JP2002144059A

JP2002144059A - レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Info

Publication number: JP2002144059A
Application number: JP2000348520A
Authority: JP
Inventors: Keiji Iso; 圭二礒
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 2000-11-15
Filing date: 2000-11-15
Publication date: 2002-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】検査で不良と判断された加工対象物を再加工
し、歩留まり向上を図ることが可能なレーザ加工装置を
提供する。【解決手段】レーザ加工部が、加工対象物に、レーザ
加工を行うとともに、識別情報を刻印する。レーザ加工
部は、加工対象物に刻印されている識別情報を読み取
り、該識別情報に対応する不良情報に基づいて該加工対
象物の不良個所の修復を行うことができる。検査部が、
レーザ加工された加工対象物に刻印された識別情報を読
み取り、該識別情報に対応する加工情報に基づいて加工
対象物の検査を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、加工対象物にレー
ザビームを照射して、レーザ加工を行うレーザ加工装置
及び加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】多層配線基板にレーザビームを照射して
所望の位置に穴開け加工を行う技術が実用化されてい
る。レーザ光学系と多層配線基板との相対的な位置決め
時の位置ずれや、パルスレーザビームの１パルスあたり
のエネルギ変動等により、加工不良が発生する場合があ
る。このため、穴開け加工が行われた多層配線基板を自
動外観検査装置等で検査する必要がある。検査により不
良と判断された多層配線基板は、不良品として廃棄処分
される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、検査
で不良と判断された加工対象物を再加工し、歩留まり向
上を図ることが可能なレーザ加工装置及び加工方法を提
供することである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、加工対象物に、レーザ加工を行うとともに、識別情
報を刻印するレーザ加工部であって、該レーザ加工部
は、加工対象物に刻印されている識別情報を読み取り、
該識別情報に対応する不良情報に基づいて該加工対象物
の不良個所の修復を行うレーザ加工部と、レーザ加工さ
れた加工対象物に刻印された識別情報を読み取り、該識
別情報に対応する加工情報に基づいて加工対象物の検査
を行う検査部とを有するレーザ加工装置が提供される。

【０００５】加工対象物に刻印された識別情報によっ
て、不良情報が特定される。このため、検査部とレーザ
加工部との双方で、加工対象物毎に関連づけられた不良
情報を、当該加工対象物に容易に対応付けることができ
る。

【０００６】本発明の他の観点によると、加工対象物に
レーザビームを照射して、該加工対象物の識別情報に対
応する加工情報に基づいてレーザ加工を行うとともに、
レーザ照射により該加工対象物に該識別情報を刻印する
工程と、レーザ加工された加工対象物の識別情報を読み
取り、該識別情報に対応する加工情報に基づいて加工対
象物の検査を行い、不良の場合には、識別情報と不良情
報とを関連づけて記憶する工程と、検査された加工対象
物の識別情報を読み取り、該識別情報に関連づけられた
不良情報に基づいて該加工対象物にレーザビームを照射
して不良個所を修復する工程とを有するレーザ加工方法
が提供される。

【０００７】加工対象物の識別情報に関連づけられた不
良情報に基づいて、当該加工対象物の不良個所を修復す
ることにより、歩留まりの向上を図ることができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】図１に、本発明の実施例によるレ
ーザ加工装置のブロック図を示す。レーザドリル５０、
自動外観検査装置６０、及び共通メモリ５５が通信回線
７０に接続されている。共通メモリ５５内に、加工情報
テーブル５５ａ及び不良情報テーブル５５ｂが確保され
ている。

【０００９】図２（Ａ）に、加工情報テーブル５５ａの
フォーマットの一例を示す。加工情報テーブル５５ａに
は、基板種別毎に加工情報が記憶されている。加工情報
は、形成すべき穴の位置、穴の直径等を含む。

【００１０】図２（Ｂ）に、不良情報テーブル５５ｂの
フォーマットの一例を示す。不良情報テーブル５５ｂに
は、基板種別、ロット番号、及びシリアル番号に関連づ
けて不良情報が記憶されている。基板種別により、基板
の種類が特定される。同一種類の基板には、同一のレー
ザ加工が行われる。ロット番号とシリアル番号とによ
り、複数の加工対象基板から唯一つの基板が特定され
る。不良情報は、加工不良の穴の位置、その穴の開口部
の直径及び底面の直径等を含む。

【００１１】図１に示したレーザドリル５０は、共通メ
モリ５５に記憶された加工情報もしくは不良情報に基づ
いて、加工対象基板５１にレーザビームを照射すること
により、穴開け加工もしくは不良個所の修復を行う。加
工対象基板５１は、加工対象物保持台５２の上に載置さ
れる。また、レーザドリル５０は、基板５１に刻印され
た基板種別、ロット番号、及びシリアル番号等の識別情
報を読み取ることができる。

【００１２】自動外観検査装置６０は、共通メモリ５５
に記憶されている加工情報に基づいて基板５１ａの検査
を行い、加工不良があった場合には、不良情報を共通メ
モリ５５の不良情報テーブル５５ｂに格納する。検査対
象となる基板５１ａは、検査物保持台６２の上に載置さ
れる。また、自動外観検査装置６０は、基板５１に刻印
された基板種別、ロット番号、及びシリアル番号等の識
別情報を読み取ることができる。

【００１３】次に、図３を参照して、図１に示した加工
装置を用いて加工を行う方法を説明する。

【００１４】レーザドリル５０の加工対象物保持台５２
の上に穴開け加工すべき基板５１を載置する。この基板
５１の基板種別、ロット番号、及びシリアル番号は既知
である。ステップｓ１に進み、レーザドリル５０が、共
通メモリ５５内の加工情報テーブル５５ａから、加工す
べき基板５１の基板種別に対応する加工情報を読み出
す。読み出された加工情報に基づき、基板５１にレーザ
ビームを照射し、穴開け加工を行う。同時に、基板５１
に、基板種別、ロット番号、及びシリアル番号に対応す
る識別情報を刻印する。この刻印は、穴開け加工と同様
に、基板に穴開けを行うことにより行われる。これらの
識別情報は、アルファベットやアラビア数字等で表して
もよいし、バーコードやその他の記号で表してもよい。

【００１５】穴開け加工が終わると、ステップｓ３に進
み、基板５１を自動外観検査装置６０の検査物保持台６
２の上まで移送する。自動外観検査装置６０は、検査物
保持台６２の上に載置された基板５１ａの基板種別、ロ
ット番号、及びシリアル番号を読み取る。ステップｓ４
に進み、共通メモリ５５内の加工情報テーブル５５ａか
ら、基板５１ａの基板種別に対応する加工情報を読み出
す。

【００１６】ステップｓ５に進み、読み出された加工情
報に基づいて、基板５１ａの検査を行う。ステップｓ５
では、所望の位置に所望の大きさの穴が形成されている
か否かが検査される。検査終了後、ステップｓ６に進
み、基板５１ａの良否が判定される。判定結果が「良」
である場合には、レーザ加工が終了する。

【００１７】判定結果が「否」である場合には、ステッ
プｓ７に進み、検査結果を、検査した基板５１ａの基板
種別、ロット番号、及びシリアル番号と関連づけて共通
メモリ５５内の不良情報テーブル５５ｂに格納する。ス
テップｓ８に進み、判定結果が「否」であった基板５１
ａを、レーザドリル５０の加工対象物保持台５２の上ま
で移送する。

【００１８】ステップｓ９に進み、レーザドリル５０
は、加工対象物保持台５２の上に載置された検査後の基
板５１の基板種別、ロット番号、及びシリアル番号を読
み取る。共通メモリ５５内の不良情報テーブル５５ｂか
ら、検査後の基板５１の基板種別、ロット番号、及びシ
リアル番号に関連づけられた不良情報を読み出す。

【００１９】ステップｓ１０に進み、読み出された不良
情報に基づいて、基板５１にレーザビームを照射し、不
良個所の補修を行う。この補修により、レーザ加工が終
了する。なお、補修後に、自動外観検査装置６０で再検
査を行ってもよい。

【００２０】上述のレーザ加工方法では、加工対象基板
５１に識別情報が刻印され、この識別情報に基づいて、
加工情報及び不良情報が特定される。このため、複数の
基板を連続的に処理する場合に、レーザドリル５０と自
動外観検査装置６０との間で、基板毎の加工情報及び不
良情報を容易に受け渡しすることができる。また、不良
個所が発見された基板に対して再度レーザ加工が行わ
れ、不良個所が修復されるため、製品の歩留まり向上を
図ることが可能になる。

【００２１】次に、図４〜図８を参照し、レーザドリル
５０の構成について、詳細に説明する。

【００２２】図４に、上記実施例で用いたレーザドリル
５０のブロック図を示す。第１のレーザ光源１及び第２
のレーザ光源２が、それぞれ契機信号ｓｉｇ₁及びｓｉ
ｇ₂に同期して、紫外線領域の波長を有するパルスレー
ザビームｐｌ₁及びｐｌ₂を出射する。第１及び第２のレ
ーザ光源１及び２は、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器
と、非線形光学素子を含んで構成される。パルスレーザ
ビームｐｌ₁及びｐｌ₂は、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ発
振器から出射されたパルスレーザビームの第３高調波
（波長３５５ｎｍ）であり、それぞれ鉛直方向及び水平
方向に直線偏光されている。

【００２３】第１のレーザ光源１から出射したパルスレ
ーザビームｐｌ₁は、折り返しミラー５で反射し、偏光
板６の表側の面に入射角４５°で入射する。第２のレー
ザ光源２から出射したパルスレーザビームｐｌ₂は、偏
光板６の裏側の面に入射角４５°で入射する。偏光板６
は、鉛直方向に直線偏光されたパルスレーザビームｐｌ
₁を反射し、水平方向に直線偏向されたパルスレーザビ
ームｐｌ₂を透過させる。

【００２４】偏光板６により、パルスレーザビームｐｌ
₁とｐｌ₂とが同一の光軸上に重畳され、パルスレーザビ
ームｐｌ₃が得られる。パルスレーザビームｐｌ₃は、折
り返しミラー９で反射する。反射したパルスレーザビー
ムｐｌ₄は、ガルバノスキャナ１０に入射する。ガスバ
ノスキャナ１０は、制御信号ｓｉｇ₀の指令に基づい
て、パルスレーザビームの光軸を２次元方向に走査す
る。

【００２５】ガルバノスキャナ１０を通過したパルスレ
ーザビームを、集光レンズ１１が集光し、パルスレーザ
ビームｐｌ₅が得られる。集光レンズ１１は、例えばｆ
θレンズで構成される。保持台５２が、パルスレーザビ
ームｐｌ₅の集光位置に加工対象基板５１を保持する。

【００２６】制御手段１３が、第１のレーザ光源１及び
第２のレーザ光源２に、それぞれ周期的な波形を有する
契機信号ｓｉｇ₁及びｓｉｇ₂を送出する。制御手段１３
は、第１の制御モードと第２の制御モードとから一つの
モードを選択し、各制御モードごとに決められている位
相差で契機信号ｓｉｇ₁及びｓｉｇ₂を送出することがで
きる。さらに、制御手段１３は、ガルバノスキャナ１０
に、制御信号ｓｉｇ₀を送出する。

【００２７】次に、図５及び図６を参照して、図４に示
したレーザ加工装置のパルスレーザビームのタイミング
について説明する。

【００２８】図５は、第１の制御モード時のタイミング
チャートを示す。契機信号ｓｉｇ₁及びｓｉｇ₂は、周波
数が等しく、相互に同期された電気パルス信号である。
契機信号ｓｉｇ₂の位相が、契機信号ｓｉｇ₁の位相より
も１８０度遅れている。パルスレーザビームｐｌ₁は契
機信号ｓｉｇ₁に同期し、パルスレーザビームｐｌ₂は、
契機信号ｓｉｇ₂に同期する。このため、パルスレーザ
ビームｐｌ₂は、パルスレーザビームｐｌ₁よりも位相が
１８０°遅れる。パルスレーザビームｐｌ₁とｐｌ₂とが
重畳されたパルスレーザビームｐｌ₃〜ｐｌ₅のパルスの
繰り返し周波数は、契機信号ｓｉｇ₁及びｓｉｇ₂の周波
数の２倍になる。

【００２９】図７に、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発振器を用い
たレーザ光源１及び２の第３高調波の出力特性の一例を
示す。横軸はパルスの繰り返し周波数を単位「ｋＨｚ」
で表し、縦軸はレーザ出力を単位「Ｗ」で表す。繰り返
し周波数が約５ｋＨｚのときにレーザ出力が最大値を示
し、繰り返し周波数が５ｋＨｚ以上の範囲では、繰り返
し周波数が高くなるに従ってレーザ出力が徐々に低下す
る。なお、この傾向はＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器に限ら
ず、他の固体レーザを用いた場合もほぼ同様である。

【００３０】一般的に、樹脂膜に孔を開ける場合、照射
するパルスレーザビームの１パルス当たりのエネルギ密
度を、あるしきい値以上にしなければならない。例え
ば、エポキシ樹脂に孔を開ける場合には、１パルス当た
りのエネルギ密度を約１Ｊ／ｃｍ²以上にする必要があ
る。加工すべき孔の面積から、必要とされる１パルス当
たりのエネルギが求まる。パルスレーザビームの出力を
Ｐ〔Ｗ〕、パルスの繰り返し周波数をｆ〔Ｈｚ〕とする
と、１パルス当たりのエネルギは、Ｐ／ｆ〔Ｊ〕で与え
られる。図７に示した出力特性から、１パルス当たりの
エネルギＰ／ｆが、必要とされるしきい値以上になる領
域を求めることができる。この領域でレーザ光源１及び
２を動作させることにより、樹脂膜に孔を開けることが
できる。

【００３１】加工対象基板５１に照射されるパルスレー
ザビームｐｌ₅の繰り返し周波数は、契機信号ｓｉｇ₁及
びｓｉｇ₂の周波数の２倍の１０ｋＨｚである。このた
め、１台のレーザ発振器を用いる場合に比べて、孔開け
時間を約１／２に短縮することができる。

【００３２】図６は、第２の制御モード時のタイミング
チャートを示す。図５に示した第１の制御モード時に
は、契機信号ｓｉｇ₂の位相が契機信号ｓｉｇ₁の位相よ
りも１８０°遅れていたが、第２の制御モード時には、
位相遅れ量が小さい。このため、パルスレーザビームｐ
ｌ₁とｐｌ₂とが重畳されたパルスレーザビームｐｌ₃〜
ｐｌ₅において、パルスレーザビームｐｌ₁のパルスとパ
ルスレーザビームｐｌ₂のパルスとが、部分的に重な
る。このため、パルス幅が広がるとともに、１パルス当
たりのエネルギが２倍になる。なお、契機信号ｓｉｇ₁
とｓｉｇ₂との位相を一致させ、パルスレーザビームｐ
ｌ₁のパルスとパルスレーザビームｐｌ₂のパルスと完全
に重ね合わせてもよい。この場合には、パルス幅は広が
らず、ピークパワーが約２倍になる。

【００３３】一般に、銅箔に孔を開けるには、１パルス
当たりのエネルギ密度を約１０Ｊ／ｃｍ²以上にしなけ
ればならない。孔の直径が１００μｍである場合には、
１パルス当たりのエネルギを約７．９×１０^-4Ｊ以上に
しなければならないことになる。ところが、図５に示し
た第１の制御モード時に、１パルス当たりのエネルギを
約７．９×１０^-4Ｊ以上にすることは困難である。図６
に示したように、２つのパルスレーザビームのパルスを
部分的に重ねることにより、銅箔の孔開けに必要な１パ
ルス当たりのエネルギを得ることができる。

【００３４】なお、１パルス当たりのエネルギが十分で
ない場合、レーザビームを収束させてビーム径を小さく
することにより、必要な１パルス当たりのエネルギ密度
を確保することは可能である。ところが、ビーム径が小
さいため、所望の大きさの孔を開けるためには、レーザ
ビームの照射部位を移動させる必要がある。例えば、ト
レパニング加工、もしくはスパイラル状の加工を行う必
要がある。本実施例のように、１パルス当たりのエネル
ギを大きくすることにより、トレパニング等を行うこと
なく、直径１００μｍ程度の孔を開けることが可能にな
る。

【００３５】例えば、繰り返し周波数１０ｋＨｚで動作
させる場合、図７から、１台のレーザ光源の出力が約４
Ｗと求まる。従って、図６に示したパルスレーザビーム
ｐｌ ₃〜ｐｌ₅のパワーは８Ｗになる。このとき、１パル
ス当たりのエネルギは、８×１０^-4Ｊになる。１台のレ
ーザ光源では、銅箔に孔を開けることが困難であるが、
２台のレーザ光源を用い、パルス同士を重ね合わせるこ
とにより、１パルス当たりのエネルギを、銅箔に孔を開
けるのに十分な大きさにすることができる。

【００３６】図６に示したパルスレーザビームｐｌ₃〜
ｐｌ₅のパルス幅及びピーク強度は、パルスレーザビー
ムｐｌ₁とｐｌ₂との位相のずれ量に依存する。契機信号
ｓｉｇ ₁に対する契機信号ｓｉｇ₂の位相の遅れ量を調節
することにより、パルスレーザビームｐｌ₃〜ｐｌ₅のパ
ルス幅及びピーク強度を容易に制御することができる。

【００３７】図８に、多層配線基板の断面図を示す。マ
ザーボード２１の表面上にパッケージボード２２が実装
されている。パッケージボード２２に、半導体集積回路
チップ２３が実装されている。マザーボード２１やパッ
ケージボード２２は、ガラスクロスを含んだエポキシ樹
脂で形成される。

【００３８】マザーボード２１内に銅配線層２５が埋め
込まれている。ビアホール２６が、マザーボード２１の
表面から銅配線２５まで達する。また、スルーホール２
７が、マザーボード２１を貫通する。ビアホール２６及
びスルーホール２７内に、銅が埋め込まれている。パッ
ケージボード２２にも、同様に銅配線２８及びビアホー
ル２９が形成されている。ビアホール２６、２９及びス
ルーホール２７は、図４に示したレーザドリルによって
形成される。なお、パッケージボード２２がマザーボー
ド２１に実装される前の単体のマザーボード２１やパッ
ケージボード２２に対してレーザ加工が行われる。

【００３９】ビアホール２６や２９の形成は、図５に示
した第１の制御モードで行われる。このときのパルスレ
ーザビームｐｌ₅の１パルス当たりのエネルギは、樹脂
に孔を開けるのに十分な大きさである。ただし、銅箔に
孔を開けるには十分でないため、ビアホールの底面に銅
配線２５を残すことができる。

【００４０】スルーホール２７を形成する場合には、第
１の制御モードで樹脂層を貫通する孔を形成した後、図
６に示した第２の制御モードで銅配線に孔を形成する。
このときのパルスレーザビームｐｌ₅の１パルス当たり
のエネルギは、銅箔に孔を開けるのに十分な大きさであ
る。第１の制御モードによるレーザ加工と第２の制御モ
ードによるレーザ加工とを交互に繰り返し実施すること
により、スルーホール２７を形成することができる。

【００４１】表面上に銅箔が形成された樹脂基板に、銅
箔を貫通させて孔を開ける場合には、最初に第２の制御
モードで銅箔に孔を開ける。銅箔の厚さに応じて、照射
するパルス数を予め設定しておくと、銅箔を貫通した時
点で加工を停止させることができる。銅箔を貫通する孔
が開いたら、次に第１の制御モードに切り替え、樹脂部
に孔を開ける。第１の制御モードによるレーザ加工時に
照射するパルス数も、予め設定されている。

【００４２】上記実施例では、紫外線領域の波長を有す
るパルスレーザビームとして、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第
３高調波を用いたが、その他のレーザを用いてもよい。
例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第４もしくは第５高調波
を用いてもよいし、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの代わりにＹＬ
ＦレーザやＹＶＯ₄レーザを用いてもよい。また、Ｋｒ
ＦエキシマレーザやＸｅＣｌエキシマレーザの基本波を
用いてもよい。

【００４３】また、上記実施例では、第１のレーザ光源
１から出射されたパルスレーザビームｐｌ₁と、第２の
レーザ光源２から出射されたパルスレーザビームｐｌ₂
とを、同一の光軸に沿って伝搬させ、被加工物の被加工
位置に集光させたが、必ずしも両者の光軸を同一にする
必要はない。例えば、パルスレーザビームｐｌ₁及びｐ
ｌ₂を異なる光軸に沿って伝搬させ、被加工位置におい
て両者の光軸が交わるようにしてもよい。

【００４４】次に、図９を参照して、本発明の他の実施
例によるレーザ加工装置について説明する。

【００４５】図１及び図２で説明した実施例では、加工
情報テーブル５５ａ及び不良情報テーブル５５ｂが、共
通メモリ５５内に確保されており、レーザドリル５０及
び自動外観検査装置６０の双方からこれらのテーブルに
アクセスすることができた。図９に示した実施例では、
共通メモリ５５が設けられていない。その代わりに、レ
ーザドリル５０内に加工情報テーブル５０ａ及び不良情
報テーブル５０ｂが設けられ、自動外観検査装置６０内
に加工情報テーブル６０ａ及び不良情報テーブル６０ｂ
が設けられている。その他の構成は、図１に示した実施
例の加工装置の構成と同様である。

【００４６】次に、図３を参照して、図９に示した加工
装置を用いてレーザ加工を行う方法を説明する。なお、
特に断らない限り、各ステップは、図１の加工装置を用
いた加工方法の対応するステップと同一である。

【００４７】加工情報テーブル５０ａ及び６０ａに、予
め同一の情報が記憶されている。図３に示したステップ
ｓ７において、自動外観検査装置６０は、自装置内に設
けられた不良情報テーブル６０ｂに不良情報を格納す
る。ステップｓ８において、基板をレーザドリル５０の
加工対象物保持台５２の上に移送するとともに、当該基
板の識別情報に関連づけられた不良情報を、自動外観検
査装置６０内の不良情報テーブル６０ｂから、レーザド
リル５０内の不良情報テーブル５０ｂに、通信回線７０
を介して転送する。ステップｓ１０において、レーザド
リル５０は、自装置内の不良情報テーブル５０ｂに転送
された不良情報に基づいて再加工を行う。

【００４８】図９に示した実施例においても、基板に刻
印された識別情報に基づいて、加工情報及び不良情報が
特定される。このため、複数の基板を連続的に処理する
場合に、レーザドリル５０と自動外観検査装置６０との
間で、基板毎の加工情報及び不良情報を容易に受け渡し
することができる。また、不良個所が発見された基板に
対して再度レーザ加工が行われ、不良個所が修復される
ため、製品の歩留まり向上を図ることが可能になる。

【００４９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
加工対象物に識別情報が刻印され、その識別情報に基づ
いて、加工情報及び不良情報が特定される。このため、
加工対象物と、それに対応する加工情報及び不良情報を
容易に対応付けることができる。また、加工後の検査に
よって加工不良が発見された基板に対して再加工が行わ
れるため、製品の歩留まりの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による加工装置のブロック図で
ある。

【図２】加工情報テーブル及び不良情報テーブルのフォ
ーマットの一例を示す図である。

【図３】本発明の実施例による加工方法を示したフロー
チャートである。

【図４】本発明の実施例で用いられるレーザドリルのブ
ロック図である。

【図５】レーザドリルの第１の制御モード時のタイミン
グチャートを示すグラフである。

【図６】レーザドリルの第２の制御モード時のタイミン
グチャートを示すグラフである。

【図７】Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第３高調波の出力特性の
一例を示すグラフである。

【図８】多層配線基板の断面図である。

【図９】本発明の他の実施例による加工装置のブロック
図である。

【符号の説明】

１、２レーザ光源５、９折り返しミラー６偏光板１０ガルバノスキャナ１１集光レンズ１３制御手段１５非線形光学素子２１マザーボード２２パッケージボード２３半導体集積回路装置２５、２８銅配線２６、２９ビアホール２７スルーホール５０レーザドリル５１基板５２加工対象物保持台５５共通メモリ６０自動外観検査装置６２検査物保持台７０通信回線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加工対象物に、レーザ加工を行うととも
に、識別情報を刻印するレーザ加工部であって、該レー
ザ加工部は、加工対象物に刻印されている識別情報を読
み取り、該識別情報に対応する不良情報に基づいて該加
工対象物の不良個所の修復を行うレーザ加工部と、レーザ加工された加工対象物に刻印された識別情報を読
み取り、該識別情報に対応する加工情報に基づいて加工
対象物の検査を行う検査部とを有するレーザ加工装置。
【請求項２】さらに、前記レーザ加工部及び検査部の
双方からアクセス可能な共通メモリであって、該共通メ
モリ内に、前記加工対象物の種別毎に加工情報が記憶さ
れた加工情報テーブルと、前記識別情報に関連づけて前
記不良情報が格納される不良情報テーブルが確保されて
いる共通メモリを有する請求項１に記載のレーザ加工装
置。
【請求項３】前記レーザ加工部及び検査部の各々が、
前記加工対象物の種別毎に加工情報が記憶された加工情
報テーブルと、前記識別情報に関連づけて前記不良情報
が格納される不良情報テーブルとを有し、さらに、前記検査部の不良情報テーブルに格納された不
良情報を、前記レーザ加工部の不良情報テーブルに転送
するための通信回線を有する請求項１に記載のレーザ加
工装置。
【請求項４】加工対象物にレーザビームを照射して、
該加工対象物の識別情報に対応する加工情報に基づいて
レーザ加工を行うとともに、レーザ照射により該加工対
象物に該識別情報を刻印する工程と、レーザ加工された加工対象物の識別情報を読み取り、該
識別情報に対応する加工情報に基づいて加工対象物の検
査を行い、不良の場合には、識別情報と不良情報とを関
連づけて記憶する工程と、検査された加工対象物の識別情報を読み取り、該識別情
報に関連づけられた不良情報に基づいて該加工対象物に
レーザビームを照射して再加工する工程とを有するレー
ザ加工方法。