絶縁材を乾
燥・固化する機構が異なるものである。すなわち、XYス
テージ19上にヒータ付ホルダー28を設け、この上に試料
を載置する構成とし、絶縁材を乾燥・固化するのに、試
料全体を加熱するものである。この場合、注意しなけれ
ばならない点は、半導体や集積回路等の試料を高温にす
るのは素子の性能を劣化させる原因となるので、加熱温
度を余り高くできないことである。したがって、ヒータ
の加熱温度を数百℃以下にする必要があるため、上述の
実施例1,2に比べて乾燥・固化の時間が少し長くかかる
という短所がある。
図である。本例は実施例２と同様に、レーザ部と光学系
は実施例１と同じ構成（図面では省略）で、絶縁材を乾
燥・固化する機構が異なるものである。すなわち、XYス
テージ19上にヒータ付ホルダー28を設け、この上に試料
を載置する構成とし、絶縁材を乾燥・固化するのに、試
料全体を加熱するものである。この場合、注意しなけれ
ばならない点は、半導体や集積回路等の試料を高温にす
るのは素子の性能を劣化させる原因となるので、加熱温
度を余り高くできないことである。したがって、ヒータ
の加熱温度を数百℃以下にする必要があるため、上述の
実施例1,2に比べて乾燥・固化の時間が少し長くかかる
という短所がある。
なお、実施例1,2で示した乾燥・固化の方法は各々２
種あるいは３種とも併用して用いても良いことは言うま
でも無い。
種あるいは３種とも併用して用いても良いことは言うま
でも無い。
以上説明したように本発明は、レーザCVDを施した箇
所に局所的に絶縁膜を付けて保護することができるの
で、レーザCVDによる配線の長寿命化や信頼性を向上で
きる効果がある。したがって、本装置により修正した半
導体や集積回路は単にエンジニアリングサンプルとして
だけでなく、最終的な製品としても出荷できるという利
点を有する。また、液晶パネル用TFT基板等の修正に本
装置を適用すれば、別の絶縁膜塗布装置を必要とせず、
すぐに次工程の製作ラインに投入できるので、製作工程
を大幅に短縮できるばかりでなく、コストも安くするこ
とができるという利点を有する。
所に局所的に絶縁膜を付けて保護することができるの
で、レーザCVDによる配線の長寿命化や信頼性を向上で
きる効果がある。したがって、本装置により修正した半
導体や集積回路は単にエンジニアリングサンプルとして
だけでなく、最終的な製品としても出荷できるという利
点を有する。また、液晶パネル用TFT基板等の修正に本
装置を適用すれば、別の絶縁膜塗布装置を必要とせず、
すぐに次工程の製作ラインに投入できるので、製作工程
を大幅に短縮できるばかりでなく、コストも安くするこ
とができるという利点を有する。
第１図は本発明の実施例１を示す装置構成ブロック図、
第２図は実施例２を示す装置構成ブロック図、第３図は
参考例を示す装置構成ブロック図、第４図は保護膜無し
の試料の配線修正の工程図、第５図は保護膜付試料の配
線修正の工程図を示す。 1,2……レーザ光源、５……ビームエキスパンダ、７…
…集光レンズ、９……チェンバ、10……試料、11……金
属化合物蒸気供給源、12……排気ユニット、13……絶縁
材供給源、14……熱風供給ユニット、24……赤外線供給
ユニット、25……シャッタ、28……ヒータ付ホルダー。
第２図は実施例２を示す装置構成ブロック図、第３図は
参考例を示す装置構成ブロック図、第４図は保護膜無し
の試料の配線修正の工程図、第５図は保護膜付試料の配
線修正の工程図を示す。 1,2……レーザ光源、５……ビームエキスパンダ、７…
…集光レンズ、９……チェンバ、10……試料、11……金
属化合物蒸気供給源、12……排気ユニット、13……絶縁
材供給源、14……熱風供給ユニット、24……赤外線供給
ユニット、25……シャッタ、28……ヒータ付ホルダー。
Claims (1)
- 【請求項１】金属化合物蒸気と接触する基板にレーザ光
を照射して、前記金属化合物蒸気を分解することにより
前記基板上に金属薄膜を形成するレーザCVD装置におい
て、絶縁材料供給源と、前記絶縁材料供給源に接続し、
先端が前記基板の表面近傍に設置されて絶縁材料を前記
基板の局所領域上に滴下または吹き付けるノズルと、局
所的に熱風を供給、または、赤外線を集光して局所的に
絶縁材料を加熱、乾燥固化する手段とを備え、前記基板
の所望の局所領域に形成した金属薄膜上に、前記ノズル
から絶縁材料を滴下または吹き付けて局所的に絶縁材料
を付着し、この局所的に付着した絶縁材料のみを前記加
熱、乾燥固定手段により加熱、乾燥固化して局所的に絶
縁膜を形成することを特徴とするレーザCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260401A JP2658431B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260401A JP2658431B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120829A JPH03120829A (ja) | 1991-05-23 |
| JP2658431B2 true JP2658431B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=17347400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260401A Expired - Fee Related JP2658431B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | レーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658431B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101302903B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2013-09-06 | 오무론 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403816B1 (ko) * | 2001-08-16 | 2003-10-30 | 주식회사 엘지생활건강 | 유체를 주입할 수 있는 손잡이를 가지는 칫솔 |
| JP5412054B2 (ja) | 2008-05-02 | 2014-02-12 | 株式会社ワコール | 衣料用経編地及びその製造方法並びに衣料用経編地の編構造 |
| JP5240466B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2013-07-17 | オムロン株式会社 | Ｆｐｄ基板の製造方法及び装置 |
Citations (1)
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| JP2518419B2 (ja) | 1989-10-04 | 1996-07-24 | 日本電気株式会社 | レ―ザｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59215730A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-05 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62105431A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置の塗布装置 |
| JPH0763064B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | Ｉｃ素子における配線接続方法 |
| JPS62239547A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62290139A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Fujitsu Ltd | 耐熱樹脂組成物 |
| JPS63153841A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 高密度線電極の製造方法 |
| JPH01260403A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Nec Corp | 光ファイバケーブル巻取り方法 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1260401A patent/JP2658431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2518419B2 (ja) | 1989-10-04 | 1996-07-24 | 日本電気株式会社 | レ―ザｃｖｄ装置 |
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| KR101302903B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2013-09-06 | 오무론 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03120829A (ja) | 1991-05-23 |
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