JP2002016356A - 極薄導体箔を用いたパターン形成方法 - Google Patents
極薄導体箔を用いたパターン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極薄銅箔を用いることにより，外層のパター
ン精度がよく，歩留まりもよいパターン形成方法を提供
すること。 【解決手段】 内層パターン５０を有する基板表面上
に，層間絶縁層１１と，カバーフィルム付き極薄銅箔１
２とを，カバーフィルム１４が最も外側になるように積
層する。そして，カバーフィルム１４がついたままレー
ザ穴開けおよびクリーニングを行い，内層パターン５０
が露出するビアホールを形成する。その後，無電解めっ
き，めっきレジストの形成，電気めっき，めっきレジス
ト除去，エッチング，の手順で外層パターンを形成す
る。銅箔１３が極薄であることおよびその厚さの均一性
により，エッチングの程度が少なくて済む。
ン精度がよく，歩留まりもよいパターン形成方法を提供
すること。 【解決手段】 内層パターン５０を有する基板表面上
に，層間絶縁層１１と，カバーフィルム付き極薄銅箔１
２とを，カバーフィルム１４が最も外側になるように積
層する。そして，カバーフィルム１４がついたままレー
ザ穴開けおよびクリーニングを行い，内層パターン５０
が露出するビアホールを形成する。その後，無電解めっ
き，めっきレジストの形成，電気めっき，めっきレジス
ト除去，エッチング，の手順で外層パターンを形成す
る。銅箔１３が極薄であることおよびその厚さの均一性
により，エッチングの程度が少なくて済む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，積層配線板におけ
る外層パターンの形成に関する。さらに詳細には，外層
パターンの厚さのばらつきを低減させることにより，歩
留まりおよびパターン精度を向上させたパターン形成方
法に関するものである。
る外層パターンの形成に関する。さらに詳細には，外層
パターンの厚さのばらつきを低減させることにより，歩
留まりおよびパターン精度を向上させたパターン形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の外層パターンの形成方法の一例
を，図８以下により説明する。図８は，内層パターン５
０が形成されている基板上に，樹脂付き銅箔を銅箔５１
が上になるように積層し，そしてＵＶ−ＹＡＧレーザに
より銅箔５１および樹脂層５２の穴開けを行った状態を
示す。一般的にはこの状態における銅箔５１の厚さは５
±１μｍ程度である。この状態ではビア底に樹脂残渣５
３が残っているので，プラズマ処理またはソフトエッチ
処理により樹脂残渣５３が除去される。このとき銅箔５
１も若干エッチングされるので，その厚さは少し減るが
厚さのばらつきは少し増し，３±２μｍ程度となる。
を，図８以下により説明する。図８は，内層パターン５
０が形成されている基板上に，樹脂付き銅箔を銅箔５１
が上になるように積層し，そしてＵＶ−ＹＡＧレーザに
より銅箔５１および樹脂層５２の穴開けを行った状態を
示す。一般的にはこの状態における銅箔５１の厚さは５
±１μｍ程度である。この状態ではビア底に樹脂残渣５
３が残っているので，プラズマ処理またはソフトエッチ
処理により樹脂残渣５３が除去される。このとき銅箔５
１も若干エッチングされるので，その厚さは少し減るが
厚さのばらつきは少し増し，３±２μｍ程度となる。
【０００３】そして無電解銅めっき（厚さは１μｍ程
度）を全面に施してから，その上にめっきレジスト５５
を形成する（図９）。その後，電気めっきにより，めっ
きレジスト５５のない部分に銅めっき層を形成する。そ
してめっきレジスト５５を除去すると，図１０の状態と
なる。この状態では，銅箔５１および無電解めっき層５
４により，パターン間がつながっている。そこで，パタ
ーン間の銅箔５１および無電解めっき層５４が消える程
度に軽くエッチングして，図１１の状態を得る。これ
で，主として電気めっき層５６による外層パターンが形
成されたことになる。
度）を全面に施してから，その上にめっきレジスト５５
を形成する（図９）。その後，電気めっきにより，めっ
きレジスト５５のない部分に銅めっき層を形成する。そ
してめっきレジスト５５を除去すると，図１０の状態と
なる。この状態では，銅箔５１および無電解めっき層５
４により，パターン間がつながっている。そこで，パタ
ーン間の銅箔５１および無電解めっき層５４が消える程
度に軽くエッチングして，図１１の状態を得る。これ
で，主として電気めっき層５６による外層パターンが形
成されたことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記し
た従来のパターン形成方法には，外層パターンのパター
ン精度や歩留まりがよくないという問題点があった。そ
の原因は，以下の点にあると考えられる。すなわち，図
１０の状態から図１１の状態に至るときにエッチングす
る銅箔５１および無電解めっき層５４の厚さが，ばらつ
きを含めれた最大値では６μｍ程度もあることである。
このためのエッチングは外層パターン５６に対しても作
用する。特に横方向には両側から作用するので，外層パ
ターン５６の幅はエッチング前後で１２μｍほども減少
してしまうのである。このようにエッチング量が多いた
め，エッチングそのもののばらつきもその分大きく，こ
れが図１１の状態でのパターン精度を悪化させている。
このため，外層パターンとしてあまりファインなパター
ンを用いることができないのである。
た従来のパターン形成方法には，外層パターンのパター
ン精度や歩留まりがよくないという問題点があった。そ
の原因は，以下の点にあると考えられる。すなわち，図
１０の状態から図１１の状態に至るときにエッチングす
る銅箔５１および無電解めっき層５４の厚さが，ばらつ
きを含めれた最大値では６μｍ程度もあることである。
このためのエッチングは外層パターン５６に対しても作
用する。特に横方向には両側から作用するので，外層パ
ターン５６の幅はエッチング前後で１２μｍほども減少
してしまうのである。このようにエッチング量が多いた
め，エッチングそのもののばらつきもその分大きく，こ
れが図１１の状態でのパターン精度を悪化させている。
このため，外層パターンとしてあまりファインなパター
ンを用いることができないのである。
【０００５】また，図１１の状態でのライン幅Ｌおよび
スペーシング幅Ｓをともに３０μｍとすれば，図９の状
態でのめっきレジスト５５の間隔Ｌを４２μｍとし，幅
Ｓを１８μｍとしなければならない。このようにめっき
レジスト５５の幅Ｓが小さいことにより，図１１の状態
でパターン間のショートが生じることがある。なぜな
ら，めっきレジスト５５の密着性が不十分だと，電気め
っき時にその下にめっきもぐりが生じる場合があるから
である。このようなことがあると，その箇所では，図１
０におけるパターン間部分の厚さがもっと厚くなる。そ
の箇所はエッチング後も残銅となる可能性が強い。そし
て，めっきレジスト５５の幅Ｓが小さいと，残銅がパタ
ーンからパターンまでつながってショートとなり，歩留
まりを下げるのである。エッチングの程度を増せば残銅
は解消できるように思えるが，エッチング量が多いこと
は前述のようにそれ自体が問題である。
スペーシング幅Ｓをともに３０μｍとすれば，図９の状
態でのめっきレジスト５５の間隔Ｌを４２μｍとし，幅
Ｓを１８μｍとしなければならない。このようにめっき
レジスト５５の幅Ｓが小さいことにより，図１１の状態
でパターン間のショートが生じることがある。なぜな
ら，めっきレジスト５５の密着性が不十分だと，電気め
っき時にその下にめっきもぐりが生じる場合があるから
である。このようなことがあると，その箇所では，図１
０におけるパターン間部分の厚さがもっと厚くなる。そ
の箇所はエッチング後も残銅となる可能性が強い。そし
て，めっきレジスト５５の幅Ｓが小さいと，残銅がパタ
ーンからパターンまでつながってショートとなり，歩留
まりを下げるのである。エッチングの程度を増せば残銅
は解消できるように思えるが，エッチング量が多いこと
は前述のようにそれ自体が問題である。
【０００６】本発明は，前記した従来のパターン形成方
法が有する問題点を解決するためになされたものであ
る。すなわちその課題とするところは，外層のパターン
精度がよく，歩留まりもよいパターン形成方法を提供す
ることにある。
法が有する問題点を解決するためになされたものであ
る。すなわちその課題とするところは，外層のパターン
精度がよく，歩留まりもよいパターン形成方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題の解決を目的と
してなされた本発明のパターン形成方法は，内層パター
ンを有する基板表面上に，層間絶縁層と，保護層付き極
薄導体箔とを，保護層が最も外側になるように積層し，
保護層が付いたままレーザ穴開けして穴の底に内層パタ
ーンを露出させ，保護層を除去して極薄導体箔を露出さ
せ，極薄導体箔上に外層パターンをアディティブに形成
し，外層パターンの線間部分の極薄導体箔をエッチング
して除去することによる極薄導体箔を用いたパターン形
成方法である。
してなされた本発明のパターン形成方法は，内層パター
ンを有する基板表面上に，層間絶縁層と，保護層付き極
薄導体箔とを，保護層が最も外側になるように積層し，
保護層が付いたままレーザ穴開けして穴の底に内層パタ
ーンを露出させ，保護層を除去して極薄導体箔を露出さ
せ，極薄導体箔上に外層パターンをアディティブに形成
し，外層パターンの線間部分の極薄導体箔をエッチング
して除去することによる極薄導体箔を用いたパターン形
成方法である。
【０００８】この方法では，基板表面の内層パターン上
に，層間絶縁層と，保護層付き極薄導体（主として銅）
箔とが積層される。この極薄導体箔は外層パターンの一
部となるものである。このとき，極薄導体箔の上に保護
層が付いている。この保護層は，極薄導体箔を保護する
ために付けられているものである。そして，保護層が付
いたままの状態で，レーザ加工により穴が形成される。
これにより穴の底に内層パターンが露出する。その後，
保護層が除去される。そして外層パターンがアディティ
ブに形成される。ここで「アディティブに」とは，全面
に導体層を形成しまたは積層してこれをパターンエッチ
ングするのではなく，パターン部分にのみ導体層が形成
される手法によることを意味する。そして，外層パター
ンの線間部分の極薄導体箔がエッチングにより除去され
る。
に，層間絶縁層と，保護層付き極薄導体（主として銅）
箔とが積層される。この極薄導体箔は外層パターンの一
部となるものである。このとき，極薄導体箔の上に保護
層が付いている。この保護層は，極薄導体箔を保護する
ために付けられているものである。そして，保護層が付
いたままの状態で，レーザ加工により穴が形成される。
これにより穴の底に内層パターンが露出する。その後，
保護層が除去される。そして外層パターンがアディティ
ブに形成される。ここで「アディティブに」とは，全面
に導体層を形成しまたは積層してこれをパターンエッチ
ングするのではなく，パターン部分にのみ導体層が形成
される手法によることを意味する。そして，外層パター
ンの線間部分の極薄導体箔がエッチングにより除去され
る。
【０００９】この方法では，外層パターンの線間部分を
エッチングするときのエッチングの程度は，少なくて済
む。極薄導体箔は薄いだけでなく厚さの均一性にも優れ
るので，ばらつきを考慮した最大厚でもさほど厚くない
からである。このため，このエッチングによる外層パタ
ーンのダメージが少なく，パターン精度が高い。また，
外層パターンのアディティブ形成の際，線間部分の幅を
必要以上に小さくしなくても済む。このため，めっきも
ぐり等が仮に生じてもそれによりパターン間のショート
に至るおそれは小さい。
エッチングするときのエッチングの程度は，少なくて済
む。極薄導体箔は薄いだけでなく厚さの均一性にも優れ
るので，ばらつきを考慮した最大厚でもさほど厚くない
からである。このため，このエッチングによる外層パタ
ーンのダメージが少なく，パターン精度が高い。また，
外層パターンのアディティブ形成の際，線間部分の幅を
必要以上に小さくしなくても済む。このため，めっきも
ぐり等が仮に生じてもそれによりパターン間のショート
に至るおそれは小さい。
【００１０】ここで一般的には，レーザ穴開けの後，穴
の底のクリーニングが行われる。穴の底には層間絶縁層
の残渣が残っており，これを除去するためである。つま
り前述の「露出」は，層間絶縁層の残渣が残った不完全
なものでもよいのである。このクリーニングは，保護層
を除去する前に行うことが望ましい。クリーニングの際
に，極薄導体箔がダメージを受けて厚さのばらつきが生
じるのを防ぐためである。
の底のクリーニングが行われる。穴の底には層間絶縁層
の残渣が残っており，これを除去するためである。つま
り前述の「露出」は，層間絶縁層の残渣が残った不完全
なものでもよいのである。このクリーニングは，保護層
を除去する前に行うことが望ましい。クリーニングの際
に，極薄導体箔がダメージを受けて厚さのばらつきが生
じるのを防ぐためである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下，本発明を具体化した実施の
形態について，添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず，出発状態を説明する。本実施の形態では，図１の
状態を出発状態とする。この状態は，絶縁層４９上に公
知の手法により内層パターン５０を形成した状態であ
る。
形態について，添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず，出発状態を説明する。本実施の形態では，図１の
状態を出発状態とする。この状態は，絶縁層４９上に公
知の手法により内層パターン５０を形成した状態であ
る。
【００１２】この状態に対し，図２に示すように，層間
絶縁層１１とカバーフィルム付き極薄銅箔１２とを積層
する。層間絶縁層１１の形成は，ドライフィルム（感光
性のないものでよい）のラミネートや，液状樹脂を塗布
して固化する方法など公知の手法を用いればよい。カバ
ーフィルム付き極薄銅箔１２は，厚さ３μｍの銅箔１３
に，カバーフィルム１４としてＰＥＴフィルムを接着し
たものである。図２の状態では，カバーフィルム１４が
最上に位置しており，銅箔１３はカバーフィルム１４と
層間絶縁層１１との間に位置している。銅箔１３は，外
層パターン形成の下地となるものである。
絶縁層１１とカバーフィルム付き極薄銅箔１２とを積層
する。層間絶縁層１１の形成は，ドライフィルム（感光
性のないものでよい）のラミネートや，液状樹脂を塗布
して固化する方法など公知の手法を用いればよい。カバ
ーフィルム付き極薄銅箔１２は，厚さ３μｍの銅箔１３
に，カバーフィルム１４としてＰＥＴフィルムを接着し
たものである。図２の状態では，カバーフィルム１４が
最上に位置しており，銅箔１３はカバーフィルム１４と
層間絶縁層１１との間に位置している。銅箔１３は，外
層パターン形成の下地となるものである。
【００１３】層間絶縁層１１およびカバーフィルム付き
極薄銅箔１２の積層は，まず層間絶縁層１１を積層し次
いでカバーフィルム付き極薄銅箔１２をラミネートして
もよいし，両者を一度にラミネートしてもよい。また，
カバーフィルム付き極薄銅箔１２は，ＰＥＴフィルム以
外に銅箔やアルミ箔，レーザシート等をカバーフィルム
１４としたものも提供されているのでそれらのいずれで
もよい。
極薄銅箔１２の積層は，まず層間絶縁層１１を積層し次
いでカバーフィルム付き極薄銅箔１２をラミネートして
もよいし，両者を一度にラミネートしてもよい。また，
カバーフィルム付き極薄銅箔１２は，ＰＥＴフィルム以
外に銅箔やアルミ箔，レーザシート等をカバーフィルム
１４としたものも提供されているのでそれらのいずれで
もよい。
【００１４】次に，ビアホールを形成する。このため，
内層パターン５０が存在する位置に対し上方から，レー
ザビームを照射して穴開け加工する。このときのレーザ
ビームは，ＵＶ−ＹＡＧレーザが好ましく（ＣＯ2 レー
ザでも可能ではある），銅箔１３を直に加工できるビー
ムパワーを要する。これにより，図３に示すように，カ
バーフィルム１４，銅箔１３，層間絶縁層１１が加工さ
れてビアホール１５が形成され，その底に内層パターン
５０が露出する。図３から明らかなように，ビアホール
１５の形成のためのレーザ加工は，カバーフィルム１４
が付いたままの状態で行われる。よって，穴開けされず
に残っている部分の銅箔１３は，レーザ加工により何ら
ダメージを受けていない。
内層パターン５０が存在する位置に対し上方から，レー
ザビームを照射して穴開け加工する。このときのレーザ
ビームは，ＵＶ−ＹＡＧレーザが好ましく（ＣＯ2 レー
ザでも可能ではある），銅箔１３を直に加工できるビー
ムパワーを要する。これにより，図３に示すように，カ
バーフィルム１４，銅箔１３，層間絶縁層１１が加工さ
れてビアホール１５が形成され，その底に内層パターン
５０が露出する。図３から明らかなように，ビアホール
１５の形成のためのレーザ加工は，カバーフィルム１４
が付いたままの状態で行われる。よって，穴開けされず
に残っている部分の銅箔１３は，レーザ加工により何ら
ダメージを受けていない。
【００１５】図３の状態でのビアホール１５の底の内層
パターン５０上には，層間絶縁層１１の残渣１６が残っ
ている。レーザビームのパワーが銅箔１３を直に加工で
きるほど強力なので，内層パターン５０が露出し始めた
と思われるところで見込みで加工を停止しなければなら
ないからである。さもないと内層パターン５０も加工さ
れてしまうからである。そこで，ビアホール１５のクリ
ーニングを行い，残渣１６を除去する。クリーニング
は，プラズマ処理もしくはソフトエッチングにより行
う。クリーニング後の状態を図４に示す。図４の状態で
は，ビアホール１５の底の残渣１６が消滅している。図
４から明らかなように，クリーニングもまた，カバーフ
ィルム１４が付いたままの状態で行われる。よって，銅
箔１３は，クリーニングにより何らダメージを受けてい
ない。
パターン５０上には，層間絶縁層１１の残渣１６が残っ
ている。レーザビームのパワーが銅箔１３を直に加工で
きるほど強力なので，内層パターン５０が露出し始めた
と思われるところで見込みで加工を停止しなければなら
ないからである。さもないと内層パターン５０も加工さ
れてしまうからである。そこで，ビアホール１５のクリ
ーニングを行い，残渣１６を除去する。クリーニング
は，プラズマ処理もしくはソフトエッチングにより行
う。クリーニング後の状態を図４に示す。図４の状態で
は，ビアホール１５の底の残渣１６が消滅している。図
４から明らかなように，クリーニングもまた，カバーフ
ィルム１４が付いたままの状態で行われる。よって，銅
箔１３は，クリーニングにより何らダメージを受けてい
ない。
【００１６】クリーニングが済んでから，カバーフィル
ム１４を剥がす。その後，全面に無電解銅めっきを施
す。無電解銅めっきの厚さは１μｍ程度でよい。そし
て，めっきレジストを形成する。この状態を図５に示
す。めっきレジスト１８は，形成する外層パターンのネ
ガパターンをなしている。その後，電気めっきにより，
めっきレジスト１８のない部分に銅めっき層を形成す
る。そしてめっきレジスト１８を除去する。これによ
り，図６の状態を得る。図６の状態では，銅箔１３およ
び無電解めっき層１７により，パターン間がつながって
いる。そこで，パターン間の銅箔１３および無電解めっ
き層１７が消える程度に軽くエッチングする。これによ
り，図７の状態とする。これで，パターン間が分離さ
れ，主として電気めっき層１９による外層パターンが形
成されたことになる。
ム１４を剥がす。その後，全面に無電解銅めっきを施
す。無電解銅めっきの厚さは１μｍ程度でよい。そし
て，めっきレジストを形成する。この状態を図５に示
す。めっきレジスト１８は，形成する外層パターンのネ
ガパターンをなしている。その後，電気めっきにより，
めっきレジスト１８のない部分に銅めっき層を形成す
る。そしてめっきレジスト１８を除去する。これによ
り，図６の状態を得る。図６の状態では，銅箔１３およ
び無電解めっき層１７により，パターン間がつながって
いる。そこで，パターン間の銅箔１３および無電解めっ
き層１７が消える程度に軽くエッチングする。これによ
り，図７の状態とする。これで，パターン間が分離さ
れ，主として電気めっき層１９による外層パターンが形
成されたことになる。
【００１７】本形態では，外層パターン１９形成の下地
として，前述のようにカバーフィルム付き極薄銅箔１２
を用いている。カバーフィルム付き極薄銅箔１２の主層
である銅箔１３は，単に厚さが３μｍしかなく極薄であ
るというだけでなく，厚さの均一性に優れている。すな
わち銅箔１３の厚さのばらつきは，±０．５μｍ程度し
かない。このため，図６の状態でパターン間をつないで
いる銅箔１３および無電解めっき層１７の厚さは，ばら
つきを考慮した最大厚でも４．５μｍ程度である。この
ため，図６の状態から図７の状態へのエッチングの際の
エッチング量が，従来技術で説明したものの場合より少
なくて済む。このことにより，外層パターン１９の幅の
エッチング前後での減少量は９μｍほどに止まる。ま
た，エッチングのばらつきもその分少ない。よって，図
７の状態でのパターン精度がよい。このため，外層パタ
ーンとしてファインなパターンでも用いることができ
る。
として，前述のようにカバーフィルム付き極薄銅箔１２
を用いている。カバーフィルム付き極薄銅箔１２の主層
である銅箔１３は，単に厚さが３μｍしかなく極薄であ
るというだけでなく，厚さの均一性に優れている。すな
わち銅箔１３の厚さのばらつきは，±０．５μｍ程度し
かない。このため，図６の状態でパターン間をつないで
いる銅箔１３および無電解めっき層１７の厚さは，ばら
つきを考慮した最大厚でも４．５μｍ程度である。この
ため，図６の状態から図７の状態へのエッチングの際の
エッチング量が，従来技術で説明したものの場合より少
なくて済む。このことにより，外層パターン１９の幅の
エッチング前後での減少量は９μｍほどに止まる。ま
た，エッチングのばらつきもその分少ない。よって，図
７の状態でのパターン精度がよい。このため，外層パタ
ーンとしてファインなパターンでも用いることができ
る。
【００１８】また，図７の状態でのライン幅Ｌおよびス
ペーシング幅Ｓをともに３０μｍとすれば，図５の状態
でのめっきレジスト１８の間隔Ｌを３９μｍとし，幅Ｓ
を２１μｍとすればよい。このようにめっきレジスト１
８の幅Ｓを従来技術で説明したものの場合ほど極端には
小さくしなくて済む。このため，仮に電気めっき時にめ
っきレジスト１８の下にめっきもぐりが生じたとして
も，それによりパターン間のショートとなる可能性はさ
ほど大きくない。このため歩留まりがよい。
ペーシング幅Ｓをともに３０μｍとすれば，図５の状態
でのめっきレジスト１８の間隔Ｌを３９μｍとし，幅Ｓ
を２１μｍとすればよい。このようにめっきレジスト１
８の幅Ｓを従来技術で説明したものの場合ほど極端には
小さくしなくて済む。このため，仮に電気めっき時にめ
っきレジスト１８の下にめっきもぐりが生じたとして
も，それによりパターン間のショートとなる可能性はさ
ほど大きくない。このため歩留まりがよい。
【００１９】以上詳細に説明したように本実施の形態で
は，外層パターン１９形成の下地として，前述のように
カバーフィルム付き極薄銅箔１２を用いるとともに，そ
のカバーフィルム１４が付いたままの状態で，レーザ穴
開けおよびクリーニングを行うこととしている。このた
め，銅箔１３の厚さの均一性が維持されたまま，外層パ
ターン１９の形成が行われる。したがって，外層パター
ン１９の分離のためのエッチング量が少なくて済む。か
くして，極薄銅箔を用いることにより，外層パターンの
パターン精度および歩留まりを向上させたパターン形成
方法が実現されている。
は，外層パターン１９形成の下地として，前述のように
カバーフィルム付き極薄銅箔１２を用いるとともに，そ
のカバーフィルム１４が付いたままの状態で，レーザ穴
開けおよびクリーニングを行うこととしている。このた
め，銅箔１３の厚さの均一性が維持されたまま，外層パ
ターン１９の形成が行われる。したがって，外層パター
ン１９の分離のためのエッチング量が少なくて済む。か
くして，極薄銅箔を用いることにより，外層パターンの
パターン精度および歩留まりを向上させたパターン形成
方法が実現されている。
【００２０】なお，本実施の形態は単なる例示にすぎ
ず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良，変形が可能である。例えば，カバーフィルム付き極
薄銅箔１２として，銅箔１３の厚さが３μｍであるもの
を用いたが，公称厚４μｍ以下のものであればよい。ま
た，銅以外の導体を用いたものであっても，上記の用途
に使用可能なものであればよい。さらに，外層パターン
１９の上にさらに上層パターンを積み上げてもよい。
ず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良，変形が可能である。例えば，カバーフィルム付き極
薄銅箔１２として，銅箔１３の厚さが３μｍであるもの
を用いたが，公称厚４μｍ以下のものであればよい。ま
た，銅以外の導体を用いたものであっても，上記の用途
に使用可能なものであればよい。さらに，外層パターン
１９の上にさらに上層パターンを積み上げてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば，極薄導体箔を用いることにより，外層のパター
ン精度がよく，歩留まりもよいパターン形成方法が提供
されている。
よれば，極薄導体箔を用いることにより，外層のパター
ン精度がよく，歩留まりもよいパターン形成方法が提供
されている。
【図１】外層パターン形成のための出発状態を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１の状態に対し，絶縁層およびカバーフィル
ム付き極薄銅箔を積層した状態を示す断面図である。
ム付き極薄銅箔を積層した状態を示す断面図である。
【図３】図２の状態に対し，レーザ穴開けを行った状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】図３の状態に対し，ビア底のクリーニングを行
った状態を示す断面図である。
った状態を示す断面図である。
【図５】図４の状態に対し，無電解めっきおよびめっき
レジストの形成を行った状態を示す断面図である。
レジストの形成を行った状態を示す断面図である。
【図６】図５の状態に対し，電気めっきおよびめっきレ
ジストの除去を行った状態を示す断面図である。
ジストの除去を行った状態を示す断面図である。
【図７】図６の状態に対し，エッチングによりパターン
間を分離させた状態を示す断面図である。
間を分離させた状態を示す断面図である。
【図８】従来技術において，レーザ穴開けを行った状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】図８の状態に対し，ビア底のクリーニングおよ
び無電解めっきおよびめっきレジストの形成を行った状
態を示す断面図である。
び無電解めっきおよびめっきレジストの形成を行った状
態を示す断面図である。
【図１０】図９の状態に対し，電気めっきおよびめっき
レジストの除去を行った状態を示す断面図である。
レジストの除去を行った状態を示す断面図である。
【図１１】図１０の状態に対し，エッチングによりパタ
ーン間を分離させた状態を示す断面図である。
ーン間を分離させた状態を示す断面図である。
１１ 層間絶縁層 １２ カバーフィルム付き極薄銅箔 １３ 銅箔 １４ カバーフィルム ５０ 内層パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 内層パターンを有する基板表面上に，層
間絶縁層と，保護層付き極薄導体箔とを，前記保護層が
最も外側になるように積層し，前記保護層が付いたまま
レーザ穴開けして穴の底に前記内層パターンを露出さ
せ，前記保護層を除去して前記極薄導体箔を露出させ，
前記極薄導体箔上に外層パターンをアディティブに形成
し，前記外層パターンの線間部分の前記極薄導体箔をエ
ッチングして除去することを特徴とする極薄導体箔を用
いたパターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載する極薄導体箔を用いた
パターン形成方法において，前記レーザ穴開けの後，前
記保護層を除去する前に，穴の底のクリーニングを行う
ことを特徴とする極薄導体箔を用いたパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194350A JP2002016356A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 極薄導体箔を用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194350A JP2002016356A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 極薄導体箔を用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016356A true JP2002016356A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18693195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000194350A Pending JP2002016356A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 極薄導体箔を用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002016356A (ja) |
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- 2000-06-28 JP JP2000194350A patent/JP2002016356A/ja active Pending
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