JP2003285183A - レーザ加工装置及び加工方法 - Google Patents
レーザ加工装置及び加工方法Info
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- JP2003285183A JP2003285183A JP2002085439A JP2002085439A JP2003285183A JP 2003285183 A JP2003285183 A JP 2003285183A JP 2002085439 A JP2002085439 A JP 2002085439A JP 2002085439 A JP2002085439 A JP 2002085439A JP 2003285183 A JP2003285183 A JP 2003285183A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 絶縁層及びその上の金属層に、短時間で大き
な穴を形成することが可能なレーザ加工装置を提供す
る。 【解決手段】 ステージ２０が加工対象物２１を保持す
る。イオンを含んだ固体誘電体をレーザ媒質として用い
た第１のレーザ光源１が、レーザ媒質により誘導放出さ
れる基本波の２倍高調波を発生する。第２のレーザ光源
１１が、赤外領域のレーザビームを発生する。第１の集
光光学系が、第１のレーザ光源から出射されたレーザビ
ームを、ステージに保持された加工対象物上に集光す
る。第２の集光光学系が、第２のレーザ光源から出射さ
れたレーザビームを、ステージ２０に保持された加工対
象２１物上に集光する。
な穴を形成することが可能なレーザ加工装置を提供す
る。 【解決手段】 ステージ２０が加工対象物２１を保持す
る。イオンを含んだ固体誘電体をレーザ媒質として用い
た第１のレーザ光源１が、レーザ媒質により誘導放出さ
れる基本波の２倍高調波を発生する。第２のレーザ光源
１１が、赤外領域のレーザビームを発生する。第１の集
光光学系が、第１のレーザ光源から出射されたレーザビ
ームを、ステージに保持された加工対象物上に集光す
る。第２の集光光学系が、第２のレーザ光源から出射さ
れたレーザビームを、ステージ２０に保持された加工対
象２１物上に集光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工装置及
び加工方法に関し、特に金属配線パターンを覆う絶縁層
と、その絶縁層上に形成された金属層とに、両者を貫通
する穴を形成するとともに、絶縁層の下の金属配線パタ
ーンに与えるダメージを抑制することが可能なレーザ加
工装置及び加工方法を提供することである。
び加工方法に関し、特に金属配線パターンを覆う絶縁層
と、その絶縁層上に形成された金属層とに、両者を貫通
する穴を形成するとともに、絶縁層の下の金属配線パタ
ーンに与えるダメージを抑制することが可能なレーザ加
工装置及び加工方法を提供することである。
【０００２】
【従来の技術】波長９．４μｍの炭酸ガスレーザを用い
て、樹脂層上に形成された銅箔、及びその下の樹脂層に
穴を形成することができる。炭酸ガスレーザの波長域に
おける銅の反射率は９９％程度と非常に高い。従って、
銅の反射率を低下させるために、銅箔の表面の酸化処理
または粗化処理を行わなければならない。銅の吸収率の
高い紫外域のレーザビームを用いることにより、レーザ
ビームのエネルギを効率よく利用することができる。
て、樹脂層上に形成された銅箔、及びその下の樹脂層に
穴を形成することができる。炭酸ガスレーザの波長域に
おける銅の反射率は９９％程度と非常に高い。従って、
銅の反射率を低下させるために、銅箔の表面の酸化処理
または粗化処理を行わなければならない。銅の吸収率の
高い紫外域のレーザビームを用いることにより、レーザ
ビームのエネルギを効率よく利用することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】エキシマレーザ等に比
べて取り扱いが容易で、かつ出力の安定している固体レ
ーザ発振器、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器から出射
される基本波の３倍高調波を用いることにより、紫外域
のレーザビームによる加工を行うことができる。ところ
が、基本波から３倍高調波への変換効率が低いため、パ
ルスエネルギの大きな紫外域のレーザビームを得ること
が困難である。
べて取り扱いが容易で、かつ出力の安定している固体レ
ーザ発振器、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器から出射
される基本波の３倍高調波を用いることにより、紫外域
のレーザビームによる加工を行うことができる。ところ
が、基本波から３倍高調波への変換効率が低いため、パ
ルスエネルギの大きな紫外域のレーザビームを得ること
が困難である。
【０００４】銅の加工を行うためには、銅箔表面におけ
るパルスエネルギ密度を約１０Ｊ／ｃｍ2以上にしなけ
ればならない。３倍高調波を用いる場合には、このパル
スエネルギ密度を得るために、ビームスポットを小さく
しなければならない。ビームスポットよりも大きな穴を
形成するために、通常トレパニング工法が用いられる。
このため、１つの穴を形成するためのショット数を増加
させなければならず、生産性が低下してしまう。
るパルスエネルギ密度を約１０Ｊ／ｃｍ2以上にしなけ
ればならない。３倍高調波を用いる場合には、このパル
スエネルギ密度を得るために、ビームスポットを小さく
しなければならない。ビームスポットよりも大きな穴を
形成するために、通常トレパニング工法が用いられる。
このため、１つの穴を形成するためのショット数を増加
させなければならず、生産性が低下してしまう。
【０００５】本発明の目的は、絶縁層及びその上の金属
層に、短時間で大きな穴を形成することが可能なレーザ
加工装置及びレーザ加工方法を提供することである。
層に、短時間で大きな穴を形成することが可能なレーザ
加工装置及びレーザ加工方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、加工対象物を保持するステージと、イオンを含んだ
固体誘電体をレーザ媒質として用い、該レーザ媒質によ
り誘導放出される基本波の２倍高調波を発生する第１の
レーザ光源と、赤外領域のレーザビームを発生する第２
のレーザ光源と、前記第１のレーザ光源から出射された
レーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物
上に集光する第１の集光光学系と、前記第２のレーザ光
源から出射されたレーザビームを、前記ステージに保持
された加工対象物上に集光する第２の集光光学系とを有
するレーザ加工装置が提供される。
と、加工対象物を保持するステージと、イオンを含んだ
固体誘電体をレーザ媒質として用い、該レーザ媒質によ
り誘導放出される基本波の２倍高調波を発生する第１の
レーザ光源と、赤外領域のレーザビームを発生する第２
のレーザ光源と、前記第１のレーザ光源から出射された
レーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物
上に集光する第１の集光光学系と、前記第２のレーザ光
源から出射されたレーザビームを、前記ステージに保持
された加工対象物上に集光する第２の集光光学系とを有
するレーザ加工装置が提供される。
【０００７】本発明の他の観点によると、誘電体材料か
らなるコア層、該コア層の表面上に形成された金属配線
パターン、該金属配線パターンを覆うように該コア層の
上に形成された絶縁層、及び該絶縁層の表面上に形成さ
れた金属層を含む多層配線基板を準備する工程と、前記
多層配線基板の前記金属層の表面に、イオンを含んだ固
体誘電体をレーザ媒質として用い、該レーザ媒質により
誘導放出される基本波の２倍高調波を発生する第１のレ
ーザ光源から出射されたレーザビームを入射させて該金
属層を貫通する第１の穴を形成する工程と、前記金属層
に形成された第１の穴を含む領域に、赤外領域のレーザ
ビームを発生する第２のレーザ光源から出射されたレー
ザビームを入射させて、該第１の穴の底面に露出してい
た前記絶縁層に、前記金属配線パターンを露出させる第
２の穴を形成する工程とを有するレーザ加工方法が提供
される。
らなるコア層、該コア層の表面上に形成された金属配線
パターン、該金属配線パターンを覆うように該コア層の
上に形成された絶縁層、及び該絶縁層の表面上に形成さ
れた金属層を含む多層配線基板を準備する工程と、前記
多層配線基板の前記金属層の表面に、イオンを含んだ固
体誘電体をレーザ媒質として用い、該レーザ媒質により
誘導放出される基本波の２倍高調波を発生する第１のレ
ーザ光源から出射されたレーザビームを入射させて該金
属層を貫通する第１の穴を形成する工程と、前記金属層
に形成された第１の穴を含む領域に、赤外領域のレーザ
ビームを発生する第２のレーザ光源から出射されたレー
ザビームを入射させて、該第１の穴の底面に露出してい
た前記絶縁層に、前記金属配線パターンを露出させる第
２の穴を形成する工程とを有するレーザ加工方法が提供
される。
【０００８】一般に、２倍高調波の波長域における金属
の反射率は、３倍高調波の波長域における金属の反射率
よりも高い。従って、反射率のみに着目すると、金属の
加工には３倍高調波が適している。ところが、基本波か
ら２倍高調波への変換効率は、３倍高調波への変換効率
よりも高い。変換効率をも考慮すると、２倍高調波を用
いる方が、３倍高調波を用いるよりも、効率的な加工を
行うことができる。
の反射率は、３倍高調波の波長域における金属の反射率
よりも高い。従って、反射率のみに着目すると、金属の
加工には３倍高調波が適している。ところが、基本波か
ら２倍高調波への変換効率は、３倍高調波への変換効率
よりも高い。変換効率をも考慮すると、２倍高調波を用
いる方が、３倍高調波を用いるよりも、効率的な加工を
行うことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の実施例によるレ
ーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源１がパルスレ
ーザビームを出射する。レーザ光源１は、イオンを含ん
だ固体誘電体をレーザ媒質として用い、レーザ媒質によ
って誘導放出される基本波の２倍高調波を発生する固体
レーザ発振器を含んで構成される。レーザ媒質として、
例えばＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、及びＮｄ：ＹＶＯ
4等が挙げられる。２倍高調波を生成する非線形光学結
晶（波長変換素子）として、ＬＢＯ、ＢＢＯ、ＫＴＰ、
ＡＤＰ、ＬｉＮｂＯ3等が挙げられる。非線形光学結晶
は、レーザ発振器の光共振器内に配置してもよいし、光
共振器の外に配置してもよい。
ーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源１がパルスレ
ーザビームを出射する。レーザ光源１は、イオンを含ん
だ固体誘電体をレーザ媒質として用い、レーザ媒質によ
って誘導放出される基本波の２倍高調波を発生する固体
レーザ発振器を含んで構成される。レーザ媒質として、
例えばＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、及びＮｄ：ＹＶＯ
4等が挙げられる。２倍高調波を生成する非線形光学結
晶（波長変換素子）として、ＬＢＯ、ＢＢＯ、ＫＴＰ、
ＡＤＰ、ＬｉＮｂＯ3等が挙げられる。非線形光学結晶
は、レーザ発振器の光共振器内に配置してもよいし、光
共振器の外に配置してもよい。
【００１０】他のレーザ光源１１が、パルスレーザビー
ムを出射する。レーザ光源２は、炭酸ガスレーザ発振器
で構成され、発振波長は９．４μｍまたは１０．６μｍ
である。
ムを出射する。レーザ光源２は、炭酸ガスレーザ発振器
で構成され、発振波長は９．４μｍまたは１０．６μｍ
である。
【００１１】レーザ光源１から出射されたパルスレーザ
ビームが、マスク２に設けられた貫通孔を透過すること
によって、そのビーム断面を整形され、折り返しミラー
３で下方に反射される。折り返しミラー３で反射された
パルスレーザビームは、ガルバノスキャナ４及びｆθレ
ンズ５を通過して、ＸＹステージ２０に保持された加工
対象物２１に入射する。ガルバノスキャナ４は、揺動す
る一対の反射鏡を含んで構成され、入射するパルスレー
ザビームを２次元方向に走査する。ｆθレンズ５は、マ
スク２の貫通孔を加工対象物２１の表面上に結像させ
る。
ビームが、マスク２に設けられた貫通孔を透過すること
によって、そのビーム断面を整形され、折り返しミラー
３で下方に反射される。折り返しミラー３で反射された
パルスレーザビームは、ガルバノスキャナ４及びｆθレ
ンズ５を通過して、ＸＹステージ２０に保持された加工
対象物２１に入射する。ガルバノスキャナ４は、揺動す
る一対の反射鏡を含んで構成され、入射するパルスレー
ザビームを２次元方向に走査する。ｆθレンズ５は、マ
スク２の貫通孔を加工対象物２１の表面上に結像させ
る。
【００１２】同様に、レーザ光源１１から出射されたパ
ルスレーザビームが、マスク１２、折り返しミラー１
３、ガルバノスキャナ１４、及びｆθレンズ１５を通っ
て、ＸＹステージ２０に保持された加工対象物２１に入
射する。
ルスレーザビームが、マスク１２、折り返しミラー１
３、ガルバノスキャナ１４、及びｆθレンズ１５を通っ
て、ＸＹステージ２０に保持された加工対象物２１に入
射する。
【００１３】図２を参照して、図１に示したレーザ加工
装置を使用した加工方法について説明する。図２（Ａ）
に示すように、ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなるコ
ア層５０の表面上に、銅からなる配線パターン５１が形
成されている。配線パターン５１を覆うように、コア層
５０の上に、エポキシ樹脂からなる絶縁層５２が形成さ
れている。絶縁層５２の表面上に、銅からなる金属層５
３が形成されている。
装置を使用した加工方法について説明する。図２（Ａ）
に示すように、ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなるコ
ア層５０の表面上に、銅からなる配線パターン５１が形
成されている。配線パターン５１を覆うように、コア層
５０の上に、エポキシ樹脂からなる絶縁層５２が形成さ
れている。絶縁層５２の表面上に、銅からなる金属層５
３が形成されている。
【００１４】配線パターン５１の上方の金属層５３に、
図１に示したレーザ光源１から出射された２倍高調波
（レーザ媒質としてＮｄ：ＹＡＧを用いた場合には、波
長５３２ｎｍ）を入射させる。パルスの繰り返し周波数
を１０ｋＨｚ、レーザ出力を１０Ｗ、金属層５３の表面
におけるビームスポットの直径を１５０μｍ、パルス幅
を３０ｎｓとする。このとき、金属層５３の表面におい
て、銅を加工するのに十分なパルスエネルギ密度が得ら
れる。加工に必要なパルスエネルギ密度は、約１０Ｊ／
ｃｍ2である。このパルスレーザビームを１５ショット
入射させることにより、厚さ１２μｍの銅箔を貫通する
穴が形成される。なお、パルス幅は、熱影響による銅の
盛り上がりを防止するために、１００ｎｓ以下とするこ
とが好ましい。
図１に示したレーザ光源１から出射された２倍高調波
（レーザ媒質としてＮｄ：ＹＡＧを用いた場合には、波
長５３２ｎｍ）を入射させる。パルスの繰り返し周波数
を１０ｋＨｚ、レーザ出力を１０Ｗ、金属層５３の表面
におけるビームスポットの直径を１５０μｍ、パルス幅
を３０ｎｓとする。このとき、金属層５３の表面におい
て、銅を加工するのに十分なパルスエネルギ密度が得ら
れる。加工に必要なパルスエネルギ密度は、約１０Ｊ／
ｃｍ2である。このパルスレーザビームを１５ショット
入射させることにより、厚さ１２μｍの銅箔を貫通する
穴が形成される。なお、パルス幅は、熱影響による銅の
盛り上がりを防止するために、１００ｎｓ以下とするこ
とが好ましい。
【００１５】図２（Ｂ）に示すように、図１に示したレ
ーザ光源１１から出射されたパルスレーザビーム６１
を、金属層５３に形成された穴を含む領域に入射させ
る。パルスの繰り返し周波数を２ｋＨｚ、レーザ出力を
１０Ｗ、金属層５３の表面におけるビームスポットの直
径を２５０μｍ、パルス幅を２０μｓとする。このと
き、絶縁層５２を加工するのに十分なパルスエネルギ密
度が得られる。絶縁層５２を加工するために必要なパル
スエネルギ密度は、約１０Ｊ／ｃｍ2である。このパル
スレーザビームでは、金属層５３は加工されず、金属層
５３に形成されている穴の底面に露出している絶縁層５
２に穴が形成される。
ーザ光源１１から出射されたパルスレーザビーム６１
を、金属層５３に形成された穴を含む領域に入射させ
る。パルスの繰り返し周波数を２ｋＨｚ、レーザ出力を
１０Ｗ、金属層５３の表面におけるビームスポットの直
径を２５０μｍ、パルス幅を２０μｓとする。このと
き、絶縁層５２を加工するのに十分なパルスエネルギ密
度が得られる。絶縁層５２を加工するために必要なパル
スエネルギ密度は、約１０Ｊ／ｃｍ2である。このパル
スレーザビームでは、金属層５３は加工されず、金属層
５３に形成されている穴の底面に露出している絶縁層５
２に穴が形成される。
【００１６】絶縁層５２を貫通する穴が形成され、その
底面に配線パターン５１が露出する。このパルスエネル
ギでは銅が加工されないため、配線パターン５１はほと
んどダメージを受けない。
底面に配線パターン５１が露出する。このパルスエネル
ギでは銅が加工されないため、配線パターン５１はほと
んどダメージを受けない。
【００１７】上記実施例では、固体レーザの２倍高調波
を用いて金属層５３を加工している。以下、３倍高調波
を使用する場合と、２倍高調波を使用する場合との加工
効率について説明する。
を用いて金属層５３を加工している。以下、３倍高調波
を使用する場合と、２倍高調波を使用する場合との加工
効率について説明する。
【００１８】基本波から２倍高調波への波長変換効率
は、基本波から３倍高調波への波長変換効率の約３倍で
ある。このため、基本波の出力が同一であれば、２倍高
調波のパルスエネルギが３倍高調波のパルスエネルギの
３倍になる。２倍高調波（波長５３２ｎｍ）及び３倍高
調波（波長３５３ｎｍ）の波長域における銅の吸収率
は、それぞれ約５０％及び約６０％である。銅の吸収率
のみを考慮すると、２倍高調波を用いた場合の加工効率
は、３倍高調波を用いた場合の加工効率の５／６倍に低
下する。
は、基本波から３倍高調波への波長変換効率の約３倍で
ある。このため、基本波の出力が同一であれば、２倍高
調波のパルスエネルギが３倍高調波のパルスエネルギの
３倍になる。２倍高調波（波長５３２ｎｍ）及び３倍高
調波（波長３５３ｎｍ）の波長域における銅の吸収率
は、それぞれ約５０％及び約６０％である。銅の吸収率
のみを考慮すると、２倍高調波を用いた場合の加工効率
は、３倍高調波を用いた場合の加工効率の５／６倍に低
下する。
【００１９】ところが、２倍高調波への波長変換効率が
３倍高調波への波長変換効率の約３倍であるため、波長
変換効率をも考慮したとき、２倍高調波を用いた場合の
加工効率は、３倍高調波を用いた場合の加工効率の３×
５／６＝２．５倍になる。このように、２倍高調波を用
いることにより、３倍高調波を用いた場合に比べて、加
工効率を高めることができる。
３倍高調波への波長変換効率の約３倍であるため、波長
変換効率をも考慮したとき、２倍高調波を用いた場合の
加工効率は、３倍高調波を用いた場合の加工効率の３×
５／６＝２．５倍になる。このように、２倍高調波を用
いることにより、３倍高調波を用いた場合に比べて、加
工効率を高めることができる。
【００２０】基本波から２倍高調波への変換効率が高い
ため、２倍高調波のパルスエネルギを３倍高調波のパル
スエネルギよりも大きくすることができる。パルスエネ
ルギの大きなレーザビームを用いると、加工対象物の表
面におけるビームスポットを大きくしても、金属層の加
工に必要なパルスエネルギ密度を確保することができ
る。このため、トレパニング工法を採用することなく、
大きな穴を開けることができる。
ため、２倍高調波のパルスエネルギを３倍高調波のパル
スエネルギよりも大きくすることができる。パルスエネ
ルギの大きなレーザビームを用いると、加工対象物の表
面におけるビームスポットを大きくしても、金属層の加
工に必要なパルスエネルギ密度を確保することができ
る。このため、トレパニング工法を採用することなく、
大きな穴を開けることができる。
【００２１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
固体レーザの２倍高調波を用いることにより、効率的に
金属層の加工を行うことができる。さらに、金属層に形
成された穴の底面に露出した絶縁層を、赤外域のレーザ
ビームを用いて加工することにより、絶縁層に形成され
た穴の底面に露出する金属配線パターンの受けるダメー
ジを少なくすることができる。
固体レーザの２倍高調波を用いることにより、効率的に
金属層の加工を行うことができる。さらに、金属層に形
成された穴の底面に露出した絶縁層を、赤外域のレーザ
ビームを用いて加工することにより、絶縁層に形成され
た穴の底面に露出する金属配線パターンの受けるダメー
ジを少なくすることができる。
【図１】 本発明の実施例によるレーザ加工装置の概略
図である。
図である。
【図２】 本発明の実施例によるレーザ加工方法で加工
される加工対象物の断面図である。
される加工対象物の断面図である。
１、１１ レーザ光源
２、１２ マスク
３、１３ 折り返しミラー
４、１４ ガルバノスキャナ
５、１５ ｆθレンズ
２０ ＸＹステージ
２１ 加工対象物
５０ コア層
５１ 配線パターン
５２ 絶縁層
５３ 金属層
６０、６１ パルスレーザビーム
Claims (6)
- 【請求項１】 加工対象物を保持するステージと、 イオンを含んだ固体誘電体をレーザ媒質として用い、該
レーザ媒質により誘導放出される基本波の２倍高調波を
発生する第１のレーザ光源と、 赤外領域のレーザビームを発生する第２のレーザ光源
と、 前記第１のレーザ光源から出射されたレーザビームを、
前記ステージに保持された加工対象物上に集光する第１
の集光光学系と、 前記第２のレーザ光源から出射されたレーザビームを、
前記ステージに保持された加工対象物上に集光する第２
の集光光学系とを有するレーザ加工装置。 - 【請求項２】 前記第１のレーザ光源のレーザ媒質が、
Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、及びＮｄ：ＹＶＯ4から
なる群より選択された１つのレーザ媒質である請求項１
に記載のレーザ加工装置。 - 【請求項３】 前記第２のレーザ光源が、炭酸ガスレー
ザ発振器である請求項１または２に記載のレーザ加工装
置。 - 【請求項４】 誘電体材料からなるコア層、該コア層の
表面上に形成された金属配線パターン、該金属配線パタ
ーンを覆うように該コア層の上に形成された絶縁層、及
び該絶縁層の表面上に形成された金属層を含む多層配線
基板を準備する工程と、 前記多層配線基板の前記金属層の表面に、イオンを含ん
だ固体誘電体をレーザ媒質として用い、該レーザ媒質に
より誘導放出される基本波の２倍高調波を発生する第１
のレーザ光源から出射されたレーザビームを入射させて
該金属層を貫通する第１の穴を形成する工程と、 前記金属層に形成された第１の穴を含む領域に、赤外領
域のレーザビームを発生する第２のレーザ光源から出射
されたレーザビームを入射させて、該第１の穴の底面に
露出していた前記絶縁層に、前記金属配線パターンを露
出させる第２の穴を形成する工程とを有するレーザ加工
方法。 - 【請求項５】 前記第１のレーザ光源のレーザ媒質が、
Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、及びＮｄ：ＹＶＯ4から
なる群より選択された１つのレーザ媒質である請求項４
に記載のレーザ加工方法。 - 【請求項６】 前記第２のレーザ光源が、炭酸ガスレー
ザ発振器である請求項４または５に記載のレーザ加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085439A JP2003285183A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | レーザ加工装置及び加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085439A JP2003285183A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | レーザ加工装置及び加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003285183A true JP2003285183A (ja) | 2003-10-07 |
Family
ID=29232409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002085439A Pending JP2003285183A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | レーザ加工装置及び加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003285183A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2002
- 2002-03-26 JP JP2002085439A patent/JP2003285183A/ja active Pending
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