JP4948923B2 - ビーム照射装置、及び、ビーム照射方法 - Google Patents
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Description
なお、必要に応じてエキスパンダでビーム径を拡大し、ビームを貫通孔のサイズと整合させてマスクに入射させ、エネルギ利用効率を高めることも行われている。
レーザ光源から出射されたビームをビームスプリッタで分岐して、分岐後のビームをマスクを通して加工対象物上に結像させると、マスクの貫通孔が真円形状を備えている場合であっても、加工形状が一方向に長くなる(楕円形状となる)という問題がある。
レーザビーム31a及び31bは、ともにP偏光成分とS偏光成分とを異なる比率で含む。また、レーザビーム31aとレーザビーム31bとの間でも、P偏光成分とS偏光成分との比率は相互に異なる。
なお、レーザ光源30から出射されるレーザビーム31がランダム偏光の場合は、1/4波長板33は不要である。
プリント基板50aは、たとえば樹脂層と導電層とが交互に積層された構造を有する。円偏光であるレーザビーム31aが、プリント基板50aの樹脂層の所定の1箇所に、たとえば数ショット照射され、プリント基板50aの樹脂層を貫通する円形状の穴が形成される。
ビームスプリッタ34で分岐されたレーザビーム(反射光)31bは、全反射ミラー32b〜dで反射され、光学系35bを経て、ガルバノスキャナ39bに入射する。
光学系35bは、レンズ36b、たとえば円形の透過領域を備えるマスク37b、及び円偏向ミラー38bを含んで構成される。
レーザビーム31bは、マスク37bで断面形状を円形に整形された後、円偏向ミラー38bで円偏光に変換される。
円偏光とされたレーザビーム31bが、プリント基板50bの樹脂層の所定の1箇所に、たとえば数ショット照射され、プリント基板50bの樹脂層を貫通する円形状の穴が形成される。
なお、コントローラ42は、レーザ光源30、ガルバノスキャナ39a、39b、及び、XYステージ41a、41bに接続され、これらの動作を制御する。コントローラ42からレーザ光源30、ガルバノスキャナ39a、39b、及び、XYステージ41a、41bに伝えられる制御信号は、操作装置43からコントローラ42に予め与えられた被加工部のデータ等に基づいて作成される。
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
31、31a、b レーザビーム
32a〜d 全反射ミラー
33 1/4波長板
34 ビームスプリッタ
35a、b 光学系
36a、b レンズ
37a、b マスク
38a、b 円偏向ミラー
39a、b ガルバノスキャナ
40a、b fθレンズ
41a、b XYステージ
42 コントローラ
43 操作装置
50a、b プリント基板
Claims (3)
- レーザビームを出射するレーザ光源と、
加工対象物を保持するステージと、
前記レーザ光源を出射したレーザビームを、P偏光成分とS偏光成分とが第1の比率で混在する第1のレーザビームと、P偏光成分とS偏光成分とが前記第1の比率とは異なる第2の比率で混在する第2のレーザビームとに分岐するビームスプリッタと、
前記第1のレーザビームの光路上に配置され、前記第1のレーザビームを円偏光化する円偏光装置と、
前記第1のレーザビームの光路上に配置され、前記第1のレーザビームの断面形状を円形に整形するマスクと、
前記マスクの位置の、前記第1のレーザビームの断面形状を、前記ステージに保持された加工対象物上に結像させるレンズと
を有するビーム照射装置。 - 前記円偏光装置が、円偏光ミラー、または、1/4波長板である請求項1に記載のビーム照射装置。
- 原レーザビームを、ビームスプリッタを用いて、P偏光成分とS偏光成分とが第1の比率で混在する第1のレーザビームと、P偏光成分とS偏光成分とが前記第1の比率とは異なる第2の比率で混在する第2のレーザビームとに分岐する工程と、
前記第1のレーザビームを円偏光化し、また、前記第1のレーザビームの断面形状を円形に整形し、該円形の断面形状を結像させて、照射対象物に照射する工程と
を有するビーム照射方法。
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