JPH11333585A - レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法 - Google Patents
レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法Info
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- JPH11333585A JPH11333585A JP10141024A JP14102498A JPH11333585A JP H11333585 A JPH11333585 A JP H11333585A JP 10141024 A JP10141024 A JP 10141024A JP 14102498 A JP14102498 A JP 14102498A JP H11333585 A JPH11333585 A JP H11333585A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエットプロセス無しでバイアホールの残渣
成分を除去することのできるデスミア装置を提供するこ
と。 【解決手段】 グリーン光を発生するためのグリーン光
発生装置１と、発生されたグリーン光を線状のビーム光
に変換する線状ビーム発生ユニット２と、線状のビーム
光をバイアホールの形成された領域を走査させる走査手
段とを備える。
成分を除去することのできるデスミア装置を提供するこ
と。 【解決手段】 グリーン光を発生するためのグリーン光
発生装置１と、発生されたグリーン光を線状のビーム光
に変換する線状ビーム発生ユニット２と、線状のビーム
光をバイアホールの形成された領域を走査させる走査手
段とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
プリント回路基板、特に多層プリント回路基板にバイア
ホールを形成するレーザ穴あけ加工装置に組み合わされ
て、バイアホールを形成した後にこのバイアホールに残
留する残渣成分を除去するためのデスミア装置及びデス
ミア方法に関する。
プリント回路基板、特に多層プリント回路基板にバイア
ホールを形成するレーザ穴あけ加工装置に組み合わされ
て、バイアホールを形成した後にこのバイアホールに残
留する残渣成分を除去するためのデスミア装置及びデス
ミア方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、高密度実装化に伴
う、プリント回路基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント回路基板を積層した多層プリント回
路基板が登場してきた。このような多層プリント回路基
板では、上下に積層されたプリント回路基板間で導電層
（銅基板）同士を電気的に接続する必要がある。このよ
うな接続は、プリント回路基板の樹脂層（ポリイミド、
エポキシ系樹脂等のポリマー）に、下層の導電層に達す
るバイアホールと呼ばれる穴を形成し、その穴の内部に
メッキを施すことによって実現される。
う、プリント回路基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント回路基板を積層した多層プリント回
路基板が登場してきた。このような多層プリント回路基
板では、上下に積層されたプリント回路基板間で導電層
（銅基板）同士を電気的に接続する必要がある。このよ
うな接続は、プリント回路基板の樹脂層（ポリイミド、
エポキシ系樹脂等のポリマー）に、下層の導電層に達す
るバイアホールと呼ばれる穴を形成し、その穴の内部に
メッキを施すことによって実現される。
【０００３】バイアホールを形成する方法として、以前
は、機械的な微細ドリルが用いられていた。しかし、プ
リント回路基板の高密度化に伴うバイアホールの径の縮
小に伴い、最近では微細ドリルに代えてレーザ光を利用
したレーザ穴あけ加工装置が採用されるようになってき
た。
は、機械的な微細ドリルが用いられていた。しかし、プ
リント回路基板の高密度化に伴うバイアホールの径の縮
小に伴い、最近では微細ドリルに代えてレーザ光を利用
したレーザ穴あけ加工装置が採用されるようになってき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、炭酸ガスレー
ザやＹＡＧレーザを用いてバイアホールを形成するレー
ザ穴あけ加工装置は良く知られており、安価で高速加工
が可能であるという利点がある。しかしながら、このよ
うなレーザ穴あけ加工装置で形成されたバイアホール
は、樹脂層に形成した穴の底面、すなわち露出させよう
とする導電層の表面の一部または全面に薄い（ポリイミ
ド、エポキシ系樹脂では厚さ１μｍ以下）残渣成分（ス
ミアと呼ばれる）が残ってしまうという問題点がある。
ザやＹＡＧレーザを用いてバイアホールを形成するレー
ザ穴あけ加工装置は良く知られており、安価で高速加工
が可能であるという利点がある。しかしながら、このよ
うなレーザ穴あけ加工装置で形成されたバイアホール
は、樹脂層に形成した穴の底面、すなわち露出させよう
とする導電層の表面の一部または全面に薄い（ポリイミ
ド、エポキシ系樹脂では厚さ１μｍ以下）残渣成分（ス
ミアと呼ばれる）が残ってしまうという問題点がある。
【０００５】この残渣成分は、この後さらにレーザ光を
照射しても完全に除去することはできない。これは、レ
ーザ光をさらに照射して残渣成分を蒸発させようとして
も、このとき周囲の樹脂が溶出して（導電層は銅である
ことが多く、熱の拡散が速いため）新たな残渣成分を形
成してしまうためと思われる。
照射しても完全に除去することはできない。これは、レ
ーザ光をさらに照射して残渣成分を蒸発させようとして
も、このとき周囲の樹脂が溶出して（導電層は銅である
ことが多く、熱の拡散が速いため）新たな残渣成分を形
成してしまうためと思われる。
【０００６】このため、従来は、残渣成分を除去するた
めに、レーザ加工処理後に、過マンガン酸液を使用した
ウエットプロセスが必要であった。このウエットプロセ
スには、以下の２つの目的がある。
めに、レーザ加工処理後に、過マンガン酸液を使用した
ウエットプロセスが必要であった。このウエットプロセ
スには、以下の２つの目的がある。
【０００７】１．導電層表面の残渣成分の除去 ２．バイアホールの内壁及び導電層表面の粗化処理 上記の粗化処理は、ウエットプロセスの条件出しが容易
であるが、残渣成分の除去は条件出しが難しい。すなわ
ち、残渣成分の除去のためには、通常、膨潤−過マンガ
ン酸エッチング−還元の工程が必要であり、液の種類、
過マンガン酸の濃度、液温、浸透時間、バイアホールへ
の液浸透方法等の条件出しが難しい。
であるが、残渣成分の除去は条件出しが難しい。すなわ
ち、残渣成分の除去のためには、通常、膨潤−過マンガ
ン酸エッチング−還元の工程が必要であり、液の種類、
過マンガン酸の濃度、液温、浸透時間、バイアホールへ
の液浸透方法等の条件出しが難しい。
【０００８】そこで、本発明の課題は、ウエットプロセ
ス無しでバイアホールの残渣成分を除去することのでき
るデスミア装置を提供することにある。
ス無しでバイアホールの残渣成分を除去することのでき
るデスミア装置を提供することにある。
【０００９】本発明はまた、上記のデスミア装置に適し
たデスミア方法を提供しようとするものである。
たデスミア方法を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ穴あけ
加工装置におけるレーザ発振器からのレーザ光を、金属
膜上に形成された樹脂層に照射して前記樹脂層にバイア
ホールを形成し、該バイアホールに残留する残渣成分を
除去するためのデスミア装置であって、グリーン光を発
生するためのグリーン光発生装置と、発生されたグリー
ン光を線状のビーム光に変換する線状ビーム発生ユニッ
トと、前記線状のビーム光を前記バイアホールの形成さ
れた領域を走査させる走査手段とを備えたことを特徴と
する。
加工装置におけるレーザ発振器からのレーザ光を、金属
膜上に形成された樹脂層に照射して前記樹脂層にバイア
ホールを形成し、該バイアホールに残留する残渣成分を
除去するためのデスミア装置であって、グリーン光を発
生するためのグリーン光発生装置と、発生されたグリー
ン光を線状のビーム光に変換する線状ビーム発生ユニッ
トと、前記線状のビーム光を前記バイアホールの形成さ
れた領域を走査させる走査手段とを備えたことを特徴と
する。
【００１１】なお、前記レーザ加工装置は、所定のサイ
ズを持つ母板に設定された前記所定のサイズより十分に
小さなサイズの複数の加工領域に１つの加工領域毎に穴
あけ加工を行うものであり、前記線状のビーム光の長さ
は、前記加工領域の一辺より長く設定されている。
ズを持つ母板に設定された前記所定のサイズより十分に
小さなサイズの複数の加工領域に１つの加工領域毎に穴
あけ加工を行うものであり、前記線状のビーム光の長さ
は、前記加工領域の一辺より長く設定されている。
【００１２】また、前記グリーン光発生装置は、ＹＡＧ
レーザ発振器からのパルス状のレーザ光から波長５３２
（ｎｍ）の第２高調波を抽出して出力するものであり、
前記線状ビーム発生ユニットは、前記線状のビーム光を
パルス状にして照射する。
レーザ発振器からのパルス状のレーザ光から波長５３２
（ｎｍ）の第２高調波を抽出して出力するものであり、
前記線状ビーム発生ユニットは、前記線状のビーム光を
パルス状にして照射する。
【００１３】更に、前記線状のビーム光のパルス１回当
たりの照射エネルギーは、１（ｍＪ）以下であることを
特徴とする。
たりの照射エネルギーは、１（ｍＪ）以下であることを
特徴とする。
【００１４】更に、前記グリーン光発生装置と前記線状
ビーム発生ユニットとの間が光ファイバで接続されてい
ることを特徴とする。
ビーム発生ユニットとの間が光ファイバで接続されてい
ることを特徴とする。
【００１５】更に、前記走査手段は、前記線状のビーム
光を振らせて前記母板上を走査させることができる。
光を振らせて前記母板上を走査させることができる。
【００１６】更に、前記レーザ穴あけ加工装置が前記母
板を搭載してＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させるための
Ｘ−Ｙステージを備えている場合には、該Ｘ−Ｙステー
ジを前記走査手段として用いることができる。
板を搭載してＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させるための
Ｘ−Ｙステージを備えている場合には、該Ｘ−Ｙステー
ジを前記走査手段として用いることができる。
【００１７】前記走査手段はまた、互いに隣接する走査
領域の一部が重なるように走査することを特徴とする。
領域の一部が重なるように走査することを特徴とする。
【００１８】本発明によるデスミア方法は、金属膜上に
形成された樹脂層にレーザ光を照射することにより形成
されたバイアホールに残留する残渣成分を除去するため
のデスミア方法において、グリーン光を断面が線状のビ
ーム光に変換したうえで、該線状のビーム光を前記バイ
アホールの形成された領域を走査させることによりデス
ミアを行うことを特徴とする。
形成された樹脂層にレーザ光を照射することにより形成
されたバイアホールに残留する残渣成分を除去するため
のデスミア方法において、グリーン光を断面が線状のビ
ーム光に変換したうえで、該線状のビーム光を前記バイ
アホールの形成された領域を走査させることによりデス
ミアを行うことを特徴とする。
【００１９】このデスミア方法においては、所定のサイ
ズを持つ母板に設定された前記所定のサイズより十分に
小さなサイズの複数の加工領域に１つの加工領域毎に少
なくとも１つのバイアホールが形成され、前記線状のビ
ーム光の長さは、前記加工領域の一辺より長く設定さ
れ、前記線状のビーム光の走査を、互いに隣接する走査
領域の一部が重なるように行うことを特徴とする。
ズを持つ母板に設定された前記所定のサイズより十分に
小さなサイズの複数の加工領域に１つの加工領域毎に少
なくとも１つのバイアホールが形成され、前記線状のビ
ーム光の長さは、前記加工領域の一辺より長く設定さ
れ、前記線状のビーム光の走査を、互いに隣接する走査
領域の一部が重なるように行うことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態の説
明に入る前に、本発明によるデスミア装置が組み合わさ
れるレーザ穴あけ加工装置について図６、図７を参照し
て説明する。図６において、ＣＯ2 （炭酸ガス）レーザ
によるレーザ発振器１０で発生されたパルス状のレーザ
光は、反射ミラー１１により９０°角度を変えてマスク
１３に導かれる。マスク１３では、ビアホール径を規定
する穴を通過することによって、レーザ光のビーム径が
絞り込まれてＸ−Ｙスキャナ１４に導かれる。Ｘ−Ｙス
キャナ１４はレーザ光を振らせるためのものであり、振
られたレーザ光は焦点合わせ用レンズとして作用しｆθ
レンズとも呼ばれる加工レンズ１５を通してＸ−Ｙステ
ージ１６上におかれたワーク（プリント配線基板）１７
に照射される。Ｘ−Ｙステージ１６はＸ軸方向の駆動機
構とＹ軸方向の駆動機構とを有して、ワーク１７をＸ−
Ｙ平面上で移動させて位置調整することができる。
明に入る前に、本発明によるデスミア装置が組み合わさ
れるレーザ穴あけ加工装置について図６、図７を参照し
て説明する。図６において、ＣＯ2 （炭酸ガス）レーザ
によるレーザ発振器１０で発生されたパルス状のレーザ
光は、反射ミラー１１により９０°角度を変えてマスク
１３に導かれる。マスク１３では、ビアホール径を規定
する穴を通過することによって、レーザ光のビーム径が
絞り込まれてＸ−Ｙスキャナ１４に導かれる。Ｘ−Ｙス
キャナ１４はレーザ光を振らせるためのものであり、振
られたレーザ光は焦点合わせ用レンズとして作用しｆθ
レンズとも呼ばれる加工レンズ１５を通してＸ−Ｙステ
ージ１６上におかれたワーク（プリント配線基板）１７
に照射される。Ｘ−Ｙステージ１６はＸ軸方向の駆動機
構とＹ軸方向の駆動機構とを有して、ワーク１７をＸ−
Ｙ平面上で移動させて位置調整することができる。
【００２１】図７において、Ｘ−Ｙスキャナ１４は、２
つのガルバノミラー１４−１，１４−２を組み合わせて
成るガルバノスキャナと呼ばれるものである。すなわ
ち、２つの反射ミラーをガルバノメータの駆動原理で独
立して回動させることにより、レーザ光を加工レンズ１
５を通してワーク１７の所望の複数の位置に連続して照
射することができる。
つのガルバノミラー１４−１，１４−２を組み合わせて
成るガルバノスキャナと呼ばれるものである。すなわ
ち、２つの反射ミラーをガルバノメータの駆動原理で独
立して回動させることにより、レーザ光を加工レンズ１
５を通してワーク１７の所望の複数の位置に連続して照
射することができる。
【００２２】なお、ＣＯ2 レーザによるレーザ光の場
合、１つのバイアホール当たりパルス状のレーザ光を数
回（通常２〜３回）照射することで穴あけが行われる。
また、通常、Ｘ−Ｙスキャナ１４による走査範囲は数ｃ
ｍ四方の領域であり、後述するように、ワーク１７には
この走査範囲により決まる領域が加工領域としてマトリ
クス状に設定される。そして、レーザ穴あけ加工装置
は、加工領域に複数の穴あけ加工を行い、ある加工領域
の穴あけ加工が終了したら、次の加工領域に移動して同
じパターンの穴あけ加工を行う。次の加工領域への移動
は、通常、Ｘ−Ｙステージ１６により行われる。
合、１つのバイアホール当たりパルス状のレーザ光を数
回（通常２〜３回）照射することで穴あけが行われる。
また、通常、Ｘ−Ｙスキャナ１４による走査範囲は数ｃ
ｍ四方の領域であり、後述するように、ワーク１７には
この走査範囲により決まる領域が加工領域としてマトリ
クス状に設定される。そして、レーザ穴あけ加工装置
は、加工領域に複数の穴あけ加工を行い、ある加工領域
の穴あけ加工が終了したら、次の加工領域に移動して同
じパターンの穴あけ加工を行う。次の加工領域への移動
は、通常、Ｘ−Ｙステージ１６により行われる。
【００２３】本発明によるデスミア装置は、上記のよう
なレーザ穴あけ加工装置に組み合わされるが、特にレー
ザ発振器のタイプによる制約を受けることは無い。
なレーザ穴あけ加工装置に組み合わされるが、特にレー
ザ発振器のタイプによる制約を受けることは無い。
【００２４】図１〜図３を参照して、本発明の好ましい
実施の形態について説明する。図１において、本形態に
おけるデスミア装置は、あらかじめ定められた波長を持
つグリーン光を発生するためのグリーン光発生装置１
と、発生されたグリーン光を断面が線状のビーム光に変
換する線状ビーム発生ユニット２とを含む。更に、図示
していないが、線状のビーム光をバイアホールの形成さ
れた加工領域を走査させる走査機構を含む。
実施の形態について説明する。図１において、本形態に
おけるデスミア装置は、あらかじめ定められた波長を持
つグリーン光を発生するためのグリーン光発生装置１
と、発生されたグリーン光を断面が線状のビーム光に変
換する線状ビーム発生ユニット２とを含む。更に、図示
していないが、線状のビーム光をバイアホールの形成さ
れた加工領域を走査させる走査機構を含む。
【００２５】線状ビーム発生ユニット２により生成され
る線状のビーム光のサイズ、特に長さは、図２に一例を
示すように、加工領域の一辺よりやや長くなるように設
定されている。図２の例は、加工領域が一辺５ｃｍの正
方形の場合であり、この場合長さ６０ｍｍ、幅０．１ｍ
ｍ以上にされる。このように、線状のビーム光のサイズ
は、加工領域の面積にもよるが、長さは約３０〜６０ｍ
ｍ、幅は０．１〜０．５ｍｍ程度である。
る線状のビーム光のサイズ、特に長さは、図２に一例を
示すように、加工領域の一辺よりやや長くなるように設
定されている。図２の例は、加工領域が一辺５ｃｍの正
方形の場合であり、この場合長さ６０ｍｍ、幅０．１ｍ
ｍ以上にされる。このように、線状のビーム光のサイズ
は、加工領域の面積にもよるが、長さは約３０〜６０ｍ
ｍ、幅は０．１〜０．５ｍｍ程度である。
【００２６】なお、グリーン光発生装置１は、ここで
は、ＹＡＧレーザ発振器を用いてそこからのパルス状の
レーザ光から波長５３２（ｎｍ）の第２高調波を抽出し
て出力するものである。線状ビーム発生ユニット２は、
線状のビーム光をパルス状にして照射する。そして、線
状のビーム光のパルス１回当たりの照射エネルギーは、
１（ｍＪ）以下とすることで残渣成分の除去、すなわち
デスミアが可能となる。これは、前に述べたように、レ
ーザ穴あけ加工装置からのパルス状のレーザ光をそのま
ま照射したのでは、照射エネルギーが高いために残渣成
分の除去ができないが、特定波長を持つグリーン光を利
用することで、残渣成分の除去に適した照射エネルギー
を得ることができるからである。勿論、このグリーン光
が樹脂層及び導電層に影響を及ぼすことは無い。
は、ＹＡＧレーザ発振器を用いてそこからのパルス状の
レーザ光から波長５３２（ｎｍ）の第２高調波を抽出し
て出力するものである。線状ビーム発生ユニット２は、
線状のビーム光をパルス状にして照射する。そして、線
状のビーム光のパルス１回当たりの照射エネルギーは、
１（ｍＪ）以下とすることで残渣成分の除去、すなわち
デスミアが可能となる。これは、前に述べたように、レ
ーザ穴あけ加工装置からのパルス状のレーザ光をそのま
ま照射したのでは、照射エネルギーが高いために残渣成
分の除去ができないが、特定波長を持つグリーン光を利
用することで、残渣成分の除去に適した照射エネルギー
を得ることができるからである。勿論、このグリーン光
が樹脂層及び導電層に影響を及ぼすことは無い。
【００２７】本形態においては、グリーン光が可視光で
あることから、グリーン光発生装置１と線状ビーム発生
ユニット２との間が光ファイバ３で接続される。
あることから、グリーン光発生装置１と線状ビーム発生
ユニット２との間が光ファイバ３で接続される。
【００２８】図３を参照して、線状ビーム発生ユニット
２の一例について説明する。線状ビーム発生ユニット２
は、複数のレンズを組合せて成るコリメータレンズ２
１、複数のプリズムを組合せて成るウエッジプリズム２
２、複数のレンズの組合せによるシリンドリカルレンズ
２３を含む。グリーン光発生装置１からのグリーン光を
集光レンズ４で集光し、光ファイバを経由して線状ビー
ム発生ユニット２に導入すると、円形あるいは矩形のあ
る断面積を持つグリーン光が断面線状のビームに変換さ
れる。
２の一例について説明する。線状ビーム発生ユニット２
は、複数のレンズを組合せて成るコリメータレンズ２
１、複数のプリズムを組合せて成るウエッジプリズム２
２、複数のレンズの組合せによるシリンドリカルレンズ
２３を含む。グリーン光発生装置１からのグリーン光を
集光レンズ４で集光し、光ファイバを経由して線状ビー
ム発生ユニット２に導入すると、円形あるいは矩形のあ
る断面積を持つグリーン光が断面線状のビームに変換さ
れる。
【００２９】次に、図４をも参照して、グリーン光によ
る線状のビーム光の走査方法について説明する。図４に
おいて、ワーク１７には数ｃｍ四方の等面積の多数の加
工領域１７−１がマトリクス状に連続して設定されてい
る。前に述べたように、レーザ穴あけ加工装置による穴
あけ加工は、破線の矢印で示す軌跡で加工領域１７−１
毎に順に行われる。
る線状のビーム光の走査方法について説明する。図４に
おいて、ワーク１７には数ｃｍ四方の等面積の多数の加
工領域１７−１がマトリクス状に連続して設定されてい
る。前に述べたように、レーザ穴あけ加工装置による穴
あけ加工は、破線の矢印で示す軌跡で加工領域１７−１
毎に順に行われる。
【００３０】第１の走査方法では、すべての加工領域に
対する穴あけ加工が終了すると、線状ビーム発生ユニッ
ト２を穴あけ加工と同じ軌跡で移動させる。この移動軌
跡は図４に実線の矢印で示している。特に、前に述べた
ように、線状のビーム光Ｂの長さを、加工領域１７−１
の一辺よりやや長くなるように設定し、線状のビーム光
Ｂがワーク１７の一端から他端へ向けて走査する工程
と、他端から一端へ向けて戻りながら走査する工程にお
いて走査領域の一部が重なるように走査する。これは、
図２に示すように、線状ビーム発生ユニット２で発生さ
れた線状のビーム光Ｂは、その両端においてエネルギー
密度が低くなることが避けられないので、残渣成分の除
去を確実にするためである。
対する穴あけ加工が終了すると、線状ビーム発生ユニッ
ト２を穴あけ加工と同じ軌跡で移動させる。この移動軌
跡は図４に実線の矢印で示している。特に、前に述べた
ように、線状のビーム光Ｂの長さを、加工領域１７−１
の一辺よりやや長くなるように設定し、線状のビーム光
Ｂがワーク１７の一端から他端へ向けて走査する工程
と、他端から一端へ向けて戻りながら走査する工程にお
いて走査領域の一部が重なるように走査する。これは、
図２に示すように、線状ビーム発生ユニット２で発生さ
れた線状のビーム光Ｂは、その両端においてエネルギー
密度が低くなることが避けられないので、残渣成分の除
去を確実にするためである。
【００３１】第２の走査方法では、線状ビーム発生ユニ
ット２は固定とし、Ｘ−Ｙステージ１６でワーク１７を
移動させることにより、図４で説明したのとまったく同
じ軌跡で走査を行うことができる。すなわち、Ｘ−Ｙス
テージ１６をデスミア装置用の走査手段として共用する
ことができる。
ット２は固定とし、Ｘ−Ｙステージ１６でワーク１７を
移動させることにより、図４で説明したのとまったく同
じ軌跡で走査を行うことができる。すなわち、Ｘ−Ｙス
テージ１６をデスミア装置用の走査手段として共用する
ことができる。
【００３２】なお、バイアホールを形成する樹脂の種類
により、照射エネルギーを調整する必要がある。この場
合、デスミア処理も、穴あけ加工と同様、線状のビーム
光Ｂを同じ個所に複数回照射することで行われるので、
照射エネルギーの調整は、線状のビーム光Ｂを振らせる
場合にはその発生パルス周期を変えることで行うことが
できる。一方、Ｘ−Ｙステージ１６を走査手段として使
用する場合には、その送り速度を変えることで実現でき
る。
により、照射エネルギーを調整する必要がある。この場
合、デスミア処理も、穴あけ加工と同様、線状のビーム
光Ｂを同じ個所に複数回照射することで行われるので、
照射エネルギーの調整は、線状のビーム光Ｂを振らせる
場合にはその発生パルス周期を変えることで行うことが
できる。一方、Ｘ−Ｙステージ１６を走査手段として使
用する場合には、その送り速度を変えることで実現でき
る。
【００３３】また、線状のビーム光Ｂをビームスプリッ
タを通すことで、図２に示すエネルギー密度の高い領域
ＬＢのみを取り出すようにすれば、上に述べた重複走査
は不要となる。
タを通すことで、図２に示すエネルギー密度の高い領域
ＬＢのみを取り出すようにすれば、上に述べた重複走査
は不要となる。
【００３４】デスミア処理に要する時間は数秒程度であ
るが、これを更に短縮するために、穴あけ加工とデスミ
ア処理とを並行させる方法を採用しても良い。すなわ
ち、穴あけ加工のための光学系と、線状ビーム発生ユニ
ット２とを隣接して配置し、ある加工領域に対する穴あ
け加工が終了して穴あけ加工のための光学系が次の加工
領域に移動する時に、加工直後の領域を線状のビーム光
Ｂにより走査するようにする。この場合、図５に示すよ
うに、１列の最後の加工領域１７−１１では線状のビー
ム光Ｂを９０度回転させ、更にその隣の加工領域１７−
１２でも線状のビーム光Ｂを９０度回転させる必要があ
る。
るが、これを更に短縮するために、穴あけ加工とデスミ
ア処理とを並行させる方法を採用しても良い。すなわ
ち、穴あけ加工のための光学系と、線状ビーム発生ユニ
ット２とを隣接して配置し、ある加工領域に対する穴あ
け加工が終了して穴あけ加工のための光学系が次の加工
領域に移動する時に、加工直後の領域を線状のビーム光
Ｂにより走査するようにする。この場合、図５に示すよ
うに、１列の最後の加工領域１７−１１では線状のビー
ム光Ｂを９０度回転させ、更にその隣の加工領域１７−
１２でも線状のビーム光Ｂを９０度回転させる必要があ
る。
【００３５】以上説明したデスミア装置は、残渣成分の
除去を必要とするすべてのレーザ穴あけ加工装置に適用
可能であり、更には本発明者により提案されている特願
平９−１２５４２２号に示されているような複数軸ガル
バノスキャナを用いたレーザ加工装置にも適用され得
る。
除去を必要とするすべてのレーザ穴あけ加工装置に適用
可能であり、更には本発明者により提案されている特願
平９−１２５４２２号に示されているような複数軸ガル
バノスキャナを用いたレーザ加工装置にも適用され得
る。
【００３６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、条件出しの難しい従来のウエットプロセス無しでバ
イアホールの残渣成分を除去することが可能となり、穴
あけ加工に要する時間を大幅に短縮することができる。
また、本発明によるデスミア装置は、既設のレーザ穴あ
け加工装置にも容易に組み付けることができる。
ば、条件出しの難しい従来のウエットプロセス無しでバ
イアホールの残渣成分を除去することが可能となり、穴
あけ加工に要する時間を大幅に短縮することができる。
また、本発明によるデスミア装置は、既設のレーザ穴あ
け加工装置にも容易に組み付けることができる。
【図１】本発明によるデスミア装置の好ましい実施の形
態の構成を示した図である。
態の構成を示した図である。
【図２】図１における線状ビーム発生ユニットにより生
成される線状のビーム光のサイズ及びエネルギー密度の
特性を説明するための図である。
成される線状のビーム光のサイズ及びエネルギー密度の
特性を説明するための図である。
【図３】図１に示された線状ビーム発生ユニットの一例
を説明するための内部構成図である。
を説明するための内部構成図である。
【図４】ワークの加工領域に対する線状のビーム光の走
査方法を説明するための図である。
査方法を説明するための図である。
【図５】ワークの加工領域に対する線状のビーム光の走
査方法の他の例を説明するための図である。
査方法の他の例を説明するための図である。
【図６】本発明が組み合わされるレーザ穴あけ加工装置
の一例の構成を示した図である。
の一例の構成を示した図である。
【図７】図６に示されたＸ−Ｙスキャナの構成を示した
図である。
図である。
１ グリーン光発生装置 ２ 線状ビーム発生ユニット ３ 光ファイバ １０ レーザ発振器 １１ 反射ミラー １３ マスク １４ Ｘ−Ｙスキャナ １４−１、１４−２ ガルバノミラー １５ 加工レンズ １６ Ｘ−Ｙステージ １７ ワーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｂ 3/46 3/46 Ｘ
Claims (10)
- 【請求項１】 レーザ穴あけ加工装置におけるレーザ発
振器からのレーザ光を、金属膜上に形成された樹脂層に
照射して前記樹脂層にバイアホールを形成し、該バイア
ホールに残留する残渣成分を除去するためのデスミア装
置であって、グリーン光を発生するためのグリーン光発
生装置と、発生されたグリーン光を線状のビーム光に変
換する線状ビーム発生ユニットと、前記線状のビーム光
を前記バイアホールの形成された領域を走査させる走査
手段とを備えたことを特徴とするレーザ穴あけ加工装置
用のデスミア装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のデスミア装置において、
前記レーザ加工装置は、所定のサイズを持つ母板に設定
された前記所定のサイズより十分に小さなサイズの複数
の加工領域に１つの加工領域毎に穴あけ加工を行うもの
であり、前記線状のビーム光の長さは、前記加工領域の
一辺より長く設定されていることを特徴とするレーザ穴
あけ加工装置用のデスミア装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のデスミア装置において、
前記グリーン光発生装置は、ＹＡＧレーザ発振器からの
パルス状のレーザ光から波長５３２（ｎｍ）の第２高調
波を抽出して出力するものであり、前記線状ビーム発生
ユニットは、前記線状のビーム光をパルス状にして照射
することを特徴とするレーザ穴あけ加工装置用のデスミ
ア装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のデスミア装置において、
前記線状のビーム光のパルス１回当たりの照射エネルギ
ーが１（ｍＪ）以下であることを特徴とするレーザ穴あ
け加工装置用のデスミア装置。 - 【請求項５】 請求項４記載のデスミア装置において、
前記グリーン光発生装置と前記線状ビーム発生ユニット
との間が光ファイバで接続されていることを特徴とする
レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置。 - 【請求項６】 請求項２記載のデスミア装置において、
前記走査手段は、前記線状のビーム光を振らせて前記母
板上を走査させることを特徴とするレーザ穴あけ加工装
置用のデスミア装置。 - 【請求項７】 請求項２記載のデスミア装置において、
前記レーザ穴あけ加工装置は前記母板を搭載してＸ軸方
向及びＹ軸方向に移動させるためのＸ−Ｙステージを備
え、該Ｘ−Ｙステージを前記走査手段として用いること
を特徴とするレーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置。 - 【請求項８】 請求項２記載のデスミア装置において、
前記走査手段は、互いに隣接する走査領域の一部が重な
るように走査することを特徴とするレーザ穴あけ加工装
置用のデスミア装置。 - 【請求項９】 金属膜上に形成された樹脂層にレーザ光
を照射することにより形成されたバイアホールに残留す
る残渣成分を除去するためのデスミア方法において、グ
リーン光を断面が線状のビーム光に変換したうえで、該
線状のビーム光を前記バイアホールの形成された領域を
走査させることによりデスミアを行うことを特徴とする
デスミア方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載のデスミア方法におい
て、所定のサイズを持つ母板に設定された前記所定のサ
イズより十分に小さなサイズの複数の加工領域に１つの
加工領域毎に少なくとも１つのバイアホールが形成され
ており、前記線状のビーム光の長さは、前記加工領域の
一辺より長く設定されており、前記線状のビーム光の走
査を、互いに隣接する走査領域の一部が重なるように行
うことを特徴とするデスミア方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14102498A JP3338927B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14102498A JP3338927B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11333585A true JPH11333585A (ja) | 1999-12-07 |
| JP3338927B2 JP3338927B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=15282446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14102498A Expired - Fee Related JP3338927B2 (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3338927B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016356A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Ibiden Co Ltd | 極薄導体箔を用いたパターン形成方法 |
| JP2002248589A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-09-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工方法 |
| JP2015089565A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射方法および装置 |
| KR20170028426A (ko) * | 2014-07-15 | 2017-03-13 | 이놀라스 솔루션스 게엠베하 | 2차원의 결정질 기판, 특히 반도체 기판의 레이저 기반 가공을 위한 방법 및 장치 |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP14102498A patent/JP3338927B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016356A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Ibiden Co Ltd | 極薄導体箔を用いたパターン形成方法 |
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| JP2015089565A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射方法および装置 |
| KR20170028426A (ko) * | 2014-07-15 | 2017-03-13 | 이놀라스 솔루션스 게엠베하 | 2차원의 결정질 기판, 특히 반도체 기판의 레이저 기반 가공을 위한 방법 및 장치 |
| JP2017521877A (ja) * | 2014-07-15 | 2017-08-03 | イノラス ソリューションズ ゲーエムベーハー | 平面結晶性基板、特に半導体基板のレーザ加工方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3338927B2 (ja) | 2002-10-28 |
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