JP2002232150A - 多層プリント配線板用レーザ孔あけ加工機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配線層間の導通をとるバイア用の孔あけ加工に
て、内層銅箔のランド部の表面の樹脂残渣を完全に除去
し、バイアの層間接続の信頼性を高める多層プリント配
線板用レーザ孔あけ加工機を提供すること。 【解決手段】レーザ光学系として、上層の銅箔に孔を形
成する第一短波長レーザ光学系、第一短波長レーザ光学
系によって形成された銅箔の孔の下の樹脂層に孔を形成
するＣＯ２ レーザ光学系、ＣＯ２ レーザ光学系によ
って形成された樹脂層の孔の下の内層銅箔上に残る樹脂
残渣を除去する第二短波長レーザ光学系を具備するこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板用レーザ孔あけ加工機に関するものであり、特に、下
層の内層銅箔のランド上に残る樹脂残渣を完全に除去
し、バイアの層間接続の信頼性を高める多層プリント配
線板用レーザ孔あけ加工機に関する。

【０００２】

【従来の技術】多層プリント配線板において、積層する
上下の配線層間の導通をとるための非貫通で垂直方向に
設けられるバイアを形成する際に、その製造工程で形成
されるバイア用の孔はレーザ光を用いて孔あけ加工され
ることが多い。図２は、バイア用の孔あけ加工をするレ
ーザ孔あけ加工機の一例の概念を断面で示す説明図であ
る。

【０００３】図２に示すように、このレーザ孔あけ加工
機は、Ｘ−Ｙステージ（６０）、Ｘ−Ｙステージ上方の
短波長レーザ光学系（２０）、ＣＯ２ レーザ光学系
（４０）を具備するものである。Ｘ−Ｙステージ（６
０）上には孔あけ加工中の多層プリント配線板（８０）
が載置されている。短波長レーザ光学系（２０）は短波
長レーザ発振器（２１）、ビームスプリッター部（２
３）、ガルバノミラー部（２４）で構成され、また、ビ
ームスプリッター部（２３）はビームスプリッター（２
３Ａ）、ミラー（２３Ｂ）からなり、ガルバノミラー部
（２４）は２対のガルバノミラー（２４Ａ）、（２４
Ｂ）からなる。

【０００４】短波長レーザ発振器（２１）からの短波長
レーザ光（２５）は、ビームスプリッター部（２３）の
ビームスプリッター（２３Ａ）にて２分割され、一方の
短波長レーザ光（２５Ａ）は下方のガルバノミラー部
（２４）の１対のガルバノミラー（２４Ａ）に到る。１
対のガルバノミラー（２４Ａ）は多層プリント配線板
（８０）のＸ方向及びＹ方向に短波長レーザ光（２５
Ａ）を偏向、走査し、偏向、走査された短波長レーザ光
（２５Ａ）は孔あけ加工を行う。

【０００５】また、ビームスプリッター（２３Ａ）にて
２分割された、他方の短波長レーザ光（２５Ｂ）はビー
ムスプリッター部（２３）のミラー（２３Ｂ）を経て下
方のガルバノミラー部（２４）の他の１対のガルバノミ
ラー（２４Ｂ）に到る。他の１対のガルバノミラー（２
４Ｂ）は、同様に多層プリント配線板（８０）のＸ方向
及びＹ方向に短波長レーザ光（２５Ｂ）を偏向、走査
し、偏向、走査された短波長レーザ光（２５Ｂ）は孔あ
け加工を行うが、２対のガルバノミラー（２４Ａ）、
（２４Ｂ）によって、約５０ｍｍ×５０ｍｍの範囲を偏
向、走査し孔あけ加工を行うようになっている。

【０００６】ＣＯ２ レーザ光学系（４０）はＣＯ２
レーザ発振器（４１）、ビームスプリッター部（４
３）、ガルバノミラー部（４４）で構成され、また、ビ
ームスプリッター部（４３）はビームスプリッター（４
３Ａ）、ミラー（４３Ｂ）からなり、ガルバノミラー部
（４４）は２対のガルバノミラー（４４Ａ）、（４４
Ｂ）からなる。

【０００７】ＣＯ２ レーザ発振器（４１）からのＣＯ
２ レーザ光（４５）は、短波長レーザ光学系（２０）
におけると同様に、ビームスプリッター部（４３）のビ
ームスプリッター（４３Ａ）にて２分割され、一方のＣ
Ｏ２ レーザ光（４５Ａ）は下方のガルバノミラー部
（４４）の１対のガルバノミラー（４４Ａ）に到る。１
対のガルバノミラー（４４Ａ）は多層プリント配線板
（８０）のＸ方向及びＹ方向にＣＯ２ レーザ光（４５
Ａ）を偏向、走査し、偏向、走査されたＣＯ２ レーザ
光（４５Ａ）は孔あけ加工を行う。

【０００８】また、ビームスプリッター（４３Ａ）にて
２分割された、他方のＣＯ２ レーザ光（４５Ｂ）はビ
ームスプリッター部（４３）のミラー（４３Ｂ）を経て
下方のガルバノミラー部（４４）の他の１対のガルバノ
ミラー（４４Ｂ）に到る。他の１対のガルバノミラー
（４４Ｂ）は、同様に多層プリント配線板（８０）のＸ
方向及びＹ方向にＣＯ２ レーザ光（４５Ｂ）を偏向、
走査し、偏向、走査されたＣＯ２ レーザ光（４５Ｂ）
は孔あけ加工を行うが、２対のガルバノミラー（４４
Ａ）、（４４Ｂ）によって、約５０ｍｍ×５０ｍｍの範
囲を偏向、走査し孔あけ加工を行うようになっている。
尚、短波長レーザ光学系（２０）とＣＯ２ レーザ光学
系（４０）の両光学系間の距離（Ｌ３）は約１５０ｍｍ
程度のものである。

【０００９】図２に示す多層プリント配線板（８０）の
断面においては、ガラスエポキシ（８１）、その表裏面
の内層銅箔のランド部（８２Ａ）、（８２Ｂ）、樹脂層
（８３Ａ）、（８３Ｂ）、及び銅箔（８４Ａ）、（８４
Ｂ）が示されている。Ｘ−Ｙステージ（６０）上に載置
された多層プリント配線板（８０）は、先ず、短波長レ
ーザ発振器（２１）からの短波長レーザ光（２５）が２
分割された短波長レーザ光（２５Ａ）、（２５Ｂ）によ
って、その樹脂層（８３Ａ）上の銅箔（８４Ａ）に孔あ
けがされる。すなわち、銅箔（８４Ａ）には銅箔の孔
（８５Ａ）、（８５Ｂ）が形成され、下方の樹脂層（８
３Ａ）が露出する。銅箔の孔（８５Ａ）、（８５Ｂ）
は、Ｘ−Ｙステージ（６０）の矢印方向への移動に従い
多層プリント配線板（８０）の左方部分から右方部分へ
と順次に形成される。

【００１０】次に、銅箔の孔（８５Ａ）、（８５Ｂ）が
形成された左方部分が、Ｘ−Ｙステージ（６０）の矢印
方向への移動によりＣＯ２ レーザ光学系（４０）の下
方に到ると、ＣＯ２ レーザ発振器（４１）からのＣＯ
２ レーザ光（４５）が２分割されたＣＯ２ レーザ光
（４５Ａ）、（４５Ｂ）によって、銅箔の孔（８５
Ａ）、（８５Ｂ）が形成された銅箔（８４Ａ）をマスク
として、露出した樹脂層（８３Ａ）に孔あけがされる。
すなわち、樹脂層の孔（８６Ａ）、（８６Ｂ）が形成さ
れ、下方の内層銅箔のランド部（８２Ａ）が露出する。
短波長レーザ光（２５Ａ）、（２５Ｂ）による銅箔の孔
（８５Ａ）、（８５Ｂ）の形成に続く、ＣＯ２ レーザ
光（４５Ａ）、（４５Ｂ）による樹脂層の孔（８６
Ａ）、（８６Ｂ）の形成は、Ｘ−Ｙステージ（６０）の
矢印方向への移動に従い順次に多層プリント配線板（８
０）の全面にわたり並列して行われる。

【００１１】しかし、このようなＣＯ２ レーザ光を用
いたバイア用の孔あけ加工においては、樹脂層の孔（８
６Ａ）、（８６Ｂ）は上層の銅箔と内層銅箔の上下の配
線層間の導通をとるバイア用の孔であり、多層プリント
配線板（８０）を貫通する孔ではないので、熱加工のよ
うな様相を呈し内層銅箔のランド部（８２Ａ）の表面に
２μｍ程度の樹脂膜が残渣として残ってしまう。そこ
で、この２μｍ程度の樹脂膜（樹脂残渣）を取り除く処
理を後工程にて行うが、薬液による処理であるために樹
脂層の孔（８６Ａ）、（８６Ｂ）の中の薬液の置換が十
分に行われず、非貫通の樹脂層の孔（８６Ａ）、（８６
Ｂ）の底に露出しているランド部（８２Ａ）の表面の樹
脂膜（樹脂残渣）を完全に取りきることは困難なことで
ある。完全に取りきれずに残った樹脂残渣は層間接続の
信頼性を損ねるものとなる。

【００１２】このような樹脂残渣を完全に除去する方法
として、例えば、このレーザ孔あけ加工機の短波長レー
ザ光学系（２０）を再び用い、短波長レーザ光（２５）
によってランド部（８２Ａ）表面に残った樹脂残渣を除
去する方法があるが、このように短波長レーザ光学系を
再び用いる方法は、孔あけ加工の生産性を著しく阻害し
好ましいものではない。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するためになされたものであり、多層プリント配線板
の積層する上下の配線層間の導通をとるバイア用の孔あ
け加工をレーザ孔あけ加工機によって行う際に、内層銅
箔のランド部の表面に樹脂残渣を残すことなく完全に除
去し、バイアの層間接続の信頼性を高める多層プリント
配線板用レーザ孔あけ加工機を提供することを課題とす
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、多層プリント
配線板を製造する際に用いるレーザ孔あけ加工機におい
て、積層する上下の配線層間の導通をとるバイア用の孔
を形成するレーザ光学系として、 １）上層の銅箔に孔を形成する第一短波長レーザ光学
系、 ２）該第一短波長レーザ光学系によって形成された銅箔
の孔の下の樹脂層に孔を形成するＣＯ２ レーザ光学
系、 ３）該ＣＯ２ レーザ光学系によって形成された樹脂層
の孔の下の内層銅箔上に残る樹脂残渣を除去する第二短
波長レーザ光学系、 を少なくとも具備することを特徴とする多層プリント配
線板用レーザ孔あけ加工機である。

【００１５】また、本発明は、上記発明による多層プリ
ント配線板用レーザ孔あけ加工機において、前記第一短
波長レーザ光学系の第一短波長レーザ光と前記第二短波
長レーザ光学系の第二短波長レーザ光が、一基の短波長
レーザ発振器から発振し分岐された短波長レーザ光であ
り、分岐比が第一短波長レーザ光のエネルギーと第二短
波長レーザ光のエネルギーとの比で［７０：３０］〜
［９５：５］であることを特徴とする請求項１記載の多
層プリント配線板用レーザ孔あけ加工機である。

【００１６】また、本発明は、上記発明による多層プリ
ント配線板用レーザ孔あけ加工機において、前記第二短
波長レーザ光学系の第二短波長レーザ光の焦点を内層銅
箔上に残る樹脂残渣から−１．０ｍｍ〜＋１．０ｍｍず
らすことを特徴とする多層プリント配線板用レーザ孔あ
け加工機である。

【００１７】また、本発明は、上記発明による多層プリ
ント配線板用レーザ孔あけ加工機において、前記レーザ
光学系のレーザ光の波長が１９３ｎｍ〜１０６００ｎｍ
の範囲にあることを特徴とする多層プリント配線板用レ
ーザ孔あけ加工機である。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明を実施の形態に基づいて以
下に詳細に説明する。図１は、本発明による多層プリン
ト配線板用レーザ孔あけ加工機の一実施例の概念を断面
で示す説明図である。

【００１９】図１に示すように、本発明による多層プリ
ント配線板用レーザ孔あけ加工機は、Ｘ−Ｙステージ
（７０）、Ｘ−Ｙステージ上方の短波長レーザ発振器
（１）、第一短波長レーザ光学系（１０）、ＣＯ２ レ
ーザ光学系（３０）、第二短波長レーザ光学系（５０）
を具備するものである。Ｘ−Ｙステージ（７０）上には
孔あけ加工中の多層プリント配線板（９０）が載置され
ている。第一短波長レーザ光学系（１０）は第一ビーム
スプリッター部（１２）、第二ビームスプリッター部
（１３）、ガルバノミラー部（１４）で構成され、ま
た、第二ビームスプリッター部（１３）はビームスプリ
ッター（１３ａ）、ミラー（１３ｂ）からなり、ガルバ
ノミラー部（１４）は２対のガルバノミラー（１４
ａ）、（１４ｂ）からなる。

【００２０】短波長レーザ発振器（１）からの短波長レ
ーザ光（１５）は、第一ビームスプリッター部（１２）
のビームスプリッター（１２Ａ）にて第一短波長レーザ
光（１５Ａ）と第二短波長レーザ光（１５Ｂ）に２分割
される。第一短波長レーザ光（１５Ａ）は、第二ビーム
スプリッター部（１３）のビームスプリッター（１３
ａ）にて更に２分割され、一方の短波長レーザ光（１５
ａ）は下方のガルバノミラー部（１４）の１対のガルバ
ノミラー（１４ａ）に到る。１対のガルバノミラー（１
４ａ）は多層プリント配線板（９０）のＸ方向及びＹ方
向に短波長レーザ光（１５ａ）を偏向、走査し、偏向、
走査された短波長レーザ光（１５ａ）は孔あけ加工を行
う。

【００２１】また、第二ビームスプリッター部（１３）
にて２分割された、他方の短波長レーザ光（１５ｂ）は
第二ビームスプリッター部（１３）のミラー（１３ｂ）
を経て下方のガルバノミラー部（１４）の他の１対のガ
ルバノミラー（１４ｂ）に到る。他の１対のガルバノミ
ラー（１４ｂ）は、同様に多層プリント配線板（９０）
のＸ方向及びＹ方向に短波長レーザ光（１５ｂ）を偏
向、走査し、偏向、走査された短波長レーザ光（１５
ｂ）は孔あけ加工を行うが、２対のガルバノミラー（１
４ａ）、（１４ｂ）によって、約５０ｍｍ×５０ｍｍの
範囲を偏向、走査し孔あけ加工を行うようになってい
る。

【００２２】ＣＯ２ レーザ光学系（３０）はＣＯ２
レーザ発振器（３１）、ビームスプリッター部（３
３）、ガルバノミラー部（３４）で構成され、また、ビ
ームスプリッター部（３３）はビームスプリッター（３
３ａ）、ミラー（３３ｂ）からなり、ガルバノミラー部
（３４）は２対のガルバノミラー（３４ａ）、（３４
ｂ）からなる。

【００２３】ＣＯ２ レーザ発振器（３１）からのＣＯ
２ レーザ光（３５）は、第一短波長レーザ光学系（１
０）におけると同様に、ビームスプリッター部（３３）
のビームスプリッター（３３ａ）にて２分割され、一方
のＣＯ２ レーザ光（３５ａ）は下方のガルバノミラー
部（３４）の１対のガルバノミラー（３４ａ）に到る。
１対のガルバノミラー（３４ａ）は多層プリント配線板
（９０）のＸ方向及びＹ方向にＣＯ２ レーザ光（３５
ａ）を偏向、走査し、偏向、走査されたＣＯ２レーザ光
（３５ａ）は孔あけ加工を行う。

【００２４】また、ビームスプリッター（３３ａ）にて
２分割された、他方のＣＯ２ レーザ光（３５ｂ）はビ
ームスプリッター部（３３）のミラー（３３ｂ）を経て
下方のガルバノミラー部（３４）の他の１対のガルバノ
ミラー（３４ｂ）に到る。他の１対のガルバノミラー
（３４ｂ）は、同様に多層プリント配線板（９０）のＸ
方向及びＹ方向にＣＯ２ レーザ光（３５ｂ）を偏向、
走査し、偏向、走査されたＣＯ２ レーザ光（３５ｂ）
は孔あけ加工を行うが、２対のガルバノミラー（３４
ａ）、（３４ｂ）によって、約５０ｍｍ×５０ｍｍの範
囲を偏向、走査し孔あけ加工を行うようになっている。
尚、第一短波長レーザ光学系（１０）とＣＯ２ レーザ
光学系（３０）の両光学系間の距離（Ｌ１）は約１５０
ｍｍ程度のものである。

【００２５】また、第二短波長レーザ光学系（５０）は
ミラー部（５２）、ビームスプリッター部（５３）、ガ
ルバノミラー部（５４）で構成され、また、ビームスプ
リッター部（５３）はビームスプリッター（５３ａ）、
ミラー（５３ｂ）からなり、ガルバノミラー部（５４）
は２対のガルバノミラー（５４ａ）、（５４ｂ）からな
る。

【００２６】前記第一ビームスプリッター部（１２）に
て短波長レーザ光（１５）から２分割された他方の第二
短波長レーザ光（１５Ｂ）は、第二短波長レーザ光学系
（５０）のミラー部（５２）のミラー（５２Ａ）を経て
下方のビームスプリッター部（５３）のビームスプリッ
ター（５３ａ）にて更に２分割され、一方の短波長レー
ザ光（５５ａ）は下方のガルバノミラー部（５４）の１
対のガルバノミラー（５４ａ）に到る。１対のガルバノ
ミラー（５４ａ）は多層プリント配線板（９０）のＸ方
向及びＹ方向に短波長レーザ光（５５ａ）を偏向、走査
し、偏向、走査された短波長レーザ光（５５ａ）は孔あ
け加工を行う。

【００２７】また、ビームスプリッター（５３ａ）にて
２分割された、他方の短波長レーザ光（５５ｂ）はビー
ムスプリッター部（５３）のミラー（５３ｂ）を経て下
方のガルバノミラー部（５４）の他の１対のガルバノミ
ラー（５４ｂ）に到る。他の１対のガルバノミラー（５
４ｂ）は、同様に多層プリント配線板（９０）のＸ方向
及びＹ方向に短波長レーザ光（５５ｂ）を偏向、走査
し、偏向、走査された短波長レーザ光（５５ｂ）は孔あ
け加工を行うが、２対のガルバノミラー（５４ａ）、
（５４ｂ）によって、約５０ｍｍ×５０ｍｍの範囲を偏
向、走査し孔あけ加工を行うようになっている。尚、Ｃ
Ｏ２ レーザ光学系（３０）と第二短波長レーザ光学系
（５０）の両光学系間の距離（Ｌ２）は約１５０ｍｍ程
度のものである。

【００２８】図１に示す多層プリント配線板（９０）の
断面においては、ガラスエポキシ（９１）、その表裏面
の内層銅箔のランド部（９２Ａ）、（９２Ｂ）、樹脂層
（９３Ａ）、（９３Ｂ）、及び銅箔（９４Ａ）、（９４
Ｂ）が示されている。Ｘ−Ｙステージ（７０）上に載置
された多層プリント配線板（９０）は、先ず、短波長レ
ーザ発振器（１）からの短波長レーザ光（１５）が２分
割された第一短波長レーザ光（１５Ａ）が更に２分割さ
れた短波長レーザ光（１５ａ）、（１５ｂ）によって、
その樹脂層（９３Ａ）上の銅箔（９４Ａ）に孔あけがさ
れる。すなわち、銅箔（９４Ａ）には銅箔の孔（９５
ａ）、（９５ｂ）が形成され、下方の樹脂層（９３Ａ）
が露出する。銅箔の孔（９５ａ）、（９５ｂ）は、Ｘ−
Ｙステージ（７０）の矢印方向への移動に従い多層プリ
ント配線板（９０）の左方部分から右方部分へと順次に
形成される。

【００２９】次に、銅箔の孔（９５ａ）、（９５ｂ）が
形成された左方部分が、Ｘ−Ｙステージ（７０）の矢印
方向への移動によりＣＯ２ レーザ光学系（３０）の下
方に到ると、ＣＯ２ レーザ発振器（３１）からのＣＯ
２ レーザ光（３５）が２分割されたＣＯ２ レーザ光
（３５ａ）、（３５ｂ）によって、銅箔の孔（９５
ａ）、（９５ｂ）が形成された銅箔（９４Ａ）をマスク
として、露出した樹脂層（９３Ａ）に孔あけがされる。
すなわち、樹脂層の孔（９６ａ）、（９６ｂ）が形成さ
れ、下方の内層銅箔のランド部（９２Ａ）が露出する。

【００３０】次に、樹脂層の孔（９６ａ）、（９６ｂ）
が形成され、下方の内層銅箔のランド部（９２Ａ）の露
出した部分が、Ｘ−Ｙステージ（７０）の矢印方向への
移動により第二短波長レーザ光学系（５０）の下方に到
ると、短波長レーザ発振器（１）からの短波長レーザ光
（１５）が２分割された第二短波長レーザ光（１５Ｂ）
が更に２分割された短波長レーザ光（５５ａ）、（５５
ｂ）によって、樹脂層の孔（９６ａ）、（９６ｂ）の底
に相当するランド部（９２Ａ）表面に残っている樹脂残
渣が完全に除去される。尚、第一短波長レーザ光（１５
Ａ）による銅箔の孔（９５ａ）、（９５ｂ）の形成に続
く、ＣＯ２ レーザ光（３５）による樹脂層の孔（９６
ａ）、（９６ｂ）の形成、及び第二短波長レーザ光（１
５Ｂ）によるランド部（９２Ａ）表面の樹脂残渣の除去
は、Ｘ−Ｙステージ（７０）の矢印方向への移動に従い
順次に多層プリント配線板（９０）の全面にわたり並列
して行われる。

【００３１】本発明に用いるＣＯ２ レーザとしては、
そのレーザ光の波長が９．３μｍ〜１０．６μｍのもの
が好ましい。また、短波長レーザとしては、ＹＬＦ、Ｙ
ＡＧ、エキシマなどのレーザも用いることができる。こ
れらのレーザは、波長が１３２１ｎｍ以下であるので、
ＣＯ２ レーザを用いての樹脂層の孔あけの際にみられ
る熱加工のような様相を避けることができる。

【００３２】図１に示す一実施例においては、第一短波
長レーザ光（１５Ａ）と第二短波長レーザ光（１５Ｂ）
は、一基の短波長レーザ発振器（１）からの短波長レー
ザ光（１５）が第一ビームスプリッター部（１２）にて
分岐されたものであり、この分岐比は第一短波長レーザ
光（１５Ａ）のエネルギーと第二短波長レーザ光（１５
Ｂ）のエネルギーとの比で［７０：３０］〜［９５：
５］であることを特徴とするものである。また、本発明
においては、第二短波長レーザ光学系の第二短波長レー
ザ光の焦点を内層銅箔上に残る樹脂残渣から−１．０ｍ
ｍ〜＋１．０ｍｍずらすことにより、第二短波長レーザ
光のエネルギーを微調整することができるものとなる。

【００３３】また、本発明による多層プリント配線板用
レーザ孔あけ加工機の生産性については、前記のよう
に、第一短波長レーザ光（１５Ａ）による銅箔の孔（９
５ａ）、（９５ｂ）の形成に続く、ＣＯ２ レーザ光
（３５）による樹脂層の孔（９６ａ）、（９６ｂ）の形
成、及び第二短波長レーザ光（１５Ｂ）によるランド部
（９２Ａ）表面の樹脂残渣の除去は、Ｘ−Ｙステージ
（７０）の矢印方向への移動に従い順次に多層プリント
配線板（９０）の全面にわたり並列して行われるので、
レーザ孔あけ加工の生産性を阻害するものではない。

【００３４】例えば、多層プリント配線板の大きさを約
６００ｍｍ×６００ｍｍとすると、各光学系間の距離
（Ｌ１、Ｌ２）は約１５０ｍｍであるので、第二短波長
レーザ光（１５Ｂ）による加工が付加されることによる
レーザ孔あけ加工時間の延びは約２５％であり、従来法
に対比するとレーザ孔あけ加工機の生産性は大幅に改善
されたものとなる。

【００３５】また、本発明においては、第一短波長レー
ザ光学系（１０）、第二短波長レーザ光学系（５０）の
各々に独立した短波長レーザ発振器を設けることもでき
る。各々の短波長レーザ光学系に各々の短波長レーザ発
振器を設けることにより、例えば、銅箔への孔あけに
は、銅箔加工に適した周波数領域、エネルギー密度で、
また樹脂残渣の除去には、樹脂残渣の除去に適した周波
数領域、エネルギー密度で各々の加工を効率よく行うこ
とができるものとなる。

【００３６】

【発明の効果】本発明は、上層の銅箔に孔を形成する第
一短波長レーザ光学系、第一短波長レーザ光学系によっ
て形成された銅箔の孔の下の樹脂層に孔を形成するＣＯ
２ レーザ光学系、ＣＯ２ レーザ光学系によって形成
された樹脂層の孔の下の内層銅箔上に残る樹脂残渣を除
去する第二短波長レーザ光学系を具備する多層プリント
配線板用レーザ孔あけ加工機であるので、積層する上下
の配線層間の導通をとるバイア用の孔あけ加工にて、内
層銅箔のランド部の表面に樹脂残渣を残すことなく完全
に除去し、バイアの層間接続の信頼性を高めることので
きる多層プリント配線板用レーザ孔あけ加工機となる。

【００３７】また、本発明は、第一短波長レーザ光学系
の第一短波長レーザ光と第二短波長レーザ光学系の第二
短波長レーザ光が、一基の短波長レーザ発振器から発振
し分岐された短波長レーザ光であるので、設備費用、設
置スペースが低減できるものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による多層プリント配線板用レーザ孔あ
け加工機の一実施例の概念を断面で示す説明図である。

【図２】バイア用の孔あけ加工をするレーザ孔あけ加工
機の一例の概念を断面で示す説明図である。

【符号の説明】

１、２１……短波長レーザ発振器 １０……第一短波長レーザ光学系 １２……第一ビームスプリッター部 １２Ａ……ビームスプリッター １３……第二ビームスプリッター部 １３ａ、２３Ａ、３３ａ、４３Ａ、５３ａ……ビームス
プリッター １３ｂ、２３Ｂ、３３ｂ、４３Ｂ、５３ｂ……ミラー １４、２４、３４、４４、５４……ガルバノミラー部 １４ａ、１４ｂ、３４ａ、３４ｂ、５４ａ、５４ｂ……
１対のガルバノミラー １５Ａ……第一短波長レーザ光 １５Ｂ……第二短波長レーザ光 １５、２５……短波長レーザ光 ２０……短波長レーザ光学系 ２３、３３、４３……ビームスプリッター部 ２４Ａ、２４Ｂ、４４Ａ、４４Ｂ……１対のガルバノミ
ラー ３０、４０……ＣＯ２ レーザ光学系 ３１、４１……ＣＯ２ レーザ発振器 ３５、４５……ＣＯ２ レーザ光 ５０……第二短波長レーザ光学系 ５２……ミラー部 ５３……ビームスプリッター部 ６０、７０……Ｘ−Ｙステージ ８０、９０……多層プリント配線板 ８１、９１……ガラスエポキシ ８２Ａ、８２Ｂ、９２Ａ、９２Ｂ……ランド部 ８３Ａ、８３Ｂ、９３Ａ、９３Ｂ……樹脂層 ８４Ａ、８４Ｂ、９４Ａ、９４Ｂ……銅箔 ８５Ａ、８５Ｂ、９５ａ、９５ｂ……銅箔の孔 ８６Ａ、８６Ｂ、９６ａ、９６ｂ……樹脂層の孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 竹志 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 AF00 CD04 DA11 5E346 AA43 CC04 CC09 CC32 DD12 FF03 GG15 HH31

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】多層プリント配線板を製造する際に用いる
   レーザ孔あけ加工機において、積層する上下の配線層間
   の導通をとるバイア用の孔を形成するレーザ光学系とし
   て、 １）上層の銅箔に孔を形成する第一短波長レーザ光学
   系、 ２）該第一短波長レーザ光学系によって形成された銅箔
   の孔の下の樹脂層に孔を形成するＣＯ２ レーザ光学
   系、 ３）該ＣＯ２ レーザ光学系によって形成された樹脂層
   の孔の下の内層銅箔上に残る樹脂残渣を除去する第二短
   波長レーザ光学系、 を少なくとも具備することを特徴とする多層プリント配
   線板用レーザ孔あけ加工機。
2. 【請求項２】前記第一短波長レーザ光学系の第一短波長
   レーザ光と前記第二短波長レーザ光学系の第二短波長レ
   ーザ光が、一基の短波長レーザ発振器から発振し分岐さ
   れた短波長レーザ光であり、分岐比が第一短波長レーザ
   光のエネルギーと第二短波長レーザ光のエネルギーとの
   比で［７０：３０］〜［９５：５］であることを特徴と
   する請求項１記載の多層プリント配線板用レーザ孔あけ
   加工機。
3. 【請求項３】前記第二短波長レーザ光学系の第二短波長
   レーザ光の焦点を内層銅箔上に残る樹脂残渣から−１．
   ０ｍｍ〜＋１．０ｍｍずらすことを特徴とする請求項
   １、又は請求項２記載の多層プリント配線板用レーザ孔
   あけ加工機。
4. 【請求項４】前記レーザ光学系のレーザ光の波長が１９
   ３ｎｍ〜１０６００ｎｍの範囲にあることを特徴とする
   請求項１、請求項２、又は請求項３記載の多層プリント
   配線板用レーザ孔あけ加工機。