JP2000091750A - スルーホールの形成方法、多層プリント配線板の製造方法、およびスルーホール形成基板、多層プリント配線板 - Google Patents
スルーホールの形成方法、多層プリント配線板の製造方法、およびスルーホール形成基板、多層プリント配線板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅張積層板を直接レーザで穿孔できる技術を
提案する。 【解決手段】 両面銅張積層板１３０Ａの両面に塗布さ
れた厚さ１２μｍの銅箔１３２を硫酸−過酸化水素水溶
液でエッチングして厚さを５μｍにする（工程
（Ｂ））。この両面銅張積層板１３０Ａに炭酸ガスレー
ザを用いて、直径１５０μｍの孔１１６を設ける（工程
（Ｃ））。該孔１１６内に無電解銅めっきを行い、めっ
きスルーホール１３６を形成する（工程（Ｄ））。
提案する。 【解決手段】 両面銅張積層板１３０Ａの両面に塗布さ
れた厚さ１２μｍの銅箔１３２を硫酸−過酸化水素水溶
液でエッチングして厚さを５μｍにする（工程
（Ｂ））。この両面銅張積層板１３０Ａに炭酸ガスレー
ザを用いて、直径１５０μｍの孔１１６を設ける（工程
（Ｃ））。該孔１１６内に無電解銅めっきを行い、めっ
きスルーホール１３６を形成する（工程（Ｄ））。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザを用いるス
ルーホールの形成方法、多層プリント配線板の製造方
法、およびスルーホール形成基板、多層プリント配線板
に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、高密度多層化の要求により、ビル
ドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多
層配線板は、コア基板上に導体回路と層間樹脂層が交互
に積層された多層配線板であり、各層の導体回路がバイ
アホールで接続されている。コア基板に設けられるスル
ーホールは、微細化が要求されており、直径１００μｍ
未満のスルーホールは、ドリルによる削孔は極めて困難
であり、銅張積層板にレーザ加工により削孔する。 【０００３】使用されるレーザ光としては、炭酸ガスレ
ーザがコストも安く、工業生産としては最適である。し
かしながら、炭酸レーザ光では、銅箔表面で反射されて
しまい、レーザ加工により直接銅張積層板に貫通孔を形
成することは不可能というのが技術的な常識であった。
このため、銅張積層板の銅箔表面を黒化処理（酸化処
理）してレーザ光を照射する技術が特開Ｓ６１−９９５
９６号として提案されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、このような技
術においては、最初に黒化処理が必要であり、工程が長
くなるという問題がある。本発明者らは鋭意研究した結
果、銅箔を薄くすることにより、表面での反射にもかか
わらず、銅箔に開口を形成できるという意外な事実を発
見した。 【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、銅張積
層板を直接レーザで穿孔できる技術とともに、このよう
な方法で得られたスルーホール形成基板および多層プリ
ント配線板を提案することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上述した課題を解決すべ
く、本発明のスルーホールの形成方法は、 （１）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その内壁を導電化してスルーホールを形成する方法
において、前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを１２μｍ
未満とすることを技術的特徴とする。 （２）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成する方
法において、前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを１〜１
０μｍとすることを技術的特徴とする。 （３）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成する方
法において、前記両面銅張積層板の銅箔の厚さをエッチ
ングにより１〜１０μｍにした後、レーザ加工を行うこ
とすることを技術的特徴とする。 【０００７】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、 （４）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その内壁を導電化してスルーホールを形成してコア
基板とし、該コア基板上に層間樹脂絶縁層および導体回
路を形成する多層配線板の製造方法において、前記両面
銅張積層板の銅箔の厚さを１２μｍ未満とすることを技
術的特徴とする。 【０００８】更に、本発明のスルーホール形成基板は、 （５）両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を
導電化してスルーホールが形成された基板において、前
記貫通孔にはテーパが形成されてなることを技術的特徴
とする。 【０００９】また、本発明の多層プリント配線板は、 （６）両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を
導電化してスルーホールが形成された基板の少なくとも
一方の面に層間樹脂絶縁層および導体回路が形成されて
なる多層プリント配線板において、前記貫通孔にはテー
パが形成されてなることを技術的特徴とする。 【００１０】本発明者らは鋭意研究した結果、炭酸ガス
レーザ光により１２μｍ以上の銅箔に穿孔できない理由
は、表面での反射ではなく、銅箔が厚くなることにより
熱伝導しやすくなり、レーザ光のエネルギーが熱となっ
て伝搬してしまうからであることを知見した。さらに、
銅箔の厚さを１２μｍ未満、望ましくは１〜１０μｍ程
度とすることにより、レーザ光のエネルギーが熱となっ
て伝搬することを抑制し、レーザ光による穿孔を実現し
た。本発明で使用される銅張積層板は、ガラス布エポキ
シ樹脂、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ガ
ラス布フッ素樹脂などのプリプレグに銅箔を貼付した銅
張積層板を使用することができる。 【００１１】銅箔の厚さは、１〜１０μｍが望ましい。
１０μｍ以下ならばレーザ光で穿孔しやすく、他方、１
μｍ未満ではふくれなどが生じ易いからである。銅箔の
厚さの調整は、エッチングにより行う。具体的には、硫
酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、塩化第二
銅、塩化第二鉄の水溶液を用いた化学エッチング、イオ
ンビームエッチングなどの物理エッチングで行う。銅張
積層板の厚さは、０．５〜１．０ｍｍが望ましい。厚す
ぎると穿孔できず、薄すぎると反りなどが発生しやすい
からである。本発明で使用される炭酸ガスレーザは、２
０〜４０mJ、１０-4〜１０-8 秒の短パルスレーザであ
ることが望ましい。ショット数は、５〜１００ショット
である。 【００１２】形成される貫通孔の直径は、５０〜１５０
μｍが望ましい。５０μｍ未満では、めっき等により壁
面を導電化できず、また１５０μｍを越えるとドリル加
工の方が有利だからである。貫通孔の直径が、１００μ
ｍを越えると貫通孔にテーパが生じる。レーザ光の入射
側に貫通孔の直径が大きくなるようなテーパが生じる。
また、レーザ光を表面および裏面から照射すると、断面
がつつみ形の貫通孔が生じる。 【００１３】この貫通孔を導電化する。導電化の方法と
しては、電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着、
導電性ペーストの充填などの方法による。導電性ペース
トを充填する場合には、貫通孔にはテーパが形成されて
いることが望ましい。ペーストを充填しやすいからであ
る。電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着などに
より、内壁面を金属化することによりスルーホールを形
成した場合にも、このスルーホールに充填材を充填する
ことができる。 【００１４】また、金属化されたスルーホール内壁は、
粗化されていてもよい。スルーホール内壁を金属化する
場合は、銅箔および金属化層（たとえば無電解めっき
層）の厚さは、１０〜３０μｍであることが望ましい。
充填材としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およ
びシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、
金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用
できる。 【００１５】このようにして形成されたスルーホール形
成基板に導体回路を設ける。導体回路はエッチング処理
により形成する。導体回路表面は、密着性改善のため粗
化処理することが望ましい。ついで絶縁樹脂からなる層
間樹脂絶縁層を設ける。 【００１６】前記絶縁樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性
樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。熱硬化
性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂等が用いられる。また熱可塑性樹脂として
は、熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレ
ンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリ
エーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用でき
る。 【００１７】本発明では、層間樹脂絶縁層は、無電解め
っき用接着剤でもよい。例えば、酸や酸化剤に難溶性の
耐熱性樹脂中に酸、酸化剤によって溶解する粒子を含ま
せておき、この粒子を酸や酸化剤で溶解することで、絶
縁樹脂層の表面を粗化することができる。かかる耐熱性
樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂（ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが
最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐
熱性樹脂粒子を用いることができる。 【００１８】また、かかる無電解めっき用接着剤には、
特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維
質フィラー等を、必要により含ませることができる。か
かる耐熱性樹脂粒子には、(1) 平均粒径が10μｍ以下の
耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹
脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒径が２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹
脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性
樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂
粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒
子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μｍ未満の耐熱性
樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉
末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐
熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の
粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑
な粗化面を形成するからである。 【００１９】このような層間樹脂絶縁層は、レーザ光や
露光、現像処理で開口を設けることができる。 【００２０】次いで、Ｐｄ触媒などの無電解めっき用の
触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイ
アホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設
ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体
に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきし
て、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回
路を形成する。 【００２１】 【実施例】以下、実施例及び比較例に基づき、本発明を
説明する。実施例１ （１）基板１３０に厚さ１２μｍの銅箔１３２が貼付さ
れた厚さ０．６ｍｍの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５
７１５）１３０Ａを用意した（図１（Ａ）参照）。 （２）この銅箔１３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッ
チングして厚さを５μｍとした（図１（Ｂ）参照）。 （３）この両面銅張積層板１３０Ａに炭酸ガスレーザ
（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、
５２×１０-6秒のパルス条件で１０ショットにて直径１
５０μｍ（上径Ｄ１：１６０μｍ 下径Ｄ２：１４０μ
ｍのテーパあり）の孔１１６を設けた（図１（Ｃ））。
このように、レーザにて５μｍの銅箔１３２を貫通して
基板１３０に孔を明けることができる。（３）以下の条
件で該孔１１６内に無電解銅めっきを行い、めっきスル
ーホール１３６を形成した（図１（Ｄ））。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件； ７０℃の液温度で３０分 【００２２】実施例２ （１）基板２３０に厚さ１２μｍ銅箔２３２が貼付され
た厚さ０．６ｍｍの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７
１５）２３０Ａを用意した（図２（Ａ））。 （２）この銅箔２３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッ
チングして厚さを９μｍとした（図２（Ｂ）。 （３）この両面銅張積層板２３０Ａに炭酸ガスレーザ
（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、
５２×１０-6秒のパルス条件で１５ショットにて直径１
５０μｍ（上径Ｄ１：１６０μｍ 下径Ｄ２：１４０μ
ｍのテーパあり）の孔２１６を設けた（図２（Ｃ））。
このように、レーザにて９μｍの銅箔１３２を貫通して
基板１３０に孔を明けることができる。 （４）実施例１と同様にして無電解銅めっきを施してめ
っきスルーホール２３６を形成した（図２（Ｃ）。 【００２３】実施例３ （１）基板３３０に厚さ１２μｍ銅箔３３２が貼付され
た厚さ０．６ｍｍの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７
１５）３３０Ａを用意した（図３（Ａ））。 （２）この銅箔３３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッ
チングして厚さを５μｍとした（図３（Ｂ））。 （３）この両面銅張積層板３３０Ａに炭酸ガスレーザ
（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、
５２×１０-6秒のパルス条件で１５ショットにて表面お
よび裏面から照射して直径１５０μｍ（最大径Ｄ３：１
６０μｍ 最小径Ｄ４：１４０μｍのテーパあり）の孔
３１６を設けた。孔３１６の断面はつつみ形状である
（図３（Ｃ））。 （４）実施例１と同様にして無電解銅めっきを施してめ
っきスルーホール３３６を形成した（図３（Ｄ））。こ
の実施例４では、表及び裏面からレーザを照射するた
め、基板の厚さが厚くともスルーホールを形成できる。 【００２４】比較例１ （１）厚さ１２μｍ銅箔が貼付された厚さ０．６ｍｍの
両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７１５）を用意した。 （２）この両面銅張積層板に炭酸ガスレーザ（三菱電機
ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０
-6秒のパルス条件で１５ショットの条件でレーザを照射
したが、穿孔できなかった。この例から、銅箔の厚みが
１２μｍを越えるとスルーホールが形成できないことが
分かった。 【００２５】実施例４ 引き続き、レーザによりスルーホールを形成して多層プ
リント配線板を製造する第４実施例について、図４〜図
１０を参照して説明する。先ず、本発明の実施例４に係
る多層プリント配線板１０の構成について、図９を参照
して説明する。多層プリント配線板１０では、コア基板
３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０
Ｂが形成されている。該ビルトアップ層８０Ａは、バイ
アホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶
縁層５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の
形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。また、ビ
ルドアップ配線層８０Ｂは、バイアホール６０及び導体
回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホ
ール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶
縁層１５０とからなる。 【００２６】多層プリント配線板１０の上面側には、Ｉ
Ｃチップのランド（図示せず）へ接続するための半田バ
ンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイ
アホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホ
ール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドータ
ーボードのランド（図示せず）に接続するための半田バ
ンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、
バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスル
ーホール３６へ接続されている。 【００２７】引き続き、多層プリント配線板１０の製造
方法について説明する。ここでは、先ず、実施例４の多
層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき
用接着剤、Ｂ．樹脂充填剤、Ｃ．ソルダーレジスト組成
物の調整について説明する。 【００２８】Ａ．無電解めっき用接着剤（上層用接着
剤）の調製 (1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製：分子量2500）の25重量％アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスM31
5）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製S-65）0.5 重量
部、N-メチルピロリドン（NMP ）3.6 重量部を攪拌混合
した。 【００２９】(2) ポリエーテルスルフォン（PES ）12重
量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製：商品名ポリマー
ポール）の平均粒径1.0 μｍのものを7.2 重量部、平均
粒径0.5 μｍのものを3.09重量部を混合した後、更にNM
P 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。 【００３０】(3) イミダゾール硬化剤（四国化成製：商
品名2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製：
イルガキュア I-907）２重量部、光増感剤（日本化薬
製：DETX-S）0.2 重量部、NMP 1.5 重量部を攪拌混合し
た。 (4) 混合物(1) 〜(3) を混合して、無電解めっき用接着
剤組成物を得た。 【００３１】Ｂ．樹脂充填剤の調整 (1) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製：分子量310 、商品名YL983U ） 100重量部と平均粒
径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたＳｉＯ2 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101
−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パタ
ーンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重
量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整した。 【００３２】(2) イミダゾール硬化剤（四国化成製、商
品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。 【００３３】Ｃ．ソルダーレジストの調整 ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。 【００３４】プリント配線板の製造 (1) 厚さ０．６mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板３
０の両面に１２μｍの銅箔３２がラミネートされている
銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図４（Ａ））。こ
れをエッチングして厚さを５μｍに調整した（図４
（Ｂ））。 【００３５】(2) この銅張積層板３０Ａに、炭酸ガスレ
ーザ（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍ
Ｊ、５２×１０-6秒のパルス条件で１５ショットの条件
でレーザを照射して、直径１００μｍ（上径Ｄ１：１１
０μｍ 下径Ｄ２：９０μｍのテーパあり）の貫通孔１
６を設けた（図４（Ｃ））。次に無電解めっき、電解め
っきを施し（図４（Ｄ））、更に銅箔を常法に従いパタ
ーン状にエッチングすることにより、基板の両面に厚さ
１５μｍの内層銅パターン（下層導体回路）３４及びス
ルーホール３６を形成した（図４（Ｅ））。 【００３６】次に、内層銅パターン３４の表面と、スル
ーホール３６のランド３６Ａ表面と内壁とに、それぞ
れ、粗化面３８を設けて、配線基板を製造した（図４
（Ｆ））。粗化面３８は、前述の基板３０を水洗し、乾
燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き
つけて、内層銅パターン３４の表面とスルーホール３６
のランド３６ａ表面と内壁とをエッチングすることによ
って形成した。エッチング液には、イミダゾール銅（I
I）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリ
ウム５重量部、イオン交換水７８重量部を混合したもの
を用いた。 【００３７】(3) 次いで、樹脂層４０を配線基板の内層
銅パターン３４間とスルーホール３６内とに設けた（図
５（Ｇ））。樹脂層４０は、予め調製した上記Ｂの樹脂
充填剤を、ロールコータにより配線基板の両面に塗布
し、内層銅パターンの間とスルーホール内に充填し、 1
00℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180
℃で７時間、それぞれ加熱処理することにより硬化させ
て形成した。 【００３８】(4) (3) の処理で得た基板３０の片面を、
ベルトサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベルト
研磨紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン３４の
粗化面３８やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹
脂充填剤４０が残らないようにした（図５（Ｈ））。次
に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くため
に、バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の
他方の面についても同様に行った。 【００３９】得られた配線基板３０は、内層銅パターン
３４間に樹脂層４０が設けられ、スルーホール３６内に
樹脂層４０が設けられている。内層銅パターン３４の粗
化面３８とスルーホール３６のランド３６ａ表面の粗化
面が除去されており、基板両面が樹脂充填剤により平滑
化されている。樹脂層４０は内層銅パターン３４の側面
の粗化面３８７又はスルーホール３６のランド部３６ａ
側面の粗化面３８と密着し、また、樹脂層はスルーホー
ルの内壁の粗化面と密着している。 【００４０】(5) 更に、露出した内層銅パターン３４と
スルーホール３６のランド３６ａ上面を(2) のエッチン
グ処理で粗化して、深さ３μｍの粗化面４２を形成した
（図５（Ｉ））。 【００４１】この粗化面４２をスズ置換めっきして、0.
3 μｍの厚さのＳｎ層（図示せず）を設けた。置換めっ
きは、ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル
／Ｌ、温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面をＣｕ−Ｓ
ｎ置換反応させた。 【００４２】(6) 得られた配線基板３０の両面に、上記
Ａの無電解めっき用接着剤をロールコータを用いて塗布
した。この接着剤は、基板を水平状態で20分間放置して
から、60℃で30分乾燥し、厚さ35μｍの接着剤層５０を
形成した（図５（Ｊ））。 【００４３】(7) 得られた配線基板３０の両面を超高圧
水銀灯により 500mJ／cm2 で露光し、１５０℃で５時間
加熱した。 【００４４】(8) 得られた基板３０をクロム酸に１分間
浸漬し、接着剤層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒
子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、接着
剤層５０の表面に形成した。その後、得られた基板３０
を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した
（図５（Ｋ））。 【００４５】(9) ついで、基板３０の全面に厚さ０．６
μｍの無電解銅めっき４４を施した（図６（Ｌ））。 【００４６】（10) エッチングレジスト（図示せず）を
設けて、硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングシて、無
電解銅めっき４４のバイアホール形成部分にφ５０μｍ
の開口４４ａを設けた（図６（Ｍ））。 【００４７】(11)上記無電解銅めっき４４をコンフォー
マルマスクとして用い、短パルス（１０-4秒）のレーザ
光（三菱電機 ML６０５GTL ）により、開口４４ａ下の
接着剤層５０を除去してバイアホール用開口４８を設け
た（図６（Ｎ））。 【００４８】更に、配線基板３０の表面に、パラジウム
触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解め
っき膜４４表面およびバイアホール用開口４８の粗化面
に触媒核を付けた。 【００４９】(12)得られた基板３０を以下の条件の無電
解銅めっき浴中に浸漬し、厚さ1.6 μｍの無電解銅めっ
き膜５２を基板３０の全体に形成した（図６（Ｏ））。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件； ７０℃の液温度で３０分 【００５０】(13)次に、市販の感光性ドライフィルム
（図示せず）を無電解銅めっき膜５２に張り付け、パタ
ーンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置し
た。この基板３０を、100mJ/cm2 で露光し、その後０．
８％炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ15μｍのめっ
きレジスト５４を設けた（図６（Ｐ））。 【００５１】（14) 次いで、得られた基板に以下の条件
で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５
６を形成した（図６（Ｑ））。 電解めっき液； 硫酸 ： １８０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ８０ ｇ／Ｌ 添加剤 ： １ｍＬ／Ｌ（添加剤はアトテ
ックジャパン製：商品名カパラシドＧＬ） 電解めっき条件； 電流密度 ： １Ａ／ｄｍ2 時間 ： ３０分 温度 ： 室温 【００５２】(15)めっきレジスト５４を５％KOH で剥離
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去し、
銅箔３２、無電解めっき４４、無電解銅めっき膜５２と
電解銅めっき膜５６とからなる厚さ１８μｍ（１０μｍ
〜３０μｍ）の導体回路５８及びバイアホールを６０を
得た（図６（Ｒ））。ここで、厚みを１０μｍ〜３０μ
ｍにすることで、ファインピッチと接続信頼性とを両立
させる。 【００５３】更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間
浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５
０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去した。 【００５４】(16)(5) と同様の処理を行い、導体回路５
８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図
７（Ｓ）参照）。 【００５５】(17)(6) 〜(16)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０とバイアホール
１６０及び導体回路１５８を形成する。さらに、バイア
ホール１６０及び該導体回路１５８の表面に粗化層１６
２を形成し、多層プリント配線板を完成する（図６
（Ｔ））。なお、この上層の導体回路を形成する工程に
おいては、Ｓｎ置換は行わなかった。 【００５６】(18)そして、上述した多層プリント配線板
にはんだバンプを形成する。前記(17)で得られた基板３
０両面に、上記Ｃ．にて説明したソルダーレジスト組成
物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分
間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン
（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマス
クフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／
cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさら
に、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、
150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分
（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口
径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20
μｍ）７０を形成する（図８（Ｕ））。 【００５７】(19)次に、塩化ニッケル2.31×10-1ｍｏｌ
／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10-1ｍｏｌ／ｌ、ク
エン酸ナトリウム1.85×10-1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ
＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０
分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっ
き層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金
カリウム4.1 ×10-2ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87
×10-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10-1ｍｏ
ｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1ｍｏｌ／ｌか
らなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸
漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき
層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体
回路１５８に半田パッド７５を形成する（図８
（Ｖ））。 【００５８】(22)そして、ソルダーレジスト層７０の開
口部７１に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、多層プリント配線板１０を形成した（図８
（Ｗ）参照）。 【００５９】（実施例５）実施例４と同様であるが、実
施例３で得られたつつみ型スルーホール３３６を有する
スルーホール形成基板３３０をコア基板として使用し
た。 【００６０】（実施例６）図１０は、実施例６に係る多
層プリント配線板の構成を示している。このプリント配
線板においては、スルーホル３６の通孔１６の直径Ｄ
は、レーザにより１００〜２００μｍに形成されてい
る。この例では、通孔１６にはテーパが設けられていな
い。そして、多層プリント配線板１０では、コア基板３
０に形成されたスルーホール３６の通孔１６を塞ぐよう
にバイアホール６０が形成することで、スルーホール３
６の直上にバイアホール６０を配置している。このた
め、多層プリント配線板内の配線長が最短になり、ＩＣ
チップの高速化に対応することができる。 【００６１】また、スルーホール３６直上の領域を内層
パッドとして機能せしめることでデッドスペースが無く
なる。しかも、スルーホール３６からバイアホール６０
に接続するための内層パッドを配線する必要もないの
で、スルーホール３６のランド３６ａの形状を真円とす
ることができる。その結果、多層コア基板３０中に設け
られるスルーホール３６の配置密度が向上しする。な
お、本実施例では、バイアホール６０の底面の内の２０
％〜５０％が、スルーホール３６のランド３６ａと接触
しておれば、十分な電気的接続を達成できる。 【００６２】 【発明の効果】以上説明のように、本発明では、直接銅
張積層板を炭酸ガスレーザで穿孔できるため、低コスト
で微細なスルーホールを形成できる。
ルーホールの形成方法、多層プリント配線板の製造方
法、およびスルーホール形成基板、多層プリント配線板
に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、高密度多層化の要求により、ビル
ドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多
層配線板は、コア基板上に導体回路と層間樹脂層が交互
に積層された多層配線板であり、各層の導体回路がバイ
アホールで接続されている。コア基板に設けられるスル
ーホールは、微細化が要求されており、直径１００μｍ
未満のスルーホールは、ドリルによる削孔は極めて困難
であり、銅張積層板にレーザ加工により削孔する。 【０００３】使用されるレーザ光としては、炭酸ガスレ
ーザがコストも安く、工業生産としては最適である。し
かしながら、炭酸レーザ光では、銅箔表面で反射されて
しまい、レーザ加工により直接銅張積層板に貫通孔を形
成することは不可能というのが技術的な常識であった。
このため、銅張積層板の銅箔表面を黒化処理（酸化処
理）してレーザ光を照射する技術が特開Ｓ６１−９９５
９６号として提案されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、このような技
術においては、最初に黒化処理が必要であり、工程が長
くなるという問題がある。本発明者らは鋭意研究した結
果、銅箔を薄くすることにより、表面での反射にもかか
わらず、銅箔に開口を形成できるという意外な事実を発
見した。 【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、銅張積
層板を直接レーザで穿孔できる技術とともに、このよう
な方法で得られたスルーホール形成基板および多層プリ
ント配線板を提案することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上述した課題を解決すべ
く、本発明のスルーホールの形成方法は、 （１）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その内壁を導電化してスルーホールを形成する方法
において、前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを１２μｍ
未満とすることを技術的特徴とする。 （２）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成する方
法において、前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを１〜１
０μｍとすることを技術的特徴とする。 （３）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成する方
法において、前記両面銅張積層板の銅箔の厚さをエッチ
ングにより１〜１０μｍにした後、レーザ加工を行うこ
とすることを技術的特徴とする。 【０００７】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、 （４）両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設
け、その内壁を導電化してスルーホールを形成してコア
基板とし、該コア基板上に層間樹脂絶縁層および導体回
路を形成する多層配線板の製造方法において、前記両面
銅張積層板の銅箔の厚さを１２μｍ未満とすることを技
術的特徴とする。 【０００８】更に、本発明のスルーホール形成基板は、 （５）両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を
導電化してスルーホールが形成された基板において、前
記貫通孔にはテーパが形成されてなることを技術的特徴
とする。 【０００９】また、本発明の多層プリント配線板は、 （６）両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を
導電化してスルーホールが形成された基板の少なくとも
一方の面に層間樹脂絶縁層および導体回路が形成されて
なる多層プリント配線板において、前記貫通孔にはテー
パが形成されてなることを技術的特徴とする。 【００１０】本発明者らは鋭意研究した結果、炭酸ガス
レーザ光により１２μｍ以上の銅箔に穿孔できない理由
は、表面での反射ではなく、銅箔が厚くなることにより
熱伝導しやすくなり、レーザ光のエネルギーが熱となっ
て伝搬してしまうからであることを知見した。さらに、
銅箔の厚さを１２μｍ未満、望ましくは１〜１０μｍ程
度とすることにより、レーザ光のエネルギーが熱となっ
て伝搬することを抑制し、レーザ光による穿孔を実現し
た。本発明で使用される銅張積層板は、ガラス布エポキ
シ樹脂、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ガ
ラス布フッ素樹脂などのプリプレグに銅箔を貼付した銅
張積層板を使用することができる。 【００１１】銅箔の厚さは、１〜１０μｍが望ましい。
１０μｍ以下ならばレーザ光で穿孔しやすく、他方、１
μｍ未満ではふくれなどが生じ易いからである。銅箔の
厚さの調整は、エッチングにより行う。具体的には、硫
酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、塩化第二
銅、塩化第二鉄の水溶液を用いた化学エッチング、イオ
ンビームエッチングなどの物理エッチングで行う。銅張
積層板の厚さは、０．５〜１．０ｍｍが望ましい。厚す
ぎると穿孔できず、薄すぎると反りなどが発生しやすい
からである。本発明で使用される炭酸ガスレーザは、２
０〜４０mJ、１０-4〜１０-8 秒の短パルスレーザであ
ることが望ましい。ショット数は、５〜１００ショット
である。 【００１２】形成される貫通孔の直径は、５０〜１５０
μｍが望ましい。５０μｍ未満では、めっき等により壁
面を導電化できず、また１５０μｍを越えるとドリル加
工の方が有利だからである。貫通孔の直径が、１００μ
ｍを越えると貫通孔にテーパが生じる。レーザ光の入射
側に貫通孔の直径が大きくなるようなテーパが生じる。
また、レーザ光を表面および裏面から照射すると、断面
がつつみ形の貫通孔が生じる。 【００１３】この貫通孔を導電化する。導電化の方法と
しては、電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着、
導電性ペーストの充填などの方法による。導電性ペース
トを充填する場合には、貫通孔にはテーパが形成されて
いることが望ましい。ペーストを充填しやすいからであ
る。電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着などに
より、内壁面を金属化することによりスルーホールを形
成した場合にも、このスルーホールに充填材を充填する
ことができる。 【００１４】また、金属化されたスルーホール内壁は、
粗化されていてもよい。スルーホール内壁を金属化する
場合は、銅箔および金属化層（たとえば無電解めっき
層）の厚さは、１０〜３０μｍであることが望ましい。
充填材としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およ
びシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、
金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用
できる。 【００１５】このようにして形成されたスルーホール形
成基板に導体回路を設ける。導体回路はエッチング処理
により形成する。導体回路表面は、密着性改善のため粗
化処理することが望ましい。ついで絶縁樹脂からなる層
間樹脂絶縁層を設ける。 【００１６】前記絶縁樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性
樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。熱硬化
性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂等が用いられる。また熱可塑性樹脂として
は、熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレ
ンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリ
エーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用でき
る。 【００１７】本発明では、層間樹脂絶縁層は、無電解め
っき用接着剤でもよい。例えば、酸や酸化剤に難溶性の
耐熱性樹脂中に酸、酸化剤によって溶解する粒子を含ま
せておき、この粒子を酸や酸化剤で溶解することで、絶
縁樹脂層の表面を粗化することができる。かかる耐熱性
樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂（ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが
最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐
熱性樹脂粒子を用いることができる。 【００１８】また、かかる無電解めっき用接着剤には、
特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維
質フィラー等を、必要により含ませることができる。か
かる耐熱性樹脂粒子には、(1) 平均粒径が10μｍ以下の
耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹
脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒径が２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹
脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性
樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂
粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒
子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μｍ未満の耐熱性
樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉
末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐
熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の
粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑
な粗化面を形成するからである。 【００１９】このような層間樹脂絶縁層は、レーザ光や
露光、現像処理で開口を設けることができる。 【００２０】次いで、Ｐｄ触媒などの無電解めっき用の
触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイ
アホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設
ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体
に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきし
て、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回
路を形成する。 【００２１】 【実施例】以下、実施例及び比較例に基づき、本発明を
説明する。実施例１ （１）基板１３０に厚さ１２μｍの銅箔１３２が貼付さ
れた厚さ０．６ｍｍの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５
７１５）１３０Ａを用意した（図１（Ａ）参照）。 （２）この銅箔１３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッ
チングして厚さを５μｍとした（図１（Ｂ）参照）。 （３）この両面銅張積層板１３０Ａに炭酸ガスレーザ
（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、
５２×１０-6秒のパルス条件で１０ショットにて直径１
５０μｍ（上径Ｄ１：１６０μｍ 下径Ｄ２：１４０μ
ｍのテーパあり）の孔１１６を設けた（図１（Ｃ））。
このように、レーザにて５μｍの銅箔１３２を貫通して
基板１３０に孔を明けることができる。（３）以下の条
件で該孔１１６内に無電解銅めっきを行い、めっきスル
ーホール１３６を形成した（図１（Ｄ））。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件； ７０℃の液温度で３０分 【００２２】実施例２ （１）基板２３０に厚さ１２μｍ銅箔２３２が貼付され
た厚さ０．６ｍｍの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７
１５）２３０Ａを用意した（図２（Ａ））。 （２）この銅箔２３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッ
チングして厚さを９μｍとした（図２（Ｂ）。 （３）この両面銅張積層板２３０Ａに炭酸ガスレーザ
（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、
５２×１０-6秒のパルス条件で１５ショットにて直径１
５０μｍ（上径Ｄ１：１６０μｍ 下径Ｄ２：１４０μ
ｍのテーパあり）の孔２１６を設けた（図２（Ｃ））。
このように、レーザにて９μｍの銅箔１３２を貫通して
基板１３０に孔を明けることができる。 （４）実施例１と同様にして無電解銅めっきを施してめ
っきスルーホール２３６を形成した（図２（Ｃ）。 【００２３】実施例３ （１）基板３３０に厚さ１２μｍ銅箔３３２が貼付され
た厚さ０．６ｍｍの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７
１５）３３０Ａを用意した（図３（Ａ））。 （２）この銅箔３３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッ
チングして厚さを５μｍとした（図３（Ｂ））。 （３）この両面銅張積層板３３０Ａに炭酸ガスレーザ
（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、
５２×１０-6秒のパルス条件で１５ショットにて表面お
よび裏面から照射して直径１５０μｍ（最大径Ｄ３：１
６０μｍ 最小径Ｄ４：１４０μｍのテーパあり）の孔
３１６を設けた。孔３１６の断面はつつみ形状である
（図３（Ｃ））。 （４）実施例１と同様にして無電解銅めっきを施してめ
っきスルーホール３３６を形成した（図３（Ｄ））。こ
の実施例４では、表及び裏面からレーザを照射するた
め、基板の厚さが厚くともスルーホールを形成できる。 【００２４】比較例１ （１）厚さ１２μｍ銅箔が貼付された厚さ０．６ｍｍの
両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７１５）を用意した。 （２）この両面銅張積層板に炭酸ガスレーザ（三菱電機
ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０
-6秒のパルス条件で１５ショットの条件でレーザを照射
したが、穿孔できなかった。この例から、銅箔の厚みが
１２μｍを越えるとスルーホールが形成できないことが
分かった。 【００２５】実施例４ 引き続き、レーザによりスルーホールを形成して多層プ
リント配線板を製造する第４実施例について、図４〜図
１０を参照して説明する。先ず、本発明の実施例４に係
る多層プリント配線板１０の構成について、図９を参照
して説明する。多層プリント配線板１０では、コア基板
３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０
Ｂが形成されている。該ビルトアップ層８０Ａは、バイ
アホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶
縁層５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の
形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。また、ビ
ルドアップ配線層８０Ｂは、バイアホール６０及び導体
回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホ
ール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶
縁層１５０とからなる。 【００２６】多層プリント配線板１０の上面側には、Ｉ
Ｃチップのランド（図示せず）へ接続するための半田バ
ンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイ
アホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホ
ール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドータ
ーボードのランド（図示せず）に接続するための半田バ
ンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、
バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスル
ーホール３６へ接続されている。 【００２７】引き続き、多層プリント配線板１０の製造
方法について説明する。ここでは、先ず、実施例４の多
層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき
用接着剤、Ｂ．樹脂充填剤、Ｃ．ソルダーレジスト組成
物の調整について説明する。 【００２８】Ａ．無電解めっき用接着剤（上層用接着
剤）の調製 (1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製：分子量2500）の25重量％アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスM31
5）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製S-65）0.5 重量
部、N-メチルピロリドン（NMP ）3.6 重量部を攪拌混合
した。 【００２９】(2) ポリエーテルスルフォン（PES ）12重
量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製：商品名ポリマー
ポール）の平均粒径1.0 μｍのものを7.2 重量部、平均
粒径0.5 μｍのものを3.09重量部を混合した後、更にNM
P 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。 【００３０】(3) イミダゾール硬化剤（四国化成製：商
品名2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製：
イルガキュア I-907）２重量部、光増感剤（日本化薬
製：DETX-S）0.2 重量部、NMP 1.5 重量部を攪拌混合し
た。 (4) 混合物(1) 〜(3) を混合して、無電解めっき用接着
剤組成物を得た。 【００３１】Ｂ．樹脂充填剤の調整 (1) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製：分子量310 、商品名YL983U ） 100重量部と平均粒
径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたＳｉＯ2 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101
−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パタ
ーンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重
量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整した。 【００３２】(2) イミダゾール硬化剤（四国化成製、商
品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。 【００３３】Ｃ．ソルダーレジストの調整 ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。 【００３４】プリント配線板の製造 (1) 厚さ０．６mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板３
０の両面に１２μｍの銅箔３２がラミネートされている
銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図４（Ａ））。こ
れをエッチングして厚さを５μｍに調整した（図４
（Ｂ））。 【００３５】(2) この銅張積層板３０Ａに、炭酸ガスレ
ーザ（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍ
Ｊ、５２×１０-6秒のパルス条件で１５ショットの条件
でレーザを照射して、直径１００μｍ（上径Ｄ１：１１
０μｍ 下径Ｄ２：９０μｍのテーパあり）の貫通孔１
６を設けた（図４（Ｃ））。次に無電解めっき、電解め
っきを施し（図４（Ｄ））、更に銅箔を常法に従いパタ
ーン状にエッチングすることにより、基板の両面に厚さ
１５μｍの内層銅パターン（下層導体回路）３４及びス
ルーホール３６を形成した（図４（Ｅ））。 【００３６】次に、内層銅パターン３４の表面と、スル
ーホール３６のランド３６Ａ表面と内壁とに、それぞ
れ、粗化面３８を設けて、配線基板を製造した（図４
（Ｆ））。粗化面３８は、前述の基板３０を水洗し、乾
燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き
つけて、内層銅パターン３４の表面とスルーホール３６
のランド３６ａ表面と内壁とをエッチングすることによ
って形成した。エッチング液には、イミダゾール銅（I
I）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリ
ウム５重量部、イオン交換水７８重量部を混合したもの
を用いた。 【００３７】(3) 次いで、樹脂層４０を配線基板の内層
銅パターン３４間とスルーホール３６内とに設けた（図
５（Ｇ））。樹脂層４０は、予め調製した上記Ｂの樹脂
充填剤を、ロールコータにより配線基板の両面に塗布
し、内層銅パターンの間とスルーホール内に充填し、 1
00℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180
℃で７時間、それぞれ加熱処理することにより硬化させ
て形成した。 【００３８】(4) (3) の処理で得た基板３０の片面を、
ベルトサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベルト
研磨紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン３４の
粗化面３８やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹
脂充填剤４０が残らないようにした（図５（Ｈ））。次
に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くため
に、バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の
他方の面についても同様に行った。 【００３９】得られた配線基板３０は、内層銅パターン
３４間に樹脂層４０が設けられ、スルーホール３６内に
樹脂層４０が設けられている。内層銅パターン３４の粗
化面３８とスルーホール３６のランド３６ａ表面の粗化
面が除去されており、基板両面が樹脂充填剤により平滑
化されている。樹脂層４０は内層銅パターン３４の側面
の粗化面３８７又はスルーホール３６のランド部３６ａ
側面の粗化面３８と密着し、また、樹脂層はスルーホー
ルの内壁の粗化面と密着している。 【００４０】(5) 更に、露出した内層銅パターン３４と
スルーホール３６のランド３６ａ上面を(2) のエッチン
グ処理で粗化して、深さ３μｍの粗化面４２を形成した
（図５（Ｉ））。 【００４１】この粗化面４２をスズ置換めっきして、0.
3 μｍの厚さのＳｎ層（図示せず）を設けた。置換めっ
きは、ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル
／Ｌ、温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面をＣｕ−Ｓ
ｎ置換反応させた。 【００４２】(6) 得られた配線基板３０の両面に、上記
Ａの無電解めっき用接着剤をロールコータを用いて塗布
した。この接着剤は、基板を水平状態で20分間放置して
から、60℃で30分乾燥し、厚さ35μｍの接着剤層５０を
形成した（図５（Ｊ））。 【００４３】(7) 得られた配線基板３０の両面を超高圧
水銀灯により 500mJ／cm2 で露光し、１５０℃で５時間
加熱した。 【００４４】(8) 得られた基板３０をクロム酸に１分間
浸漬し、接着剤層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒
子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、接着
剤層５０の表面に形成した。その後、得られた基板３０
を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した
（図５（Ｋ））。 【００４５】(9) ついで、基板３０の全面に厚さ０．６
μｍの無電解銅めっき４４を施した（図６（Ｌ））。 【００４６】（10) エッチングレジスト（図示せず）を
設けて、硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングシて、無
電解銅めっき４４のバイアホール形成部分にφ５０μｍ
の開口４４ａを設けた（図６（Ｍ））。 【００４７】(11)上記無電解銅めっき４４をコンフォー
マルマスクとして用い、短パルス（１０-4秒）のレーザ
光（三菱電機 ML６０５GTL ）により、開口４４ａ下の
接着剤層５０を除去してバイアホール用開口４８を設け
た（図６（Ｎ））。 【００４８】更に、配線基板３０の表面に、パラジウム
触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解め
っき膜４４表面およびバイアホール用開口４８の粗化面
に触媒核を付けた。 【００４９】(12)得られた基板３０を以下の条件の無電
解銅めっき浴中に浸漬し、厚さ1.6 μｍの無電解銅めっ
き膜５２を基板３０の全体に形成した（図６（Ｏ））。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件； ７０℃の液温度で３０分 【００５０】(13)次に、市販の感光性ドライフィルム
（図示せず）を無電解銅めっき膜５２に張り付け、パタ
ーンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置し
た。この基板３０を、100mJ/cm2 で露光し、その後０．
８％炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ15μｍのめっ
きレジスト５４を設けた（図６（Ｐ））。 【００５１】（14) 次いで、得られた基板に以下の条件
で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５
６を形成した（図６（Ｑ））。 電解めっき液； 硫酸 ： １８０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ８０ ｇ／Ｌ 添加剤 ： １ｍＬ／Ｌ（添加剤はアトテ
ックジャパン製：商品名カパラシドＧＬ） 電解めっき条件； 電流密度 ： １Ａ／ｄｍ2 時間 ： ３０分 温度 ： 室温 【００５２】(15)めっきレジスト５４を５％KOH で剥離
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去し、
銅箔３２、無電解めっき４４、無電解銅めっき膜５２と
電解銅めっき膜５６とからなる厚さ１８μｍ（１０μｍ
〜３０μｍ）の導体回路５８及びバイアホールを６０を
得た（図６（Ｒ））。ここで、厚みを１０μｍ〜３０μ
ｍにすることで、ファインピッチと接続信頼性とを両立
させる。 【００５３】更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間
浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５
０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去した。 【００５４】(16)(5) と同様の処理を行い、導体回路５
８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図
７（Ｓ）参照）。 【００５５】(17)(6) 〜(16)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０とバイアホール
１６０及び導体回路１５８を形成する。さらに、バイア
ホール１６０及び該導体回路１５８の表面に粗化層１６
２を形成し、多層プリント配線板を完成する（図６
（Ｔ））。なお、この上層の導体回路を形成する工程に
おいては、Ｓｎ置換は行わなかった。 【００５６】(18)そして、上述した多層プリント配線板
にはんだバンプを形成する。前記(17)で得られた基板３
０両面に、上記Ｃ．にて説明したソルダーレジスト組成
物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分
間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン
（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマス
クフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／
cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさら
に、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、
150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分
（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口
径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20
μｍ）７０を形成する（図８（Ｕ））。 【００５７】(19)次に、塩化ニッケル2.31×10-1ｍｏｌ
／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10-1ｍｏｌ／ｌ、ク
エン酸ナトリウム1.85×10-1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ
＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０
分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっ
き層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金
カリウム4.1 ×10-2ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87
×10-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10-1ｍｏ
ｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1ｍｏｌ／ｌか
らなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸
漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき
層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体
回路１５８に半田パッド７５を形成する（図８
（Ｖ））。 【００５８】(22)そして、ソルダーレジスト層７０の開
口部７１に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、多層プリント配線板１０を形成した（図８
（Ｗ）参照）。 【００５９】（実施例５）実施例４と同様であるが、実
施例３で得られたつつみ型スルーホール３３６を有する
スルーホール形成基板３３０をコア基板として使用し
た。 【００６０】（実施例６）図１０は、実施例６に係る多
層プリント配線板の構成を示している。このプリント配
線板においては、スルーホル３６の通孔１６の直径Ｄ
は、レーザにより１００〜２００μｍに形成されてい
る。この例では、通孔１６にはテーパが設けられていな
い。そして、多層プリント配線板１０では、コア基板３
０に形成されたスルーホール３６の通孔１６を塞ぐよう
にバイアホール６０が形成することで、スルーホール３
６の直上にバイアホール６０を配置している。このた
め、多層プリント配線板内の配線長が最短になり、ＩＣ
チップの高速化に対応することができる。 【００６１】また、スルーホール３６直上の領域を内層
パッドとして機能せしめることでデッドスペースが無く
なる。しかも、スルーホール３６からバイアホール６０
に接続するための内層パッドを配線する必要もないの
で、スルーホール３６のランド３６ａの形状を真円とす
ることができる。その結果、多層コア基板３０中に設け
られるスルーホール３６の配置密度が向上しする。な
お、本実施例では、バイアホール６０の底面の内の２０
％〜５０％が、スルーホール３６のランド３６ａと接触
しておれば、十分な電気的接続を達成できる。 【００６２】 【発明の効果】以上説明のように、本発明では、直接銅
張積層板を炭酸ガスレーザで穿孔できるため、低コスト
で微細なスルーホールを形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明の実施例１に係るスルーホール形成基
板の製造工程図である。 【図２】図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２
（Ｄ）は、本発明の実施例２に係るスルーホール形成基
板の製造工程図である。 【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３
（Ｄ）は、本発明の実施例３に係るスルーホール形成基
板の製造工程図である。 【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４
（Ｄ）、図４（Ｅ）、図４（Ｆ）は、本発明の実施例４
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 【図５】図５（Ｇ）、図５（Ｈ）、図５（Ｉ）、図５
（Ｊ）、図５（Ｋ）は、本発明の実施例４に係る多層プ
リント配線板の製造工程図である。 【図６】図６（Ｌ）、図６（Ｍ）、図６（Ｎ）、図６
（Ｏ）、図６（Ｐ）は、本発明の実施例４に係る多層プ
リント配線板の製造工程図である。 【図７】図７（Ｑ）、図７（Ｒ）、図７（Ｓ）、図７
（Ｔ）は、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。 【図８】図８（Ｕ）、図８（Ｖ）、図８（Ｗ）は、本発
明の実施例４に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。 【図９】本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の
断面図である。 【図１０】本発明の実施例６に係る多層プリント配線板
の断面図である。 【符号の説明】 １６ 通孔 ３０ コア基板 ３４ 導体回路 ３６ スルーホール ４８ 開口 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５２ 無電解めっき層 ５６ 電解めっき層 ５８ 導体回路 ６０ バイアホール ８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層 １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路
（Ｄ）は、本発明の実施例１に係るスルーホール形成基
板の製造工程図である。 【図２】図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２
（Ｄ）は、本発明の実施例２に係るスルーホール形成基
板の製造工程図である。 【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３
（Ｄ）は、本発明の実施例３に係るスルーホール形成基
板の製造工程図である。 【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４
（Ｄ）、図４（Ｅ）、図４（Ｆ）は、本発明の実施例４
に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 【図５】図５（Ｇ）、図５（Ｈ）、図５（Ｉ）、図５
（Ｊ）、図５（Ｋ）は、本発明の実施例４に係る多層プ
リント配線板の製造工程図である。 【図６】図６（Ｌ）、図６（Ｍ）、図６（Ｎ）、図６
（Ｏ）、図６（Ｐ）は、本発明の実施例４に係る多層プ
リント配線板の製造工程図である。 【図７】図７（Ｑ）、図７（Ｒ）、図７（Ｓ）、図７
（Ｔ）は、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。 【図８】図８（Ｕ）、図８（Ｖ）、図８（Ｗ）は、本発
明の実施例４に係る多層プリント配線板の製造工程図で
ある。 【図９】本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の
断面図である。 【図１０】本発明の実施例６に係る多層プリント配線板
の断面図である。 【符号の説明】 １６ 通孔 ３０ コア基板 ３４ 導体回路 ３６ スルーホール ４８ 開口 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５２ 無電解めっき層 ５６ 電解めっき層 ５８ 導体回路 ６０ バイアホール ８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層 １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 両面銅張積層板にレーザ加工により貫通
孔を設け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成
する方法において、 前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを１２μｍ未満とする
ことを特徴とするスルーホールの形成方法。 【請求項２】 両面銅張積層板にレーザ加工により貫通
孔を設け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成
する方法において、 前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを１〜１０μｍとする
ことを特徴とするスルーホールの形成方法。 【請求項３】 両面銅張積層板にレーザ加工により貫通
孔を設け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成
する方法において、 前記両面銅張積層板の銅箔の厚さをエッチングにより１
〜１０μｍにした後、レーザ加工を行うことを特徴とす
るスルーホールの形成方法。 【請求項４】 レーザ加工は、炭酸ガスレーザによる請
求項１〜４のいずれか１に記載のスルーホールの形成方
法。 【請求項５】 レーザ加工は、２０〜４０mJ、１０-4〜
１０-8秒の短パルス炭酸ガスレーザである請求項１〜４
のいずれかに記載のスルーホールの形成方法。 【請求項６】 両面銅張積層板にレーザ加工により貫通
孔を設け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成
してコア基板とし、 該コア基板上に層間樹脂絶縁層および導体回路を形成す
る多層配線板の製造方法において、 前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを１２μｍ未満とする
ことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 【請求項７】 レーザ加工は、炭酸ガスレーザによる請
求項６に記載の多層プリント配線板の製造方法。 【請求項８】 レーザ加工は、２０〜４０mJ、１０-4〜
１０-8秒の短パルス炭酸ガスレーザである請求項６また
は７に記載の多層プリント配線板の製造方法。 【請求項９】 両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、そ
の貫通孔を導電化してスルーホールが形成された基板に
おいて、 前記貫通孔にはテーパが形成されてなることを特徴とす
るスルーホールの形成基板。 【請求項１０】 前記テーパは、基板の一方向に向けて
貫通孔の径が大きくなるように形成されている請求項９
に記載のスルーホールの形成基板。 【請求項１１】 前記テーパは、スルーホールの断面が
つつみ型になるように形成されている請求項９に記載の
スルーホールの形成基板。 【請求項１２】 両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、
その貫通孔が導電化されてスルーホールが形成された基
板の少なくとも一方の面に層間樹脂絶縁層および導体回
路が形成されてなる多層配線板において、 前記貫通孔にはテーパが形成されてなることを特徴とす
る多層プリント配線板。 【請求項１３】 前記銅張積層板の銅箔及びめっき層の
厚さは、１０〜３０μｍである請求項１２に記載の多層
プリント配線板。 【請求項１4 】 前記テーパは、基板の一方向に向けて
貫通孔の径が大きくなるように形成されている請求項１
２または１３に記載の多層プリント配線板。 【請求項１５】 前記テーパは、スルーホールの断面が
つつみ型になるように形成されている請求項１２又は１
３に記載の多層プリント配線板。 【請求項１６】 前記スルーホール内には、充填材が充
填されてなる請求項１２〜１５のいずれか１に記載の多
層プリント配線板。
Priority Applications (22)
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| KR1020077015080A KR100855529B1 (ko) | 1998-09-03 | 1999-07-30 | 다층프린트배선판 및 그 제조방법 |
| KR1020077015081A KR20070086860A (ko) | 1998-09-03 | 1999-07-30 | 다층프린트배선판 및 그 제조방법 |
| KR1020077015082A KR100855530B1 (ko) | 1998-09-03 | 1999-07-30 | 다층프린트배선판 및 그 제조방법 |
| EP07013524A EP1843650B1 (en) | 1998-09-03 | 1999-07-30 | Method of manufacturing a multilayered printed circuit board |
| KR1020017002801A KR20010088796A (ko) | 1998-09-03 | 1999-07-30 | 다층프린트배선판 및 그 제조방법 |
| DE69939221T DE69939221D1 (de) | 1998-09-03 | 1999-07-30 | Mehrschichtige leiterplatte und verfahren zu deren herstellung |
| EP07013523A EP1843649A3 (en) | 1998-09-03 | 1999-07-30 | Multilayered printed circuit board and manufacturing method therefor |
| TW88114933A TW407453B (en) | 1998-09-03 | 1999-08-31 | Multiple layer printed circuit board and method for manufacturing the same |
| MYPI99003796A MY123228A (en) | 1998-09-03 | 1999-09-02 | Manufacturing method of a multilayered printed circuit board having an opening made by a laser, and using electroless and electrolytic plating. |
| MYPI20044181A MY139553A (en) | 1998-09-03 | 1999-09-02 | Method of manufacturing multilayered circuit board |
| US09/797,916 US6591495B2 (en) | 1998-09-03 | 2001-03-05 | Manufacturing method of a multilayered printed circuit board having an opening made by a laser, and using electroless and electrolytic plating |
| US10/356,464 US7415761B2 (en) | 1998-09-03 | 2003-02-03 | Method of manufacturing multilayered circuit board |
| US11/875,486 US8148643B2 (en) | 1998-09-03 | 2007-10-19 | Multilayered printed circuit board and manufacturing method thereof |
| US12/098,582 US7832098B2 (en) | 1998-09-03 | 2008-04-07 | Method of manufacturing a multilayered printed circuit board |
| US13/357,663 US20120125680A1 (en) | 1998-09-03 | 2012-01-25 | Multilayered printed circuit board and manufacturing method thereof |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28194298A JP2000091750A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | スルーホールの形成方法、多層プリント配線板の製造方法、およびスルーホール形成基板、多層プリント配線板 |
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|---|---|---|---|
| JP2007324769A Division JP4722904B2 (ja) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 多層プリント基板の製造法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=17646075
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| JP28194298A Pending JP2000091750A (ja) | 1998-09-03 | 1998-09-16 | スルーホールの形成方法、多層プリント配線板の製造方法、およびスルーホール形成基板、多層プリント配線板 |
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|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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