JPH11277272A - レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 - Google Patents
レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法Info
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- JPH11277272A JPH11277272A JP10083393A JP8339398A JPH11277272A JP H11277272 A JPH11277272 A JP H11277272A JP 10083393 A JP10083393 A JP 10083393A JP 8339398 A JP8339398 A JP 8339398A JP H11277272 A JPH11277272 A JP H11277272A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スミアを残すことなく、プリント基板に穴を
形成することが可能な、レーザドリル装置及びレーザ穴
あけ加工方法を提供する。 【解決手段】 ＹＡＧレーザ１１からのレーザ光は、第
１のアッテネータ１２及び第１の均一光学系１３を介し
てダイクロックミラー１７に入射する。ＹＡＧレーザと
同時あるいは少し遅れて発振したＹＡＧ４ωレーザ１４
からのレーザ光は、第２のアッテネータ１５及び第１の
均一光学系１６を介してダイクロックミラーに入射す
る。ダイクロックミラーは入射した２つのレーザ光の光
軸を一致させてマスク１８へ出射する。マスクを通過し
たレーザ光は、スキャンミラー２０及びｆ−θレンズ２
１を介してプリント基板２３に照射される。ＹＡＧレー
ザからのレーザ光は絶縁層を蒸発させ、ＹＡＧ４ωレー
ザからのレーザ光はスミアを蒸発させる。
形成することが可能な、レーザドリル装置及びレーザ穴
あけ加工方法を提供する。 【解決手段】 ＹＡＧレーザ１１からのレーザ光は、第
１のアッテネータ１２及び第１の均一光学系１３を介し
てダイクロックミラー１７に入射する。ＹＡＧレーザと
同時あるいは少し遅れて発振したＹＡＧ４ωレーザ１４
からのレーザ光は、第２のアッテネータ１５及び第１の
均一光学系１６を介してダイクロックミラーに入射す
る。ダイクロックミラーは入射した２つのレーザ光の光
軸を一致させてマスク１８へ出射する。マスクを通過し
たレーザ光は、スキャンミラー２０及びｆ−θレンズ２
１を介してプリント基板２３に照射される。ＹＡＧレー
ザからのレーザ光は絶縁層を蒸発させ、ＹＡＧ４ωレー
ザからのレーザ光はスミアを蒸発させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザドリル装置
に関し、特にスミヤの除去を可能にしたレーザドリル装
置に関する。
に関し、特にスミヤの除去を可能にしたレーザドリル装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度多層プリント基板の製造において
は、積層された配線パターンの層間接続を行うため、配
線パターン間に配された絶縁樹脂に、インナーバイアや
ブラインドバイアといった穴（ビアホール）を形成する
必要がある。
は、積層された配線パターンの層間接続を行うため、配
線パターン間に配された絶縁樹脂に、インナーバイアや
ブラインドバイアといった穴（ビアホール）を形成する
必要がある。
【０００３】ビアホールの形成は、以前は機械式ドリル
や露光方式（ホトリソグラフィ技術）によって行われて
いたが、最近では、さらなる高密度化の要求に答えるた
め、より小径のビアホール形成が可能な、レーザ光を用
いる技術が利用されるようになって来ている。
や露光方式（ホトリソグラフィ技術）によって行われて
いたが、最近では、さらなる高密度化の要求に答えるた
め、より小径のビアホール形成が可能な、レーザ光を用
いる技術が利用されるようになって来ている。
【０００４】従来のレーザドリル装置は、パルス発振型
のレーザ発振器と、レーザ発振器からのレーザ光を被加
工物に照射するための光学系と、被加工物を保持固定す
る加工台とを有している。
のレーザ発振器と、レーザ発振器からのレーザ光を被加
工物に照射するための光学系と、被加工物を保持固定す
る加工台とを有している。
【０００５】レーザ発振器からのレーザ光は、光学系を
介して加工台上の被加工物（多層プリント基板）に照射
され、被加工物の一部を蒸発させる（レーザアブレーシ
ョン）。被加工物にパルス状のレーザ光を数回照射する
ことにより、被加工物には、所定深さの穴が形成され
る。通常、穴の形成は、絶縁樹脂に埋め込まれた銅ラン
ドの一部を露出させて終了する。
介して加工台上の被加工物（多層プリント基板）に照射
され、被加工物の一部を蒸発させる（レーザアブレーシ
ョン）。被加工物にパルス状のレーザ光を数回照射する
ことにより、被加工物には、所定深さの穴が形成され
る。通常、穴の形成は、絶縁樹脂に埋め込まれた銅ラン
ドの一部を露出させて終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザドリル装
置を用いた穴あけでは、形成した穴の底部に、煤などの
残留物（スミアと呼ばれる）が付着してしまうという問
題点が有る。このため、従来は、レーザ穴あけ加工を終
えた後、水で洗い流したり、エアで吹き飛ばしたり、デ
スミヤ（スミアを除去すること）専用の処理液に浸した
りしてスミアの除去を行なっているが、形成する穴の径
が小さくなる（例えば１００μｍ以下）に従い、これら
の方法では、スミアの除去が困難になってきている。
置を用いた穴あけでは、形成した穴の底部に、煤などの
残留物（スミアと呼ばれる）が付着してしまうという問
題点が有る。このため、従来は、レーザ穴あけ加工を終
えた後、水で洗い流したり、エアで吹き飛ばしたり、デ
スミヤ（スミアを除去すること）専用の処理液に浸した
りしてスミアの除去を行なっているが、形成する穴の径
が小さくなる（例えば１００μｍ以下）に従い、これら
の方法では、スミアの除去が困難になってきている。
【０００７】本発明は、スミアを残すことなく、プリン
ト基板にビアホール等の穴を形成することが可能な、レ
ーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法を提供するこ
とを目的とする。
ト基板にビアホール等の穴を形成することが可能な、レ
ーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁層
と金属膜とが積層されたプリント基板にレーザ光を照射
して前記絶縁層に穴を形成するレーザドリル装置におい
て、前記絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光を発生する
第１のレーザ発振器と、前記第１のレーザ光の光強度を
調節する第１のアッテネータと、該第１のアッテネータ
から出射する前記第１のレーザ光のエネルギー密度分布
を均一にする第１の均一光学系と、前記第１のレーザ光
よりも高い周波数を有し、前記第１のレーザ光を前記絶
縁層に照射することにより発生するスミアを蒸発させる
第２のレーザ光を発生する第２のレーザ発振器と、前記
第２のレーザ光の光強度を調節する第２のアッテネータ
と、該第２のアッテネータから出射する前記第２のレー
ザ光のエネルギー密度分布を均一にする第２の均一光学
系と、前記第１の均一光学系及び前記第２の均一光学系
からそれぞれ出射する前記第１のレーザ光と前記第２の
レーザ光とを光軸を一致させるビーム合成光学系と、該
ビーム合成光学系から出射するレーザ光の一部を通過さ
せるマスクと、該マスクを通過したレーザ光を走査させ
るガルバノスキャナーと、該ガルバノスキャナーにより
走査されるレーザ光を被加工物に入射させるための、前
記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光に対して色消
し処理が成されたｆ-θレンズとを有し、前記第１のレ
ーザ光と前記第２のレーザ光とを被加工物に同時に照射
するようにしたことを特徴とするレーザドリル装置が得
られる。
と金属膜とが積層されたプリント基板にレーザ光を照射
して前記絶縁層に穴を形成するレーザドリル装置におい
て、前記絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光を発生する
第１のレーザ発振器と、前記第１のレーザ光の光強度を
調節する第１のアッテネータと、該第１のアッテネータ
から出射する前記第１のレーザ光のエネルギー密度分布
を均一にする第１の均一光学系と、前記第１のレーザ光
よりも高い周波数を有し、前記第１のレーザ光を前記絶
縁層に照射することにより発生するスミアを蒸発させる
第２のレーザ光を発生する第２のレーザ発振器と、前記
第２のレーザ光の光強度を調節する第２のアッテネータ
と、該第２のアッテネータから出射する前記第２のレー
ザ光のエネルギー密度分布を均一にする第２の均一光学
系と、前記第１の均一光学系及び前記第２の均一光学系
からそれぞれ出射する前記第１のレーザ光と前記第２の
レーザ光とを光軸を一致させるビーム合成光学系と、該
ビーム合成光学系から出射するレーザ光の一部を通過さ
せるマスクと、該マスクを通過したレーザ光を走査させ
るガルバノスキャナーと、該ガルバノスキャナーにより
走査されるレーザ光を被加工物に入射させるための、前
記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光に対して色消
し処理が成されたｆ-θレンズとを有し、前記第１のレ
ーザ光と前記第２のレーザ光とを被加工物に同時に照射
するようにしたことを特徴とするレーザドリル装置が得
られる。
【０００９】また、本発明によれば、絶縁層と金属膜と
が積層されたプリント基板にレーザ光を照射して前記絶
縁層に穴を形成するレーザ穴あけ加工方法において、前
記絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光と、該第１のレー
ザ光よりも高い周波数を有し、前記第１のレーザ光を前
記絶縁層に照射した場合に発生するスミアを蒸発させる
第２のレーザ光とを同時に照射して穴あけ加工を行うこ
とを特徴とするレーザ穴あけ加工方法が得られる。
が積層されたプリント基板にレーザ光を照射して前記絶
縁層に穴を形成するレーザ穴あけ加工方法において、前
記絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光と、該第１のレー
ザ光よりも高い周波数を有し、前記第１のレーザ光を前
記絶縁層に照射した場合に発生するスミアを蒸発させる
第２のレーザ光とを同時に照射して穴あけ加工を行うこ
とを特徴とするレーザ穴あけ加工方法が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１１】図１に本発明の一実施の形態によるレーザ
ドリル装置を示す。図１に示すように、このレーザドリ
ル装置は、ＹＡＧレーザ１１、第１のアッテネータ１
２、第１の均一光学系１３、ＹＡＧ４ωレーザ（第４高
調波レーザ）１４、第２のアッテネータ１５、第２の均
一光学系１６、ダイクロックミラー１７、マスク１８、
ターンミラー１９、ガルバノスキャナー２０、ｆ−θレ
ンズ２１、及びＸ−Ｙステージ２２を有している。
ドリル装置を示す。図１に示すように、このレーザドリ
ル装置は、ＹＡＧレーザ１１、第１のアッテネータ１
２、第１の均一光学系１３、ＹＡＧ４ωレーザ（第４高
調波レーザ）１４、第２のアッテネータ１５、第２の均
一光学系１６、ダイクロックミラー１７、マスク１８、
ターンミラー１９、ガルバノスキャナー２０、ｆ−θレ
ンズ２１、及びＸ−Ｙステージ２２を有している。
【００１２】ＹＡＧレーザ１１は、絶縁層と金属膜とが
積層されたプリント基板の絶縁層を蒸発（アブレーショ
ン）させるレーザ光（赤外線）を発生させる。
積層されたプリント基板の絶縁層を蒸発（アブレーショ
ン）させるレーザ光（赤外線）を発生させる。
【００１３】ＹＡＧ４ωレーザ１４は、ＹＡＧレーザ１
１が発生するレーザ光の第４高調波をレーザ光として発
生する。このＹＡＧ４ωレーザ１４は、ＹＡＧレーザ１
１と同時に、あるいは少し遅れて発振するように駆動さ
れる。
１が発生するレーザ光の第４高調波をレーザ光として発
生する。このＹＡＧ４ωレーザ１４は、ＹＡＧレーザ１
１と同時に、あるいは少し遅れて発振するように駆動さ
れる。
【００１４】第１及び第２のアッテネータ１２，１５
は、それぞれ、ＹＡＧレーザ１１及びＹＡＧ４ωレーザ
１４からのレーザ光のエネルギー密度を調整する。
は、それぞれ、ＹＡＧレーザ１１及びＹＡＧ４ωレーザ
１４からのレーザ光のエネルギー密度を調整する。
【００１５】第１及び第２の均一光学系１３，１６は、
それぞれ、第１及び第２のアッテネータからのレーザ光
のエネルギー強度を均一にする。
それぞれ、第１及び第２のアッテネータからのレーザ光
のエネルギー強度を均一にする。
【００１６】ダイクロックミラー１７は、第１及び第２
の均一光学系１３，１６からのレーザ光の光軸を一致さ
せて出射する。
の均一光学系１３，１６からのレーザ光の光軸を一致さ
せて出射する。
【００１７】マスク１８は、ダイクロックミラー１７か
らのレーザ光の一部を通過させるマスク穴を有し、残り
のレーザ光を阻止する。マスク穴は、プリント基板に形
成される穴の径を規定する。
らのレーザ光の一部を通過させるマスク穴を有し、残り
のレーザ光を阻止する。マスク穴は、プリント基板に形
成される穴の径を規定する。
【００１８】ターンミラー１９は、マスク１８を通過し
たレーザ光をガルバノスキャナー２０へと導く。
たレーザ光をガルバノスキャナー２０へと導く。
【００１９】ガルバノスキャナー２０は、２枚のスキャ
ニングミラーを有し、入射したレーザ光をＸ−Ｙ平面上
で走査する。
ニングミラーを有し、入射したレーザ光をＸ−Ｙ平面上
で走査する。
【００２０】ｆ−θレンズ２１は、ガルバノスキャナー
２０からのレーザ光をＸ−Ｙステージ２２（つまりプリ
ント基板２３）に対して垂直に入射するように、屈折、
収束させる。このレンズは、ＹＡＧレーザ１１からのレ
ーザ光とＹＡＧ４ωレーザ１４からのレーザ光とに対し
て色消し処理が施されており、ＹＡＧレーザ１１からの
レーザ光によるマスクイメージも、ＹＡＧ４ωレーザ１
４からのレーザ光によるマスクイメージも共にプリント
基板２３の表面上にフォーカスを結ぶ。
２０からのレーザ光をＸ−Ｙステージ２２（つまりプリ
ント基板２３）に対して垂直に入射するように、屈折、
収束させる。このレンズは、ＹＡＧレーザ１１からのレ
ーザ光とＹＡＧ４ωレーザ１４からのレーザ光とに対し
て色消し処理が施されており、ＹＡＧレーザ１１からの
レーザ光によるマスクイメージも、ＹＡＧ４ωレーザ１
４からのレーザ光によるマスクイメージも共にプリント
基板２３の表面上にフォーカスを結ぶ。
【００２１】次に、このレーザドリル装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００２２】まず、Ｘ−Ｙステージ２２上に被加工物で
あるプリント基板２３を載置する。これは、手動または
自動にて行われる。
あるプリント基板２３を載置する。これは、手動または
自動にて行われる。
【００２３】次に、基板に形成されたアライメントマー
クを図示しないアライメント装置により検出し、検出結
果を参照しながらＸ−Ｙステージ２２を走査してプリン
ト基板の位置決めを行う。この際、図示しないθステー
ジを操作してプリント基板２３の向きも調整する（Ｘ−
Ｙステージ２２に対してプリント基板２３を回転させ
る）。
クを図示しないアライメント装置により検出し、検出結
果を参照しながらＸ−Ｙステージ２２を走査してプリン
ト基板の位置決めを行う。この際、図示しないθステー
ジを操作してプリント基板２３の向きも調整する（Ｘ−
Ｙステージ２２に対してプリント基板２３を回転させ
る）。
【００２４】次に、ＹＡＧレーザ１１及びＹＡＧ４ωレ
ーザ１４を同時に、あるいはわずかにＹＡＧ４ωレーザ
１４を遅らせて発振させる。ＹＡＧレーザ１１からのレ
ーザ光は、第１のアッテネータ１２でエネルギー密度の
調整が為され、第１の均一光学系１３でエネルギー強度
が均一かされて、ダイクロックミラー１７に到達する。
同様に、ＹＡＧ４ωレーザ１４からのレーザ光は、第２
のアッテネータ１５でエネルギー密度の調整が為され、
第２の均一光学系１６でエネルギー強度が均一化され
て、ダイクロックミラー１７に到達する。
ーザ１４を同時に、あるいはわずかにＹＡＧ４ωレーザ
１４を遅らせて発振させる。ＹＡＧレーザ１１からのレ
ーザ光は、第１のアッテネータ１２でエネルギー密度の
調整が為され、第１の均一光学系１３でエネルギー強度
が均一かされて、ダイクロックミラー１７に到達する。
同様に、ＹＡＧ４ωレーザ１４からのレーザ光は、第２
のアッテネータ１５でエネルギー密度の調整が為され、
第２の均一光学系１６でエネルギー強度が均一化され
て、ダイクロックミラー１７に到達する。
【００２５】ダイクロックミラー１７は、入射する２つ
のレーザ光の光軸を一致させてマスク１８へ出射する。
マスク１８を通過したレーザ光は、ターンミラー１９を
介してガルバノスキャナー２０に入射し、プリント基板
２３の所望位置へ照射すべく、走査が行われる。ガルバ
ノスキャナ２０からのレーザ光は、ｆ−θレンズ２１に
より集光され、プリント基板２３に垂直に照射される。
のレーザ光の光軸を一致させてマスク１８へ出射する。
マスク１８を通過したレーザ光は、ターンミラー１９を
介してガルバノスキャナー２０に入射し、プリント基板
２３の所望位置へ照射すべく、走査が行われる。ガルバ
ノスキャナ２０からのレーザ光は、ｆ−θレンズ２１に
より集光され、プリント基板２３に垂直に照射される。
【００２６】プリント基板２３では、ＹＡＧレーザ１１
からのレーザ光により絶縁層のアブレーションが発生し
穴が形成される。このとき、同時にあるいは少し遅れて
ＹＡＧ４ωレーザからのレーザ光が同一場所に照射さ
れ、ＹＡＧレーザ１１からのレーザ光によるアブレーシ
ョンにより発生するスミアも直ちに蒸発する。その結
果、プリント基板に形成された穴には、スミアが残留し
ない。
からのレーザ光により絶縁層のアブレーションが発生し
穴が形成される。このとき、同時にあるいは少し遅れて
ＹＡＧ４ωレーザからのレーザ光が同一場所に照射さ
れ、ＹＡＧレーザ１１からのレーザ光によるアブレーシ
ョンにより発生するスミアも直ちに蒸発する。その結
果、プリント基板に形成された穴には、スミアが残留し
ない。
【００２７】以上のレーザ発振以降の動作を繰り返し、
ガルバノスキャナー２０で対応できる加工エリア（例え
ば５０mm×５０mm）の加工が終了すると、Ｘ−Ｙステー
ジ２２を走査して次の加工エリアの加工を行う。
ガルバノスキャナー２０で対応できる加工エリア（例え
ば５０mm×５０mm）の加工が終了すると、Ｘ−Ｙステー
ジ２２を走査して次の加工エリアの加工を行う。
【００２８】以上のように、本実施の形態によれば、実
質的に、穴の形成と同時にデスミア処理を行うことがで
きるので、デスミア処理に要する時間を削減することが
できる。
質的に、穴の形成と同時にデスミア処理を行うことがで
きるので、デスミア処理に要する時間を削減することが
できる。
【００２９】また、レーザ光を用いてデスミア処理を行
うので、形成された穴の底にスミアが残るようなことも
ない。
うので、形成された穴の底にスミアが残るようなことも
ない。
【００３０】更に、１台の装置で穴あけ加工とデスミア
処理が行え、デスミア処理のための特別な施設等を必要
としない。
処理が行え、デスミア処理のための特別な施設等を必要
としない。
【００３１】なお、上記実施の形態では、ＹＡＧレーザ
とＹＡＧ４ωレーザとを用いる場合について説明した
が、ＹＡＧレーザに代えて、ＣＯ2ガスレーザやＹＬＦ
レーザを、ＹＡＧ４ωレーザに代えて、ＹＡＧ２ωレー
ザ、ＹＡＧ３ωレーザ、ＹＬＦ２ωレーザ、ＹＬＦ３ω
レーザ、または、ＹＬＦ４ωレーザを用いることもでき
る。
とＹＡＧ４ωレーザとを用いる場合について説明した
が、ＹＡＧレーザに代えて、ＣＯ2ガスレーザやＹＬＦ
レーザを、ＹＡＧ４ωレーザに代えて、ＹＡＧ２ωレー
ザ、ＹＡＧ３ωレーザ、ＹＬＦ２ωレーザ、ＹＬＦ３ω
レーザ、または、ＹＬＦ４ωレーザを用いることもでき
る。
【００３２】また、ＹＡＧレーザとＹＡＧ４ωレーザの
ように、同種のレーザ発振器を用いる場合には、単一の
レーザ発振器からのレーザ光を分岐して一方のレーザ光
を波長変換用結晶を用いて波長変換するようにしてもよ
い。
ように、同種のレーザ発振器を用いる場合には、単一の
レーザ発振器からのレーザ光を分岐して一方のレーザ光
を波長変換用結晶を用いて波長変換するようにしてもよ
い。
【００３３】さらにまた、上記実施の形態では、一般光
学系としてターンミラーしか示されていないが、ミラー
やレンズは、適宜、配されるものであって、追加及び削
除は自由である。ただし、ダイクロックミラー１７より
プリント基板２３側に配されるレンズは、ｆ−θレンズ
と同様、レーザ光に対して色消し処理されている必要が
ある。
学系としてターンミラーしか示されていないが、ミラー
やレンズは、適宜、配されるものであって、追加及び削
除は自由である。ただし、ダイクロックミラー１７より
プリント基板２３側に配されるレンズは、ｆ−θレンズ
と同様、レーザ光に対して色消し処理されている必要が
ある。
【００３４】また、上記実施の形態では、ダイクロック
ミラーをビーム合成光学系として使用したが、これに限
られるものではない。
ミラーをビーム合成光学系として使用したが、これに限
られるものではない。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、プリント基板の絶縁層
を蒸発させる第１のレーザ光と、第１のレーザ光による
アブレーションによって発生するスミアを蒸発させる第
２のレーザ光とを同時にプリント基板に照射して穴あけ
加工を行うようにしたことで、デスミア処理専用の処理
を行うことなく、スミアの残留がない穴あけ加工を行う
ことができる。これにより、加工時間の短縮、加工工程
の簡略化を実現できる。
を蒸発させる第１のレーザ光と、第１のレーザ光による
アブレーションによって発生するスミアを蒸発させる第
２のレーザ光とを同時にプリント基板に照射して穴あけ
加工を行うようにしたことで、デスミア処理専用の処理
を行うことなく、スミアの残留がない穴あけ加工を行う
ことができる。これにより、加工時間の短縮、加工工程
の簡略化を実現できる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す概略図である。
１１ ＹＡＧレーザ １２ 第１のアッテネータ １３ 第１の均一光学系 １４ ＹＡＧ４ωレーザ １５ 第２のアッテネータ １６ 第２の均一光学系 １７ ダイクロックミラー １８ マスク １９ ターンミラー ２０ ガルバノスキャナ ２１ ｆ−θレンズ ２２ Ｘ−Ｙステージ ２３ プリント基板
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁層と金属膜とが積層されたプリント
基板にレーザ光を照射して前記絶縁層に穴を形成するレ
ーザドリル装置において、前記絶縁層を蒸発させる第１
のレーザ光を発生する第１のレーザ発振器と、前記第１
のレーザ光の光強度を調節する第１のアッテネータと、
該第１のアッテネータから出射する前記第１のレーザ光
のエネルギー密度分布を均一にする第１の均一光学系
と、前記第１のレーザ光よりも高い周波数を有し、前記
第１のレーザ光を前記絶縁層に照射することにより発生
するスミアを蒸発させる第２のレーザ光を発生する第２
のレーザ発振器と、前記第２のレーザ光の光強度を調節
する第２のアッテネータと、該第２のアッテネータから
出射する前記第２のレーザ光のエネルギー密度分布を均
一にする第２の均一光学系と、前記第１の均一光学系及
び前記第２の均一光学系からそれぞれ出射する前記第１
のレーザ光と前記第２のレーザ光とを光軸を一致させる
ビーム合成光学系と、該ビーム合成光学系から出射する
レーザ光の一部を通過させるマスクと、該マスクを通過
したレーザ光を走査させるガルバノスキャナーと、該ガ
ルバノスキャナーにより走査されるレーザ光を被加工物
に入射させるための、前記第１のレーザ光及び前記第２
のレーザ光に対して色消し処理が成されたｆ-θレンズ
とを有し、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光と
を被加工物に同時に照射するようにしたことを特徴とす
るレーザドリル装置。 - 【請求項２】 絶縁層と金属膜とが積層されたプリント
基板にレーザ光を照射して前記絶縁層に穴を形成するレ
ーザ穴あけ加工方法において、前記絶縁層を蒸発させる
第１のレーザ光と、該第１のレーザ光よりも高い周波数
を有し、前記第１のレーザ光を前記絶縁層に照射した場
合に発生するスミアを蒸発させる第２のレーザ光とを同
時に照射して穴あけ加工を行うことを特徴とするレーザ
穴あけ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10083393A JPH11277272A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10083393A JPH11277272A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 |
Publications (1)
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1998
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