JP2000197987A - バイアホ―ルクリ―ニング方法 - Google Patents
バイアホ―ルクリ―ニング方法Info
- Publication number
- JP2000197987A JP2000197987A JP11000166A JP16699A JP2000197987A JP 2000197987 A JP2000197987 A JP 2000197987A JP 11000166 A JP11000166 A JP 11000166A JP 16699 A JP16699 A JP 16699A JP 2000197987 A JP2000197987 A JP 2000197987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- via hole
- pulse laser
- resin substrate
- laser
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 湿式後処理のような複雑な工程を必要としな
いバイアホールクリーニング方法を提供すること。 【解決手段】 パルス幅が１００（ｎｓｅｃ）以下のパ
ルスレーザを用い、プリント配線基板１３面でのエネル
ギー密度が１（Ｊ／ｃｍ2 ）以下の条件でプリント配線
基板の全面を照射することにより、バイアホール底面の
加工残物及び該バイアホールの開口周辺部の付着物を除
去する。
いバイアホールクリーニング方法を提供すること。 【解決手段】 パルス幅が１００（ｎｓｅｃ）以下のパ
ルスレーザを用い、プリント配線基板１３面でのエネル
ギー密度が１（Ｊ／ｃｍ2 ）以下の条件でプリント配線
基板の全面を照射することにより、バイアホール底面の
加工残物及び該バイアホールの開口周辺部の付着物を除
去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光のような
手段によりプリント配線基板のような樹脂層に設けられ
たバイアホールに適したクリーニング方法に関する。
手段によりプリント配線基板のような樹脂層に設けられ
たバイアホールに適したクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、高密度実装化に伴
う、プリント配線基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント配線基板を積層した多層プリント配
線基板が登場してきた。このような多層プリント配線基
板では、上下に積層されたプリント配線基板間で導電層
（通常、銅パターン）同士を電気的に接続する必要があ
る。このような接続は、プリント配線基板の絶縁樹脂層
（ポリイミド、エポキシ系樹脂等のポリマー）に、下層
の導電層に達するバイアホールと呼ばれる穴を形成し、
そのバイアホールの内部にメッキを施すことによって実
現される。
う、プリント配線基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント配線基板を積層した多層プリント配
線基板が登場してきた。このような多層プリント配線基
板では、上下に積層されたプリント配線基板間で導電層
（通常、銅パターン）同士を電気的に接続する必要があ
る。このような接続は、プリント配線基板の絶縁樹脂層
（ポリイミド、エポキシ系樹脂等のポリマー）に、下層
の導電層に達するバイアホールと呼ばれる穴を形成し、
そのバイアホールの内部にメッキを施すことによって実
現される。
【０００３】このようなバイアホール加工に、最近では
レーザ光が利用されはじめている。レーザ光を利用した
バイアホール加工装置は、機械的な微細ドリルを用いる
機械加工に比べて加工速度や、バイアホールの径の微細
化に対応できる点で優れている。レーザ光としては、レ
ーザ発振器の価格、ランニングコストが低いという点か
らＣＯ2 レーザやＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム
・ガーネット）レーザが一般に利用されている。
レーザ光が利用されはじめている。レーザ光を利用した
バイアホール加工装置は、機械的な微細ドリルを用いる
機械加工に比べて加工速度や、バイアホールの径の微細
化に対応できる点で優れている。レーザ光としては、レ
ーザ発振器の価格、ランニングコストが低いという点か
らＣＯ2 レーザやＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム
・ガーネット）レーザが一般に利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＯ2 レーザ
やＹＡＧレーザを用いるバイアホール加工方法は、安価
で、高速加工が可能ではあるものの、樹脂層に形成した
バイアホールの底面、即ち、露出させようとする導電層
の表面の一部または全面に薄い（エポキシ樹脂及びポリ
イミドでは厚さ１μｍ程度以下）加工残物が残ってしま
うという問題点がある。この加工残物は、この後さらに
同じレーザ光を照射しても完全に除去することはできな
い。これは、レーザ光をさらに照射して加工残物を蒸発
させようとしても、このとき周囲のポリマーが溶出して
（導体層は銅であることが多く、熱の拡散が速いため）
新たな加工残物を形成してしまうためと思われる。
やＹＡＧレーザを用いるバイアホール加工方法は、安価
で、高速加工が可能ではあるものの、樹脂層に形成した
バイアホールの底面、即ち、露出させようとする導電層
の表面の一部または全面に薄い（エポキシ樹脂及びポリ
イミドでは厚さ１μｍ程度以下）加工残物が残ってしま
うという問題点がある。この加工残物は、この後さらに
同じレーザ光を照射しても完全に除去することはできな
い。これは、レーザ光をさらに照射して加工残物を蒸発
させようとしても、このとき周囲のポリマーが溶出して
（導体層は銅であることが多く、熱の拡散が速いため）
新たな加工残物を形成してしまうためと思われる。
【０００５】従って、これらのバイアホール加工方法で
は、レーザによる加工の後、強酸化剤（例えば、過マン
ガン酸液、重クロム酸カリウム液）等による湿式の後処
理が必要になるという問題点がある。この後処理は、デ
スミアと呼ばれている。
は、レーザによる加工の後、強酸化剤（例えば、過マン
ガン酸液、重クロム酸カリウム液）等による湿式の後処
理が必要になるという問題点がある。この後処理は、デ
スミアと呼ばれている。
【０００６】しかし、この薬品による湿式後処理は、プ
リント配線基板を構成する樹脂層にダメージを与えてし
まう恐れがある。加えて、この湿式後処理方法では、処
理を行う際に、薬品の濃度が、除去した加工残物が混ざ
っていくことにより低下してしまうので、ある一定の濃
度以下になったら薬品を交換しなければならず、コスト
と、廃液の処理問題を引き起こしている。
リント配線基板を構成する樹脂層にダメージを与えてし
まう恐れがある。加えて、この湿式後処理方法では、処
理を行う際に、薬品の濃度が、除去した加工残物が混ざ
っていくことにより低下してしまうので、ある一定の濃
度以下になったら薬品を交換しなければならず、コスト
と、廃液の処理問題を引き起こしている。
【０００７】また、近年、バイアホール径が１００（μ
ｍφ）程度まで小径化しており、薬品がバイアホール内
に十分に浸透せず、加工残物を完全に除去できないとい
う問題を引き起こしている。
ｍφ）程度まで小径化しており、薬品がバイアホール内
に十分に浸透せず、加工残物を完全に除去できないとい
う問題を引き起こしている。
【０００８】そこで、本発明の課題は、湿式後処理のよ
うな複雑な工程を必要としないバイアホールクリーニン
グ方法を提供することにある。
うな複雑な工程を必要としないバイアホールクリーニン
グ方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属膜上の樹
脂層に、複数のバイアホールが形成された樹脂基板にお
ける前記バイアホールのクリーニングを行うバイアホー
ルクリーニング方法であり、パルス幅が１００（ｎｓｅ
ｃ）以下のパルスレーザを用い、前記樹脂基板面でのエ
ネルギー密度が１（Ｊ／ｃｍ2 ）以下の条件で前記樹脂
基板の全面を照射することにより前記バイアホール底面
の加工残物及び該バイアホールの開口周辺部の付着物を
除去することを特徴とする。
脂層に、複数のバイアホールが形成された樹脂基板にお
ける前記バイアホールのクリーニングを行うバイアホー
ルクリーニング方法であり、パルス幅が１００（ｎｓｅ
ｃ）以下のパルスレーザを用い、前記樹脂基板面でのエ
ネルギー密度が１（Ｊ／ｃｍ2 ）以下の条件で前記樹脂
基板の全面を照射することにより前記バイアホール底面
の加工残物及び該バイアホールの開口周辺部の付着物を
除去することを特徴とする。
【００１０】なお、前記樹脂基板の全面に対する前記パ
ルスレーザの照射は、前記樹脂基板を搭載しているテー
ブルを移動させることにより行う。
ルスレーザの照射は、前記樹脂基板を搭載しているテー
ブルを移動させることにより行う。
【００１１】また、前記樹脂基板の全面に対する前記パ
ルスレーザの照射を、該パルスレーザの伝送経路中に配
置されて前記パルスレーザを前記樹脂基板上に照射する
照射手段を前記樹脂基板に平行に移動させることにより
行うようにしても良い。
ルスレーザの照射を、該パルスレーザの伝送経路中に配
置されて前記パルスレーザを前記樹脂基板上に照射する
照射手段を前記樹脂基板に平行に移動させることにより
行うようにしても良い。
【００１２】更に、前記パルスレーザの波長は、１．０
６（μｍ）〜５３１（ｎｍ）の範囲であることが好まし
い。
６（μｍ）〜５３１（ｎｍ）の範囲であることが好まし
い。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。本発明は、特にレーザ加工により形成さ
れたバイアホールに適用するのに適しているが、その他
の方法、例えば機械加工や露光方法により形成されたバ
イアホールにも適用され得る。いずれにしても、デスミ
アをレーザにて行うものであり、以下、これをドライデ
スミアと呼ぶ。
いて説明する。本発明は、特にレーザ加工により形成さ
れたバイアホールに適用するのに適しているが、その他
の方法、例えば機械加工や露光方法により形成されたバ
イアホールにも適用され得る。いずれにしても、デスミ
アをレーザにて行うものであり、以下、これをドライデ
スミアと呼ぶ。
【００１４】図３、図４を参照して、本形態によるドラ
イデスミアの対象となるプリント配線基板について説明
する。図３は、コンフォーマル基板と呼ばれる高密度多
層プリント配線基板を部分的に示しており、表面が全面
銅箔である。すなわち、最上層のプリント配線基板３１
の表面にはＣｕによる導電層３２が形成されている。そ
の下層のプリント配線基板３３の表面にもＣｕによる導
電パターン３４が形成されている。プリント配線基板３
１には、導電パターン３４に至る多数のバイアホール３
５が形成されている。
イデスミアの対象となるプリント配線基板について説明
する。図３は、コンフォーマル基板と呼ばれる高密度多
層プリント配線基板を部分的に示しており、表面が全面
銅箔である。すなわち、最上層のプリント配線基板３１
の表面にはＣｕによる導電層３２が形成されている。そ
の下層のプリント配線基板３３の表面にもＣｕによる導
電パターン３４が形成されている。プリント配線基板３
１には、導電パターン３４に至る多数のバイアホール３
５が形成されている。
【００１５】図４は、表面が絶縁層の場合であり、プリ
ント配線基板４１の下面にＣｕによる導電パターン４２
が形成され、プリント配線基板４１には、導電パターン
４２に至る多数のバイアホール４３が形成されている。
ント配線基板４１の下面にＣｕによる導電パターン４２
が形成され、プリント配線基板４１には、導電パターン
４２に至る多数のバイアホール４３が形成されている。
【００１６】前に述べたように、バイアホール３５ある
いは４３の形成は、ＣＯ2 パルスレーザやエキシマパル
スレーザ等を用いて行われる。そして、このようなバイ
アホール加工においては、その底面に膜状の加工残物が
発生することも前に述べた通りである。
いは４３の形成は、ＣＯ2 パルスレーザやエキシマパル
スレーザ等を用いて行われる。そして、このようなバイ
アホール加工においては、その底面に膜状の加工残物が
発生することも前に述べた通りである。
【００１７】これに対し、本形態では、赤外域の波長
（１．０６４μｍ〜５００ｎｍ）（基本波〜高調波）で
パルス幅が１００（ｎｓｅｃ）以下のパルスレーザを用
い、プリント配線基板表面でのエネルギー密度が１（Ｊ
／ｃｍ2 ）以下となる条件でプリント配線基板全面を照
射することにより、バイアホール底面の加工残物及びバ
イアホールの開口周辺（基板表面）の微細な付着物を除
去できることを確認した。なお、パルス幅の下限値は約
３（ｎｓｅｃ）、エネルギー密度の下限値は約０．０５
（Ｊ／ｃｍ2 ）である。
（１．０６４μｍ〜５００ｎｍ）（基本波〜高調波）で
パルス幅が１００（ｎｓｅｃ）以下のパルスレーザを用
い、プリント配線基板表面でのエネルギー密度が１（Ｊ
／ｃｍ2 ）以下となる条件でプリント配線基板全面を照
射することにより、バイアホール底面の加工残物及びバ
イアホールの開口周辺（基板表面）の微細な付着物を除
去できることを確認した。なお、パルス幅の下限値は約
３（ｎｓｅｃ）、エネルギー密度の下限値は約０．０５
（Ｊ／ｃｍ2 ）である。
【００１８】具体例を言えば、波長１．０６（μｍ）、
パルス幅５（ｎｓｅｃ）（但し、半値幅）、パルスエネ
ルギー７００（ｍＪ）を用い、プリント配線基板表面で
のエネルギー密度が０．５（Ｊ／ｃｍ2 ）となるような
フルエンスで照射を行うことにより１ショットでクリー
ニングできる。このようなパルスレーザの発生源として
のレーザ発振器は、特にその種類に限定は無い。例え
ば、ＹＡＧパルスレーザ又はＹＬＦパルスレーザのよう
な発振媒体を用い、波長変換あるいは抽出により得られ
る第２高調波を用いても、同様のクリーニングができ
る。
パルス幅５（ｎｓｅｃ）（但し、半値幅）、パルスエネ
ルギー７００（ｍＪ）を用い、プリント配線基板表面で
のエネルギー密度が０．５（Ｊ／ｃｍ2 ）となるような
フルエンスで照射を行うことにより１ショットでクリー
ニングできる。このようなパルスレーザの発生源として
のレーザ発振器は、特にその種類に限定は無い。例え
ば、ＹＡＧパルスレーザ又はＹＬＦパルスレーザのよう
な発振媒体を用い、波長変換あるいは抽出により得られ
る第２高調波を用いても、同様のクリーニングができ
る。
【００１９】本形態ではまた、バイアホールが形成され
ているプリント配線基板の全面をレーザ照射するため
に、基板移動方式あるいはビーム移動方式のいずれ
かを採用している。
ているプリント配線基板の全面をレーザ照射するため
に、基板移動方式あるいはビーム移動方式のいずれ
かを採用している。
【００２０】図１を参照して、基板移動方式では、レー
ザ発振器１１からのパルスレーザを反射ミラー１２を経
由してプリント配線基板１３に照射し、そのプリント配
線基板１３表面でのエネルギー密度が１（Ｊ／ｃｍ2 ）
以下になるように調整する。ビーム照射点は固定であ
り、プリント配線基板１３を一定速度で移動させて全面
照射を行う。このために、プリント配線基板１３は、基
板固定プレート１４に固定され、基板固定プレート１４
は周知のＸ−Ｙステージ１５によりＸ−Ｙ平面上を移動
する。
ザ発振器１１からのパルスレーザを反射ミラー１２を経
由してプリント配線基板１３に照射し、そのプリント配
線基板１３表面でのエネルギー密度が１（Ｊ／ｃｍ2 ）
以下になるように調整する。ビーム照射点は固定であ
り、プリント配線基板１３を一定速度で移動させて全面
照射を行う。このために、プリント配線基板１３は、基
板固定プレート１４に固定され、基板固定プレート１４
は周知のＸ−Ｙステージ１５によりＸ−Ｙ平面上を移動
する。
【００２１】図２を参照して、ビーム移動方式では、レ
ーザ発振器２１からのパルスレーザを反射ミラー２２を
経由してプリント配線基板３３に照射し、そのプリント
配線基板３３表面でのエネルギー密度が１（Ｊ／ｃ
ｍ2 ）以下になるように調整する。基板固定プレート２
４は固定であり、反射ミラー２２をＸ−Ｙ方向に一定速
度で移動させることにより、レーザビームでプリント配
線基板３３の全面を照射することができる。
ーザ発振器２１からのパルスレーザを反射ミラー２２を
経由してプリント配線基板３３に照射し、そのプリント
配線基板３３表面でのエネルギー密度が１（Ｊ／ｃ
ｍ2 ）以下になるように調整する。基板固定プレート２
４は固定であり、反射ミラー２２をＸ−Ｙ方向に一定速
度で移動させることにより、レーザビームでプリント配
線基板３３の全面を照射することができる。
【００２２】なお、図１、図２のいずれも、クリーニン
グ加工を行うために必要な最少限の構成要素のみを示し
ており、レーザ光の経路に複数の反射ミラーを配置した
り、ｆθレンズと呼ばれる加工レンズを配置することは
周知である。
グ加工を行うために必要な最少限の構成要素のみを示し
ており、レーザ光の経路に複数の反射ミラーを配置した
り、ｆθレンズと呼ばれる加工レンズを配置することは
周知である。
【００２３】なお、レーザ発振器からのレーザビームの
断面形状は通常、円形であるが、本形態では、プリント
配線基板の全面照射を行うために、断面形状を長四角形
状に成形する。例えば、上記のフルエンスで幅１／１０
（ｍｍ）〜数（ｍｍ）、長さが数（ｃｍ）程度の断面形
状を持つレーザビームの成形は、周知の技術を利用して
容易に実現できる。
断面形状は通常、円形であるが、本形態では、プリント
配線基板の全面照射を行うために、断面形状を長四角形
状に成形する。例えば、上記のフルエンスで幅１／１０
（ｍｍ）〜数（ｍｍ）、長さが数（ｃｍ）程度の断面形
状を持つレーザビームの成形は、周知の技術を利用して
容易に実現できる。
【００２４】また、レーザビームの伝送経路には、光フ
ァイバを用いても良い。この場合、レーザビームの上記
のような断面形状を光ファイバの出射口において作るこ
とができ、この出射口をＸ−Ｙ方向に一定速度で移動さ
せることにより、レーザビームでプリント配線基板の全
面を照射することができる。
ァイバを用いても良い。この場合、レーザビームの上記
のような断面形状を光ファイバの出射口において作るこ
とができ、この出射口をＸ−Ｙ方向に一定速度で移動さ
せることにより、レーザビームでプリント配線基板の全
面を照射することができる。
【００２５】本発明によれば、パルスエネルギーが７０
０（ｍＪ）のものを用い、サイズ４００×５００（ｍ
ｍ）の基板を１分間でクリーニング加工することができ
る。また、エキシマレーザに対し、ＹＡＧ Ｑスイッチ
レーザが使用でき、低ランニングコストとすることがで
きる。更に、ＹＡＧ高調波レーザに対し、基本波あるい
は高調波を用いるため高出力にて高速クリーニング加工
を行うことができる。更に、バイアホールを１個ずつ狙
い、バイアホールよりやや大きいビーム径で照射を行う
方法に比べて、基板全面照射のため装置を簡素化でき、
バイアホール底面の加工残物以外に基板表面のクリーニ
ングも可能である。
０（ｍＪ）のものを用い、サイズ４００×５００（ｍ
ｍ）の基板を１分間でクリーニング加工することができ
る。また、エキシマレーザに対し、ＹＡＧ Ｑスイッチ
レーザが使用でき、低ランニングコストとすることがで
きる。更に、ＹＡＧ高調波レーザに対し、基本波あるい
は高調波を用いるため高出力にて高速クリーニング加工
を行うことができる。更に、バイアホールを１個ずつ狙
い、バイアホールよりやや大きいビーム径で照射を行う
方法に比べて、基板全面照射のため装置を簡素化でき、
バイアホール底面の加工残物以外に基板表面のクリーニ
ングも可能である。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、プリント配線基板に対
するバイアホール加工において形成されたバイアホール
の底面に発生する加工残物及びバイアホールの開口周辺
の付着物の除去を、従来のような薬品による湿式後処理
によらず、ドライ処理で簡便に行うことができ、バイア
ホール形成の際の省力化、コストダウン、及び廃液によ
る環境汚染の防止を図ることができる。
するバイアホール加工において形成されたバイアホール
の底面に発生する加工残物及びバイアホールの開口周辺
の付着物の除去を、従来のような薬品による湿式後処理
によらず、ドライ処理で簡便に行うことができ、バイア
ホール形成の際の省力化、コストダウン、及び廃液によ
る環境汚染の防止を図ることができる。
【図１】本発明が適用されるバイアホールクリーニング
装置の概略構成の一例を示した図である。
装置の概略構成の一例を示した図である。
【図２】本発明が適用されるバイアホールクリーニング
装置の概略構成の他の例を示した図である。
装置の概略構成の他の例を示した図である。
【図３】本発明の加工対象であるコンフォーマル基板の
一部を示した断面図である。
一部を示した断面図である。
【図４】本発明の加工対象であるプリント配線基板の一
部を示した断面図である。
部を示した断面図である。
１１、２１ レーザ発振器 １２、２２ 反射ミラー １３、２３ プリント配線基板 １４、２４ 基板固定プレート １５ Ｘ−Ｙステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５Ｄ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｎ 3/26 3/26 Ｂ 3/46 3/46 Ｘ
Claims (4)
- 【請求項１】 金属膜上の樹脂層に、複数のバイアホー
ルが形成された樹脂基板における前記バイアホールのク
リーニングを行うバイアホールクリーニング方法におい
て、 パルス幅が１００（ｎｓｅｃ）以下のパルスレーザを用
い、前記樹脂基板面でのエネルギー密度が１（Ｊ／ｃｍ
2 ）以下の条件で前記樹脂基板の全面を照射することに
より前記バイアホール底面の加工残物及び該バイアホー
ルの開口周辺部の付着物を除去することを特徴とするバ
イアホールクリーニング方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のバイアホールクリーニン
グ方法において、前記樹脂基板の全面に対する前記パル
スレーザの照射を、前記樹脂基板を搭載しているテーブ
ルを移動させることにより行うことを特徴とするバイア
ホールクリーニング方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のバイアホールクリーニン
グ方法において、前記樹脂基板の全面に対する前記パル
スレーザの照射を、該パルスレーザの伝送経路中に配置
されて前記パルスレーザを前記樹脂基板上に照射する照
射手段を前記樹脂基板に平行に移動させることにより行
うことを特徴とするバイアホールクリーニング方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のバイアホールクリーニン
グ方法において、前記パルスレーザの波長は、１．０６
（μｍ）〜５３１（ｎｍ）の範囲であることを特徴とす
るバイアホールクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000166A JP2000197987A (ja) | 1999-01-04 | 1999-01-04 | バイアホ―ルクリ―ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000166A JP2000197987A (ja) | 1999-01-04 | 1999-01-04 | バイアホ―ルクリ―ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000197987A true JP2000197987A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11466457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000166A Withdrawn JP2000197987A (ja) | 1999-01-04 | 1999-01-04 | バイアホ―ルクリ―ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000197987A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7919725B2 (en) * | 2006-09-14 | 2011-04-05 | Disco Corporation | Via hole forming method |
| US20130075373A1 (en) * | 2001-02-08 | 2013-03-28 | The Regents Of The University Of California | High precision, rapid laser hole drilling |
| CN109590290A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-09 | 青岛理工大学 | 一种能够适用多种孔径、孔型的孔洞激光清洗装置 |
| CN109985860A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 南京理工大学 | 一种阵列微孔的激光空泡清洗装置及方法 |
| WO2019158511A1 (de) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Basf Se | Verfahren zur reinigung von lochplatten |
-
1999
- 1999-01-04 JP JP11000166A patent/JP2000197987A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130075373A1 (en) * | 2001-02-08 | 2013-03-28 | The Regents Of The University Of California | High precision, rapid laser hole drilling |
| US8410396B1 (en) * | 2001-02-08 | 2013-04-02 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High precision, rapid laser hole drilling |
| US7919725B2 (en) * | 2006-09-14 | 2011-04-05 | Disco Corporation | Via hole forming method |
| CN109985860A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 南京理工大学 | 一种阵列微孔的激光空泡清洗装置及方法 |
| WO2019158511A1 (de) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Basf Se | Verfahren zur reinigung von lochplatten |
| CN109590290A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-04-09 | 青岛理工大学 | 一种能够适用多种孔径、孔型的孔洞激光清洗装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4882200A (en) | Method for photopatterning metallization via UV-laser ablation of the activator | |
| US5609746A (en) | Printed circuit manufacture | |
| KR20050103951A (ko) | 레이저에 의해 전기 회로 기판을 처리하기 위한 방법 | |
| US20080035271A1 (en) | Method for forming micro blind via on a copper clad laminate substrate utilizing laser drilling technique | |
| JPH11277272A (ja) | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 | |
| US7145243B2 (en) | Photo-thermal induced diffusion | |
| JP2000197987A (ja) | バイアホ―ルクリ―ニング方法 | |
| JPH11103150A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2983481B2 (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JP2000202664A (ja) | レ―ザ穴あけ加工方法 | |
| JP3062142B2 (ja) | 多層印刷配線板の製造方法 | |
| KR100504234B1 (ko) | 레이저천공 가공방법 | |
| JPH11277273A (ja) | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 | |
| JPH08323488A (ja) | レーザ光によるプリント配線板の孔あけ加工方法 | |
| JP2001053450A (ja) | ブラインドビアホールの形成方法 | |
| JP3479890B2 (ja) | レーザ穴あけ加工装置 | |
| JP2000202679A (ja) | レ―ザ穴あけ加工方法及び加工装置 | |
| CN107665877B (zh) | 带有埋藏的导电带的元件载体 | |
| JP3738539B2 (ja) | 積層部材のレーザ加工方法 | |
| JP3667706B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP3338927B2 (ja) | レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置及びデスミア方法 | |
| JP3343812B2 (ja) | バイアホール形成方法及びレーザ加工装置 | |
| KR100434072B1 (ko) | 레이저를 이용한 인쇄회로기판의 관통홀 형성방법 | |
| JP2003031953A (ja) | ビルドアップ基板の製造方法 | |
| JP2685443B2 (ja) | プリント回路基板の加工法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060307 |