JP2002248589A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法Info
- Publication number
- JP2002248589A JP2002248589A JP2001045469A JP2001045469A JP2002248589A JP 2002248589 A JP2002248589 A JP 2002248589A JP 2001045469 A JP2001045469 A JP 2001045469A JP 2001045469 A JP2001045469 A JP 2001045469A JP 2002248589 A JP2002248589 A JP 2002248589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- thin film
- laser
- area
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 複雑なレーザ光学系を用いる必要がなく、か
つデブリの除去を行うことができるレーザ加工方法を提
供する。 【解決手段】 下地基板の表面上に薄膜が形成された加
工対象物を準備する。薄膜にパルスレーザビームを照射
しながら、薄膜の表面におけるパルスレーザビームのビ
ームスポットが、１つ前のショットでアブレーションさ
れた領域２０ａと部分的に重なるように、ビームスポッ
トを移動させる２０ｂ。次に、薄膜がアブレーションさ
れた領域にパルスレーザビームを照射しながら、ビーム
スポットを、第１回目のレーザ照射時よりも速く移動さ
せる２１ａ，２１ｂ。これにより、第１回目のレーザ照
射時で付着したデブリが除去される。
つデブリの除去を行うことができるレーザ加工方法を提
供する。 【解決手段】 下地基板の表面上に薄膜が形成された加
工対象物を準備する。薄膜にパルスレーザビームを照射
しながら、薄膜の表面におけるパルスレーザビームのビ
ームスポットが、１つ前のショットでアブレーションさ
れた領域２０ａと部分的に重なるように、ビームスポッ
トを移動させる２０ｂ。次に、薄膜がアブレーションさ
れた領域にパルスレーザビームを照射しながら、ビーム
スポットを、第１回目のレーザ照射時よりも速く移動さ
せる２１ａ，２１ｂ。これにより、第１回目のレーザ照
射時で付着したデブリが除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工方法に
関し、特にレーザビームの照射によって生じたデブリを
除去することができるレーザ加工方法に関する。
関し、特にレーザビームの照射によって生じたデブリを
除去することができるレーザ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、紫外領域のレーザビームを加工
対象物に照射してレーザ加工を行うと、デブリ（ｄｅｂ
ｒｉｓ）と呼ばれる副次物が発生する。加工対象物が樹
脂であれば、加工された孔の周辺に、カーボンのすすの
ような付着物が認められる。加工対象物がアルチック
（Ａｌ2Ｏ3／ＴｉＣ複合焼結体）のようなセラミックス
であれば、加工された孔の周辺に微細な破砕物の堆積が
認められる。従来は、レーザ加工後に、湿式の洗浄処理
や乾式のプラズマ処理を行うことにより、デブリを除去
していた。
対象物に照射してレーザ加工を行うと、デブリ（ｄｅｂ
ｒｉｓ）と呼ばれる副次物が発生する。加工対象物が樹
脂であれば、加工された孔の周辺に、カーボンのすすの
ような付着物が認められる。加工対象物がアルチック
（Ａｌ2Ｏ3／ＴｉＣ複合焼結体）のようなセラミックス
であれば、加工された孔の周辺に微細な破砕物の堆積が
認められる。従来は、レーザ加工後に、湿式の洗浄処理
や乾式のプラズマ処理を行うことにより、デブリを除去
していた。
【０００３】特許公報第３０５２２２６号に、レーザ加
工後のデブリ除去処理を行う必要のないレーザ加工方法
が開示されている。このレーザ加工方法では、アブレー
ションを生じさせるための第１のレーザビームと、デブ
リを除去するための第２のレーザビームとを、同時に有
機材料に照射する。第２のレーザビームの照射領域は、
第１のレーザビームの照射領域を含む広さである。第１
のレーザビームの照射によってアブレーションが生じ、
加工された孔の周辺にデブリが付着するが、第２のレー
ザビームの照射によって、このデブリが除去される。
工後のデブリ除去処理を行う必要のないレーザ加工方法
が開示されている。このレーザ加工方法では、アブレー
ションを生じさせるための第１のレーザビームと、デブ
リを除去するための第２のレーザビームとを、同時に有
機材料に照射する。第２のレーザビームの照射領域は、
第１のレーザビームの照射領域を含む広さである。第１
のレーザビームの照射によってアブレーションが生じ、
加工された孔の周辺にデブリが付着するが、第２のレー
ザビームの照射によって、このデブリが除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特許公報第３０５２２
２６号に開示されたレーザ加工方法では、第２のレーザ
ビームのフルーエンスは、有機材料にアブレーションが
生じる最低エネルギ密度よりも小さくなるように設定さ
れている。アブレーション用の第１のレーザビームと、
デブリ除去用の第２のレーザビームとの、特性の異なる
２本のレーザビームを発生させなければならない。この
ため、レーザ光学系が複雑になる。
２６号に開示されたレーザ加工方法では、第２のレーザ
ビームのフルーエンスは、有機材料にアブレーションが
生じる最低エネルギ密度よりも小さくなるように設定さ
れている。アブレーション用の第１のレーザビームと、
デブリ除去用の第２のレーザビームとの、特性の異なる
２本のレーザビームを発生させなければならない。この
ため、レーザ光学系が複雑になる。
【０００５】本発明の目的は、複雑なレーザ光学系を用
いる必要がなく、かつデブリの除去を行うことができる
レーザ加工方法を提供することである。
いる必要がなく、かつデブリの除去を行うことができる
レーザ加工方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、下地基板の表面上に、該下地基板の材料とは異なる
材料で形成された薄膜を有する加工対象物を準備する工
程と、前記薄膜表面において、前記下地基板がアブレー
ションされず、前記薄膜がアブレーションされる第１の
フルーエンスになる条件で、該薄膜にパルスレーザビー
ムを照射しながら、該薄膜の表面におけるパルスレーザ
ビームのビームスポットが、１つ前のショットでアブレ
ーションされた領域と部分的に重なるように、前記加工
対象物を面内方向に移動させる第１回目のレーザ照射工
程と、前記薄膜表面において、前記下地基板がアブレー
ションされず、前記薄膜がアブレーションされる第２の
フルーエンスになる条件で、前記薄膜がアブレーション
された領域にパルスレーザビームを照射しながら、レー
ザスポットが前記加工対象物の表面内で移動するよう
に、レーザビーム及び前記加工対象物の一方を他方に対
して移動させる工程であって、該加工対象物の表面にお
けるパルスレーザビームのビームスポットが、前回のシ
ョットで照射された領域に接するように、もしくは該加
工対象物の表面におけるパルスレーザビームのビームス
ポットが、前回のショットで照射された領域に部分的に
重なり、その重なり部分の面積が、前記第１回目のレー
ザ照射工程における重なり部分の面積よりも小さくなる
ように移動させることにより、前記第１回目のレーザ照
射工程で付着したデブリを除去する第２回目のレーザ照
射工程とを有するレーザ加工方法が提供される。
と、下地基板の表面上に、該下地基板の材料とは異なる
材料で形成された薄膜を有する加工対象物を準備する工
程と、前記薄膜表面において、前記下地基板がアブレー
ションされず、前記薄膜がアブレーションされる第１の
フルーエンスになる条件で、該薄膜にパルスレーザビー
ムを照射しながら、該薄膜の表面におけるパルスレーザ
ビームのビームスポットが、１つ前のショットでアブレ
ーションされた領域と部分的に重なるように、前記加工
対象物を面内方向に移動させる第１回目のレーザ照射工
程と、前記薄膜表面において、前記下地基板がアブレー
ションされず、前記薄膜がアブレーションされる第２の
フルーエンスになる条件で、前記薄膜がアブレーション
された領域にパルスレーザビームを照射しながら、レー
ザスポットが前記加工対象物の表面内で移動するよう
に、レーザビーム及び前記加工対象物の一方を他方に対
して移動させる工程であって、該加工対象物の表面にお
けるパルスレーザビームのビームスポットが、前回のシ
ョットで照射された領域に接するように、もしくは該加
工対象物の表面におけるパルスレーザビームのビームス
ポットが、前回のショットで照射された領域に部分的に
重なり、その重なり部分の面積が、前記第１回目のレー
ザ照射工程における重なり部分の面積よりも小さくなる
ように移動させることにより、前記第１回目のレーザ照
射工程で付着したデブリを除去する第２回目のレーザ照
射工程とを有するレーザ加工方法が提供される。
【０００７】第１回目のレーザ照射工程で、薄膜が除去
される。このとき、薄膜の除去された下地基板の表面上
に薄くデブリが付着する。第２回目のレーザ照射工程を
実施すると、このデブリがほとんど除去される。
される。このとき、薄膜の除去された下地基板の表面上
に薄くデブリが付着する。第２回目のレーザ照射工程を
実施すると、このデブリがほとんど除去される。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の実施例によるレ
ーザ加工方法で用いられるレーザ加工装置の概略図を示
す。発振波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレ
ーザ光源１から出射したレーザビーム１１が、折返しミ
ラー２ａ及び２ｂで反射し、マスク４に入射する。な
お、レーザ光源１として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザやＮｄ：
ＹＬＦレーザの高調波を発生させる光源を用いてもよ
い。
ーザ加工方法で用いられるレーザ加工装置の概略図を示
す。発振波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレ
ーザ光源１から出射したレーザビーム１１が、折返しミ
ラー２ａ及び２ｂで反射し、マスク４に入射する。な
お、レーザ光源１として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザやＮｄ：
ＹＬＦレーザの高調波を発生させる光源を用いてもよ
い。
【０００９】マスク４は、例えば、所望の形状の貫通孔
が設けられたモリブデンやＣｕＮｉ合金等の板である。
レーザビームがマスク４の貫通孔を通過することによ
り、その断面が貫通孔の形状に整形される。レーザビー
ムの中央部分のみを透過させることにより、エネルギ密
度（フルーエンス）の均一な所望形状のレーザビームを
得ることができる。
が設けられたモリブデンやＣｕＮｉ合金等の板である。
レーザビームがマスク４の貫通孔を通過することによ
り、その断面が貫通孔の形状に整形される。レーザビー
ムの中央部分のみを透過させることにより、エネルギ密
度（フルーエンス）の均一な所望形状のレーザビームを
得ることができる。
【００１０】真空容器１７内にＸＹステージ９が配置さ
れている。ＸＹステージ９の可動面上に加工対象物６が
保持されている。ＸＹステージ９は、加工対象物６を、
その被加工面に平行な２次元方向に移動させることがで
きる。真空容器１７に、紫外レーザビームを透過させる
窓１８が設けられている。なお、大気中で加工を行う場
合には、真空容器１７は不要である。
れている。ＸＹステージ９の可動面上に加工対象物６が
保持されている。ＸＹステージ９は、加工対象物６を、
その被加工面に平行な２次元方向に移動させることがで
きる。真空容器１７に、紫外レーザビームを透過させる
窓１８が設けられている。なお、大気中で加工を行う場
合には、真空容器１７は不要である。
【００１１】マスク４を透過したレーザビームが、結像
レンズ５に入射する。結像レンズ５により収束されたレ
ーザビームが、窓１８を透過して、ＸＹステージ９に保
持された加工対象物６に入射する。結像レンズ５は、マ
スク４に設けられた貫通孔を、所定の倍率で、加工対象
物６の表面上に結像させる。結像レンズ５及び加工対象
物６の光軸方向に関する位置を変更することにより、結
像倍率を変更することができる。
レンズ５に入射する。結像レンズ５により収束されたレ
ーザビームが、窓１８を透過して、ＸＹステージ９に保
持された加工対象物６に入射する。結像レンズ５は、マ
スク４に設けられた貫通孔を、所定の倍率で、加工対象
物６の表面上に結像させる。結像レンズ５及び加工対象
物６の光軸方向に関する位置を変更することにより、結
像倍率を変更することができる。
【００１２】加工対象物６に入射させるレーザビームの
１パルスあたりのフルーエンスを、あるしきい値以上に
すると、加工対象物の表面でアブレーションと呼ばれる
エッチング現象が生じ、加工対象物６の表面が削られ
る。
１パルスあたりのフルーエンスを、あるしきい値以上に
すると、加工対象物の表面でアブレーションと呼ばれる
エッチング現象が生じ、加工対象物６の表面が削られ
る。
【００１３】実施例で加工される加工対象物６は、透明
ガラス基板の表面上に、着色された有機材料膜（カラー
フィルタ）が形成されたものであり、液晶表示パネルの
基板として用いられる。この有機材料膜がアブレーショ
ンされるための１パルスあたりのフルーエンスのしきい
値は、約０．１Ｊ／ｃｍ2である。
ガラス基板の表面上に、着色された有機材料膜（カラー
フィルタ）が形成されたものであり、液晶表示パネルの
基板として用いられる。この有機材料膜がアブレーショ
ンされるための１パルスあたりのフルーエンスのしきい
値は、約０．１Ｊ／ｃｍ2である。
【００１４】次に、図２を参照して、本発明の実施例に
よるレーザ加工方法について説明する。
よるレーザ加工方法について説明する。
【００１５】まず、ガラス基板の表面上に有機材料膜が
形成された加工対象物を準備する。この加工対象物を、
図１に示したＸＹステージ９の可動面上に固定する。加
工対象物の表面のうち、Ｘ軸に平行な辺を有する長方形
の領域の有機材料膜を除去する場合を説明する。有機材
料膜の表面にレーザビームを照射しながら、加工対象物
をＸ軸の負の方向に移動させる。
形成された加工対象物を準備する。この加工対象物を、
図１に示したＸＹステージ９の可動面上に固定する。加
工対象物の表面のうち、Ｘ軸に平行な辺を有する長方形
の領域の有機材料膜を除去する場合を説明する。有機材
料膜の表面にレーザビームを照射しながら、加工対象物
をＸ軸の負の方向に移動させる。
【００１６】図２（Ａ）に示すように、ビームスポット
２０は、加工対象物に対して相対的にＸ軸の正の方向に
移動する。ビームスポットが、加工すべき領域の縁に到
達すると、加工対象物をＹ軸方向にずらし、次にＸ軸の
正の方向に移動させる。
２０は、加工対象物に対して相対的にＸ軸の正の方向に
移動する。ビームスポットが、加工すべき領域の縁に到
達すると、加工対象物をＹ軸方向にずらし、次にＸ軸の
正の方向に移動させる。
【００１７】Ｎｄ：ＹＬＦレーザの４倍高調波を使用す
る場合のレーザビームの波長は２６２ｎｍ、パルス幅は
約１０ｎｓ、パルスの繰り返し周波数は最大３００Ｈ
ｚ、パルスエネルギは０．３ｍＪ／パルス、加工対象物
表面における１パルスあたりのフルーエンスは、０．７
Ｊ／ｃｍ2である。また、加工対象物のＸ軸方向の移動
速度は、０．０７ｍｍ／ｓである。
る場合のレーザビームの波長は２６２ｎｍ、パルス幅は
約１０ｎｓ、パルスの繰り返し周波数は最大３００Ｈ
ｚ、パルスエネルギは０．３ｍＪ／パルス、加工対象物
表面における１パルスあたりのフルーエンスは、０．７
Ｊ／ｃｍ2である。また、加工対象物のＸ軸方向の移動
速度は、０．０７ｍｍ／ｓである。
【００１８】この条件でレーザビームの照射を行うと、
ビームスポット２０ｂが、１つ前のショットで照射され
た領域２０ａと部分的に重なる。重なり部分の面積は、
ビームスポットの面積の約９５％になる。加工対象物表
面の微小なある位置に着目すると、その位置をビームス
ポットが通過する際に、２５０ショットのパルスレーザ
ビームが照射される。１ショットのみでは、有機材料膜
をすべて除去することはできないが、複数ショットの照
射により、有機材料膜がすべて除去され、下地のガラス
基板表面が一旦露出する。ただし、その次以降のショッ
トによりアブレーションされて飛散した飛散物の一部
が、露出したガラス基板の表面に付着する。
ビームスポット２０ｂが、１つ前のショットで照射され
た領域２０ａと部分的に重なる。重なり部分の面積は、
ビームスポットの面積の約９５％になる。加工対象物表
面の微小なある位置に着目すると、その位置をビームス
ポットが通過する際に、２５０ショットのパルスレーザ
ビームが照射される。１ショットのみでは、有機材料膜
をすべて除去することはできないが、複数ショットの照
射により、有機材料膜がすべて除去され、下地のガラス
基板表面が一旦露出する。ただし、その次以降のショッ
トによりアブレーションされて飛散した飛散物の一部
が、露出したガラス基板の表面に付着する。
【００１９】加工すべき全領域に、第１回目のパルスレ
ーザビームの照射が終了すると、第２回目のパルスレー
ザビームの照射を行う。第２回目のパルスレーザビーム
の照射条件は、加工対象物の移動速度を除いて第１回目
の照射条件と同一である。加工対象物のＸ軸方向の移動
速度は、第１回目の照射時の移動速度よりも速い。
ーザビームの照射が終了すると、第２回目のパルスレー
ザビームの照射を行う。第２回目のパルスレーザビーム
の照射条件は、加工対象物の移動速度を除いて第１回目
の照射条件と同一である。加工対象物のＸ軸方向の移動
速度は、第１回目の照射時の移動速度よりも速い。
【００２０】図２（Ｂ）に示すように、ビームスポット
２１ｂが、１つ前のショットで照射された領域２１ａと
部分的に重なる。ところが、重なり部分の面積は第１回
目の照射時における重なり部分の面積よりも小さい。第
１回目の照射後にガラス基板の表面に付着していたデブ
リは、第２回目の照射によりほとんど除去される。ガラ
ス基板の表面に付着していたデブリを除去するには、１
ショットの照射で十分である。従って、ビームスポット
の重なり部分の面積は、極僅かでもよい。なお、ビーム
スポットが、前回のショットで照射された領域と重複せ
ず、接するようにしてもよい。
２１ｂが、１つ前のショットで照射された領域２１ａと
部分的に重なる。ところが、重なり部分の面積は第１回
目の照射時における重なり部分の面積よりも小さい。第
１回目の照射後にガラス基板の表面に付着していたデブ
リは、第２回目の照射によりほとんど除去される。ガラ
ス基板の表面に付着していたデブリを除去するには、１
ショットの照射で十分である。従って、ビームスポット
の重なり部分の面積は、極僅かでもよい。なお、ビーム
スポットが、前回のショットで照射された領域と重複せ
ず、接するようにしてもよい。
【００２１】上記実施例によるレーザ加工方法では、第
１回目の照射に使用されるレーザビームと第２回目の照
射に使用されるレーザビームとが、同一の光学的特性を
有する。このため、デブリ除去用の特別の光学系を配置
することなく、デブリの除去を行うことができる。ま
た、第２回目の照射時には、加工対象物の移動速度を速
くしているため、第２回目の照射が全体の加工時間に与
える影響は少ない。
１回目の照射に使用されるレーザビームと第２回目の照
射に使用されるレーザビームとが、同一の光学的特性を
有する。このため、デブリ除去用の特別の光学系を配置
することなく、デブリの除去を行うことができる。ま
た、第２回目の照射時には、加工対象物の移動速度を速
くしているため、第２回目の照射が全体の加工時間に与
える影響は少ない。
【００２２】上記実施例では、ガラス基板上に形成され
た有機材料膜を除去する場合を説明したが、ガラス基板
上に形成されたインジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）膜、
Ｃｒ等の金属膜、セラミックス膜、酸化シリコン等の無
機誘電体膜等を除去することも可能である。この場合、
薄膜はアブレーションされるが、下地の基板はアブレー
ションされない条件で、レーザビームを照射する必要が
ある。
た有機材料膜を除去する場合を説明したが、ガラス基板
上に形成されたインジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）膜、
Ｃｒ等の金属膜、セラミックス膜、酸化シリコン等の無
機誘電体膜等を除去することも可能である。この場合、
薄膜はアブレーションされるが、下地の基板はアブレー
ションされない条件で、レーザビームを照射する必要が
ある。
【００２３】また、上記実施例では、加工対象物をＸＹ
ステージ上に載せて移動させる場合を説明したが、ガル
バノミラー等でレーザビームの進行方向を振り、ビーム
スポットを加工対象物の表面内で移動させてもよい。
ステージ上に載せて移動させる場合を説明したが、ガル
バノミラー等でレーザビームの進行方向を振り、ビーム
スポットを加工対象物の表面内で移動させてもよい。
【００２４】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザビームを照射して薄膜を除去した後、２回目のレ
ーザビームの照射を行う。２回目のレーザビームの照射
時には、ビームスポットの移動速度が、１回目の照射時
における移動速度よりも速い。２回目の照射により、下
地表面上に付着していたデブリを除去することができ
る。
レーザビームを照射して薄膜を除去した後、２回目のレ
ーザビームの照射を行う。２回目のレーザビームの照射
時には、ビームスポットの移動速度が、１回目の照射時
における移動速度よりも速い。２回目の照射により、下
地表面上に付着していたデブリを除去することができ
る。
【図１】本発明の実施例で用いられるレーザ加工装置の
概略図である。
概略図である。
【図２】本発明の実施例によるレーザ加工方法で加工を
行う際のビームスポットの移動の様子を示す図である。
行う際のビームスポットの移動の様子を示す図である。
１ レーザ光源 ２ａ、２ｂ 折返しミラー ４ マスク ５ 結像レンズ ６ 加工対象物 ９ ＸＹステージ １７ 真空容器 １８ 窓 ２０ ビームスポット
Claims (3)
- 【請求項１】 下地基板の表面上に、該下地基板の材料
とは異なる材料で形成された薄膜を有する加工対象物を
準備する工程と、 前記薄膜表面において、前記下地基板がアブレーション
されず、前記薄膜がアブレーションされる第１のフルー
エンスになる条件で、該薄膜にパルスレーザビームを照
射しながら、該薄膜の表面におけるパルスレーザビーム
のビームスポットが、１つ前のショットでアブレーショ
ンされた領域と部分的に重なるように、前記加工対象物
を面内方向に移動させる第１回目のレーザ照射工程と、 前記薄膜表面において、前記下地基板がアブレーション
されず、前記薄膜がアブレーションされる第２のフルー
エンスになる条件で、前記薄膜がアブレーションされた
領域にパルスレーザビームを照射しながら、レーザスポ
ットが前記加工対象物の表面内で移動するように、レー
ザビーム及び前記加工対象物の一方を他方に対して移動
させる工程であって、該加工対象物の表面におけるパル
スレーザビームのビームスポットが、前回のショットで
照射された領域に接するように、もしくは該加工対象物
の表面におけるパルスレーザビームのビームスポット
が、前回のショットで照射された領域に部分的に重な
り、その重なり部分の面積が、前記第１回目のレーザ照
射工程における重なり部分の面積よりも小さくなるよう
に移動させることにより、前記第１回目のレーザ照射工
程で付着したデブリを除去する第２回目のレーザ照射工
程とを有するレーザ加工方法。 - 【請求項２】 前記第２のフルーエンスが前記第１のフ
ルーエンスと等しい請求項１に記載のレーザ加工方法。 - 【請求項３】 前記第１回目のレーザ照射工程におい
て、パルスレーザビームの複数ショットの照射によっ
て、照射部分の下地基板の表面が一旦露出し、露出した
部分の近傍へのパルスレーザビームの照射によって、露
出した領域上にデブリが堆積する条件でパルスレーザビ
ームを照射する請求項１または２に記載のレーザ加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045469A JP2002248589A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045469A JP2002248589A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | レーザ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002248589A true JP2002248589A (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18907260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001045469A Pending JP2002248589A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002248589A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005025800A1 (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-24 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | レーザ加工方法及び加工装置 |
| KR100758213B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-09-12 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 레이저 가공방법 및 가공장치 |
| JP2007305646A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
| JP2010522082A (ja) * | 2007-03-21 | 2010-07-01 | フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド | 複数の波長を用いたレーザアブレーション |
| WO2013021995A1 (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 国立大学法人大阪大学 | 膜加工方法 |
| JP2020042116A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法 |
| JP2022133700A (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-14 | 矢崎総業株式会社 | コネクタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11320156A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-24 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | レーザによる加工方法及び装置 |
| JPH11333585A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法 |
-
2001
- 2001-02-21 JP JP2001045469A patent/JP2002248589A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11320156A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-24 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | レーザによる加工方法及び装置 |
| JPH11333585A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005025800A1 (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-24 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | レーザ加工方法及び加工装置 |
| KR100758213B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-09-12 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 레이저 가공방법 및 가공장치 |
| JP2007305646A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
| JP2010522082A (ja) * | 2007-03-21 | 2010-07-01 | フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド | 複数の波長を用いたレーザアブレーション |
| WO2013021995A1 (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 国立大学法人大阪大学 | 膜加工方法 |
| JP2020042116A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法 |
| JP7072225B2 (ja) | 2018-09-07 | 2022-05-20 | 株式会社Joled | 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法 |
| JP2022133700A (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-14 | 矢崎総業株式会社 | コネクタ |
| JP7376522B2 (ja) | 2021-03-02 | 2023-11-08 | 矢崎総業株式会社 | コネクタの製造方法 |
| US11831096B2 (en) | 2021-03-02 | 2023-11-28 | Yazaki Corporation | Electrical connector including terminals with grooves |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5165203B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| US20130164506A1 (en) | Apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation | |
| US20110049764A1 (en) | Substrate cutting apparatus and method for cutting substrate using the same | |
| JP2018532595A (ja) | レーザ処理装置、ワークピースをレーザ処理する方法及び関連する構成 | |
| JP2002316278A (ja) | レーザ制御材料処理方法 | |
| JP4035981B2 (ja) | 超短パルスレーザを用いた回路形成方法 | |
| JP2007157659A (ja) | 有機ｅｌ素子の配線パターンの形成方法及び有機ｅｌ素子の形成装置 | |
| JP2002248589A (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2006289441A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
| US10933624B2 (en) | Photomask pellicle glue residue removal | |
| JP2002160079A (ja) | 薄膜アブレーション加工方法及び装置 | |
| JP7334408B2 (ja) | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 | |
| JP2000202664A (ja) | レ―ザ穴あけ加工方法 | |
| JP3305670B2 (ja) | フォトマスクの修正方法 | |
| JP2004230458A (ja) | レーザー加工装置 | |
| JPH08112682A (ja) | 光加工方法 | |
| JP2010005629A (ja) | Ｓｉ基板のレーザ加工方法 | |
| JP3052226B2 (ja) | レーザ加工法および加工装置 | |
| JP2616767B2 (ja) | 光処理方法 | |
| US6582857B1 (en) | Repair of masks to promote adhesion of patches | |
| JP2000052071A (ja) | レーザ光を用いた薄膜除去方法 | |
| JP3851665B2 (ja) | ショートリング除去方法、除去装置および液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2808220B2 (ja) | 光照射装置 | |
| JP2804203B2 (ja) | 液晶表示装置の欠陥修正方法 | |
| EP4159357A1 (en) | Method of and apparatus for cutting a substrate or preparing a substrate for cleaving |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070515 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090527 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |