JP2000190087A - 2軸レ―ザ加工機 - Google Patents
2軸レ―ザ加工機Info
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- JP2000190087A JP2000190087A JP10369301A JP36930198A JP2000190087A JP 2000190087 A JP2000190087 A JP 2000190087A JP 10369301 A JP10369301 A JP 10369301A JP 36930198 A JP36930198 A JP 36930198A JP 2000190087 A JP2000190087 A JP 2000190087A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で小型の2軸レーザ加工機を提供する。
【解決手段】 CO2ガスレーザ発振器11からのレー
ザ光を、偏光ビームスプリッタ12でP波とS波とに分
岐させる。P波は、第1のガルバノスキャナ16に入射
する。S波は、ミラー13,14を介して、第2のガル
バノスキャナ17に入射する。第1のガルバノスキャナ
から出射したP波及び第2のガルバノスキャナから出射
したS波は、偏光ミキサー18によって、ともにfθレ
ンズ19に入射させられる。fθレンズは、入射したP
波及びS波をそれぞれ被加工物15の目標位置に垂直入
射させる。
ザ光を、偏光ビームスプリッタ12でP波とS波とに分
岐させる。P波は、第1のガルバノスキャナ16に入射
する。S波は、ミラー13,14を介して、第2のガル
バノスキャナ17に入射する。第1のガルバノスキャナ
から出射したP波及び第2のガルバノスキャナから出射
したS波は、偏光ミキサー18によって、ともにfθレ
ンズ19に入射させられる。fθレンズは、入射したP
波及びS波をそれぞれ被加工物15の目標位置に垂直入
射させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、2軸レーザ加工機
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】高密度多層プリント基板の製造において
は、積層された配線パターンの層間接続を行うため、配
線パターン間に配された絶縁樹脂に、インナーバイアや
ブラインドバイアといった穴(ビアホール)を形成する
必要がある。
は、積層された配線パターンの層間接続を行うため、配
線パターン間に配された絶縁樹脂に、インナーバイアや
ブラインドバイアといった穴(ビアホール)を形成する
必要がある。
【0003】ビアホールの形成は、以前は機械式ドリル
や露光方式(ホトリソグラフィ技術)によって行われて
いたが、最近では、さらなる高密度化の要求に答えるた
め、より小径のビアホール形成が可能な、レーザ光を用
いる技術が利用されるようになって来ている。そして、
レーザ光を用いた技術で、より効率的にビアホールの形
成を行うために、レーザ発振器からのレーザ光をS波及
びP波に2分岐して利用する、2軸レーザ加工機が開発
されている。
や露光方式(ホトリソグラフィ技術)によって行われて
いたが、最近では、さらなる高密度化の要求に答えるた
め、より小径のビアホール形成が可能な、レーザ光を用
いる技術が利用されるようになって来ている。そして、
レーザ光を用いた技術で、より効率的にビアホールの形
成を行うために、レーザ発振器からのレーザ光をS波及
びP波に2分岐して利用する、2軸レーザ加工機が開発
されている。
【0004】従来の2軸レーザ加工機は、図2に示すよ
うに、レーザ光を発生するレーザ発振器21と、レーザ
発振器21からのレーザ光をP波とS波とに2分岐する
偏光スプリッタ22と、ミラー23と、P波及びS波を
それぞれ第1及び第2の被加工物24,25の表面上で
走査するための第1及び第2のガルバノスキャナ26,
27と、各ガルバノスキャナ26,27からのP波及び
S波をそれぞれ第1及び第2の被加工物24,25の表
面に垂直に入射させる第1及び第2のfθレンズ28,
29とを有している。
うに、レーザ光を発生するレーザ発振器21と、レーザ
発振器21からのレーザ光をP波とS波とに2分岐する
偏光スプリッタ22と、ミラー23と、P波及びS波を
それぞれ第1及び第2の被加工物24,25の表面上で
走査するための第1及び第2のガルバノスキャナ26,
27と、各ガルバノスキャナ26,27からのP波及び
S波をそれぞれ第1及び第2の被加工物24,25の表
面に垂直に入射させる第1及び第2のfθレンズ28,
29とを有している。
【0005】レーザ発振器21から出射したレーザ光
は、偏光スプリッタ22によって、P波とS波とに2分
岐される。P波は、偏光スプリッタ22で反射され、第
1のガルバノスキャナ26に入射してスキャンされ、第
1のfθレンズ28を通って、第1の被加工物24に照
射される。また、S波は、偏光スプリッタ22を透過
し、ミラー23によって第2のガルバノスキャナ27に
導かれ、スキャンされて、第2のfθレンズ29を通
り、第2の被加工物25に照射される。各被加工物2
4,25では、P波またはS波の照射によりレーザアブ
レーションが生じて、ビアホールが形成される。
は、偏光スプリッタ22によって、P波とS波とに2分
岐される。P波は、偏光スプリッタ22で反射され、第
1のガルバノスキャナ26に入射してスキャンされ、第
1のfθレンズ28を通って、第1の被加工物24に照
射される。また、S波は、偏光スプリッタ22を透過
し、ミラー23によって第2のガルバノスキャナ27に
導かれ、スキャンされて、第2のfθレンズ29を通
り、第2の被加工物25に照射される。各被加工物2
4,25では、P波またはS波の照射によりレーザアブ
レーションが生じて、ビアホールが形成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の2軸レーザ加工
機では、2分岐した2つのレーザ光に対して、それぞれ
fθレンズを必要とするため、高価であるという問題点
が有る。
機では、2分岐した2つのレーザ光に対して、それぞれ
fθレンズを必要とするため、高価であるという問題点
が有る。
【0007】また、従来の2軸レーザ加工機では、2つ
の被加工物を併置するよう構成されているので、フット
プリントが大きいという問題点も有る。
の被加工物を併置するよう構成されているので、フット
プリントが大きいという問題点も有る。
【0008】本発明は、安価で小型の2軸レーザ加工機
を提供することを目的とする。
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
光を発生するレーザ発振器と、前記レーザ光を2分岐す
るビームスプリッタと、該ビームスプリッタによって分
岐された前記レーザ光をそれぞれ走査するための第1及
び第2のガルバノスキャナと、前記第1及び前記第2の
ガルバノスキャナからのレーザ光を被加工物に垂直に照
射するためのfθレンズと、前記第1及び前記第2のガ
ルバノスキャナからのレーザ光をともに前記fθレンズ
に入射させるためのミキサーと、を備えたことを特徴と
する2軸レーザ加工機が得られる。
光を発生するレーザ発振器と、前記レーザ光を2分岐す
るビームスプリッタと、該ビームスプリッタによって分
岐された前記レーザ光をそれぞれ走査するための第1及
び第2のガルバノスキャナと、前記第1及び前記第2の
ガルバノスキャナからのレーザ光を被加工物に垂直に照
射するためのfθレンズと、前記第1及び前記第2のガ
ルバノスキャナからのレーザ光をともに前記fθレンズ
に入射させるためのミキサーと、を備えたことを特徴と
する2軸レーザ加工機が得られる。
【0010】ここで、前記ビームスプリッタとしては、
前記レーザ光をP波とS波とに分岐する偏光ビームスプ
リッタが使用でき、前記ミキサーとしては、前記P波と
前記S波とをともに前記fθレンズへ導くための偏光ミ
キサーが使用できる。
前記レーザ光をP波とS波とに分岐する偏光ビームスプ
リッタが使用でき、前記ミキサーとしては、前記P波と
前記S波とをともに前記fθレンズへ導くための偏光ミ
キサーが使用できる。
【0011】また、前記レーザ発振器としては、CO2
ガスレーザ発振器が使用できる。
ガスレーザ発振器が使用できる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。
施の形態について詳細に説明する。
【0013】図1に本発明の一実施の形態による2軸レ
ーザ加工機を示す。この2軸レーザ加工機は、レーザ光
を発生するCO2ガスレーザ発振器11と、レーザ光を
P波及びS波に2分岐する偏光ビームスプリッタ12
と、ミラー13,14と、P波を被加工物15上で走査
するための第1のガルバノスキャナ16と、S波を被加
工物15上で走査するための第2のガルバノスキャナ1
7と、P波を透過させ、S波を反射する偏光ミキサー1
8と、偏光ミキサー18からのレーザ光(P波及びS
波)が被加工物15に垂直に照射されるようにするfθ
レンズ19とを備えている。
ーザ加工機を示す。この2軸レーザ加工機は、レーザ光
を発生するCO2ガスレーザ発振器11と、レーザ光を
P波及びS波に2分岐する偏光ビームスプリッタ12
と、ミラー13,14と、P波を被加工物15上で走査
するための第1のガルバノスキャナ16と、S波を被加
工物15上で走査するための第2のガルバノスキャナ1
7と、P波を透過させ、S波を反射する偏光ミキサー1
8と、偏光ミキサー18からのレーザ光(P波及びS
波)が被加工物15に垂直に照射されるようにするfθ
レンズ19とを備えている。
【0014】また、図示はしていないが、必要に応じ
て、レーザ光を減衰させるアッテネータや、レーザ光の
強度分布を均一にするための均一光学系、さらには、ビ
ーム系を制限するマスクが、レーザ発振器11と偏光ビ
ームスプリッタ12との間に設けられる。
て、レーザ光を減衰させるアッテネータや、レーザ光の
強度分布を均一にするための均一光学系、さらには、ビ
ーム系を制限するマスクが、レーザ発振器11と偏光ビ
ームスプリッタ12との間に設けられる。
【0015】次に、この2軸レーザ加工機の動作につい
て説明する。
て説明する。
【0016】CO2ガスレーザ発振器11は、P波及び
S波の混在するレーザ光を発生する。CO2ガスレーザ
発振器11から出射したレーザ光は、偏光スプリッタ1
2に入射する。
S波の混在するレーザ光を発生する。CO2ガスレーザ
発振器11から出射したレーザ光は、偏光スプリッタ1
2に入射する。
【0017】偏光スプリッタ12は、入射したレーザ光
のうち、P波を反射する。また、偏光スプリッタ12
は、入射したレーザ光のうち、S波を透過させる。偏光
スプリッタ12で反射されたP波は、第1のガルバノス
キャナ16に入射する。また、偏光スプリッタ12を透
過したS波は、ミラー13,14で反射され第2のガル
バノスキャナ17に入射する。
のうち、P波を反射する。また、偏光スプリッタ12
は、入射したレーザ光のうち、S波を透過させる。偏光
スプリッタ12で反射されたP波は、第1のガルバノス
キャナ16に入射する。また、偏光スプリッタ12を透
過したS波は、ミラー13,14で反射され第2のガル
バノスキャナ17に入射する。
【0018】第1のガルバノスキャナ16は、互いに直
交する2軸にそれぞれ回転可能に取り付けられた2枚の
ミラーを有しており、入射したP波を、被加工物15の
表面上で走査させるように、その進行方向を変えること
ができる。この第1のガルバノスキャナ16は、P波が
被加工物15の第1の目標位置へ照射されるようにP波
を出射する。同様に、第2のガルバノスキャナ17は、
互いに直交する2軸にそれぞれ回転可能に取り付けられ
た2枚のミラーを有しており、入射したS波を、被加工
物15の表面で走査させるように、その進行方向を変え
ることができる。この第2のガルバノスキャナ17は、
S波が被加工物15の第2の目標位置へ照射されるよう
にS波を出射する。ここで、第1のガルバノスキャナ1
6と第2のガルバノスキャナ17とは互いに独立して動
作し、第1の目標位置と第2の目標位置とは、互いに異
なる位置とすることができる。第1のガルバノスキャナ
16からのP波及び第2のガルバノスキャナ17からの
S波は、ともに偏光ミキサー18に入射する。
交する2軸にそれぞれ回転可能に取り付けられた2枚の
ミラーを有しており、入射したP波を、被加工物15の
表面上で走査させるように、その進行方向を変えること
ができる。この第1のガルバノスキャナ16は、P波が
被加工物15の第1の目標位置へ照射されるようにP波
を出射する。同様に、第2のガルバノスキャナ17は、
互いに直交する2軸にそれぞれ回転可能に取り付けられ
た2枚のミラーを有しており、入射したS波を、被加工
物15の表面で走査させるように、その進行方向を変え
ることができる。この第2のガルバノスキャナ17は、
S波が被加工物15の第2の目標位置へ照射されるよう
にS波を出射する。ここで、第1のガルバノスキャナ1
6と第2のガルバノスキャナ17とは互いに独立して動
作し、第1の目標位置と第2の目標位置とは、互いに異
なる位置とすることができる。第1のガルバノスキャナ
16からのP波及び第2のガルバノスキャナ17からの
S波は、ともに偏光ミキサー18に入射する。
【0019】偏光ミキサー18は、第1のガルバノスキ
ャナ16からのP波を透過させる。また、偏光ミキサー
18は、第2のガルバノスキャナ17からのS波を反射
する。ここで、第1のガルバノスキャナ16、第2のガ
ルバノスキャナ17、及び偏光ミキサー18は、偏光ミ
キサー18を透過したP波の走査可能範囲と、偏光ミキ
サー18で反射されたS波の走査範囲とが一致するよう
に配置されている。
ャナ16からのP波を透過させる。また、偏光ミキサー
18は、第2のガルバノスキャナ17からのS波を反射
する。ここで、第1のガルバノスキャナ16、第2のガ
ルバノスキャナ17、及び偏光ミキサー18は、偏光ミ
キサー18を透過したP波の走査可能範囲と、偏光ミキ
サー18で反射されたS波の走査範囲とが一致するよう
に配置されている。
【0020】偏光ミキサー18を透過したP波及び偏光
ミキサー18で反射されたS波は、ともにfθレンズ1
9に入射する。fθレンズ19は、偏光ミキサー18か
らのP波及びS波が、被加工物15に対して垂直に入射
するよう進行方向を変える。fθレンズ19を透過した
P波及びS波は、被加工物15に照射される。
ミキサー18で反射されたS波は、ともにfθレンズ1
9に入射する。fθレンズ19は、偏光ミキサー18か
らのP波及びS波が、被加工物15に対して垂直に入射
するよう進行方向を変える。fθレンズ19を透過した
P波及びS波は、被加工物15に照射される。
【0021】以上のようにして、本実施の形態によれ
ば、単一の被加工物(被加工領域)にP波とS波という
2つのレーザ光を用い、それぞれ独立に制御して、ビア
ホールの形成を行うことができる。
ば、単一の被加工物(被加工領域)にP波とS波という
2つのレーザ光を用い、それぞれ独立に制御して、ビア
ホールの形成を行うことができる。
【0022】なお、本実施の形態では、レーザ発振器と
して、CO2ガスレーザ発振器を用いたが、エキシマレ
ーザ発振器等の他のガスレーザ発振器や、YAGレーザ
発振器等の固体レーザ発振器を用いても良い。
して、CO2ガスレーザ発振器を用いたが、エキシマレ
ーザ発振器等の他のガスレーザ発振器や、YAGレーザ
発振器等の固体レーザ発振器を用いても良い。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、単一のレーザ光を2分
岐し、それぞれを独立の走査せ、単一のfθレンズを通
して被加工物に照射させるようにしたことで、効率の高
い加工が可能な、安価で小型の2軸レーザ加工機が得ら
れる。
岐し、それぞれを独立の走査せ、単一のfθレンズを通
して被加工物に照射させるようにしたことで、効率の高
い加工が可能な、安価で小型の2軸レーザ加工機が得ら
れる。
【図1】本発明の一実施の形態による2軸レーザ加工機
の構成を示す概略図である。
の構成を示す概略図である。
【図2】従来の2軸レーザ加工機の構成を示す概略図で
ある。
ある。
11 CO2ガスレーザ発振器 12 偏光ビームスプリッタ 13,14 ミラー 15 被加工物 16 第1のガルバノスキャナ 17 第2のガルバノスキャナ 18 偏光ミキサー 19 fθレンズ 21 レーザ発振器 22 偏光ビームスプリッタ 23 ミラー 24 第1の被加工物 25 第2の被加工物 26 第1のガルバノスキャナ 27 第2のガルバノスキャナ 28 第1のfθレンズ 29 第2のfθレンズ
Claims (3)
- 【請求項1】 レーザ光を発生するレーザ発振器と、前
記レーザ光を2分岐するビームスプリッタと、該ビーム
スプリッタによって分岐された前記レーザ光をそれぞれ
走査するための第1及び第2のガルバノスキャナと、前
記第1及び前記第2のガルバノスキャナからのレーザ光
を被加工物に垂直に照射するためのfθレンズと、前記
第1及び前記第2のガルバノスキャナからのレーザ光を
ともに前記fθレンズに入射させるためのミキサーと、
を備えたことを特徴とする2軸レーザ加工機。 - 【請求項2】 前記ビームスプリッタが、前記レーザ光
をP波とS波とに分岐する偏光ビームスプリッタであ
り、前記ミキサーが、前記P波と前記S波とをともに前
記fθレンズへ導くための偏光ミキサーであることを特
徴とする請求項1の2軸レーザ加工機。 - 【請求項3】 前記レーザ発振器が、CO2ガスレーザ
発振器であることを特徴とする請求項1または2の2軸
レーザ加工機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36930198A JP3194250B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 2軸レーザ加工機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36930198A JP3194250B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 2軸レーザ加工機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000190087A true JP2000190087A (ja) | 2000-07-11 |
JP3194250B2 JP3194250B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=18494087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36930198A Expired - Fee Related JP3194250B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 2軸レーザ加工機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3194250B2 (ja) |
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1998
- 1998-12-25 JP JP36930198A patent/JP3194250B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3194250B2 (ja) | 2001-07-30 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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