JPH11307940A

JPH11307940A - レーザー加工方法

Info

Publication number: JPH11307940A
Application number: JP10131137A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Okada; 駿一岡田
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1998-04-24
Filing date: 1998-04-24
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】多層配線基板のような被加工物をビアホール
加工する場合において、微細な孔の底部に残渣などが形
成されずにビアホール加工を進めることができるレーザ
ー加工装置の提供する。【解決手段】単一の波長からなるレーザー光を発生さ
せるレーザー発振部１０と、そのレーザー発振部１０か
らのレーザー光を非線型光学結晶を用いて変換して高次
の高調波を発生させる波長変換部１２と、この波長変換
部１２からの複数の波長からなるレーザー光を走査する
ための走査部１８と、レーザー光を集光して被加工物１
６に照射するための集光部１４とからレーザー加工装置
を構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線基板の如き微小
なビアホール加工などを要する被加工物を加工するのに
使用されるレーザー加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯用の小型電話、モバイルのパソコ
ン、ＣＣＤカメラ、ビデオカメラなどに使用される多層
配線基板はさらに小型軽量にすることが求められてい
る。現在使用されている多層配線基板は、ガラスエポキ
シ樹脂を主な基板材料とする基板である。その両面にパ
ターン化された銅配線が形成され、この銅配線は所要の
配線のサイズを持って形成される。この配線は基板を小
型軽量にするために現行のものよりもさらに小さなサイ
ズ（ルール）にすることが検討されている。このような
縮小化したルールのもとでは、積層された基板間の接続
用に設けられるビアホールも小さな径にする必要があ
る。

【０００３】近年、小型化や軽量化の要求から、レーザ
ーを利用した加工技術が注目され、その中でも炭酸ガス
レーザーを用いてビアホールを設ける方法が試みられて
いる。炭酸ガスレーザーは現在最も普及した加工用気体
レーザーであり、波長が１０．６ミクロンと長波長なが
ら大出力が得られる利点があり、１００乃至２００ミク
ロン（直径）程度の孔を形成することは可能である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】小型で軽量な多層配線
基板を作成する場合、そのビアホールは例えば７０ミク
ロン程度以下の微小な径であることが望まれる。しかし
炭酸ガスレーザーを使用してビアホールを設けた場合、
その工程に時間がかかる上に、その集光スポットの特性
からして７０ミクロン程度のサイズが限度である。更
に、炭酸ガスレーザーを用いたビアホール加工では、穴
の底部の角部分に炭酸ガスレーザーの熱では完全に分解
しきれなかった残渣が残ってしまい、これを洗浄工程で
除去すると、最終的に形成されるビアホールの径は、炭
酸ガスレーザーの集光スポットよりも大きくなってしま
う。その為、実用面を考慮すると炭酸ガスレーザーを用
いて形成できるビアホールの径は１２０ミクロン程度に
すぎない。

【０００５】もし、穴の底部の残渣を除去できない場合
には、その残渣上をビアホール内の銅メッキが覆うこと
になる。そして、部品の半田付けなどによる熱が、残渣
を覆ったメッキ部分に加わった時には、その熱のために
銅メッキの部分とその下の基板の銅との間に微妙なスト
レスが生じる。この銅層内のストレスが大きくなった場
合に、下の基板の銅層と銅メッキ部分が剥がれてしま
い、その結果、回路が断線してしまうことになる。

【０００６】このような問題を解決するための１つの考
え得る方法は、エキシマレーザーを使用する方法であ
る。エキシマレーザーは自然状態では結合しない原子
（あるいは分子）同士のガスを励起して、疑似分子から
なるエキシマを生成し、このエキシマが元の原子等に戻
る際に放出される固有の波長の光を利用して誘導放出さ
せた時に発生するレーザーであって、特に、炭酸レーザ
ーと比べてその波長が短いという特徴がある。一般に、
レーザーの波長が短く紫外線領域にある場合には、基板
を加工する際、樹脂を熱（熱エネルギー）により分解す
るのではなく、紫外線の光エネルギーで分子の結合を分
解できる。しかし、エキシマレーザーは非常に高価であ
り、これを多層配線基板の製造に用いた場合には、製造
された基板の価格を上昇させることになる。

【０００７】そこで、本発明は、上述の技術的な課題に
鑑み、多層配線基板のような被加工物をビアホール加工
する場合において、微細な孔の底部に残渣などが形成さ
れずにビアホール加工を進めることができるレーザー加
工装置の提供を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザー加工
装置において、単一の波長のレーザー光を発生させるレ
ーザー発振部と、前記単一の波長のレーザー光の波長を
変換して複数の波長からなるレーザー光を射出する波長
変換部と、前記複数の波長からなるレーザー光を合わせ
て被加工物に照射する集光部を有することを要旨する。

【０００９】この本発明のレーザー加工装置の一例にお
いては、前記波長変換部は前記単一の波長のレーザー光
の高調波を発生させる高調波発生部であり、前記複数の
波長からなるレーザー光は前記レーザー発振部で発生す
るレーザー光の基本波と、その基本波の２次以上の高調
波とからなる。前記レーザー発振部は種々のレーザー光
を発生させる発振装置を使用できるが、一例としてはＹ
ＡＧレーザーを使用できる。

【００１０】通常、エポキシ樹脂のような樹脂のビアホ
ール加工を施す場合には、基本波の波長１．０６４ミク
ロンのＹＡＧレーザーのレーザー光を直接照射した場合
に樹脂が焦げるように変質することがあり、これを防ぐ
ために３次高調波である３５５ｎｍの波長に変換して使
用することがある。ところが、３次高調波のみを照射し
ようとすると、その変換効率は約３０％程度であり、残
り約７０％のエネルギーは利用されないことになる。こ
れに対して本発明では、このようなエネルギーの損失が
最小限に抑えられ、且つ、ビアホール加工された孔の底
部の残渣も効率良く除去される。すなわち、本発明で照
射されるレーザー光はその基本波に加え、当該レーザー
光の変調波、一例として２次高調波と３次高調波（ある
いはさらに高次の高調波）の一方または両方が含まれ
る。このように波長が異なるレーザー光を樹脂製の被加
工物に照射すると、例えば、基本波のレーザー光の成分
で主にビアホール加工を進め、高調波の成分で残渣を分
解して行くように作業を進めることが可能となる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面に
基づき詳細に説明する。図１は本実施例のレーザー加工
装置の構成を示すブロック図であり、図２は被加工物と
しての多層配線基板を示す断面図であり、図３は照射さ
れるレーザー光のパターンの一例を示す図である。

【００１２】本実施例のレーザー加工装置はＹＡＧレー
ザーを使用したパルスレーザーの装置例であり、単一の
波長からなるレーザー光を発生させるレーザー発振部１
０と、そのレーザー発振部１０からのレーザー光を非線
型光学結晶を用いて変換して高次の高調波を発生させる
波長変換部１２と、この波長変換部１２からの複数の波
長からなるレーザー光を走査するための走査部１８と、
レーザー光を集光して被加工物１６に照射するための集
光部１４とからなる。被加工物１６は、本実施例におい
ては、多層配線用のコアがガラスエポキシから形成さ
れ、エポキシ樹脂とメッキ層が多層に積層されたもので
あり、本実施例のレーザー加工装置によってビアホール
加工される。

【００１３】前記レーザー発振部１０は、ＹＡＧロッド
２０とＫｒフラッシュランプなどからなる励起ランプ２
４を備えたランプハウス２２と、レーザー光のシャッタ
ーとして機能するＱスイッチ２６と、増幅・発振用の発
振器ミラー２８、３０とを有する。また、本実施例では
変換効率を高めるために当該レーザー発振部１０内に波
長変換部１２が設けられる。このレーザー発振部１０は
一般のレーザー加工用のＹＡＧレーザーであり、エキシ
マレーザーと比較して安価に構成できる。前記ＹＡＧロ
ッド２０はイットリウム・アルミニウム・ガーネット単
結晶にＮｄ³⁺イオンをドープしたものである。このＹＡ
Ｇロッド２０に併設される励起ランプ２４はパルス励起
させるためのエネルギー源であり、図示しないレーザー
電源が供給される。このランプハウス２２には図示しな
い冷却装置が設けられ、この冷却装置によりランプハウ
ス２２とＹＡＧロッド２０が常時冷却される。本実施例
のように励起ランプ２４をフラッシュランプとした場合
には、当該レーザー発振部１０はパルスレーザーとして
機能するが、励起ランプ２４をアークランプとした場合
には、当該レーザー発振部１０はＣＷ（連続発振）レー
ザーとして機能する。またＹＡＧレーザーの励起手段と
してはレーザーダイオードを用いる方法もある。

【００１４】前記Ｑスィッチ２６は図示しないＱスィッ
チドライバーによって駆動され、シャッターとして機能
して集中したエネルギーのパルスを発生させるものであ
る。本実施例においては、Ｑスィッチ２６はＥＯ−Ｑス
ィッチ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ＯｐｔｉｃＱ−ｓｗｉｔｃ
ｈ）であり、ＣＷレーザーの場合にはＡＯ−Ｑスィッチ
（Ａｃｏｕｓｔｉｃ−ＯｐｔｉｃＱ−ｓｗｉｔｃｈ）
が使用される。前記発振器ミラー２８、３０はその間で
光共振によりレーザー光を増幅するためのものであり、
発振器ミラー２８が反射鏡として用いられ、反射器ミラ
ー３０が出力鏡として用いられる。このレーザー発振部
１０は、ＹＡＧレーザーの基本波である単一の波長１．
０６４ミクロンのレーザー光を出力する。

【００１５】このような構成のレーザー発振部１０から
出力された単色のレーザー光は波長変換部１２に入射す
る。この波長変換部１２では、非線型光学結晶を用いた
高調波の発生が行われる。本実施例においては、波長変
換部１２は光路上に直列に並べられた２つの非線型光学
素子３２、３４からなり、非線型光学素子３２はＬＢＯ
（ＬｉＢ₃Ｏ₄）であり、非線型光学素子３４はＢＢＯ
（ＢａＢ₂Ｏ₄）であある。これら非線型光学素子３
２、３４を通過したレーザー光は基本波である波長１．
０６４ミクロンの成分に加えて、波長５３２ナノメート
ルの２次高調波と波長３３４ナノメートルの３次高調波
が加わる。

【００１６】本実施例では、２つの非線型光学素子３
２、３４はＢＢＯとＬＢＯであるが、他の非線型光学結
晶も使用できる。例示すると、ＫＤＰ（Ｋ₂Ｈ₂Ｐ
Ｏ₄）、ＬｉＮｂＯ₃、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ₄）な
ど、その他の波長変換に用いられる非線型光学結晶を使
用できる。また、本実施例では高次の高調波を基本波に
共に発生させることとしているが、ラマンセル等を使用
した誘導ラマン散乱により波長の異なるレーザー光を生
成しても良い。さらに、本実施例においてレーザー発振
部１０内部に前記波長変換部１２を設けているが、前記
波長変換部１２はレーザー発振部１０と別体に設けるよ
うに構成することも可能である。

【００１７】レーザー光の基本波と高調波のエネルギー
の比は、被加工物１６の材料特性に応じて選択される。
本実施例では、基本波に加えて２次高調波と３次高調波
が生成されて合わせて照射されるが、基本波と２次高調
波だけの組合せや、基本波と３次高調波だけの組合せ、
さらには４次以上の高調波も含んだ組合せなどを照射す
るようにすることも可能であり、その組合せ方法は、被
加工物１６のビアホール加工される材料の特性に合わせ
て選択される。また、後述するように、この波長変換部
１２から被加工物１６までの間の光学系を操作すること
で、基本波の分布と高調波の分布からなる所望のレーザ
ー光の強度分布を得ることができ、最適な形でビアホー
ル加工作業を進めることができる。

【００１８】前記走査部１８は一対のガルバノミラー４
２、４４を主たる要素として構成されており、ガルバノ
ミラー４２がレーザー光をＹ軸方向で走査するための機
構部であり、ガルバノミラー４４がレーザー光をＸ軸方
向で走査するための機構部である。前記波長変換部１２
からの基本波、２次高調波、および３次高調波を含んだ
レーザー光はガルバノミラー４２でＹ軸方向に走査さ
れ、ガルバノミラー４４でＸ軸方向に走査される。この
ような走査部１８から出力される多波長のレーザー光
は、Ｘ軸及びＹ軸方向に走査された光であり、後述する
被加工物１６の平面内の走査された位置にスポットを形
成する。

【００１９】本実施例では、走査部１８を一対のガルバ
ノミラー４２、４４を主要素として構成したが、被加工
物１６が載せられるテーブルの側を動かして、レーザー
光のスポットの位置を走査するようにすることもでき、
光学系とテーブル側の双方を移動させるように構成する
こともできる。

【００２０】前記走査部１８からのレーザー光は集光部
１４で集光され被加工物１６に照射される。本実施例で
は集光部１４はｆθレンズ５０からなり、異なる波長で
ある基本波、２次高調波、および３次高調波を含むレー
ザー光はｆθレンズ５０によって集光される。特に、ｆ
θレンズ５０を上記３波長の色消しレンズにした場合に
はレーザー光は同一平面上で集光可能となる。

【００２１】本発明のレーザー加工装置における集光部
は、その被加工物の特性に応じて選択される集光特性を
持つことが望ましい。多層配線基板などの合成樹脂にビ
アホール加工を行う場合には、たとえば孔を形成する範
囲全体に均一に基本波と高調波が組み合わされたレーザ
ー光を照射する。このようにレーザー光を照射すること
で、パワーが大きい長波長でビアホール加工し熱の影響
の少ない短波長で残渣をとることができる。

【００２２】図２は図示しないテーブル上に置かれた本
実施例の被加工物１６であるガラスエポキシ樹脂製の多
層配線基板の断面を示す。ガラスエポキシ基板５２の両
面には銅層５３、５４が形成され、スクリーン印刷など
によりさらにそれら銅層５３、５４のそれぞれ表面にエ
ポキシ樹脂５５、５６が形成される。本実施例のレーザ
ー加工装置は、このようなエポキシ樹脂５５、５６をビ
アホール加工することができる。図２では、エポキシ樹
脂５６の表面にレーザー加工装置からレーザー光５９が
照射され、孔５７が形成されている。このレーザー光５
９は上述のように、基本波と高調波が組み合わされたも
のであり、例えば波長１．０６４ミクロンの基本波のレ
ーザー光の成分で主にビアホール加工を進め、波長５３
２ｎｍと３３４ｎｍの高調波の各成分で残渣が分解され
る。仮に、レーザー光が基本波だけの場合に、孔５７の
底部に破線で示すような残渣５８が存在してしまうこと
になるが、本実施例においてはその高調波成分によって
残渣は除去されてしまう。本実施例のレーザー加工装置
によって形成された孔５７は一例として基板の垂直方向
に対して約１５度傾いたテーパー面を有し、エッチング
や洗浄の際にはエッチング液や洗浄液が孔の底部まで回
り込み効率良く残渣を除去できる。

【００２３】図３はレーザー光の強度分布の一例を示
す。上述のように、エポキシ等の樹脂に対してビアホー
ル加工を施した場合には、孔の底部の角の部分に残渣が
残り易い。そこで、図３のようなレーザースポットの中
央部がやや平坦でその周囲にもガウス分布を以って広が
る強度分布を持ったレーザー光を照射する。このような
レーザー光の照射により、たとえばビアホールの上面側
の径が大きく底面側の径が小さくなるようなテーパー形
状のビアホールを設けることができ、その形状において
はエッチングや洗浄などの工程でエッチング液や洗浄液
がビアホールに良く流れ込んで効率良く作業を進めるこ
とができる。また、それぞれの波長ごとに異なる強度分
布を有するようにしても良く、どの波長のものが残渣の
除去に有効かは被加工物１６の材料や厚みなどによって
決めるようにして、その材料や厚み等に応じて集光部１
４の光学系の組合せを設定することで効率良く残渣を除
去できる。さらに図３の強度分布以外の強度分布、たと
えば矩形状やリング状などの強度分布を有するレーザー
光を照射するようにしても良い。

【００２４】本実施例のレーザー加工装置は、主にビア
ホール加工用として説明したが、これに限定されず、他
の用途例えば、切断や溶接などの加工や、熱処理、レー
ザーアシストエッチングやアッシング、デポジションそ
の他の表面改質などに対しても応用可能である。

【００２５】

【発明の効果】本発明のレーザー加工装置は、上述のよ
うに、基本波と高調波が組み合わされたレーザー光を照
射するため、高調波のみを照射した場合に比べて、パワ
ーの損失が小さくなり、それだけ効率良くビアホール加
工作業を進めることができ、同時に、基本波のみ照射し
た場合に比べて、高調波が孔内部の残渣を除去するよう
に機能することから、精度良くビアホール加工をするこ
とができる。加工された被加工物は、残渣などが残るこ
ともなくなるため、その歩留りが向上する。

【００２６】また、本発明のレーザー加工装置は、その
レーザー光源として、安価で普及しているＹＡＧレーザ
ーを使用することができ、高調波を加えるための要素と
しては前記波長変換部を加えているだけであり、従って
既存の設備に大幅な設定変更なく、利用できるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレーザー加工装置の一実施例を示すブ
ロック図である。

【図２】前記実施例のレーザー加工装置で加工される被
加工物としての多層配線基板の概略部分断面図である。

【図３】被加工物に照射されるレーザー光の強度分布の
一例である。

【符号の説明】

１０レーザー発振部１２波長変換部１４集光部１６被加工物１８走査部２０ＹＡＧレーザーロッド２２ランプハウス２４励起ランプ２６Ｑスィッチ２８、３０共振器ミラー３２、３４非線型光学素子４２、４４ガルバノミラー５０ｆθレンズ

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年４月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】レーザー加工方法

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配線基板の如き微小
なビアホール加工などを要する被加工物を加工するのに
使用されるレーザー加工方法に関する。

【０００２】

【０００４】

【０００７】そこで、本発明は、上述の技術的な課題に
鑑み、多層配線基板のような被加工物をビアホール加工
する場合において、微細な孔の底部に残渣などが形成さ
れずにビアホール加工が可能なレーザー加工方法を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、（１）被加工
物に波長の異なる複数のレーザー光を合わせて照射し
て、被加工物を加工することを特徴とするレーザー加工
方法、（２）複数の波長からなるレーザー光が、レーザ
ー光の基本波及び該基本波の変調波の中から選択された
ものである上記（１）記載のレーザー加工方法、（３）
ＹＡＧレーザーを用いる上記（１）又は（２）記載のレ
ーザー加工方法、を要旨とする。

【０００９】本発明で用いられる装置は、例えば単一の
波長のレーザー光を発生させるレーザー発振部と、前記
単一の波長のレーザー光の波長を変換して複数の波長か
らなるレーザー光を射出する波長変換部と、前記複数の
波長からなるレーザー光を合わせて被加工物に照射する
集光部を有するものが用いられる。上記装置において
は、前記波長変換部は前記単一の波長のレーザー光の高
調波を発生させる高調波発生部であり、前記複数の波長
からなるレーザー光は前記レーザー発振部で発生するレ
ーザー光の基本波と、その基本波の２次以上の高調波と
からなる。前記レーザー発振部は種々のレーザー光を発
生させる発振装置を使用できるが、一例としてはＹＡＧ
レーザーを使用できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面に
基づき詳細に説明する。図１は本実施例において用いら
れるレーザー加工装置の構成を示すブロック図であり、
図２は被加工物としての多層配線基板を示す断面図であ
り、図３は照射されるレーザー光のパターンの一例を示
す図である。

【００１２】本実施例において用いられるレーザー加工
装置はＹＡＧレーザーを使用したパルスレーザーの装置
例であり、単一の波長からなるレーザー光を発生させる
レーザー発振部１０と、そのレーザー発振部１０からの
レーザー光を非線型光学結晶を用いて変換して高次の高
調波を発生させる波長変換部１２と、この波長変換部１
２からの複数の波長からなるレーザー光を走査するため
の走査部１８と、レーザー光を集光して被加工物１６に
照射するための集光部１４とからなる。被加工物１６
は、本実施例においては、多層配線用のコアがガラスエ
ポキシから形成され、エポキシ樹脂とメッキ層が多層に
積層されたものであり、本実施例のレーザー加工装置に
よってビアホール加工される。

【００１５】このような構成のレーザー発振部１０から
出力された単色のレーザー光は波長変換部１２に入射す
る。この波長変換部１２では、非線型光学結晶を用いた
高調波の発生が行われる。本実施例においては、波長変
換部１２は光路上に直列に並べられた２つの非線型光学
素子３２、３４からなり、非線型光学素子３２はＬＢＯ
（ＬｉＢ₃ Ｏ₄ ）であり、非線型光学素子３４はＢＢＯ
（ＢａＢ₂ Ｏ₄ ）である。これら非線型光学素子３２、
３４を通過したレーザー光は基本波である波長１．０６
４ミクロンの成分に加えて、波長５３２ナノメートルの
２次高調波と波長３３４ナノメートルの３次高調波が加
わる。

【００１６】本実施例では、２つの非線型光学素子３
２、３４はＢＢＯとＬＢＯであるが、他の非線型光学結
晶も使用できる。例示すると、ＫＤＰ（Ｋ₂ Ｈ₂ ＰＯ
₄ ）、ＬｉＮｂＯ₃ 、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ₄ ）など、
その他の波長変換に用いられる非線型光学結晶を使用で
きる。また、本実施例では高次の高調波を基本波に共に
発生させることとしているが、ラマンセル等を使用した
誘導ラマン散乱により波長の異なるレーザー光を生成し
ても良い。さらに、本実施例においてレーザー発振部１
０内部に前記波長変換部１２を設けているが、前記波長
変換部１２はレーザー発振部１０と別体に設けるように
構成することも可能である。

【００２１】本発明において用いられるレーザー加工装
置の集光部は、その被加工物の特性に応じて選択される
集光特性を持つことが望ましい。多層配線基板などの合
成樹脂にビアホール加工を行う場合には、たとえば孔を
形成する範囲全体に均一に基本波と高調波が組み合わさ
れたレーザー光を照射する。このようにレーザー光を照
射することで、パワーが大きい長波長でビアホール加工
し熱の影響の少ない短波長で残渣をとることができる。

【００２２】図２は図示しないテーブル上に置かれた本
実施例の被加工物１６であるガラスエポキシ樹脂製の多
層配線基板の断面を示す。ガラスエポキシ基板５２の両
面には銅層５３、５４が形成され、スクリーン印刷など
によりさらにそれら銅層５３、５４のそれぞれ表面にエ
ポキシ樹脂５５、５６が形成される。本実施例のレーザ
ー加工方法では、このようなエポキシ樹脂５５、５６を
ビアホール加工することができる。図２では、エポキシ
樹脂５６の表面にレーザー加工装置からレーザー光５９
が照射され、孔５７が形成されている。このレーザー光
５９は上述のように、基本波と高調波が組み合わされた
ものであり、例えば波長１．０６４ミクロンの基本波の
レーザー光の成分で主にビアホール加工を進め、波長５
３２ｎｍと３３４ｎｍの高調波の各成分で残渣が分解さ
れる。仮に、レーザー光が基本波だけの場合に、孔５７
の底部に破線で示すような残渣５８が存在してしまうこ
とになるが、本実施例においてはその高調波成分によっ
て残渣は除去されてしまう。本実施例のレーザー加工方
法によって形成された孔５７は一例として基板の垂直方
向に対して約１５度傾いたテーパー面を有し、エッチン
グや洗浄の際にはエッチング液や洗浄液が孔の底部まで
回り込み効率良く残渣を除去できる。

【００２４】本実施例では主にビアホール加工について
説明したが、本発明方法は、これに限定されず、他の用
途例えば、切断や溶接などの加工や、熱処理、レーザー
アシストエッチングやアッシング、デポジションその他
の表面改質などに対しても応用可能である。

【００２５】

【発明の効果】本発明のレーザー加工方法は、上述のよ
うに、複数の波長のレーザー光を照射するため、高調波
のみを照射した場合に比べて、パワーの損失が小さくな
り、それだけ効率良くビアホール加工作業を進めること
ができ、同時に、基本波のみ照射した場合に比べて、高
調波が孔内部の残渣を除去するように機能することか
ら、精度良くビアホール加工をすることができる。さら
に加工された被加工物は、残渣などが残ることもなくな
るため、その歩留りが向上する。

【００２６】また、本発明のレーザー加工方法は、その
レーザー光源として、安価で普及しているＹＡＧレーザ
ーを使用することができ、高調波を加えるための要素と
しては前記波長変換部を加えているだけであり、従って
既存の設備に大幅な設定変更なく、利用できるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法において用いられるレーザー加工装
置の一実施例を示すブロック図である。

【符号の説明】１０レーザー発振部１２波長変換部１４集光部１６被加工物１８走査部２０ＹＡＧレーザーロッド２２ランプハウス２４励起ランプ２６Ｑスィッチ２８、３０共振器ミラー３２、３４非線型光学素子４２、４４ガルバノミラー５０ｆθレンズ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザー加工装置において、単一の波長の
レーザー光を発生させるレーザー発振部と、前記単一の
波長のレーザー光の波長を変換して複数の波長からなる
レーザー光を射出する波長変換部と、前記複数の波長か
らなるレーザー光を合わせて非加工物に照射する集光部
を有することを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】請求項１のレーザー加工装置において、前
記波長変換部は前記単一の波長のレーザー光の高調波を
発生させる高調波発生部であり、前記複数の波長からな
るレーザー光は前記レーザー発振部で発生するレーザー
光の基本波と、その基本波の２次以上の高調波とからな
ることを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項３】請求項１のレーザー加工装置において、前
記レーザー発振部はＹＡＧレーザーの発振部であり、被
加工物はそのＹＡＧレーザーの基本波および高調波によ
ってビアホール加工されること特徴とするレーザー加工
装置。