JPWO2010113806A1 - プリント配線板の製造方法、プリント配線板、多層プリント配線板、および半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

プリント配線板の反りを抑制することが可能となり、半導体チップ実装歩留の向上や半導体パッケージ信頼性が向上するプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。本発明によるプリント配線板の製造方法は、コア層にスルーホールを有するプリント配線板の製造方法であって、前記コア層のスルーホールを形成すべき位置に、前記コア層の一方の面側からレーザを照射する工程と、その同じ位置に前記コア層の他方の面側からレーザを照射する工程とを含むことを特徴とする。

Description

本発明は、プリント配線板の製造方法、プリント配線板、多層プリント配線板、および半導体パッケージに関するものである。

近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して薄型化、小型化が進んできている。（例えば、引用文献１参照。）
半導体パッケージの小型化に伴い、配線回路は高密度化し、これらの内層に配置されている表裏の導通をはかるスルーホールも同様に高密度化、小径化が進んでいる。スルーホールの加工は、従来のようなメカニカルドリルを用いた方法では小径化に限界があるため、最近ではこれに代わり、レーザによる加工が適用されている。（例えば、引用文献２参照。）ＣＯ_２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザを使用すると、これまでメカニカルドリルでは直径１００μｍが限界であったスルーホール加工が、より小径で実施可能となる。
また、メカニカルドリルの場合直径１００μｍ程度の小径加工を実施すると、ドリルの刃が容易に折損し、加工に問題が生じるが、レーザ加工の場合、消耗部品を用いないため、効率良く加工を実施することができる。さらに、小径のスルーホール加工ができることで、スルーホールの間隔を狭めることができ、結果としてプリント配線板の小型化を実現できる。
また、ＣＯ_２レーザ加工機やＵＶ−ＹＡＧレーザ加工機などの装置は、プリント配線板の層間接続用微細ビア加工用として既に広く一般に使用されているため、スルーホールの加工用途として、新規に導入する必要がない場合が多い。

特開２００３−１７９３５０号公報 特開２００７−２２７９６２号公報

しかしながら、上記の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
すなわち、レーザ加工機によってスルーホール加工を実施すると、加工するプリント配線板のコア層のレーザ入射側とその反対側とで、形成されるスルーホールの開口径が異なってしまう。具体的には、レーザ加工機で形成されたスルーホールは、開口径が、レーザ照射側の表面で最大径となり、レーザ透過側の表面で最小径となる、いわゆるテーパ形状となる。このため、コア層の表裏で、コア層を被覆している樹脂フィルムや銅箔の面積に差が生じる。この被覆面積の差は、コア層に形成されるスルーホールの数が多くなるほど顕著となるため、コア層の反り、ひいてはプリント配線板の反りの原因となる。
半導体チップ実装前のプリント配線板において、プリント配線板の反りが発生すると、その後の半導体チップ実装時に半田バンプの接続不良が発生する。また、半導体チップ実装後の温度サイクル試験において半田バンプに応力がかかり、結果として半田バンプにクラックが発生したり、半導体チップ自体が割れるなど、半導体パッケージの信頼性を低下させる要因にもなる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、従来技術における課題を解消することを目的とし、特に、プリント配線板の反りを抑制することが可能となり、半導体チップ実装歩留の向上や半導体パッケージの信頼性が向上するプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的は、下記［１］〜［１０］に記載の本発明により達成される。
［１］コア層にスルーホールを有するプリント配線板の製造方法であって、上記コア層のスルーホールを形成すべき位置に、上記コア層の一方の面側からレーザを照射する工程と、その同じ位置に上記コア層の他方の面側からレーザを照射する工程とを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
［２］上記レーザが、CO₂レーザである上記［１］項に記載のプリント配線板の製造方法。
［３］上記レーザの照射条件が、パルス幅３μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上５ショット以下である上記［１］または［２］項に記載のプリント配線板の製造方法。
［４］上記一方の面側からの照射条件と上記他方の面側からの照射条件が異なる照射条件である上記［１］〜［３］項のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
［５］上記他方の面側からのレーザ照射条件が、パルス幅１５μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上２ショット以下である上記［１］〜［４］項のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
［６］上記コア層の厚さが、０．０４ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である上記［１］〜［５］項のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
［７］上記コア層の２５℃での弾性率が、１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であり、２５０℃での弾性率が３ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である上記［１］〜［６］項のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
［８］上記［１］〜［７］項のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法により作製されたことを特徴とするプリント配線板。
［９］上記［１］〜［７］項のいずれか１項にプリント配線板の製造方法により作製されたプリント配線板を用いて、該プリント配線板に絶縁層および導体層を形成したことを特徴とする多層プリント配線板。
［１０］上記［８］項記載のプリント配線板、または上記［９］項記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載して作製したことを特徴とする半導体パッケージ。

本発明に係るプリント配線板の製造方法より製造されたプリント配線板は、プリント配線板の反りを抑制することが可能となり、半導体チップ実装歩留の向上や半導体パッケージ信頼性の向上が可能となる。

本発明のプリント配線板の製造方法の一例を示す略横断面図である。 従来のプリント配線板の製造方法の一例を示す略横断面図である。

本発明は、コア層にスルーホールを有するプリント配線板の製造方法であって、上記コア層のスルーホールを形成すべき位置に、上記コア層の一方の面側からレーザを照射する工程と、その同じ位置に上記コア層の他方の面側からレーザを照射する工程とを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法であり、プリント配線板の反りを抑制することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。

本発明は、プリント配線板のコア層にスルーホールを有するプリント配線板の製造方法（図１）であって、上記コア層のスルーホールを形成すべき位置に、上記コア層の一方の面側からレーザを照射する工程（図１（２））と、その同じ位置に上記コア層の他方の面側からレーザを照射する工程（図１（３））と、を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
以下、コア層の一方の面側からの最初のレーザ照射時にスルーホールが形成される態様について説明するが、最初のレーザ照射時には貫通孔は形成されず、その後の他方の面側からのレーザ照射によって初めてスルーホールが形成される態様も、本発明の範囲に包含される。
コア層にスルーホールを形成する方法としては、コア層表面に形成されている銅箔上から直接レーザを照射して加工する方法と、コア層表面に形成されている銅箔を、形成すべきスルーホールの所定の位置でエッチング除去した部分に、レーザを照射して加工する方法の２種類が挙げられる。

上記銅箔上から直接レーザを照射して加工する方法では、ＵＶ−ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを適用し、銅箔表面に粗化処理を施す。粗化処理としては、ボンドフィルム処理（アトテック（株）製）、ＣＺ処理（メック（株）製）、黒化処理が好ましく、中でも黒化処理がより好ましい。
上記コア層の一方の面側（表側）からレーザを照射してスルーホールを形成する工程としては、粗化処理がなされたコア層にスルーホールを形成するために、先ず表側からレーザを照射する。このときレーザの条件は、好ましくはパルス幅３μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上５ショット以下、より好ましくは、パルス幅１６μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー１０ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数３ショット以上５ショット以下である。
次いで、上記コア層の他方の面側（裏側）からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、上記表側からレーザを照射してスルーホールを形成したコア層の裏側から、表側のレーザ照射位置に対応する裏側の位置にレーザを照射する。このときレーザの条件は、好ましくはパルス幅３μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上２ショット以下、さらに好ましくは、パルス幅１６μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー１０ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上２ショット以下である。
このように、コア層の同じ箇所に表裏両側からレーザを照射することで、実質的にテーパ形状とならないスルーホールを形成することが可能となり、その結果コア層の反りが抑制される。本発明の典型例によれば、コア層のスルーホールを形成すべき箇所に対して、コア層の表側から少なくとも１ショット、さらにその裏側から少なくとも１ショットの合計少なくとも２ショット、レーザを照射することによりスルーホールが形成される。本発明の別態様として、コア層のスルーホールを形成すべき箇所に対して、コア層の表側と裏側から同時にレーザを照射してもよい。

上記銅箔を、形成すべきスルーホールの所定の位置でエッチング除去した部分にレーザを照射して加工する方法では、ＣＯ_２レーザを適用し、上記コア層の表側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、コア層の先ず表側からレーザを照射する。このときレーザの条件は、好ましくはパルス幅３μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上５ショット以下、さらに好ましくは、パルス幅１６μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー１０ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数３ショット以上５ショット以下である。
次いで、上記コア層の裏側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、上記表側からレーザを照射してスルーホールを形成したコア層の裏側から、表側のレーザ照射位置に対応する裏側の位置にレーザを照射する。このときレーザの条件は、好ましくはパルス幅３μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上２ショット以下、さらに好ましくは、パルス幅１６μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー１０ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上２ショット以下である。
このように、コア層の同じ箇所に両面からレーザを照射することで、実質的にテーパのないスルーホールを形成することが可能となり、その結果コア層の反りが抑制される。

レーザを照射する条件は、コア層の表側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程と、その裏側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程とで同一であってもよいが、異なる方が好ましい。
具体的には、表側からのレーザ照射のショット数を、裏側からのレーザ照射のショット数より多くすることが、プリント配線板の反りが低減されるので好ましい。レーザの照射順序は、コア層の表側から照射し、次に裏側から照射することができる。また、コア層の表側と裏側から同時に、同一または異なる条件で、レーザを照射してもよい。
スルーホールの数は、一般にはコア層１ｃｍ^２当たり１０〜１２０００個、好ましくはコア層１ｃｍ^２当たり２００〜１０００個の範囲内である。スルーホール数がコア層１ｃｍ^２当たり１０個より少ないと、微細配線に適応したプリント配線板を製造することができない場合があり、反対にコア層１ｃｍ^２当たり１２０００個より多いと、スルーホール間が狭くなり、長期吸湿時の壁間信頼性が低下する場合がある。

本発明のプリント配線板の製造方法で適用するコア層は、厚さが０．０４ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であり、２５℃での弾性率（ヤング率）が、１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であり、２５０℃での弾性率が３ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であるコア層を用いることが好ましい。その理由としては、レーザによるスルーホール形成に優れるからである。厚さが上記範囲より小さいと半導体チップ実装歩留や半導体パッケージの信頼性が低下する恐れがあり、厚さが上記範囲を超えるとレーザによるスルーホール形成が困難となる。特に、レーザ照射強度が高い場合、コア層の絶縁層が黒化（炭化）し、その後のめっき処理に際して炭化部がスルーホール表面から脱落することで絶縁信頼性の低下を招くおそれがある。また、レーザ照射強度が小さい場合には、ガラスクロスの突起が生じ、スルーホールの内表面が粗面化することでめっき不良の原因となり得る。

コア層の絶縁層に用いられる材料は、適切な強度を有していればよく、特に限定するものではないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、トリアジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂のうち、少なくとも一種または複数種の樹脂を含む樹脂組成物を繊維基材（例えばガラス繊維シートなど）に含浸させて半硬化させてなる板状の材料（いわゆるプリプレグ）を好適に用いることができる。特に、エポキシ樹脂と無機充填材とを含む樹脂組成物を繊維基材（例えばガラス繊維シートなど）に含浸させて半硬化させてなる板状の材料（いわゆるプリプレグ）を好適に用いることができる。

次に、プリント配線板について説明する。
本発明のプリント配線板は、上記のプリプレグの少なくとも１枚を成形してなる積層板を含むものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性に優れたプリント配線板を得ることができる。
上記積層板はプリプレグが１枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔またはフィルムを重ねる。また、プリプレグを２枚以上積層することもできる。プリプレグを２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔またはフィルムを重ねる。次に、プリプレグと金属箔などとを重ねたものを加熱、加圧することで積層板を得ることができる。上記加熱する温度は、特に限定されないが、１２０℃以上２２０℃以下が好ましく、特に１５０℃以上２００℃以下が好ましい。また、上記加圧する圧力は、特に限定されないが、２ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、特に２．５ＭＰａ以上４ＭＰａ以下が好ましい。
また、上記積層板に用いるフィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、フッ素系樹脂などを挙げることができる。

上記積層板に用いる金属箔としては、例えば、銅および／または銅系合金、アルミおよび／またはアルミ系合金、銀および／または銀系合金、金および／または金系合金、亜鉛および／または亜鉛系合金、ニッケルおよび／またはニッケル系合金、錫および／または錫系合金、鉄および／または鉄系合金などが挙げられる。
上記金属箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで積層板の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ１０μｍ以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。上記極薄金属箔の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。さらに、０．５μｍ以上５μｍ以下が好ましく、さらに１μｍ以上３μｍ以下が好ましい。上記極薄金属箔の厚さが上記下限値未満であると、キャリア箔を剥離後の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホールの発生、ピンホールの発生による回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路配線の断線、エッチング液やデスミア液などの薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、上記上限値を超えると、極薄金属箔の厚さバラツキが大きくなったり、極薄金属箔の粗化面における表面粗さのバラツキが大きくなったりする場合がある。
通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレス成形後の積層板に回路パターン形成する前にキャリア箔を剥離する。

プリント配線板は、上記積層板を用いて製造することができる。
製造方法は、特に限定されないが、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などがあり、例えば、上記両面に銅箔を有する積層板を用い、ＣＯ_２レーザ装置で所定の位置に本発明の製造方法によりスルーホールを設け、無電解めっきにより、積層板の両面の導通を図る。そして、上記銅箔をエッチングすることにより内層回路を形成しプリント配線板を得る。この内層回路を形成したプリント配線板を半導体素子搭載用基板として使用する場合には、最外層に、絶縁層を施したものを用いる。
なお、上記プリント配線板を内層回路基板として用いる場合、内層回路部分は、黒化処理などの粗化処理したものを好適に用いることができる。またスルーホール部は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。

多層プリント配線板を得る場合には、上記内層回路を形成したプリント配線板にプリプレグ、またはフィルム付き絶縁樹脂シートを用い、上記内層回路を覆うように、積層し、絶縁樹脂層を形成する。積層（ラミネート）方法は、特に限定されないが、真空プレス、常圧ラミネーター、および真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法が好ましく、更に好ましくは、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いる方法である。
その後、上記絶縁樹脂層を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、例えば、１００℃以上２５０℃以下の範囲で硬化させることができる。好ましくは１５０℃以上２００℃以下で硬化させることである。
次に、絶縁樹脂層に、ＣＯ_２レーザ装置を用いてビアを設け、電解銅めっきにより絶縁樹脂層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図る。なお、外層回路は、半導体素子を実装するための接続用電極部を設ける。
その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、多層プリント配線板を得ることができる。
本発明の半導体パッケージは、上記作製したプリント配線板や多層プリント配線板に半導体素子を搭載し、封止材により封止されたものである。例えば、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、フリップチップＢＧＡなどの半導体パッケージが挙げられる。

以下、本発明を実施例および比較例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
コア層として、厚さ０．１ｍｍの両面銅張積層板Ａ（住友ベークライト（株）社製、ＥＬＣ−４７８５ＧＳ、２５℃の弾性率３４ＧＰａ、以下「両面板Ａ」と記す。図１（１））を使用した。その両面板Ａの開孔すべき部分において、片面側の銅箔を直径１００μｍの円形状にエッチングで除去し、レーザ加工用の銅箔マスクを形成させた。
次に、上記両面板Ａの一方の面側（表側）からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、上記レーザ加工用の銅箔マスクよりも大きな直径のレーザ（ａ）を使用した。加工機側のマスクを１．４ｍｍΦとし、加工エネルギー２．５ｍＪ、パルス幅６７μｓ、２ショットの条件でレーザを照射した（図１（２））。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
次に、両面板Ａの他方の面側（裏側）からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、上記両面板Ａを裏返し、同一の位置に上記表側に対する照射条件と同一条件のレーザ（ｂ）を照射し、スルーホールの開口径が表裏で実質的に異ならないスルーホール付き両面板を得た（図１（３））。本例では、スルーホール形成のため、表側から１ショット、更に同一位置に裏側から１ショットの合計２ショットのレーザ照射を行った。
この両面板Ａを用いて、両面に回路形成し（図１（４）、（５））、最外層にソルダーレジストを形成したプリント配線板を作製した。
また、両面板Ａを用いて、両面に回路形成（図１（４）、（５））した後に、両面に絶縁樹脂層（ＡＢＦ ＧＸ−１３、 味の素ファインテクノ社製）を形成し、炭酸レーザ装置を用いてビアを形成し、電解銅めっきにより絶縁樹脂層表面に外層回路形成を行い、最外層にソルダーレジストを形成した多層プリント配線板も作製した。
上記作製したプリント配線板と多層プリント配線板を用いて、半導体素子をプリント配線板と多層プリント配線板にフリップチップ実装により搭載し、アンダーフィル材（住友ベークライト（株）スミレジンエクセルＣＲＰ−４１６０）にて封止することで半導体パッケージ（半導体素子サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、半導体素子厚さ７２５μｍ、バンプサイズ１００μｍ、バンプピッチ２００μｍ）を作製した。プリント配線板を用いた半導体パッケージを半導体装置（１）とし、多層プリント配線板を用いた半導体パッケージを半導体装置（２）とした。

以下の方法により評価し、表１にその結果を示した。
［評価方法］
１．両面板のスルーホール形状
上記作製したスルーホール付き両面板を用いて、両面板Ａのスルーホールの断面形状を観察し、その形状がテーパ形状でないものを○、テーパ形状のものを×とした。判定基準は下記のようにした。
スルーホールの表側の開口径をφ（１）とし、その裏側の開口径をφ（２）とした。
○：テーパ形状でないもの（φ（２）／φ（１）≧０．９）
×：テーパ形状のもの（φ（２）／φ（１）＜０．９）
２．プリント配線板および多層プリント配線板の反り評価
上記作製したプリント配線板（スルーホール付き両面板）および多層プリント配線板を用いて、レーザ３次元形状測定機（（株）日立テクノロジーアンドサービス ＬＳ２２０−ＭＴ）を用いて、常温における反りの測定を行い、その結果を表１に示した。測定範囲は、１５ｍｍ×１５ｍｍの範囲で、レーザヘッドからの距離が、最遠点と最近点の差を反り値とした。以下のように判定した。
○：反り値＜５０μｍ
△：５０μｍ≦反り値≦８０μｍ
×：反り値＞８０μｍ
３．半導体パッケージの評価（反り、信頼性）
上記作製した半導体装置（１）と（２）を用いて、半導体パッケージの反りおよび信頼性を評価した。
反りについては、上記の両面板およびプリント配線板の反り評価と同様に、レーザ３次元形状測定機（（株）日立テクノロジーアンドサービス ＬＳ２２０−ＭＴ）を用いて、常温における反りの測定を行った。測定範囲は半導体チップサイズと同じ１５ｍｍ×１５ｍｍの範囲で、半導体チップ搭載面とは反対側のＢＧＡ面にレーザを当てて測定を行い、レーザヘッドからの距離が、最遠点と最近点の差を反り値とした。以下のように判定した。
○：反り値＜２００μｍ
△：２００μｍ≦反り値≦２５０μｍ
×：反り値＞２５０μｍ
信頼性については、上記作製した半導体装置（１）と（２）を用いて、温度サイクル試験（−５５℃⇔１２５℃）を１０００サイクル行い、導通試験を実施し、導通不良を発生したものを×とし、発生しないものを○とした。

（実施例２）
実施例１と同様にしてレーザ加工用の銅箔マスクを形成させた両面板Ａの表側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、上記レーザ加工用の銅箔マスクよりも大きな直径のレーザ（ａ）を使用した。加工機側のマスクを１．４ｍｍΦとし、加工エネルギー２．５ｍＪ、パルス幅６７μｓ、２ショットの条件でレーザを照射した（図１（２））。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
次に、両面板Ａの裏側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、上記コア層を裏返し、同一の位置に、加工機側のマスクを１．４ｍｍΦとし、加工エネルギー２．５ｍＪ、パルス幅６７μｓ、１ショットの条件でレーザ（ｂ）を照射し、スルーホールの開口径が表裏で実質的に異ならないスルーホール付き両面板を得た（図１（３））。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。
（実施例３）
両面板Ａの裏側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、加工機側のマスクを１．４ｍｍΦとし、加工エネルギー６．０ｍＪ、パルス幅６７μｓ、５ショットの条件でレーザを照射した以外は実施例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり１２０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。
（実施例４）
両面板Ａの裏側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、加工機側のマスクを１．４ｍｍΦとし、加工エネルギー９．０ｍＪ、パルス幅６７μｓ、３ショットの条件でレーザを照射した以外は実施例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。
（実施例５）
両面板Ａの裏側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、加工機側のマスクを１．４ｍｍΦとし、加工エネルギー３．０ｍＪ、パルス幅１０μｓ、５ショットの条件でレーザを照射した以外は実施例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。

（実施例６）
両面板Ａの厚さを０．２ｍｍにした以外は実施例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。
（実施例７）
厚さ０．１ｍｍ両面銅張積層板Ｂ（日立化成工業（株）社製、Ｅ６７９ＦＧ−Ｂ、２５℃の弾性率２７GＰａ）を用いた以外は実施例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。

（比較例１）
両面板Ａの裏側からのレーザ照射を省略した以外は実施例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。得られたプリント配線板は、図２（１）（２）の模式的横断面図に示したように、スルーホールがテーパ形状を有していた。
（比較例２）
両面板Ａの表側からレーザを照射してスルーホールを形成する工程として、加工機側のマスクを１．４ｍｍΦとし、加工エネルギー６．０ｍＪ、パルス幅６７μｓ、５ショットの条件でレーザを照射した以外は比較例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。
（比較例３）
厚さ０．１ｍｍ両面銅張積層板Ｂ（日立化成工業（株）社製、Ｅ６７９ＦＧ−Ｂ、２５℃の弾性率２７GＰａ）を用いた以外は比較例１と同様に、スルーホール付き両面板を作製した。スルーホールの数は、コア層１ｃｍ^２当たり８０個とした。
得られた両面板を用いて、実施例１と同様にプリント配線板、半導体パッケージを実施例１と同様に作製し、評価した。

１ コア層（両面板）
２ 銅箔
３ 銅メッキ
４ 導体回路
ａ 表面からのレーザ照射方向
ｂ 裏面からのレーザ照射方向

Claims (10)

1. コア層にスルーホールを有するプリント配線板の製造方法であって、前記コア層のスルーホールを形成すべき位置に、前記コア層の一方の面側からレーザを照射する工程と、その同じ位置に前記コア層の他方の面側からレーザを照射する工程とを含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
2. 前記レーザが、CO₂レーザである請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
3. 前記レーザの照射条件が、パルス幅３μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上５ショット以下である請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法。
4. 前記一方の面側からの照射条件と前記他方の面側からの照射条件が異なる照射条件である請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
5. 前記他方の面側からのレーザ照射条件が、パルス幅１５μｓｅｃ以上１００μｓｅｃ以下、エネルギー５ｍＪ以上２０ｍＪ以下、ショット数１ショット以上２ショット以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
6. 前記コア層の厚さが、０．０４ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
7. 前記コア層の２５℃での弾性率が、１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であり、２５０℃での弾性率が３ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法により作製されたことを特徴とするプリント配線板。
9. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法により作製されたプリント配線板を用いて、該プリント配線板に絶縁層および導体層を形成したことを特徴とする多層プリント配線板。
10. 請求項８記載のプリント配線板、または請求項９記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載して作製したことを特徴とする半導体パッケージ。

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