JP2003031953A - ビルドアップ基板の製造方法 - Google Patents
ビルドアップ基板の製造方法Info
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- JP2003031953A JP2003031953A JP2001213527A JP2001213527A JP2003031953A JP 2003031953 A JP2003031953 A JP 2003031953A JP 2001213527 A JP2001213527 A JP 2001213527A JP 2001213527 A JP2001213527 A JP 2001213527A JP 2003031953 A JP2003031953 A JP 2003031953A
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 環境に良好でビルドアップ基板を安価に得る
ことができるビルドアップ基板の製造方法を提供するこ
と。 【構成】 ビルドアップ基板の製造において、絶縁層上
にブラインドホールが形成されたプリント基板の前記ブ
ラインドホール内のクリーニングと絶縁層表面の粗面化
をレーザ（ＫｒＦレーザ）１１の照射によって同時に行
う。
ことができるビルドアップ基板の製造方法を提供するこ
と。 【構成】 ビルドアップ基板の製造において、絶縁層上
にブラインドホールが形成されたプリント基板の前記ブ
ラインドホール内のクリーニングと絶縁層表面の粗面化
をレーザ（ＫｒＦレーザ）１１の照射によって同時に行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビルドアップ基板
の製造方法に関する間するものである。
の製造方法に関する間するものである。
【０００２】
【従来の技術】ビルドアップ法は、バイアホールを介し
て接続された多層プリント配線板を製造することがで
き、配線を著しく高密度化することができるという利点
がある。従来技術によって製造する方法の一例を図１の
断面図を用いて説明する。
て接続された多層プリント配線板を製造することがで
き、配線を著しく高密度化することができるという利点
がある。従来技術によって製造する方法の一例を図１の
断面図を用いて説明する。
【０００３】先ず、銀張りのガラスエポキシ基板１の銀
箔を図形状にエッチング加工することによって第１の金
属配線層２を形成して図１（ａ）の状態とする。次に、
その第１の金属層２を覆うように、基板１の表面エポキ
シー系絶縁材料を塗布し、硬化させて絶縁樹脂層３を形
成して図１（ｂ）の状態とする。
箔を図形状にエッチング加工することによって第１の金
属配線層２を形成して図１（ａ）の状態とする。次に、
その第１の金属層２を覆うように、基板１の表面エポキ
シー系絶縁材料を塗布し、硬化させて絶縁樹脂層３を形
成して図１（ｂ）の状態とする。
【０００４】次に、絶縁樹脂層３に、レーザ加工によっ
て下方の金属配線層２に達するブラインドビァホールを
開けて図１（ｃ）の状態にする。このとき、レーザで加
工するため、露出した第１の金属配線層２の表面に残渣
物６が残る。
て下方の金属配線層２に達するブラインドビァホールを
開けて図１（ｃ）の状態にする。このとき、レーザで加
工するため、露出した第１の金属配線層２の表面に残渣
物６が残る。
【０００５】次に、一般的にはデスミヤ処理と呼ばれる
方法で基板１を過マンガン酸の溶液等に浸して腐食し、
ブラインドビァホールの底面の残渣物６の除去と絶縁樹
脂層３の表面の粗面化を行って図１（ｄ）の状態とす
る。この残渣物６の除去と粗面化によって、下方の金属
配線層２及び絶縁樹脂層３と次の工程で形成される銅メ
ッキ層４との間の密着性が向上する。
方法で基板１を過マンガン酸の溶液等に浸して腐食し、
ブラインドビァホールの底面の残渣物６の除去と絶縁樹
脂層３の表面の粗面化を行って図１（ｄ）の状態とす
る。この残渣物６の除去と粗面化によって、下方の金属
配線層２及び絶縁樹脂層３と次の工程で形成される銅メ
ッキ層４との間の密着性が向上する。
【０００６】次に、銀メッキによって、絶縁樹脂層３の
表面上及び導通用の穴あけによって露出した第１の金属
配線層２の表面及び絶縁樹脂層３の表面に銀メッキ層４
を形成し、図１（ｅ）の状態とする。そして、最後に銀
メッキ層４を図形状にエッチング加工して第２の金属層
５を形成し、２層配線が基板１上に完成した図１（ｆ）
に示す状態とする。
表面上及び導通用の穴あけによって露出した第１の金属
配線層２の表面及び絶縁樹脂層３の表面に銀メッキ層４
を形成し、図１（ｅ）の状態とする。そして、最後に銀
メッキ層４を図形状にエッチング加工して第２の金属層
５を形成し、２層配線が基板１上に完成した図１（ｆ）
に示す状態とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のプリント配線板
の製造方法は、図１（ｄ）に示すように、ブラインドビ
ァホールの底面の残渣物６の除去と絶縁樹脂層３の表面
の粗面化を前述したようにデスミヤ処理で行っている。
デスミヤ処理工程は過マンガン酸溶液中にプリント配線
板を１０〜３０分間浸漬して処理するため、デスミヤ処
理工程の時間の短縮に限界があり、又、溶液中での処理
のために溶液の管理や廃液の処理等、環境にも色々配慮
しなければならない。
の製造方法は、図１（ｄ）に示すように、ブラインドビ
ァホールの底面の残渣物６の除去と絶縁樹脂層３の表面
の粗面化を前述したようにデスミヤ処理で行っている。
デスミヤ処理工程は過マンガン酸溶液中にプリント配線
板を１０〜３０分間浸漬して処理するため、デスミヤ処
理工程の時間の短縮に限界があり、又、溶液中での処理
のために溶液の管理や廃液の処理等、環境にも色々配慮
しなければならない。
【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、環境に良好でビルドアップ基
板を安価に得ることができるビルドアップ基板の製造方
法を提供することにある。
で、その目的とする処は、環境に良好でビルドアップ基
板を安価に得ることができるビルドアップ基板の製造方
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、絶縁層上にブラインドホールが形成され
たプリント基板の前記ブラインドホール内のクリーニン
グと絶縁層表面の粗面化をレーザの照射によって同時に
行うことを特徴とする。
め、本発明は、絶縁層上にブラインドホールが形成され
たプリント基板の前記ブラインドホール内のクリーニン
グと絶縁層表面の粗面化をレーザの照射によって同時に
行うことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００１１】本発明に係るビルドアップ基板の製造工程
は、従来の製造方法と図１（ａ）〜（ｃ）までは同じで
ある。
は、従来の製造方法と図１（ａ）〜（ｃ）までは同じで
ある。
【００１２】デスミヤ処理方法図１（ｄ）において、本
発明方法では溶液を使用せず、図２に示す装置を用い
て、レーザ発振器１１から発振されたレーザ光をシリン
ドリカルレンズ１２及びマスク１３を通してミラー１４
で反射させ、投影レンズ１５で集束させて被加工物であ
るプリント配線板１７上に照射する。プリント配線板１
７は移動テーブル１８上に置かれ、一定の速度で移動す
ることにより、ブラインドビァホールの底面の残渣物６
の除去と絶縁樹脂層３の表面の粗面化を行う。
発明方法では溶液を使用せず、図２に示す装置を用い
て、レーザ発振器１１から発振されたレーザ光をシリン
ドリカルレンズ１２及びマスク１３を通してミラー１４
で反射させ、投影レンズ１５で集束させて被加工物であ
るプリント配線板１７上に照射する。プリント配線板１
７は移動テーブル１８上に置かれ、一定の速度で移動す
ることにより、ブラインドビァホールの底面の残渣物６
の除去と絶縁樹脂層３の表面の粗面化を行う。
【００１３】ＫｒＦレーザを用いてラインビーム巾２０
ｃｍ×１ｍｍ、周波数２００Ｈｚ、出力２００ｍｊ／ｃ
ｍ2 、移動速度３ｃｍ／秒で加工したところ、ブライン
ドビァホールの底面の残渣物６の完全除去と絶縁樹脂層
３の表面の粗さがデスミヤ処理と同様な粗さ２μｍを得
ることができ、後工程の銅メッキも良好な密着性を得る
ことができた。
ｃｍ×１ｍｍ、周波数２００Ｈｚ、出力２００ｍｊ／ｃ
ｍ2 、移動速度３ｃｍ／秒で加工したところ、ブライン
ドビァホールの底面の残渣物６の完全除去と絶縁樹脂層
３の表面の粗さがデスミヤ処理と同様な粗さ２μｍを得
ることができ、後工程の銅メッキも良好な密着性を得る
ことができた。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、絶縁層上にブラインドホールが形成されたプリ
ント基板の前記ブラインドホール内のクリーニングと絶
縁層表面の粗面化をレーザの照射によって同時に行うよ
うにしたため、環境に良好でビルドアップ基板を安価に
得ることができる。
よれば、絶縁層上にブラインドホールが形成されたプリ
ント基板の前記ブラインドホール内のクリーニングと絶
縁層表面の粗面化をレーザの照射によって同時に行うよ
うにしたため、環境に良好でビルドアップ基板を安価に
得ることができる。
【図１】従来のビルトアップ基板の製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係るビルトアップ基板の製造方法に使
用される加工装置の斜視図である。
用される加工装置の斜視図である。
１ ガラスエポキシ基板
２ 第１の金属配線層
３ 絶縁樹脂層
４ 銅メッキ層
５ 第２の金属配線層
６ 残渣物
１１ ＫｒＦレーザ発振器
１２ シリンドリカルレンズ
１３ マスク
１４ ミラー
１５ 投影レンズ
１６ 集光されたラインビーム
１７ プリント配線板
１８ 移動テーブル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｂ
3/38 3/38 Ａ
// Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42
Ｆターム(参考） 4E068 AF01 DA11
5E343 AA02 AA15 AA17 BB24 DD33
EE32 GG11
5E346 AA12 AA43 CC04 CC09 CC32
DD23 DD32 EE33 FF01 FF03
FF07 FF13 GG15 GG17 GG22
GG27 HH32
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁層上にブラインドホールが形成され
たプリント基板の前記ブラインドホール内のクリーニン
グと絶縁層表面の粗面化をレーザの照射によって同時に
行うことを特徴とするビルドアップ基板の製造方法。 - 【請求項２】 レーザを照射して行われる加工がエキシ
マーレーザによって行われることを特徴とする請求項１
記載のビルドアップ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213527A JP2003031953A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | ビルドアップ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213527A JP2003031953A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | ビルドアップ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031953A true JP2003031953A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19048488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001213527A Withdrawn JP2003031953A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | ビルドアップ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031953A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008003372A1 (de) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg | Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen zwei- oder dreidimensionalen Schaltungsträgern |
| JP2014099619A (ja) * | 2006-10-19 | 2014-05-29 | Quantam Global Technologies Llc | 基板処理構成部品からの残留物の除去 |
| WO2020003421A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工システム、及びレーザ加工方法 |
| JP2021049560A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 株式会社オーク製作所 | アブレーション加工用の加工装置および加工方法 |
-
2001
- 2001-07-13 JP JP2001213527A patent/JP2003031953A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014099619A (ja) * | 2006-10-19 | 2014-05-29 | Quantam Global Technologies Llc | 基板処理構成部品からの残留物の除去 |
| DE102008003372A1 (de) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg | Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen zwei- oder dreidimensionalen Schaltungsträgern |
| DE102008003372B4 (de) * | 2008-01-08 | 2012-10-25 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg | Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen zwei- oder dreidimensionalen Schaltungsträgers |
| WO2020003421A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工システム、及びレーザ加工方法 |
| CN112088067A (zh) * | 2018-06-27 | 2020-12-15 | 极光先进雷射株式会社 | 激光加工装置、激光加工系统和激光加工方法 |
| JPWO2020003421A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2021-07-08 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工システム、及びレーザ加工方法 |
| JP7114708B2 (ja) | 2018-06-27 | 2022-08-08 | ギガフォトン株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工システム、及びレーザ加工方法 |
| US11826852B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-28 | Gigaphoton Inc. | Laser processing apparatus, laser processing system, and laser processing method |
| JP2021049560A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 株式会社オーク製作所 | アブレーション加工用の加工装置および加工方法 |
| JP7393087B2 (ja) | 2019-09-26 | 2023-12-06 | 株式会社オーク製作所 | アブレーション加工用の加工装置および加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060201 |
|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081007 |