JP2002324963A - プリント配線板の非貫通孔加工方法 - Google Patents

プリント配線板の非貫通孔加工方法

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 素材銅箔を予め薄層化する工程を追加するこ
となく、微細で、且つ信頼性の高い非貫通孔を安定して
加工できるプリント配線板の非貫通孔加工方法の提供。 【解決手段】 銅箔4表面を粗化した後、炭酸ガスレー
ザ7を照射することによって非貫通孔9を形成するに際
し、1ショット目のレーザ照射をプラズマが発生する条
件で行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板の
非貫通孔加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、プリント配線板は小型・高密度化
が益々要求され、従来各層間での電気的接続手段として
利用されていた外層導体間を貫通して設けられる貫通め
っきスルーホールに代わって、上下方向に隣接する層間
の配線回路同士を接続させるブラインドバイアホール
が、上記小型・高密度化の観点から一般的に利用される
に至っている。
【0003】ブラインドバイアホールを形成するための
非貫通孔加工方法としては、配線回路が形成された導体
層上に、感光性の層間樹脂絶縁層を積層し、露光・現像
を行うことによって、フォトビアホールを得る方法、あ
るいは層間樹脂絶縁層上に導体箔を積層し、ブラインド
バイアホール形成予定部の導体箔をエッチングによって
除去した後、前記エッチングされた導体箔をマスクとし
て、露出した層間樹脂絶縁層をレーザにて除去する、コ
ンフォーマルビアを得る方法などがある。しかし、両工
法とも露光・現像の精度がそのまま孔径に依存するた
め、微細孔加工が難しく、前記した小型・高密度化の要
求に対応しきれなくなってきている。
【0004】そこで、最近ではこれら要求に応えるべ
く、導体箔上に直接レーザを照射することによって、プ
リント配線板に微細な非貫通孔を穿設する方法が採用さ
れ始めている。このような非貫通孔加工方法として、特
開2000−49464号公報などに開示されている例
がある。図3はその例を示したものであるが、まず図3
(a)のように、底部ランド2が形成された内層導体層
上に層間樹脂絶縁層3を介して銅箔4を積層したビルド
アップ基板5に、金属粉を含んだ有機物の塗膜あるいは
シート状の孔明け補助材料13を配置したものを用意す
る。次いで、図3(b)に示したように、非貫通孔9の
穿設予定部に位置する孔明け補助材料13上から炭酸ガ
スレーザ7を照射し、前記炭酸ガスレーザ7の吸収率を
上げることによって、非貫通孔9を穿設するというもの
である。
【0005】しかし、この方法では前記した孔明け補助
材料13の膜厚均一性に問題があり、孔径や孔形状にバ
ラツキが発生するとともに、前記した孔明け補助材料1
3を使用するため、その形成及び図3(c)のような剥
離作業が追加され、孔明け加工に余分な時間及びコスト
を要するという不具合があった。
【0006】この解決策として、特開2000−153
384号公報に開示された例が挙げられる。図4はその
例を示したものであるが、まず図4(a)に示したよう
に、前記図3(a)の例と同様のビルドアップ基板5を
用意する。次いで図4(b)に示したように、銅箔4を
薄層化した後、図4(c)のように前記薄層化された銅
箔4表面を粗化処理して凹凸6を形成する。次いで図4
(d)に示したように、非貫通孔9の穿設予定部に位置
する銅箔4上に炭酸ガスレーザ7を照射し、前記凹凸6
部でレーザ光を複数回反射させ、前記銅箔4にレーザエ
ネルギーを蓄積することによって当該銅箔4を除去し、
次いでレーザエネルギーを底部ランド2に達した際に反
射するように調整したレーザ7を照射し、外層の銅箔4
下の層間樹脂絶縁層3を除去することによって非貫通孔
9を穿設するというものである。
【0007】しかしこの工法では以下のような不具合が
あった。即ち、銅箔4に孔を明けるレーザ加工条件とし
て、レーザエネルギー密度を48j/cm2とし、パルス
幅を12μsで1ショットする、というように発明の実
施の形態に記載されているのであるが、この場合、同じ
く発明の実施の形態に記載されているように、通常使用
されている12μm及び18μm等の銅箔4を、エッチン
グによって8μm以下まで薄くしなければ、安定して貫
通させることができない。例えば、絶縁基材3aの両面
に、厚さ12μmの銅箔4、4aを備えた両面銅張り積
層板5aの前記銅箔4に、前記した条件でレーザ照射を
行うと、図5(a)のように銅箔4が未貫通14となる
か、又は図5(b)のように銅箔4に孔が明いた場合に
は、非貫通孔9に内壁荒れ9aや下層銅箔4aに貫通1
5等が発生したり、また、絶縁基材3aが繊維基材3b
を有している場合には、非貫通孔9に繊維基材3bの突
出繊維3cが発生してしまうというものであった。
【0008】これは、1ショット目の炭酸ガスレーザ7
の照射時間が長いために、レーザエネルギーが銅箔4を
伝って逃げてしまい、前記銅箔4を昇華させる温度まで
上がらない結果、未貫通14が発生し、また、この条件
で銅箔4が貫通した場合には、長時間レーザを照射して
いるため、絶縁基材3aが過剰なレーザエネルギーで加
工される結果、非貫通孔9に内壁荒れ9aや突出繊維3
c等が発生し、更に、下層銅箔4aまで前記レーザエネ
ルギーが到達することによって、貫通15等のダメージ
が発生するものと考えられる。
【0009】従って、12μm等の通常使用される銅箔
4を良好に貫通するには、前記銅箔4表面の凹凸6の形
成前に、前記銅箔4の薄層化のためのエッチング工程が
必須条件となるため、前記した孔明け補助材料13を用
いた工法と同様、加工工程が長くなるとともにコストが
高くなるというものであった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、表面
に凹凸が形成された銅箔上に直接炭酸ガスレーザを照射
することによって、プリント配線板に小径の非貫通孔を
形成する場合に、12μm及び18μm等の素材銅箔を予
め薄層化するといった工程を追加することなく、微細
で、且つ信頼性の高い非貫通孔を安定して加工できるプ
リント配線板の非貫通孔加工方法を提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
請求項1にかかる本発明プリント配線板の非貫通孔加工
方法は、少なくとも表裏に銅箔を備えた絶縁基板の当該
銅箔表面を粗化した後、当該粗化された銅箔に直接炭酸
ガスレーザを照射することによって非貫通孔を形成する
プリント配線板の非貫通孔加工方法において、1ショッ
ト目のレーザ照射として、プラズマが発生する条件にて
照射することを特徴とする。
【0012】これにより、銅箔を8μm以下に薄層化す
ることなく、精度の高い非貫通孔の加工が可能となる。
【0013】また、請求項2にかかる本発明プリント配
線板の非貫通孔加工方法は、前記プラズマが発生する条
件として、エネルギー密度が10乃至380j/cm2
炭酸ガスレーザを、6乃至10μsのパルス幅で照射す
ることを特徴とする。
【0014】これにより、プラズマを有効に発生させる
ことができ、且つ、8乃至18μmの銅箔を備えたプリ
ント配線板に対して、精度の高い非貫通孔の加工が可能
となる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図1
を用いて説明する。図1は本発明の非貫通孔加工方法を
説明するための断面工程図で、まず図1(a)に示した
ように、底部ランド2が形成されたコア材1上に層間樹
脂絶縁層3を介して8乃至18μmの銅箔4を積層した
ビルドアップ基板5を用意する。次いで銅箔4表面に、
エッチング等の粗化処理を行うことによって、図1
(b)に示したように凹凸6を形成する。次いで非貫通
孔9の加工予定部に位置する銅箔4に炭酸ガスレーザ7
を照射して、非貫通孔9を穿設するのであるが、この
際、1ショット目のレーザ照射として、プラズマが発生
する条件、即ち短時間で高エネルギーのレーザを照射す
ることによって、図1(c)のように銅箔4と層間樹脂
絶縁層3の一部を除去する。次いで図1(d)に示した
ように、底部ランド2上の残留樹脂8を、前記底部ラン
ド2がダメージを受けないエネルギーに調整された炭酸
ガスレーザ7にて除去し、次いで非貫通孔9内をデスミ
ア処理した後、ビルドアップ基板5全体にハーフエッチ
ング処理を行い、レーザ加工によってできた銅箔傘部1
0、及び銅箔4表面の凹凸6とを除去するとともに、露
出している底部ランド2表面を表面処理することによっ
て、図1(e)に示した非貫通孔9を有するプリント配
線板11を得る。
【0016】本発明の実施の形態における最も注目すべ
き点は、銅箔4を除去するための1ショット目のレーザ
照射として、プラズマが発生する条件でレーザ照射を行
う点にある。具体的な照射条件として、エネルギー密度
が10乃至380j/cm2の炭酸ガスレーザを、6乃至
10μsのパルス幅で照射するのが好ましい。プラズマ
状態での加工が有利な理由として、前記した従来技術の
加工条件では、銅箔4や絶縁基材3a(図5(b)参
照)の樹脂がプラズマ状態にならないため、つまり、状
態変化でいうと、銅(固体)→液体→気体までしか変化
しないため、過剰なエネルギーが前記樹脂に伝わり、図
5(b)に示した非貫通孔9の内壁荒れ9aが生じた
り、更には下層銅箔4aに貫通15等のダメージを与え
たりするものであったのに対し、前記過剰なエネルギー
が、銅箔4や樹脂をプラズマにするために使われるた
め、つまり、状態変化でいうと、銅(固体)→液体→気
体→原子→プラズマまでの変化のうち、前記過剰なエネ
ルギーを気体からプラズマまでの変化に当てているた
め、レーザエネルギーが層間樹脂絶縁層3の樹脂や底部
ランド2まで効率良く伝わることがない。従って、図1
(c)に示したように、非貫通孔9に内壁荒れ9aや底
部ランド2に貫通15が発生する等の不具合がなく、ま
た、層間樹脂絶縁層3がガラス繊維等の繊維基材3bを
有している場合においても、非貫通孔9内への前記繊維
基材3bの張り出しも抑制できるため、精度の高い孔明
け加工が可能となるからである。
【0017】ここで、パルス幅を6乃至10μsとした
理由は、パルス幅が6μsより短いと発振器の出力が安
定しにくく、また、10μsより長いとプラズマが発生
し難く、精度の高い非貫通孔の加工がしにくくなるから
である。また、エネルギー密度を10乃至380j/cm
2とした理由は、該密度が10j/cm2未満の場合には、
エネルギーが不足し、8乃至18μmの銅箔4が未貫通
となり易く、他方、380j/cm2を越える場合には、
エネルギーが過剰となり、銅箔4が層間樹脂絶縁層3か
ら剥離し易くなるからである。また、前記加工条件にお
ける有効銅箔厚を8乃至18μmとした理由は、8μmよ
りも薄い場合には、プラズマ状態にせずに、前記した従
来のレーザ条件で加工すればよく(プラズマ状態にする
には、従来の加工条件よりも熱エネルギーが必要であ
り、8μmよりも薄い銅箔に対してプラズマ状態で加工
するのは却って非効率的となるため)、また、18μm
よりも厚い銅箔に関しては、近年の小型・高密度化の観
点から、あまり重要ではないためである。
【0018】次に本発明の第2の実施の形態を図2を用
いて説明する。まず、繊維基材3bに樹脂を含浸した絶
縁基材3aの両面に銅箔4及び下層銅箔4aをそれぞれ
積層した図2(a)の両面銅張り積層板5aを用意す
る。次に第1の実施の形態と同様に、8乃至18μmの
銅箔4表面にエッチング等の粗化処理(この時両面とも
処理して構わない)を行うことによって、図2(b)の
ように凹凸6を形成し、次いで非貫通孔9の加工予定部
に位置する銅箔4に、本発明のレーザ加工条件、即ち1
ショット目の炭酸ガスレーザ7をプラズマが発生する条
件にて照射して、図2(c)のように銅箔4と絶縁基材
3aの一部を除去する。次いで図2(d)に示したよう
に、下層銅箔4a上の残留樹脂8等を、前記下層銅箔4
aがダメージを受けないエネルギーに調整された炭酸ガ
スレーザ7にて除去し、次いで非貫通孔9内をデスミア
処理した後、両面銅張り積層板5a全体にハーフエッチ
ング処理を行い、レーザ加工によってできた銅箔傘部1
0、及び銅箔4表面の凹凸6とを除去するとともに、非
貫通孔9から露出している下層銅箔4a表面を表面処理
することによって、図2(e)に示した非貫通孔9を有
するプリント配線板11を得る。
【0019】このように、絶縁基材3aが繊維基材3b
を有する両面銅箔張り積層板5aにおいても、前記第1
の実施の形態と同様のレーザ加工を施すことによって、
精度の高い非貫通孔9が得られる。
【0020】また、両面銅張り積層板5aに対して非貫
通孔9を加工する場合、図2(f)に示したように、下
層銅箔4aとレーザ加工機のテーブルとの間に、放熱手
段12を介在させて加工するのが好ましい。この理由
は、本発明のレーザ加工方法を採用することによって、
下層銅箔4aへのダメージ、あるいは貫通といった不具
合は十分防止できるものであるが、このように放熱手段
12を下層銅箔4aの直下に配置することによって、2
ショット目以降のレーザ照射による熱を効率よく放熱で
きるため、非貫通孔加工をより信頼性の高いものとする
ことができるからである。
【0021】前記第1、第2の発明の実施の形態におけ
る、層間樹脂絶縁層3及び絶縁基材3aは、ガラス繊維
等の繊維基材にエポキシ樹脂、BT樹脂、アラミド樹
脂、ポリイミド樹脂等が含浸されたもの、又は前記繊維
基材の無い樹脂、あるいは無機物のフィラーが含有され
た樹脂等、何れの場合においても良好に非貫通孔が加工
できる。また、前記放熱手段12としては、強制水冷冷
却板、あるいは簡単な手段として放熱性に優れる金属
板、例えばアルミニウム、銅、ステンレス等を配置する
等が挙げられる。
【0022】
【実施例】以下本発明の実施例を挙げて更に説明する。
【0023】実施例1 ガラスクロスにBT樹脂を含浸した厚さ0.1mmのガス
ラBT樹脂の両面に厚さ12μmの銅箔を積層した両面
銅張り積層板を用意する。次に前記銅箔表面にエッチン
グ処理(メックエッチボンドCZ−8100B:メック
製)を行い、0.5μm程度の凹凸を形成する。次い
で、非貫通孔加工予定部の銅箔上に、エネルギー密度が
47.7j/cm2の炭酸ガスレーザを、8μsのパルス幅
で1ショットすることによって、前記銅箔及び前記ガラ
スBT樹脂の一部を除去し、次いで、エネルギー密度が
7.50j/cm2の炭酸ガスレーザを、8μsのパルス幅
で4ショットすることによって、残りのガラスBT樹脂
を除去し、下層側の銅箔を露出させた。次に、前記レー
ザ加工によって穿孔された非貫通孔に過マンガン酸カリ
ウム系のデスミア処理を行い、孔内壁を整面するととも
に下層銅箔上の残留樹脂を除去した後、過水硫酸系のエ
ッチング液により、前記銅箔表面に形成した凹凸及びレ
ーザ照射によって非貫通孔開口部に突出した銅箔傘部を
除去するとともに、非貫通孔底部に露出した下層銅箔の
新鮮な面を露出させることによって、図2(e)に示し
た非貫通孔を有するプリント配線板を得た。このように
して得られたプリント配線板の非貫通孔を、光学顕微鏡
により断面観察した結果、非貫通孔の内壁にはガラス繊
維の突き出し及び内壁荒れは殆ど無く、また、下層側銅
箔においてもダメージの痕跡は確認されなかった。
【0024】実施例2〜9 銅箔の厚さ及び1ショット目の炭酸ガスレーザの照射条
件を表1記載の条件に代えた以外は実施例1と同様にし
てそれぞれ非貫通孔を有するプリント配線板を得た。
尚、表1には実施例1の銅箔の厚さ及び1ショット目の
炭酸ガスレーザの照射条件を併せて記した。得られたプ
リント配線板の何れの非貫通孔にも、内壁荒れや下層側
銅箔のダメージ等は確認されなかった。
【0025】
【表1】
【0026】上記実施例から明らかなように、表面が粗
化された銅箔に直接炭酸ガスレーザを照射することによ
って非貫通孔を穿設する場合、銅箔の厚さが12μm及
び18μm等の素材銅箔であっても、銅箔を打ち抜くた
めの1ショット目のレーザ照射として、プラズマが発生
する条件にて照射すれば、前記銅箔下の樹脂及び下層側
の銅箔にダメージを与えることがない。而して、プラズ
マ状態で銅箔を打ち抜いた後は、前記下層側の銅箔にダ
メージを与えない条件のレーザで、残留樹脂あるいは残
留樹脂と繊維基材を除去するようにすればよいため、信
頼性の高い非貫通孔を容易に得ることができる。
【0027】因に、上記実施例において、ガラスBT樹
脂基板の両面に銅箔を備えた両面銅張り積層板を用い
て、非貫通孔の加工及び断面観察を行ったが、プリント
配線板の構成としてはこの限りでなく、繊維基材を有し
ない両面銅張り積層板、及び繊維基材を有する、又は有
しない層間樹脂絶縁層を介して銅箔を積層するビルドア
ップ構造のプリント配線板においても、本発明の非貫通
孔加工方法は有効に作用する。
【0028】
【発明の効果】本発明方法によれば、表面に凹凸が形成
された素材銅箔上に直接炭酸ガスレーザを照射すること
によってプリント配線板に小径の非貫通孔を形成する場
合に、予め銅箔を薄層化するといった工程を追加するこ
となく、微細、且つ信頼性の高い非貫通孔を容易に形成
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明するための概
略断面工程説明図。
【図2】本発明の第2の実施の形態を説明するための概
略断面工程説明図。
【図3】孔明け補助材料を用いた従来の非貫通孔加工方
法を説明するための概略断面工程説明図。
【図4】銅箔表面に凹凸を形成する従来の非貫通孔加工
方法を説明するための概略断面工程説明図。
【図5】図4の銅箔を薄層化せずに1ショット目のレー
ザを従来の条件で照射した場合の概略断面説明図。
【符号の説明】
1:コア材 2:底部ランド 3:層間樹脂絶縁層 3a:絶縁基材 3b:繊維基材 3c:突出繊維 4:銅箔 4a:下層銅箔 5:ビルドアップ基板 5a:両面銅張り積層板 6:凹凸 7:炭酸ガスレーザ 8:残留樹脂 9:非貫通孔 9a:内壁荒れ 10:銅箔傘部 11:プリント配線板 12:放熱手段 13:孔明け補助材料 14:未貫通 15:貫通
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B23K 101:42 B23K 101:42 Fターム(参考) 4E068 AF00 CA02 CA03 DA11 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 CC08 CC32 DD02 DD12 EE06 EE13 EE35 FF01 FF03 FF07 GG15 GG16 GG17 GG28 HH26 HH31

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも表裏に銅箔を備えた絶縁基板
    の当該銅箔表面を粗化した後、当該粗化された銅箔に直
    接炭酸ガスレーザを照射することによって非貫通孔を形
    成するプリント配線板の非貫通孔加工方法において、1
    ショット目のレーザ照射として、プラズマが発生する条
    件で照射することを特徴とするプリント配線板の非貫通
    孔加工方法。
  2. 【請求項2】 前記プラズマが発生する条件として、エ
    ネルギー密度が10乃至380j/cm2の炭酸ガスレー
    ザを、6乃至10μsのパルス幅で照射することを特徴
    とする請求項1記載のプリント配線板の非貫通孔加工方
    法。
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