JP2003290963A - レーザ装置、レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
レーザ装置、レーザ加工装置及びレーザ加工方法Info
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- JP2003290963A JP2003290963A JP2002095926A JP2002095926A JP2003290963A JP 2003290963 A JP2003290963 A JP 2003290963A JP 2002095926 A JP2002095926 A JP 2002095926A JP 2002095926 A JP2002095926 A JP 2002095926A JP 2003290963 A JP2003290963 A JP 2003290963A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 加工用のレーザビームの波長を容易に変える
ことが可能なレーザ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源１が、直線偏光のレーザビー
ムを出射する。レーザ光源から出射されたレーザビーム
が偏光制御素子２に入射する。偏光制御素子は、入射し
たレーザビームの偏光方向を旋回させ、その旋回角度が
可変である。偏光制御素子によって偏光方向を制御され
たレーザビームが波長変換素子３に入射する。波長変換
素子は、入射したレーザビームの波長を変換する。波長
変換効率は、入射したレーザビームの偏光方向によって
異なる。
ことが可能なレーザ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源１が、直線偏光のレーザビー
ムを出射する。レーザ光源から出射されたレーザビーム
が偏光制御素子２に入射する。偏光制御素子は、入射し
たレーザビームの偏光方向を旋回させ、その旋回角度が
可変である。偏光制御素子によって偏光方向を制御され
たレーザビームが波長変換素子３に入射する。波長変換
素子は、入射したレーザビームの波長を変換する。波長
変換効率は、入射したレーザビームの偏光方向によって
異なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ装置、レー
ザ加工装置及びレーザ加工方法に関し、特に加工される
材料に適した波長のレーザビームを加工対象物に入射さ
せることが可能なレーザ装置、レーザ加工装置及びレー
ザ加工方法に関する。
ザ加工装置及びレーザ加工方法に関し、特に加工される
材料に適した波長のレーザビームを加工対象物に入射さ
せることが可能なレーザ装置、レーザ加工装置及びレー
ザ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザ加工は、装置コスト、作業
性、装置の安定動作等を考慮して、単一の波長のレーザ
ビームを用いて行われていた。２種類以上の材料が層状
に積層され、材料ごとに加工のための最適波長が異なっ
ていても、上述の理由により単一の波長のレーザビーム
で加工対象物に穴を形成していた。加工用のレーザビー
ムの波長を変える必要がある場合には、レーザ発振器を
取り替えたり、波長変換素子を移動させてレーザビーム
の経路内に挿入したりしていた。
性、装置の安定動作等を考慮して、単一の波長のレーザ
ビームを用いて行われていた。２種類以上の材料が層状
に積層され、材料ごとに加工のための最適波長が異なっ
ていても、上述の理由により単一の波長のレーザビーム
で加工対象物に穴を形成していた。加工用のレーザビー
ムの波長を変える必要がある場合には、レーザ発振器を
取り替えたり、波長変換素子を移動させてレーザビーム
の経路内に挿入したりしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レーザ発振器を取り替
えたり、波長変換素子を移動させたりすると、加工速度
が遅くなる。また、作業性も悪く、装置コストも上昇し
てしまう。
えたり、波長変換素子を移動させたりすると、加工速度
が遅くなる。また、作業性も悪く、装置コストも上昇し
てしまう。
【０００４】本発明の目的は、加工用のレーザビームの
波長を容易に変えることが可能なレーザ装置及びレーザ
加工装置を提供することである。
波長を容易に変えることが可能なレーザ装置及びレーザ
加工装置を提供することである。
【０００５】本発明の他の目的は、加工用のレーザビー
ムの波長を容易に変えることが可能なレーザ加工方法を
提供することである。
ムの波長を容易に変えることが可能なレーザ加工方法を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、直線偏光のレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザビームが入射し、
入射したレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回角度
が可変である偏光制御素子と、前記偏光制御素子によっ
て偏光方向を制御されたレーザビームが入射し、入射し
たレーザビームの波長を変換する波長変換素子であっ
て、波長変換効率が、入射したレーザビームの偏光方向
によって異なる前記波長変換素子とを有するレーザ装置
が提供される。
と、直線偏光のレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたレーザビームが入射し、
入射したレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回角度
が可変である偏光制御素子と、前記偏光制御素子によっ
て偏光方向を制御されたレーザビームが入射し、入射し
たレーザビームの波長を変換する波長変換素子であっ
て、波長変換効率が、入射したレーザビームの偏光方向
によって異なる前記波長変換素子とを有するレーザ装置
が提供される。
【０００７】偏光制御素子で、レーザビームの偏光方向
の旋回角度を制御することにより、波長変換効率を変え
ることができる。例えば、変換効率が０％であるときに
は、レーザ光源から出射されたレーザビームの波長と同
一の波長のレーザビームを取り出すことができ、変換効
率が０％以外のときには、レーザ光源から出射されたレ
ーザビームの波長と同一の波長のレーザビーム及びその
高調波を取り出すことができる。
の旋回角度を制御することにより、波長変換効率を変え
ることができる。例えば、変換効率が０％であるときに
は、レーザ光源から出射されたレーザビームの波長と同
一の波長のレーザビームを取り出すことができ、変換効
率が０％以外のときには、レーザ光源から出射されたレ
ーザビームの波長と同一の波長のレーザビーム及びその
高調波を取り出すことができる。
【０００８】本発明の他の観点によると、第１の偏光方
向に直線偏光したレーザビームを、入射するレーザビー
ムの偏光方向によって変換効率の異なる波長変換素子に
入射させ、該波長変換素子を通過したレーザビームで加
工対象物の第１の材料の部分を加工する工程と、前記第
１の偏光方向とは異なる第２の偏光方向に直線偏光した
レーザビームを、前記波長変換素子に入射させ、該波長
変換素子を通過したレーザビームで、前記第１の材料と
は異なる第２の材料の部分を加工する工程とを有するレ
ーザ加工方法が提供される。
向に直線偏光したレーザビームを、入射するレーザビー
ムの偏光方向によって変換効率の異なる波長変換素子に
入射させ、該波長変換素子を通過したレーザビームで加
工対象物の第１の材料の部分を加工する工程と、前記第
１の偏光方向とは異なる第２の偏光方向に直線偏光した
レーザビームを、前記波長変換素子に入射させ、該波長
変換素子を通過したレーザビームで、前記第１の材料と
は異なる第２の材料の部分を加工する工程とを有するレ
ーザ加工方法が提供される。
【０００９】第１の材料と第２の材料とが、相互に異な
る波長のレーザビームで加工される。このとき、波長変
換素子に入射するレーザビームの偏光方向を変えること
によって波長が変わるため、高速の応答特性を得ること
が可能である。
る波長のレーザビームで加工される。このとき、波長変
換素子に入射するレーザビームの偏光方向を変えること
によって波長が変わるため、高速の応答特性を得ること
が可能である。
【００１０】本発明の他の観点によると、直線偏光のレ
ーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源か
ら出射したレーザビームが入射し、入射したレーザビー
ムの波長を変換する波長変換素子であって、波長変換効
率が、入射したレーザビームの偏光方向によって異なる
前記波長変換素子と、前記波長変換素子を、入射するレ
ーザビームの進行方向に平行な軸を中心とした回転方向
に変位させる回転機構とを有するレーザ装置が提供され
る。
ーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源か
ら出射したレーザビームが入射し、入射したレーザビー
ムの波長を変換する波長変換素子であって、波長変換効
率が、入射したレーザビームの偏光方向によって異なる
前記波長変換素子と、前記波長変換素子を、入射するレ
ーザビームの進行方向に平行な軸を中心とした回転方向
に変位させる回転機構とを有するレーザ装置が提供され
る。
【００１１】波長変換素子を回転させることにより、波
長変換効率を変えることができる。これにより、加工対
象物の材料に適した波長のレーザビームで加工すること
が可能になる。
長変換効率を変えることができる。これにより、加工対
象物の材料に適した波長のレーザビームで加工すること
が可能になる。
【００１２】本発明の他の観点によると、直線偏光のレ
ーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源か
ら出射したレーザビームが入射し、入射したレーザビー
ムの偏光方向を旋回させ、旋回角度が可変である第１の
偏光制御素子と、前記第１の偏光制御素子によって偏光
方向を制御されたレーザビームが入射し、入射したレー
ザビームの波長を変換する第１の波長変換素子であっ
て、波長変換効率が、入射したレーザビームの偏光方向
によって異なる前記第１の波長変換素子と、前記第１の
波長変換素子を通過したレーザビームが入射し、入射し
たレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回角度が可変
である第２の偏光制御素子と、前記第２の偏光制御素子
によって偏光方向を制御されたレーザビームが入射し、
入射したレーザビームの波長を変換する第２の波長変換
素子であって、波長変換効率が、入射したレーザビーム
の偏光方向によって異なる前記第２の波長変換素子とを
有するレーザ装置が提供される。
ーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源か
ら出射したレーザビームが入射し、入射したレーザビー
ムの偏光方向を旋回させ、旋回角度が可変である第１の
偏光制御素子と、前記第１の偏光制御素子によって偏光
方向を制御されたレーザビームが入射し、入射したレー
ザビームの波長を変換する第１の波長変換素子であっ
て、波長変換効率が、入射したレーザビームの偏光方向
によって異なる前記第１の波長変換素子と、前記第１の
波長変換素子を通過したレーザビームが入射し、入射し
たレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回角度が可変
である第２の偏光制御素子と、前記第２の偏光制御素子
によって偏光方向を制御されたレーザビームが入射し、
入射したレーザビームの波長を変換する第２の波長変換
素子であって、波長変換効率が、入射したレーザビーム
の偏光方向によって異なる前記第２の波長変換素子とを
有するレーザ装置が提供される。
【００１３】第１及び第２の偏光制御素子によってレー
ザビームの旋回角を変えることにより、レーザ光源から
出射されるレーザビームの周波数と同一、２倍、及び４
倍の周波数のレーザビームを発生させることができる。
波長選択性を有する分岐素子で１つの波長のレーザビー
ムを分岐させることにより、所望の波長のレーザビーム
を加工対象物に入射させることができる。
ザビームの旋回角を変えることにより、レーザ光源から
出射されるレーザビームの周波数と同一、２倍、及び４
倍の周波数のレーザビームを発生させることができる。
波長選択性を有する分岐素子で１つの波長のレーザビー
ムを分岐させることにより、所望の波長のレーザビーム
を加工対象物に入射させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の第１の実施例に
よるレーザ装置の概略図を示す。レーザ光源１が、直線
偏光されたパルスレーザビームを出射する。レーザ光源
１は、例えば固体レーザ、または固体レーザと波長変換
素子とを組み合わせた高調波発生器で構成される。レー
ザ媒質として、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4等が使用される。
よるレーザ装置の概略図を示す。レーザ光源１が、直線
偏光されたパルスレーザビームを出射する。レーザ光源
１は、例えば固体レーザ、または固体レーザと波長変換
素子とを組み合わせた高調波発生器で構成される。レー
ザ媒質として、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4等が使用される。
【００１５】レーザ光源１から出射されたパルスレーザ
ビームが、電気光学素子（ＥＯＭ）２に入射する。電気
光学素子２は、制御装置７から制御を受け、入射するレ
ーザビームの偏光方向を旋回させる。旋回角は、電気光
学素子２に印加される電圧によって制御することができ
る。
ビームが、電気光学素子（ＥＯＭ）２に入射する。電気
光学素子２は、制御装置７から制御を受け、入射するレ
ーザビームの偏光方向を旋回させる。旋回角は、電気光
学素子２に印加される電圧によって制御することができ
る。
【００１６】電気光学素子２で偏光方向を制御されたパ
ルスレーザビームが、波長変換素子（ＮＬＯ：非線形光
学素子）３に入射する。波長変換素子３の位相整合タイ
プはタイプＩであり、入射するレーザビームの２倍高調
波が発生する。波長変換素子３として、バリウムボーレ
ート（ＢａＢ2Ｏ4）、リチウムトリボーレート（ＬｉＢ
3Ｏ5）、セシウムリチウムボーレート（ＣｓＬｉＢ6Ｏ
10）等を使用することができる。波長変換素子３の変換
効率は、入射するレーザビームの偏光方向に依存する。
変換効率が０％のときには、波長変換素子３を通過した
レーザビームは、基本波のみを含む。変換効率が０％の
時の偏光方向と直交する方向に偏光したレーザビームが
入射するときに、変換効率が最大になる。それ以外のと
きの変換効率は、０％と最大変換効率との間の値にな
る。
ルスレーザビームが、波長変換素子（ＮＬＯ：非線形光
学素子）３に入射する。波長変換素子３の位相整合タイ
プはタイプＩであり、入射するレーザビームの２倍高調
波が発生する。波長変換素子３として、バリウムボーレ
ート（ＢａＢ2Ｏ4）、リチウムトリボーレート（ＬｉＢ
3Ｏ5）、セシウムリチウムボーレート（ＣｓＬｉＢ6Ｏ
10）等を使用することができる。波長変換素子３の変換
効率は、入射するレーザビームの偏光方向に依存する。
変換効率が０％のときには、波長変換素子３を通過した
レーザビームは、基本波のみを含む。変換効率が０％の
時の偏光方向と直交する方向に偏光したレーザビームが
入射するときに、変換効率が最大になる。それ以外のと
きの変換効率は、０％と最大変換効率との間の値にな
る。
【００１７】波長変換素子３を通過したレーザビーム
が、偏光板４に入射角４５°で入射する。偏光板４は、
偏光方向が入射面に平行であるＰ偏光成分を透過させ、
偏光方向が入射面に垂直であるＳ偏光成分を反射する。
偏光板４で反射されたレーザビームが、ガルバノスキャ
ナ５に入射する。ガルバノスキャナ５は、一対の揺動可
能な反射鏡を含んで構成され、レーザビームを２次元方
向に走査する。
が、偏光板４に入射角４５°で入射する。偏光板４は、
偏光方向が入射面に平行であるＰ偏光成分を透過させ、
偏光方向が入射面に垂直であるＳ偏光成分を反射する。
偏光板４で反射されたレーザビームが、ガルバノスキャ
ナ５に入射する。ガルバノスキャナ５は、一対の揺動可
能な反射鏡を含んで構成され、レーザビームを２次元方
向に走査する。
【００１８】ガルバノスキャナ５で走査されたレーザビ
ームが、ｆθレンズ６に入射する。ｆθレンズ６は、レ
ーザビームを集束させ、ＸＹステージ８に保持された加
工対象物１０の表面上に焦点を結ばせる。なお、ガルバ
ノスキャナ５よりも光源側のレーザビームの経路上にビ
ーム透過孔を有するマスクを配置し、このマスクのビー
ム透過孔をｆθレンズ６で加工対象物１０の表面上に結
像させてもよい。
ームが、ｆθレンズ６に入射する。ｆθレンズ６は、レ
ーザビームを集束させ、ＸＹステージ８に保持された加
工対象物１０の表面上に焦点を結ばせる。なお、ガルバ
ノスキャナ５よりも光源側のレーザビームの経路上にビ
ーム透過孔を有するマスクを配置し、このマスクのビー
ム透過孔をｆθレンズ６で加工対象物１０の表面上に結
像させてもよい。
【００１９】図２を参照して、第１の実施例によるレー
ザ装置を用いて、プリント配線板に穴あけ加工を行う方
法について説明する。
ザ装置を用いて、プリント配線板に穴あけ加工を行う方
法について説明する。
【００２０】図２（Ａ）に、レーザビームの偏光方向及
び波長変換の様子を示す。図２（Ａ）の紙面が偏光板４
に入射するレーザビームの入射面に一致する。電気光学
素子２に入射する角周波数ωの基本波は、Ｐ偏光である
とする。電気光学素子２に電圧が印加されていない状態
（オフ状態）のとき、電気光学素子２を通過したレーザ
ビームはＰ偏光のままである。
び波長変換の様子を示す。図２（Ａ）の紙面が偏光板４
に入射するレーザビームの入射面に一致する。電気光学
素子２に入射する角周波数ωの基本波は、Ｐ偏光である
とする。電気光学素子２に電圧が印加されていない状態
（オフ状態）のとき、電気光学素子２を通過したレーザ
ビームはＰ偏光のままである。
【００２１】波長変換素子３の波長変換効率は、Ｐ偏光
が入射するときに最大になり、Ｓ偏光が入射するときに
０％になるように配置されている。従って、電気光学素
子２がオフ状態のとき、波長変換素子３の変換効率が最
大になり、角周波数２ωの２倍高調波が生成される。波
長変換素子３を通過したレーザビームは、Ｓ偏光の２倍
高調波と、Ｐ偏光の基本波とを含む。
が入射するときに最大になり、Ｓ偏光が入射するときに
０％になるように配置されている。従って、電気光学素
子２がオフ状態のとき、波長変換素子３の変換効率が最
大になり、角周波数２ωの２倍高調波が生成される。波
長変換素子３を通過したレーザビームは、Ｓ偏光の２倍
高調波と、Ｐ偏光の基本波とを含む。
【００２２】偏光板４は、Ｐ偏光の基本波を透過させ、
Ｓ偏光の２倍高調波を反射する。このため、図１に示し
た加工対象物１０には、２倍高調波のみが入射する。
Ｓ偏光の２倍高調波を反射する。このため、図１に示し
た加工対象物１０には、２倍高調波のみが入射する。
【００２３】電気光学素子２に電圧が印加されている状
態（オン状態）のとき、電気光学素子２は、入射するレ
ーザビームの偏光方向を９０°旋回させる。このため、
電気光学素子２を通過したレーザビームはＳ偏光にな
る。
態（オン状態）のとき、電気光学素子２は、入射するレ
ーザビームの偏光方向を９０°旋回させる。このため、
電気光学素子２を通過したレーザビームはＳ偏光にな
る。
【００２４】このとき、波長変換素子３の変換効率が０
％であるため、波長変換素子３を通過したレーザビーム
は、Ｓ偏光の基本波のみを含む。偏光板４は、Ｓ偏光の
基本波を反射するため、図１に示した加工対象物１０に
は、基本波のみが入射する。
％であるため、波長変換素子３を通過したレーザビーム
は、Ｓ偏光の基本波のみを含む。偏光板４は、Ｓ偏光の
基本波を反射するため、図１に示した加工対象物１０に
は、基本波のみが入射する。
【００２５】このように、電気光学素子２のオンオフ状
態を切り替えることにより、加工対象物１０に基本波及
び２倍高調波のいずれか一方を選択的に入射させること
ができる。このため、図１に示したｆθレンズ６には、
基本波と２倍高調波の２つの波長域で反射率が低くなる
ように、２波長コーティングを施すことが好ましい。さ
らに、この２つの波長において色収差を補償したレンズ
を使用することが好ましい。なお、色収差のない凹面鏡
を使用してもよい。
態を切り替えることにより、加工対象物１０に基本波及
び２倍高調波のいずれか一方を選択的に入射させること
ができる。このため、図１に示したｆθレンズ６には、
基本波と２倍高調波の２つの波長域で反射率が低くなる
ように、２波長コーティングを施すことが好ましい。さ
らに、この２つの波長において色収差を補償したレンズ
を使用することが好ましい。なお、色収差のない凹面鏡
を使用してもよい。
【００２６】色収差が補償されない場合には、基本波を
用いて加工するときと、２倍高調波を用いて加工すると
きとで、ｆθレンズ６と加工対象物１０との距離を変
え、常に加工対象物１０の表面で焦点を結ぶようにすれ
ばよい。なお、必要に応じて、積極的に焦点ずれを生じ
させて加工してもよい。
用いて加工するときと、２倍高調波を用いて加工すると
きとで、ｆθレンズ６と加工対象物１０との距離を変
え、常に加工対象物１０の表面で焦点を結ぶようにすれ
ばよい。なお、必要に応じて、積極的に焦点ずれを生じ
させて加工してもよい。
【００２７】図１に示したレーザ光源１が２倍高調波を
出射する場合には、加工対象物１０に、２倍高調波及び
４倍高調波のいずれか一方を選択的に入射させることが
できる。以下に説明するレーザ加工方法では、２倍高調
波と４倍高調波とが使用される。
出射する場合には、加工対象物１０に、２倍高調波及び
４倍高調波のいずれか一方を選択的に入射させることが
できる。以下に説明するレーザ加工方法では、２倍高調
波と４倍高調波とが使用される。
【００２８】図２（Ｂ）に、加工対象物１０となるプリ
ント配線板の断面図を示す。ガラスエポキシ樹脂からな
る支持基板１１の表面上に銅からなる内層配線パターン
１２が形成されている。内層配線パターン１２を覆うよ
うに、支持基板１１の上にエポキシ樹脂からなる絶縁層
１３が形成されている。絶縁層１３の表面上に銅からな
る上層配線層１４が形成されている。図１に示したレー
ザ光源１として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの２倍高調波を出
射する高調波発生装置を使用する。角周波数２ωの２倍
高調波の波長は５３２ｎｍである。
ント配線板の断面図を示す。ガラスエポキシ樹脂からな
る支持基板１１の表面上に銅からなる内層配線パターン
１２が形成されている。内層配線パターン１２を覆うよ
うに、支持基板１１の上にエポキシ樹脂からなる絶縁層
１３が形成されている。絶縁層１３の表面上に銅からな
る上層配線層１４が形成されている。図１に示したレー
ザ光源１として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの２倍高調波を出
射する高調波発生装置を使用する。角周波数２ωの２倍
高調波の波長は５３２ｎｍである。
【００２９】図２（Ｃ）に示すように、上層配線層１４
の、内層配線パターン１２と重なる位置に、角周波数２
ωの２倍高調波を入射させ、上層配線層１４を貫通する
穴１５を形成する。２倍高調波を入射させるためには、
図２（Ａ）に示した電気光学素子２をオン状態にすれば
よい。
の、内層配線パターン１２と重なる位置に、角周波数２
ωの２倍高調波を入射させ、上層配線層１４を貫通する
穴１５を形成する。２倍高調波を入射させるためには、
図２（Ａ）に示した電気光学素子２をオン状態にすれば
よい。
【００３０】図２（Ｄ）に示すように、穴１５の底面に
露出した絶縁層１３に角周波数４ωの４倍高調波を入射
させ、絶縁層１３を貫通する穴１６を形成する。４倍高
調波を入射させるためには、図２（Ａ）に示した電気光
学素子２をオフ状態にすればよい。
露出した絶縁層１３に角周波数４ωの４倍高調波を入射
させ、絶縁層１３を貫通する穴１６を形成する。４倍高
調波を入射させるためには、図２（Ａ）に示した電気光
学素子２をオフ状態にすればよい。
【００３１】基本波の波長域における銅表面の反射率が
非常に高いため、基本波は銅の加工に適さない。また、
基本波から４倍高調波への変換効率は、２倍高調波への
変換効率よりも低い。このため、４倍高調波は、高いパ
ルスエネルギ密度のレーザビームを必要とする銅の加工
には適さない。銅からなる上層配線層１４は、２倍高調
波で加工することが好ましい。
非常に高いため、基本波は銅の加工に適さない。また、
基本波から４倍高調波への変換効率は、２倍高調波への
変換効率よりも低い。このため、４倍高調波は、高いパ
ルスエネルギ密度のレーザビームを必要とする銅の加工
には適さない。銅からなる上層配線層１４は、２倍高調
波で加工することが好ましい。
【００３２】エポキシ樹脂は、４倍高調波の波長域にお
いて高い吸収特性を示す。このため、絶縁層１３は、４
倍高調波で加工することが好ましい。また、絶縁層１３
がガラス繊維で強化されたガラスエポキシ樹脂である場
合にも、４倍高調波を用いることにより、ガラス繊維を
容易にエッチングすることができる。金属層と樹脂層と
を加工する場合には、２倍高調波の波長が４００ｎｍ以
上であり、４倍高調波の波長が４００ｎｍ以下であるよ
うなレーザ光源を使用することが好ましい。
いて高い吸収特性を示す。このため、絶縁層１３は、４
倍高調波で加工することが好ましい。また、絶縁層１３
がガラス繊維で強化されたガラスエポキシ樹脂である場
合にも、４倍高調波を用いることにより、ガラス繊維を
容易にエッチングすることができる。金属層と樹脂層と
を加工する場合には、２倍高調波の波長が４００ｎｍ以
上であり、４倍高調波の波長が４００ｎｍ以下であるよ
うなレーザ光源を使用することが好ましい。
【００３３】電気光学素子２の応答速度は、固体レーザ
のパルス周波数に比べて十分速い。このため、加工対象
物１０に入射するパルスレーザビームの波長をパルス単
位で切り替えることができる。波長切り替えのために、
レーザ発振器自体を交換したり、波長変換素子を移動さ
せてレーザビームの光路内に挿入したり、光路から外し
たりする必要が無いため、加工時間を短縮することがで
きる。加工時間の短縮化を図るために、パルス周波数を
１００Ｈｚ以上とすることが好ましい。パルス周波数が
１００ｋＨｚ以下であれば、パルスごとに波長を切り替
えることが可能であろう。
のパルス周波数に比べて十分速い。このため、加工対象
物１０に入射するパルスレーザビームの波長をパルス単
位で切り替えることができる。波長切り替えのために、
レーザ発振器自体を交換したり、波長変換素子を移動さ
せてレーザビームの光路内に挿入したり、光路から外し
たりする必要が無いため、加工時間を短縮することがで
きる。加工時間の短縮化を図るために、パルス周波数を
１００Ｈｚ以上とすることが好ましい。パルス周波数が
１００ｋＨｚ以下であれば、パルスごとに波長を切り替
えることが可能であろう。
【００３４】レーザ光源１は、波長の切り替えとは無関
係に、継続してパルス発振を繰り返している。このた
め、出力の安定したパルスレーザビームを得ることが可
能になる。金属層を加工する時と、樹脂層を加工する時
とで、パルス周波数を変えることによって、好適なレー
ザ出力を得るようにしてもよい。
係に、継続してパルス発振を繰り返している。このた
め、出力の安定したパルスレーザビームを得ることが可
能になる。金属層を加工する時と、樹脂層を加工する時
とで、パルス周波数を変えることによって、好適なレー
ザ出力を得るようにしてもよい。
【００３５】上記実施例では、レーザビームの偏光方向
を電気光学素子で制御したが、電気光学素子の代わりに
１／２波長板を用いてもよい。１／２波長板の光学軸
を、入射するレーザビームの中心軸を中心として回転さ
せることによりレーザビームの偏光方向の旋回角を調整
することができる。
を電気光学素子で制御したが、電気光学素子の代わりに
１／２波長板を用いてもよい。１／２波長板の光学軸
を、入射するレーザビームの中心軸を中心として回転さ
せることによりレーザビームの偏光方向の旋回角を調整
することができる。
【００３６】また、上記実施例では、図２（Ａ）に示し
た電気光学素子２がオン状態とオフ状態との２つの状態
を持つように制御したが、印加電圧を変化させて、オン
状態とオフ状態との中間の状態を持たせてもよい。中間
の状態のときには、偏光方向の旋回角が０°と９０°と
の間になる。旋回角を制御することにより、基本波と２
倍高調波とのＳ偏光成分の強度を変化させることができ
る。これにより、基本波と２倍高調波とが混合されたレ
ーザビームで、両者の強度比を制御しながらレーザ加工
を行うことができる。
た電気光学素子２がオン状態とオフ状態との２つの状態
を持つように制御したが、印加電圧を変化させて、オン
状態とオフ状態との中間の状態を持たせてもよい。中間
の状態のときには、偏光方向の旋回角が０°と９０°と
の間になる。旋回角を制御することにより、基本波と２
倍高調波とのＳ偏光成分の強度を変化させることができ
る。これにより、基本波と２倍高調波とが混合されたレ
ーザビームで、両者の強度比を制御しながらレーザ加工
を行うことができる。
【００３７】また、上記実施例では、図２（Ａ）に示し
た偏光板４で反射したレーザビームを利用したが、偏光
板４を透過したレーザビームを利用してもよいし、両方
のレーザビームを利用してもよい。
た偏光板４で反射したレーザビームを利用したが、偏光
板４を透過したレーザビームを利用してもよいし、両方
のレーザビームを利用してもよい。
【００３８】次に、図３を参照して、第２の実施例につ
いて説明する。第２の実施例によるレーザ装置では、図
１及び図２（Ａ）に示した第１の実施例によるレーザ装
置の波長変換素子３と偏光板４との間のレーザビームの
経路内に、電気光学素子２０が配置されている。その他
の構成は、図１に示した第１の実施例の場合と同様であ
る。図２（Ａ）に示した電気光学素子２をオフ状態にす
ると、波長変換素子３を通過したレーザビームは、Ｐ偏
光の基本波とＳ偏光の２倍高調波を含む。
いて説明する。第２の実施例によるレーザ装置では、図
１及び図２（Ａ）に示した第１の実施例によるレーザ装
置の波長変換素子３と偏光板４との間のレーザビームの
経路内に、電気光学素子２０が配置されている。その他
の構成は、図１に示した第１の実施例の場合と同様であ
る。図２（Ａ）に示した電気光学素子２をオフ状態にす
ると、波長変換素子３を通過したレーザビームは、Ｐ偏
光の基本波とＳ偏光の２倍高調波を含む。
【００３９】図３に示した電気光学素子２０をオン状態
にすると、基本波の偏光方向が９０°旋回し、２倍高調
波の偏光方向が１８０°旋回する。このため、電気光学
素子２０を通過したレーザビームの基本波及び２倍高調
波は、共にＳ偏光になる。偏光板４は、Ｓ偏光のレーザ
ビームを反射するため、加工対象物に基本波と２倍高調
波の両方を入射させることができる。
にすると、基本波の偏光方向が９０°旋回し、２倍高調
波の偏光方向が１８０°旋回する。このため、電気光学
素子２０を通過したレーザビームの基本波及び２倍高調
波は、共にＳ偏光になる。偏光板４は、Ｓ偏光のレーザ
ビームを反射するため、加工対象物に基本波と２倍高調
波の両方を入射させることができる。
【００４０】また、電気光学素子２０をオフ状態にすれ
ば、図２（Ａ）に示した第１の実施例の場合と同様に、
基本波及び２倍高調波のいずれかを選択的に入射させる
ことができる。なお、加工対象物によっては、電気光学
素子２０をオフ状態のままにして、または電気光学素子
２０をレーザビームの経路から取り外して用いることも
あり得る。この場合は、偏光板４の代わりに全反射ミラ
ーを用いる。これにより、基本波と２倍高調波とが混合
され、かつＳ偏光成分とＰ偏光成分とが混合されたレー
ザビームを加工対象物に入射させることができる。
ば、図２（Ａ）に示した第１の実施例の場合と同様に、
基本波及び２倍高調波のいずれかを選択的に入射させる
ことができる。なお、加工対象物によっては、電気光学
素子２０をオフ状態のままにして、または電気光学素子
２０をレーザビームの経路から取り外して用いることも
あり得る。この場合は、偏光板４の代わりに全反射ミラ
ーを用いる。これにより、基本波と２倍高調波とが混合
され、かつＳ偏光成分とＰ偏光成分とが混合されたレー
ザビームを加工対象物に入射させることができる。
【００４１】図４に、第３の実施例によるレーザ装置の
概略図を示す。図１に示した第１の実施例によるレーザ
装置の電気光学素子２を取り除き、その代わりに波長変
換素子３を回転させる回転機構３０を設けることにより
第３の実施例によるレーザ装置が得られる。制御装置７
が、レーザ光源１及び回転機構３０を制御する。
概略図を示す。図１に示した第１の実施例によるレーザ
装置の電気光学素子２を取り除き、その代わりに波長変
換素子３を回転させる回転機構３０を設けることにより
第３の実施例によるレーザ装置が得られる。制御装置７
が、レーザ光源１及び回転機構３０を制御する。
【００４２】回転機構３０は、波長変換素子３を、入射
するレーザビームの中心軸を中心として回転させ、所望
の位置で固定することができる。図１に示した第１の実
施例では、波長変換素子３を固定し、電気光学素子２で
レーザビームの偏光方向を旋回させていたが、第３の実
施例では、レーザビームの偏光方向を固定し、波長変換
素子３を回転させている。波長変換素子３を回転させる
ことにより、変換効率を変化させることができる。
するレーザビームの中心軸を中心として回転させ、所望
の位置で固定することができる。図１に示した第１の実
施例では、波長変換素子３を固定し、電気光学素子２で
レーザビームの偏光方向を旋回させていたが、第３の実
施例では、レーザビームの偏光方向を固定し、波長変換
素子３を回転させている。波長変換素子３を回転させる
ことにより、変換効率を変化させることができる。
【００４３】第３の実施例では、波長変換素子３を機械
的に回転させるため、第１の実施例の場合に比べて、波
長切り替えの応答性は悪い。従って、第３の実施例によ
るレーザ装置は、速い加工速度が求められない用途に適
している。
的に回転させるため、第１の実施例の場合に比べて、波
長切り替えの応答性は悪い。従って、第３の実施例によ
るレーザ装置は、速い加工速度が求められない用途に適
している。
【００４４】図５（Ａ）に、第４の実施例によるレーザ
装置の波長変換部のブロック図を示す。第４の実施例で
は、図１に示した第１の実施例によるレーザ装置の電気
光学素子２及び波長変換素子３の代わりに、第１段目の
電気光学素子（ＥＯＭ１）４１、第１段目の波長変換素
子（ＮＬＯ１）４２、第２段目の電気光学素子（ＥＯＭ
２）４３、及び第２段目の波長変換素子（ＮＬＯ２）４
４がこの順番に配置されている。
装置の波長変換部のブロック図を示す。第４の実施例で
は、図１に示した第１の実施例によるレーザ装置の電気
光学素子２及び波長変換素子３の代わりに、第１段目の
電気光学素子（ＥＯＭ１）４１、第１段目の波長変換素
子（ＮＬＯ１）４２、第２段目の電気光学素子（ＥＯＭ
２）４３、及び第２段目の波長変換素子（ＮＬＯ２）４
４がこの順番に配置されている。
【００４５】図６に、第４の実施例によるレーザ装置の
各段の電気光学素子及び波長変換素子を通過した後のレ
ーザビームの波長及び偏光方向を示す。図中の１ωは基
本波を示し、ｎωはｎ倍高調波を示す。ωの後の
「縦」、「横」及び「円」の表示は偏光状態を示す。
各段の電気光学素子及び波長変換素子を通過した後のレ
ーザビームの波長及び偏光方向を示す。図中の１ωは基
本波を示し、ｎωはｎ倍高調波を示す。ωの後の
「縦」、「横」及び「円」の表示は偏光状態を示す。
【００４６】図６のケースＡ及びＢの場合には、基本波
のみを取り出すことができる。ケースＣの場合には、ダ
イクロイックミラー等で２倍高調波のみを取り出すこと
ができる。ケースＤの場合には、ダイクロイックミラー
等で４倍高調波のみを取り出すことができる。
のみを取り出すことができる。ケースＣの場合には、ダ
イクロイックミラー等で２倍高調波のみを取り出すこと
ができる。ケースＤの場合には、ダイクロイックミラー
等で４倍高調波のみを取り出すことができる。
【００４７】このように、第４の実施例では、電気光学
素子のオンオフを制御することによって、基本波、２倍
高調波、４倍高調波のいずれかを選択的に取り出し、加
工対象物に入射させることができる。
素子のオンオフを制御することによって、基本波、２倍
高調波、４倍高調波のいずれかを選択的に取り出し、加
工対象物に入射させることができる。
【００４８】図５（Ｂ）に、第５の実施例によるレーザ
装置の波長変換部のブロック図を示す。第５の実施例で
は、図１に示した第１の実施例によるレーザ装置の電気
光学素子２及び波長変換素子３の代わりに、第１段目の
電気光学素子（ＥＯＭ１）５１、第１段目の波長変換素
子（ＮＬＯ１）５２、第２段目の電気光学素子（ＥＯＭ
２）５３、及び第２段目の波長変換素子（ＮＬＯ２）５
４、第３段目の電気光学素子（ＥＯＭ３）５５、及び第
３段目の波長変換素子（ＮＬＯ３）５６がこの順番に配
置されている。第１段目の波長変換素子５２及び第３段
目の波長変換素子５６は、位相整合タイプがタイプＩの
ものであり、第２段目の波長変換素子５４は、位相整合
タイプがタイプＩＩのものである。
装置の波長変換部のブロック図を示す。第５の実施例で
は、図１に示した第１の実施例によるレーザ装置の電気
光学素子２及び波長変換素子３の代わりに、第１段目の
電気光学素子（ＥＯＭ１）５１、第１段目の波長変換素
子（ＮＬＯ１）５２、第２段目の電気光学素子（ＥＯＭ
２）５３、及び第２段目の波長変換素子（ＮＬＯ２）５
４、第３段目の電気光学素子（ＥＯＭ３）５５、及び第
３段目の波長変換素子（ＮＬＯ３）５６がこの順番に配
置されている。第１段目の波長変換素子５２及び第３段
目の波長変換素子５６は、位相整合タイプがタイプＩの
ものであり、第２段目の波長変換素子５４は、位相整合
タイプがタイプＩＩのものである。
【００４９】なお、位相整合タイプがタイプＩの波長変
換素子とタイプＩＩの波長変換素子との順番と組み合わ
せは、使用する素子の種類によって変更できる。
換素子とタイプＩＩの波長変換素子との順番と組み合わ
せは、使用する素子の種類によって変更できる。
【００５０】図７に、第５の実施例によるレーザ装置の
各段の電気光学素子及び波長変換素子を通過した後のレ
ーザビームの波長及び偏光方向を示す。図中の１ωは基
本波を示し、ｎωはｎ倍高調波を示す。ωの後の「縦」
及び「横」の表示は偏光状態を示す。
各段の電気光学素子及び波長変換素子を通過した後のレ
ーザビームの波長及び偏光方向を示す。図中の１ωは基
本波を示し、ｎωはｎ倍高調波を示す。ωの後の「縦」
及び「横」の表示は偏光状態を示す。
【００５１】図７のケースＡ〜Ｄの場合には、基本波を
取り出すことができる。ケースＥ及びＦの場合には、ダ
イクロイックミラー等により２倍高調波を取り出すこと
ができる。ケースＧの場合には、３倍高調波を取り出す
ことができ、ケースＨの場合には、５倍高調波を取り出
すことができる。
取り出すことができる。ケースＥ及びＦの場合には、ダ
イクロイックミラー等により２倍高調波を取り出すこと
ができる。ケースＧの場合には、３倍高調波を取り出す
ことができ、ケースＨの場合には、５倍高調波を取り出
すことができる。
【００５２】このように、第５の実施例では、電気光学
素子のオンオフを制御することによって、基本波、２倍
高調波、３倍高調波、５倍高調波のいずれかを選択的に
取り出し、加工対象物に入射させることができる。な
お、組み合わせによっては、基本波、２倍高調波、３倍
高調波、及び４倍高調波のいずれかを選択的に取り出す
ことも可能である。
素子のオンオフを制御することによって、基本波、２倍
高調波、３倍高調波、５倍高調波のいずれかを選択的に
取り出し、加工対象物に入射させることができる。な
お、組み合わせによっては、基本波、２倍高調波、３倍
高調波、及び４倍高調波のいずれかを選択的に取り出す
ことも可能である。
【００５３】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ発振器を交換することなく、かつ波長変換素子の
挿入及び取り外しを行うことなく、波長を切り替えてレ
ーザ加工を行うことができる。
レーザ発振器を交換することなく、かつ波長変換素子の
挿入及び取り外しを行うことなく、波長を切り替えてレ
ーザ加工を行うことができる。
【図１】 本発明の第１の実施例によるレーザ装置の概
略図である。
略図である。
【図２】 （Ａ）は、第１の実施例によるレーザ装置を
伝搬するレーザビームの偏光方向及び波長変換の様子を
示す図であり、（Ｂ）〜（Ｄ）は、加工対象物の加工部
近傍の断面図である。
伝搬するレーザビームの偏光方向及び波長変換の様子を
示す図であり、（Ｂ）〜（Ｄ）は、加工対象物の加工部
近傍の断面図である。
【図３】 第２の実施例によるレーザ装置の波長変換部
及び偏光方向制御部の概略図である。
及び偏光方向制御部の概略図である。
【図４】 本発明の第３の実施例によるレーザ装置の概
略図である。
略図である。
【図５】 （Ａ）は、本発明の第４の実施例によるレー
ザ装置の波長変換部のブロック図であり、（Ｂ）は、本
発明の第５の実施例によるレーザ装置の波長変換部のブ
ロック図である。
ザ装置の波長変換部のブロック図であり、（Ｂ）は、本
発明の第５の実施例によるレーザ装置の波長変換部のブ
ロック図である。
【図６】 第４の実施例によるレーザ装置を伝搬するレ
ーザビームの偏光状態及び波長変換の様子を示す図表で
ある。
ーザビームの偏光状態及び波長変換の様子を示す図表で
ある。
【図７】 第５の実施例によるレーザ装置を伝搬するレ
ーザビームの偏光状態及び波長変換の様子を示す図表で
ある。
ーザビームの偏光状態及び波長変換の様子を示す図表で
ある。
１ レーザ光源
２、２０、４１、４３、５１、５３、５５ 電気光学素
子 ３、４２、４４、５２、５４、５６ 波長変換素子 ４ 偏光板 ５ ガルバノスキャナ ６ ｆθレンズ ７ 制御装置 ８ ＸＹステージ １０ 加工対象物 １１ 支持基板 １２ 内層配線 １３ 絶縁膜 １４ 上層配線層 １５、１６ 穴 ３０ 回転機構
子 ３、４２、４４、５２、５４、５６ 波長変換素子 ４ 偏光板 ５ ガルバノスキャナ ６ ｆθレンズ ７ 制御装置 ８ ＸＹステージ １０ 加工対象物 １１ 支持基板 １２ 内層配線 １３ 絶縁膜 １４ 上層配線層 １５、１６ 穴 ３０ 回転機構
Claims (13)
- 【請求項１】 直線偏光のレーザビームを出射するレー
ザ光源と、 前記レーザ光源から出射されたレーザビームが入射し、
入射したレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回角度
が可変である偏光制御素子と、 前記偏光制御素子によって偏光方向を制御されたレーザ
ビームが入射し、入射したレーザビームの波長を変換す
る波長変換素子であって、波長変換効率が、入射したレ
ーザビームの偏光方向によって異なる前記波長変換素子
とを有するレーザ装置。 - 【請求項２】 前記波長変換素子は、第１の偏光方向に
直線偏光したレーザビームが入射するとき、波長変換効
率が最も低く、該第１の偏光方向と直交する第２の偏光
方向に直線偏光したレーザビームが入射するとき、波長
変換効率が最も高く、 前記偏光制御素子は、前記波長変換素子に入射するレー
ザビームの偏光方向を前記第１の偏光方向にする第１の
状態と、前記波長変換素子に入射するレーザビームの偏
光方向を前記第２の偏光方向にする第２の状態とのいず
れかを取り得る請求項１に記載のレーザ装置。 - 【請求項３】 前記波長変換素子によって波長変換され
たレーザビームが、第３の偏光方向に直線偏光してお
り、波長変換されなかったレーザビームが、該第３の偏
光方向とは異なる第４の偏光方向に直線偏光しており、 さらに、前記波長変換素子を通過したレーザビームが入
射し、前記第３の偏光方向に直線偏光したレーザビーム
から、前記第４の偏光方向に直線偏光したレーザビーム
を、偏光方向の相違を利用して分岐させる分岐素子を有
する請求項１または２に記載のレーザ装置。 - 【請求項４】 さらに、前記波長変換素子を通過したレ
ーザビームが入射し、該波長変換素子によって波長変換
されなかったレーザビームの波長域の光から、波長変換
されたレーザビームの波長域の光を、波長の相違を利用
して分岐させる分岐素子を有する請求項１または２に記
載のレーザ装置。 - 【請求項５】 第１の偏光方向に直線偏光したレーザビ
ームを、入射するレーザビームの偏光方向によって変換
効率の異なる波長変換素子に入射させ、該波長変換素子
を通過したレーザビームで加工対象物の第１の材料の部
分を加工する工程と、 前記第１の偏光方向とは異なる第２の偏光方向に直線偏
光したレーザビームを、前記波長変換素子に入射させ、
該波長変換素子を通過したレーザビームで、前記第１の
材料とは異なる第２の材料の部分を加工する工程とを有
するレーザ加工方法。 - 【請求項６】 前記第１の偏光方向及び前記第２の偏光
方向の一方が、前記波長変換素子の変換効率を最大にす
る方向であり、他方が、前記波長変換素子の変換効率を
最小にする方向である請求項５に記載のレーザ加工方
法。 - 【請求項７】 前記第１の材料が金属であり、前記第２
の材料が樹脂であり、前記第１の偏光方向が、前記波長
変換素子の変換効率を最小にする方向であり、前記第２
の偏光方向が、前記波長変換素子の変換効率を最大にす
る方向である請求項５に記載のレーザ加工方法。 - 【請求項８】 直線偏光のレーザビームを出射するレー
ザ光源と、 前記レーザ光源から出射したレーザビームが入射し、入
射したレーザビームの波長を変換する波長変換素子であ
って、波長変換効率が、入射したレーザビームの偏光方
向によって異なる前記波長変換素子と、 前記波長変換素子を、入射するレーザビームの進行方向
に平行な軸を中心とした回転方向に変位させる回転機構
とを有するレーザ装置。 - 【請求項９】 直線偏光のレーザビームを出射するレー
ザ光源と、 前記レーザ光源から出射したレーザビームが入射し、入
射したレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回角度が
可変である第１の偏光制御素子と、 前記第１の偏光制御素子によって偏光方向を制御された
レーザビームが入射し、入射したレーザビームの波長を
変換する第１の波長変換素子であって、波長変換効率
が、入射したレーザビームの偏光方向によって異なる前
記第１の波長変換素子と、 前記第１の波長変換素子を通過したレーザビームが入射
し、入射したレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回
角度が可変である第２の偏光制御素子と、 前記第２の偏光制御素子によって偏光方向を制御された
レーザビームが入射し、入射したレーザビームの波長を
変換する第２の波長変換素子であって、波長変換効率
が、入射したレーザビームの偏光方向によって異なる前
記第２の波長変換素子とを有するレーザ装置。 - 【請求項１０】 さらに、前記第２の波長変換素子を通
過したレーザビームを、その偏光方向または波長の相違
によって複数のレーザビームに分岐させる請求項９に記
載のレーザ装置。 - 【請求項１１】 さらに、前記第２の波長変換素子を通
過したレーザビームが入射し、入射したレーザビームの
偏光方向を旋回させ、旋回角度が可変である第３の偏光
制御素子と、 前記第３の偏光制御素子によって偏光方向を制御された
レーザビームが入射し、入射したレーザビームの波長を
変換する第３の波長変換素子であって、波長変換効率
が、入射したレーザビームの偏光方向によって異なる前
記第３の波長変換素子とを有し、 前記第１の波長変換素子及び第３の波長変換素子の位相
整合タイプがタイプＩであり、前記第２の波長変換素子
の位相整合タイプがタイプＩＩである請求項９に記載の
レーザ装置。 - 【請求項１２】 さらに、前記第３の波長変換素子を通
過したレーザビームを、その偏光方向または波長の相違
によって複数のレーザビームに分岐させる請求項１１に
記載のレーザ装置。 - 【請求項１３】 直線偏光のレーザビームを出射するレ
ーザ光源と、 前記レーザ光源から出射されたレーザビームが入射し、
入射したレーザビームの偏光方向を旋回させ、旋回角度
が可変である偏光制御素子と、 前記偏光制御素子によって偏光方向を制御されたレーザ
ビームが入射し、入射したレーザビームの波長を変換す
る波長変換素子であって、波長変換効率が、入射したレ
ーザビームの偏光方向によって異なる前記波長変換素子
と、 加工対象物を保持する保持手段と、 前記波長変換素子を通過したレーザビームを、前記保持
手段に保持された加工対象物上に集光させる集光素子と
を有するレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002095926A JP2003290963A (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | レーザ装置、レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP (1) | JP2003290963A (ja) |
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