JPH11277273A - レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 - Google Patents
レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法Info
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- JPH11277273A JPH11277273A JP10083395A JP8339598A JPH11277273A JP H11277273 A JPH11277273 A JP H11277273A JP 10083395 A JP10083395 A JP 10083395A JP 8339598 A JP8339598 A JP 8339598A JP H11277273 A JPH11277273 A JP H11277273A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スミアを残すことなく、プリント基板に穴を
形成することが可能な、レーザドリル装置及びレーザ穴
あけ加工方法を提供する。 【解決手段】 ＣＯ2レーザ１１からのレーザ光は、各
種光学系を介してＸ−Ｙテーブル２５の第１の領域に載
置されたプリント基板２６に照射され、その絶縁層に穴
を形成する。穴が形成されたプリント基板は、Ｘ−Ｙテ
ーブルの第２の領域に搬送され、プリント基板２７とな
る。ＹＡＧ４ωレーザ１８からレーザ光は、各種光学系
を介して第２の領域に載置されたプリント基板２３に照
射され、スミアを蒸発させる。新たなプリント基板２６
に対する穴あけ加工と、穴あけ加工済みのプリント基板
２７に対するデスミア処理とは、同期して行われる。
形成することが可能な、レーザドリル装置及びレーザ穴
あけ加工方法を提供する。 【解決手段】 ＣＯ2レーザ１１からのレーザ光は、各
種光学系を介してＸ−Ｙテーブル２５の第１の領域に載
置されたプリント基板２６に照射され、その絶縁層に穴
を形成する。穴が形成されたプリント基板は、Ｘ−Ｙテ
ーブルの第２の領域に搬送され、プリント基板２７とな
る。ＹＡＧ４ωレーザ１８からレーザ光は、各種光学系
を介して第２の領域に載置されたプリント基板２３に照
射され、スミアを蒸発させる。新たなプリント基板２６
に対する穴あけ加工と、穴あけ加工済みのプリント基板
２７に対するデスミア処理とは、同期して行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザドリル装置
に関し、特にスミヤの除去を可能にしたレーザドリル装
置に関する。
に関し、特にスミヤの除去を可能にしたレーザドリル装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度多層プリント基板の製造において
は、積層された配線パターンの層間接続を行うため、配
線パターン間に配された絶縁樹脂に、インナーバイアや
ブラインドバイアといった穴（ビアホール）を形成する
必要がある。
は、積層された配線パターンの層間接続を行うため、配
線パターン間に配された絶縁樹脂に、インナーバイアや
ブラインドバイアといった穴（ビアホール）を形成する
必要がある。
【０００３】ビアホールの形成は、以前は機械式ドリル
や露光方式（ホトリソグラフィ技術）によって行われて
いたが、最近では、さらなる高密度化の要求に答えるた
め、より小径のビアホール形成が可能な、レーザ光を用
いる技術が利用されるようになって来ている。
や露光方式（ホトリソグラフィ技術）によって行われて
いたが、最近では、さらなる高密度化の要求に答えるた
め、より小径のビアホール形成が可能な、レーザ光を用
いる技術が利用されるようになって来ている。
【０００４】従来のレーザドリル装置は、パルス発振型
のレーザ発振器と、レーザ発振器からのレーザ光を被加
工物に照射するための光学系と、被加工物を保持固定す
る加工台とを有している。
のレーザ発振器と、レーザ発振器からのレーザ光を被加
工物に照射するための光学系と、被加工物を保持固定す
る加工台とを有している。
【０００５】レーザ発振器からのレーザ光は、光学系を
介して加工台上の被加工物（多層プリント基板）に照射
され、被加工物の一部を蒸発させる（レーザアブレーシ
ョン）。被加工物にパルス状のレーザ光を数回照射する
ことにより、被加工物には、所定深さの穴が形成され
る。通常、穴の形成は、絶縁樹脂に埋め込まれた銅ラン
ドの一部を露出させて終了する。
介して加工台上の被加工物（多層プリント基板）に照射
され、被加工物の一部を蒸発させる（レーザアブレーシ
ョン）。被加工物にパルス状のレーザ光を数回照射する
ことにより、被加工物には、所定深さの穴が形成され
る。通常、穴の形成は、絶縁樹脂に埋め込まれた銅ラン
ドの一部を露出させて終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザドリル装
置を用いた穴あけでは、形成した穴の底部に、煤などの
残留物（スミアと呼ばれる）が付着してしまうという問
題点が有る。このため、従来は、レーザ穴あけ加工を終
えた後、水で洗い流したり、エアで吹き飛ばしたり、デ
スミヤ（スミアを除去すること）専用の処理液に浸した
りしてスミアの除去を行なっているが、形成する穴の径
が小さくなる（例えば１００μｍ以下）に従い、これら
の方法では、スミアの除去が困難になってきている。
置を用いた穴あけでは、形成した穴の底部に、煤などの
残留物（スミアと呼ばれる）が付着してしまうという問
題点が有る。このため、従来は、レーザ穴あけ加工を終
えた後、水で洗い流したり、エアで吹き飛ばしたり、デ
スミヤ（スミアを除去すること）専用の処理液に浸した
りしてスミアの除去を行なっているが、形成する穴の径
が小さくなる（例えば１００μｍ以下）に従い、これら
の方法では、スミアの除去が困難になってきている。
【０００７】本発明は、スミアを残すことなく、プリン
ト基板にビアホール等の穴を形成することが可能な、レ
ーザドリル装置を提供することを目的とする。
ト基板にビアホール等の穴を形成することが可能な、レ
ーザドリル装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁層
と金属膜とが積層されたプリント基板にレーザ光を照射
して前記絶縁層に穴を形成するレーザドリル装置におい
て、前記絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光を発生する
第１のレーザ発振器と、前記第１のレーザ光の光強度を
調節する第１のアッテネータと、該第１のアッテネータ
から出射する前記第１のレーザ光のエネルギー密度分布
を均一にする第１の均一光学系と、該第１の均一光学系
から出射する前記第１のレーザ光の一部を通過させる第
１のマスクと、該第１のマスクを通過した前記第１のレ
ーザ光を走査させる第１のガルバノスキャナーと、該第
１のガルバノスキャナーにより走査される前記第１のレ
ーザ光を第１の被加工物に入射させるための第１のｆ-
θレンズと、前記第１のレーザ光よりも高い周波数を有
し、前記第１のレーザ光を前記絶縁層に照射することに
より発生するスミアを蒸発させる第２のレーザ光を発生
する第２のレーザ発振器と、前記第２のレーザ光の光強
度を調節する第２のアッテネータと、該第２のアッテネ
ータから出射する前記第２のレーザ光のエネルギー密度
分布を均一にする第２の均一光学系と、該前記第２の均
一光学系から出射する前記第２のレーザ光の一部を通過
させる第２のマスクと、該第２のマスクを通過した前記
第２のレーザ光を走査させる第２のガルバノスキャナー
と、該第２のガルバノスキャナーにより走査される前記
第２のレーザ光を第２の被加工物に入射させるための第
２のｆ-θレンズと、前記第１の被加工物と前記第２の
被加工物を並列させて保持するとともに、これらを独立
に回転させることができるＸ−Ｙステージとを有し、前
記第１の被加工物への前記第１のレーザ光の照射と、前
記第２の被加工物への前記第２のレーザ光の照射とを同
時に行えるようにしたことを特徴とするレーザドリル装
置が得られる。
と金属膜とが積層されたプリント基板にレーザ光を照射
して前記絶縁層に穴を形成するレーザドリル装置におい
て、前記絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光を発生する
第１のレーザ発振器と、前記第１のレーザ光の光強度を
調節する第１のアッテネータと、該第１のアッテネータ
から出射する前記第１のレーザ光のエネルギー密度分布
を均一にする第１の均一光学系と、該第１の均一光学系
から出射する前記第１のレーザ光の一部を通過させる第
１のマスクと、該第１のマスクを通過した前記第１のレ
ーザ光を走査させる第１のガルバノスキャナーと、該第
１のガルバノスキャナーにより走査される前記第１のレ
ーザ光を第１の被加工物に入射させるための第１のｆ-
θレンズと、前記第１のレーザ光よりも高い周波数を有
し、前記第１のレーザ光を前記絶縁層に照射することに
より発生するスミアを蒸発させる第２のレーザ光を発生
する第２のレーザ発振器と、前記第２のレーザ光の光強
度を調節する第２のアッテネータと、該第２のアッテネ
ータから出射する前記第２のレーザ光のエネルギー密度
分布を均一にする第２の均一光学系と、該前記第２の均
一光学系から出射する前記第２のレーザ光の一部を通過
させる第２のマスクと、該第２のマスクを通過した前記
第２のレーザ光を走査させる第２のガルバノスキャナー
と、該第２のガルバノスキャナーにより走査される前記
第２のレーザ光を第２の被加工物に入射させるための第
２のｆ-θレンズと、前記第１の被加工物と前記第２の
被加工物を並列させて保持するとともに、これらを独立
に回転させることができるＸ−Ｙステージとを有し、前
記第１の被加工物への前記第１のレーザ光の照射と、前
記第２の被加工物への前記第２のレーザ光の照射とを同
時に行えるようにしたことを特徴とするレーザドリル装
置が得られる。
【０００９】また、本発明によれば、絶縁層と金属膜と
が積層されたプリント基板にレーザ光を照射して前記絶
縁層に穴を形成するレーザ穴あけ加工方法において、単
一のＸ−Ｙステージ上に未加工の第１のプリント基板と
穴あけ加工済みの第２のプリント基板とを併置し、前記
絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光を第１のプリント基
板に照射すると同時に、前記第１のレーザ光よりも高い
周波数を有し、前記第１のレーザ光を前記絶縁層に照射
した場合に発生するスミアを蒸発させる第２のレーザ光
を第２のプリント基板に照射して穴あけ加工を行うこと
を特徴とするレーザ穴あけ加工方法が得られる。
が積層されたプリント基板にレーザ光を照射して前記絶
縁層に穴を形成するレーザ穴あけ加工方法において、単
一のＸ−Ｙステージ上に未加工の第１のプリント基板と
穴あけ加工済みの第２のプリント基板とを併置し、前記
絶縁層を蒸発させる第１のレーザ光を第１のプリント基
板に照射すると同時に、前記第１のレーザ光よりも高い
周波数を有し、前記第１のレーザ光を前記絶縁層に照射
した場合に発生するスミアを蒸発させる第２のレーザ光
を第２のプリント基板に照射して穴あけ加工を行うこと
を特徴とするレーザ穴あけ加工方法が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１１】図１に本発明の一実施の形態によるレーザ
ドリル装置を示す。図１に示すように、このレーザドリ
ル装置は、ＣＯ2レーザ１１、第１のアッテネータ１
２、第１の均一光学系１３、第１のターンミラー１４、
第１のマスク１５、第１のガルバノスキャナー１６、第
１のｆ−θレンズ１７、ＹＡＧ４ωレーザ（第４高調波
レーザ）１８、第２のアッテネータ１９、第２の均一光
学系２０、第２のターンミラー２１、第２のマスク２
２、第２のガルバノスキャナー２３、第２のｆ−θレン
ズ２４、及びＸ−Ｙステージ２５を有している。
ドリル装置を示す。図１に示すように、このレーザドリ
ル装置は、ＣＯ2レーザ１１、第１のアッテネータ１
２、第１の均一光学系１３、第１のターンミラー１４、
第１のマスク１５、第１のガルバノスキャナー１６、第
１のｆ−θレンズ１７、ＹＡＧ４ωレーザ（第４高調波
レーザ）１８、第２のアッテネータ１９、第２の均一光
学系２０、第２のターンミラー２１、第２のマスク２
２、第２のガルバノスキャナー２３、第２のｆ−θレン
ズ２４、及びＸ−Ｙステージ２５を有している。
【００１２】ＣＯ2レーザ１１は、絶縁層と金属膜とが
積層されたプリント基板の絶縁層を蒸発（アブレーショ
ン）させるレーザ光（赤外線）を発生させる。
積層されたプリント基板の絶縁層を蒸発（アブレーショ
ン）させるレーザ光（赤外線）を発生させる。
【００１３】ＹＡＧ４ωレーザ１８は、ＹＡＧレーザが
発生するレーザ光の第４高調波をレーザ光として発生す
る。このレーザ光は、ＣＯ2レーザ１１からのレーザ光
を用いて絶縁層を蒸発させた場合に発生するスミアを除
去するために利用される。
発生するレーザ光の第４高調波をレーザ光として発生す
る。このレーザ光は、ＣＯ2レーザ１１からのレーザ光
を用いて絶縁層を蒸発させた場合に発生するスミアを除
去するために利用される。
【００１４】第１及び第２のアッテネータ１２，１９
は、それぞれ、ＣＯ2レーザ１１及びＹＡＧ４ωレーザ
１８からのレーザ光のエネルギー密度を調整する。
は、それぞれ、ＣＯ2レーザ１１及びＹＡＧ４ωレーザ
１８からのレーザ光のエネルギー密度を調整する。
【００１５】第１及び第２の均一光学系１３，２０は、
それぞれ、第１及び第２のアッテネータ１２，１９から
のレーザ光のエネルギー強度を均一にする。
それぞれ、第１及び第２のアッテネータ１２，１９から
のレーザ光のエネルギー強度を均一にする。
【００１６】第１及び第２のターンミラー１４，２１
は、それぞれ、第１及び第２の均一光学系１３，２１か
らのレーザ光を第１及び第２のマスク１５，２２に入射
させる。
は、それぞれ、第１及び第２の均一光学系１３，２１か
らのレーザ光を第１及び第２のマスク１５，２２に入射
させる。
【００１７】第１及び第２のマスク１５，２２は、それ
ぞれ、第１及び第２のターンミラー１４，２１からのレ
ーザ光の一部を通過させるマスク穴を有し、残りのレー
ザ光を阻止する。第１のマスクのマスク穴は、プリント
基板に形成される穴の径を規定する。第２のマスクのマ
スク穴は、第１のマスク穴に一致させてある。
ぞれ、第１及び第２のターンミラー１４，２１からのレ
ーザ光の一部を通過させるマスク穴を有し、残りのレー
ザ光を阻止する。第１のマスクのマスク穴は、プリント
基板に形成される穴の径を規定する。第２のマスクのマ
スク穴は、第１のマスク穴に一致させてある。
【００１８】第１及び第２のガルバノスキャナー１６，
２３は、それぞれ、２枚のスキャニングミラーを有し、
入射したレーザ光をＸ−Ｙ平面上で走査する。
２３は、それぞれ、２枚のスキャニングミラーを有し、
入射したレーザ光をＸ−Ｙ平面上で走査する。
【００１９】第１及び第２のｆ−θレンズ１７，２４
は、それぞれ、ガルバノスキャナー１６，２３からのレ
ーザ光をＸ−Ｙステージ２５（つまりプリント基板２６
及び２７）に対して垂直に入射するように、屈折、収束
させる。
は、それぞれ、ガルバノスキャナー１６，２３からのレ
ーザ光をＸ−Ｙステージ２５（つまりプリント基板２６
及び２７）に対して垂直に入射するように、屈折、収束
させる。
【００２０】次に、このレーザドリル装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００２１】まず、Ｘ−Ｙステージ２５の第１の領域に
被加工物であるプリント基板２６を載置する。これは、
手動または自動にて行われる。
被加工物であるプリント基板２６を載置する。これは、
手動または自動にて行われる。
【００２２】次に、基板に形成されたアライメントマー
クを図示しないアライメント装置により検出し、検出結
果を参照しながらＸ−Ｙステージ２５を走査してプリン
ト基板２６の位置決めを行う。この際、図示しない第１
のθステージを操作してプリント基板２６の向き（θ
角）も調整する（Ｘ−Ｙステージに対してプリント基板
を回転させる）。
クを図示しないアライメント装置により検出し、検出結
果を参照しながらＸ−Ｙステージ２５を走査してプリン
ト基板２６の位置決めを行う。この際、図示しない第１
のθステージを操作してプリント基板２６の向き（θ
角）も調整する（Ｘ−Ｙステージに対してプリント基板
を回転させる）。
【００２３】次に、ＣＯ2レーザ１１を発振させ、レー
ザ光を出射させる。ＣＯ2レーザ１１からのレーザ光
は、第１のアッテネータ１２でエネルギー密度の調整が
為され、第１の均一光学系１３でエネルギー強度が均一
化されて、第１のターンミラー１４で屈折させられ、マ
スク１５に到達する。
ザ光を出射させる。ＣＯ2レーザ１１からのレーザ光
は、第１のアッテネータ１２でエネルギー密度の調整が
為され、第１の均一光学系１３でエネルギー強度が均一
化されて、第１のターンミラー１４で屈折させられ、マ
スク１５に到達する。
【００２４】マスク１５、マスク穴から入射したレーザ
光の一部を通過させる。マスク１５通過したレーザ光
は、ガルバノスキャナー１６に入射し、プリント基板２
６の所望位置へ照射すべく、走査が行われる。ガルバノ
スキャナ１６からのレーザ光は、ｆ−θレンズ１７によ
り集光され、プリント基板２６に垂直に照射される。
光の一部を通過させる。マスク１５通過したレーザ光
は、ガルバノスキャナー１６に入射し、プリント基板２
６の所望位置へ照射すべく、走査が行われる。ガルバノ
スキャナ１６からのレーザ光は、ｆ−θレンズ１７によ
り集光され、プリント基板２６に垂直に照射される。
【００２５】プリント基板２６では、ＣＯ2レーザ１１
からのレーザ光により絶縁層のアブレーションが発生し
穴が形成される。この時穴の底にはスミアが残留する。
からのレーザ光により絶縁層のアブレーションが発生し
穴が形成される。この時穴の底にはスミアが残留する。
【００２６】以上のレーザ発振以降の動作を繰り返し、
ガルバノスキャナー１６で対応できる加工エリア（例え
ば５０mm×５０mm）の加工が終了すると、Ｘ−Ｙステー
ジ２５を走査して次の加工エリアの加工を行う。
ガルバノスキャナー１６で対応できる加工エリア（例え
ば５０mm×５０mm）の加工が終了すると、Ｘ−Ｙステー
ジ２５を走査して次の加工エリアの加工を行う。
【００２７】以上のようにして、プリント基板の穴あけ
加工が終了すると、図示しない搬送器によりプリント基
板２６をＸ−Ｙテーブル２５上の第２の領域へ移動さ
せ、プリント基板２７とする。そして、Ｘ−Ｙテーブル
２５の第１の領域には、新たにプリント基板２６を載置
する。
加工が終了すると、図示しない搬送器によりプリント基
板２６をＸ−Ｙテーブル２５上の第２の領域へ移動さ
せ、プリント基板２７とする。そして、Ｘ−Ｙテーブル
２５の第１の領域には、新たにプリント基板２６を載置
する。
【００２８】新たなプリント基板２６に対しては、上述
したように、アライメント面とマークを利用してＸ−Ｙ
方向、及びθ角についての位置決め処理を行う。
したように、アライメント面とマークを利用してＸ−Ｙ
方向、及びθ角についての位置決め処理を行う。
【００２９】プリント基板２７については、第２のθテ
ーブルを調整してθ角の調整が行われる。そして、プリ
ント基板２７の位置をアライメントマークを利用して検
出し、ガルバノスキャナの制御装置（図示せず）へオフ
セットとして供給する。
ーブルを調整してθ角の調整が行われる。そして、プリ
ント基板２７の位置をアライメントマークを利用して検
出し、ガルバノスキャナの制御装置（図示せず）へオフ
セットとして供給する。
【００３０】次に、ＣＯ2レーザ１１を発振させ、プリ
ント基板２６に対しては、上述のように穴あけ加工を行
う。
ント基板２６に対しては、上述のように穴あけ加工を行
う。
【００３１】一方、プリント基板２７に関しては、ＹＡ
Ｇ４ωレーザ１８を発振させ、第２のアッテネータ１
９、第２の均一光学系２０、第２のターンミラー２１、
マスク２２、ガルバノスキャナ２３、及び、ｆ−θレン
ズ２４を介して、そのレーザ光を、形成された穴の内部
に照射する。これにより、上述した穴あけ加工工程で発
生したスミアは除去される。
Ｇ４ωレーザ１８を発振させ、第２のアッテネータ１
９、第２の均一光学系２０、第２のターンミラー２１、
マスク２２、ガルバノスキャナ２３、及び、ｆ−θレン
ズ２４を介して、そのレーザ光を、形成された穴の内部
に照射する。これにより、上述した穴あけ加工工程で発
生したスミアは除去される。
【００３２】プリント基板２６に対する穴あけ加工と、
プリント基板２７に対するスミア除去の処理とが終了す
ると、図示しない搬送器は、プリント基板２７を搬出
し、プリント基板２６を新たなプリント基板２７とする
とともに、新たなプリント基板２６を搬入する。以降、
上記動作を繰り返す。
プリント基板２７に対するスミア除去の処理とが終了す
ると、図示しない搬送器は、プリント基板２７を搬出
し、プリント基板２６を新たなプリント基板２７とする
とともに、新たなプリント基板２６を搬入する。以降、
上記動作を繰り返す。
【００３３】以上のように、本実施の形態によれば、穴
の形成と、デスミア処理とを並行して行うことができる
ので、デスミア処理に要する時間をほぼ削減することが
できる。特に、同一形状のプリント基板を複数連続的に
加工する場合には、ＣＯ2レーザ１１と、ＹＡＧ４ωレ
ーザ１８とを同期させることにより、一枚のプリント基
板に対する穴あけ加工と、他の一枚のデスミア処理とを
同時に行うことができる。
の形成と、デスミア処理とを並行して行うことができる
ので、デスミア処理に要する時間をほぼ削減することが
できる。特に、同一形状のプリント基板を複数連続的に
加工する場合には、ＣＯ2レーザ１１と、ＹＡＧ４ωレ
ーザ１８とを同期させることにより、一枚のプリント基
板に対する穴あけ加工と、他の一枚のデスミア処理とを
同時に行うことができる。
【００３４】また、レーザ光を用いてデスミア処理を行
うので、形成された穴の底にスミアが残るようなことも
ない。
うので、形成された穴の底にスミアが残るようなことも
ない。
【００３５】更に、１台の装置で穴あけ加工とデスミア
処理が行え、デスミア処理のための特別な施設等を必要
としない。
処理が行え、デスミア処理のための特別な施設等を必要
としない。
【００３６】なお、上記実施の形態では、ＣＯ2レーザ
とＹＡＧ４ωレーザとを用いる場合について説明した
が、ＣＯ2レーザに代えて、ＹＡＧレーザやＹＬＦレー
ザを、ＹＡＧ４ωレーザに代えて、ＹＡＧ２ωレーザ、
ＹＡＧ３ωレーザ、ＹＬＦ２ωレーザ、ＹＬＦ３ωレー
ザ、または、ＹＬＦ４ωレーザを用いることもできる。
とＹＡＧ４ωレーザとを用いる場合について説明した
が、ＣＯ2レーザに代えて、ＹＡＧレーザやＹＬＦレー
ザを、ＹＡＧ４ωレーザに代えて、ＹＡＧ２ωレーザ、
ＹＡＧ３ωレーザ、ＹＬＦ２ωレーザ、ＹＬＦ３ωレー
ザ、または、ＹＬＦ４ωレーザを用いることもできる。
【００３７】また、ＹＡＧレーザとＹＡＧ４ωレーザの
ように、同種のレーザ発振器を用いる場合には、単一の
レーザ発振器からのレーザ光を分岐して一方のレーザ光
を波長変換用結晶を用いて波長変換するようにしてもよ
い。
ように、同種のレーザ発振器を用いる場合には、単一の
レーザ発振器からのレーザ光を分岐して一方のレーザ光
を波長変換用結晶を用いて波長変換するようにしてもよ
い。
【００３８】さらにまた、上記実施の形態では、一般光
学系としてターンミラーしか示されていないが、ミラー
やレンズは、適宜、配されるものであって、追加及び削
除は自由である。
学系としてターンミラーしか示されていないが、ミラー
やレンズは、適宜、配されるものであって、追加及び削
除は自由である。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ光を用いてプリ
ント基板に穴を形成する工程と、その工程によって発生
するスミアを別の波長のレーザ光をにより蒸発させる工
程とを並行して行えるようにしたことで、デスミア処理
のみを行う時間を設けることなく、スミアの残留のない
穴あけ加工を行うことができる。
ント基板に穴を形成する工程と、その工程によって発生
するスミアを別の波長のレーザ光をにより蒸発させる工
程とを並行して行えるようにしたことで、デスミア処理
のみを行う時間を設けることなく、スミアの残留のない
穴あけ加工を行うことができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す概略図である。
１１ ＣＯ2レーザ １２ 第１のアッテネータ １３ 第１の均一光学系 １４ 第１のターンミラー １５ 第１のマスク １６ 第１のガルバノスキャナ １７ ｆ−θレンズ １８ ＹＡＧ４ωレーザ １９ 第２のアッテネータ ２０ 第２の均一光学系 ２１ 第２のターンミラー ２２ 第２のマスク ２３ 第２のガルバノスキャナ ２４ 第２のｆ−θレンズ ２５ Ｘ−Ｙステージ ２６ プリント基板 ２７ プリント基板
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁層と金属膜とが積層されたプリント
基板にレーザ光を照射して前記絶縁層に穴を形成するレ
ーザドリル装置において、前記絶縁層を蒸発させる第１
のレーザ光を発生する第１のレーザ発振器と、前記第１
のレーザ光の光強度を調節する第１のアッテネータと、
該第１のアッテネータから出射する前記第１のレーザ光
のエネルギー密度分布を均一にする第１の均一光学系
と、該第１の均一光学系から出射する前記第１のレーザ
光の一部を通過させる第１のマスクと、該第１のマスク
を通過した前記第１のレーザ光を走査させる第１のガル
バノスキャナーと、該第１のガルバノスキャナーにより
走査される前記第１のレーザ光を第１の被加工物に入射
させるための第１のｆ-θレンズと、前記第１のレーザ
光よりも高い周波数を有し、前記第１のレーザ光を前記
絶縁層に照射することにより発生するスミアを蒸発させ
る第２のレーザ光を発生する第２のレーザ発振器と、前
記第２のレーザ光の光強度を調節する第２のアッテネー
タと、該第２のアッテネータから出射する前記第２のレ
ーザ光のエネルギー密度分布を均一にする第２の均一光
学系と、該前記第２の均一光学系から出射する前記第２
のレーザ光の一部を通過させる第２のマスクと、該第２
のマスクを通過した前記第２のレーザ光を走査させる第
２のガルバノスキャナーと、該第２のガルバノスキャナ
ーにより走査される前記第２のレーザ光を第２の被加工
物に入射させるための第２のｆ-θレンズと、前記第１
の被加工物と前記第２の被加工物を並列させて保持する
とともに、これらを独立に回転させることができるＸ−
Ｙステージとを有し、前記第１の被加工物への前記第１
のレーザ光の照射と、前記第２の被加工物への前記第２
のレーザ光の照射とを同時に行えるようにしたことを特
徴とするレーザドリル装置。 - 【請求項２】 絶縁層と金属膜とが積層されたプリント
基板にレーザ光を照射して前記絶縁層に穴を形成するレ
ーザ穴あけ加工方法において、単一のＸ−Ｙステージ上
に未加工の第１のプリント基板と穴あけ加工済みの第２
のプリント基板とを併置し、前記絶縁層を蒸発させる第
１のレーザ光を第１のプリント基板に照射すると同時
に、前記第１のレーザ光よりも高い周波数を有し、前記
第１のレーザ光を前記絶縁層に照射した場合に発生する
スミアを蒸発させる第２のレーザ光を第２のプリント基
板に照射して穴あけ加工を行うことを特徴とするレーザ
穴あけ加工方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP08339598A JP3940217B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP08339598A JP3940217B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 |
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|---|---|
| JPH11277273A true JPH11277273A (ja) | 1999-10-12 |
| JP3940217B2 JP3940217B2 (ja) | 2007-07-04 |
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|---|---|---|---|
| JP08339598A Expired - Fee Related JP3940217B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1998
- 1998-03-30 JP JP08339598A patent/JP3940217B2/ja not_active Expired - Fee Related
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