JP4722904B2 - 多層プリント基板の製造法 - Google Patents

Description

本発明は、レーザを用いるスルーホールの形成基板、多層プリント配線板に関する。

近年、高密度多層化の要求により、ビルドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多層配線板は、コア基板上に導体回路と層間樹脂層が交互に積層された多層配線板であり、各層の導体回路がバイアホールで接続されている。コア基板に設けられるスルーホールは、微細化が要求されており、直径１００μｍ未満のスルーホールは、ドリルによる削孔は極めて困難であり、銅張積層板にレーザ加工により削孔する。

使用されるレーザ光としては、炭酸ガスレーザがコストも安く、工業生産としては最適である。しかしながら、炭酸レーザ光では、銅箔表面で反射されてしまい、レーザ加工により直接銅張積層板に貫通孔を形成することは不可能というのが技術的な常識であった。このため、銅張積層板の銅箔表面を黒化処理（酸化処理）してレーザ光を照射する技術が特開昭６１−９９５９６号として提案されている。
特開昭６１−９９５９６号公報

しかし、このような技術においては、最初に黒化処理が必要であり、工程が長くなるという問題がある。本発明者らは鋭意研究した結果、銅箔を薄くすることにより、表面での反射にもかかわらず、銅箔に開口を形成できるという意外な事実を発見した。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、銅張積層板を直接レーザで穿孔できる技術とともに、このような方法で得られたスルーホールの形成基板および多層プリント配線板を提案することにある。

本発明のスルーホールの形成基板は、両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を導電化してスルーホールが形成された基板において、前記貫通孔にはテーパが形成されてなることを技術的特徴とする。

また、本発明の多層プリント配線板は、両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を導電化してスルーホールが形成された基板の少なくとも一方の面に層間樹脂絶縁層および導体回路が形成されてなる多層プリント配線板において、前記貫通孔にはテーパが形成されてなることを技術的特徴とする。

本発明者らは鋭意研究した結果、炭酸ガスレーザ光により１２μｍ以上の銅箔に穿孔できない理由は、表面での反射ではなく、銅箔が厚くなることにより熱伝導しやすくなり、レーザ光のエネルギーが熱となって伝搬してしまうからであることを知見した。さらに、銅箔の厚さを１２μｍ未満、望ましくは１〜１０μｍ程度とすることにより、レーザ光のエネルギーが熱となって伝搬することを抑制し、レーザ光による穿孔を実現した。本発明で使用される銅張積層板は、ガラス布エポキシ樹脂、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ガラス布フッ素樹脂などのプリプレグに銅箔を貼付した銅張積層板を使用することができる。

銅箔の厚さは、１〜１０μｍが望ましい。１０μｍ以下ならばレーザ光で穿孔しやすく、他方、１μｍ未満ではふくれなどが生じ易いからである。銅箔の厚さの調整は、エッチングにより行う。具体的には、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液を用いた化学エッチング、イオンビームエッチングなどの物理エッチングで行う。銅張積層板の厚さは、０．５〜１．０mmが望ましい。厚すぎると穿孔できず、薄すぎると反りなどが発生しやすいからである。本発明で使用される炭酸ガスレーザは、２０〜４０mJ、１０^-4〜１０^-8 秒の短パルスレーザであることが望ましい。ショット数は、５〜１００ショットである。

形成される貫通孔の直径は、５０〜１５０μｍが望ましい。５０μｍ未満では、めっき等により壁面を導電化できず、また１５０μｍを越えるとドリル加工の方が有利だからである。貫通孔の直径が、１００μｍを越えると貫通孔にテーパが生じる。レーザ光の入射側に貫通孔の直径が大きくなるようなテーパが生じる。また、レーザ光を表面および裏面から照射すると、断面がつつみ形の貫通孔が生じる。

この貫通孔を導電化する。導電化の方法としては、電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着、導電性ペーストの充填などの方法による。導電性ペーストを充填する場合には、貫通孔にはテーパが形成されていることが望ましい。ペーストを充填しやすいからである。電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着などにより、内壁面を金属化することによりスルーホールを形成した場合にも、このスルーホールに充填材を充填することができる。

また、金属化されたスルーホール内壁は、粗化されていてもよい。スルーホール内壁を金属化する場合は、銅箔および金属化層（たとえば無電解めっき層）の厚さは、１０〜３０μｍであることが望ましい。充填材としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およびシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用できる。

このようにして形成されたスルーホール形成基板に導体回路を設ける。導体回路はエッチング処理により形成する。導体回路表面は、密着性改善のため粗化処理することが望ましい。ついで絶縁樹脂からなる層間樹脂絶縁層を設ける。

前記絶縁樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。また熱可塑性樹脂としては、熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用できる。

本発明では、層間樹脂絶縁層は、無電解めっき用接着剤でもよい。例えば、酸や酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂中に酸、酸化剤によって溶解する粒子を含ませておき、この粒子を酸や酸化剤で溶解することで、絶縁樹脂層の表面を粗化することができる。かかる耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることができる。

また、かかる無電解めっき用接着剤には、特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラー等を、必要により含ませることができる。かかる耐熱性樹脂粒子には、(1) 平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μｍ未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑な粗化面を形成するからである。

このような層間樹脂絶縁層は、レーザ光や露光、現像処理で開口を設けることができる。

次いで、Ｐｄ触媒などの無電解めっき用の触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイアホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきして、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回路を形成する。

以下、実施例及び比較例に基づき、本発明を説明する。
実施例１
（１）基板１３０に厚さ１２μｍの銅箔１３２が貼付された厚さ０．６mmの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７１５）１３０Ａを用意した（図１（Ａ）参照）。
（２）この銅箔１３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングして厚さを５μｍとした（図１（Ｂ）参照）。
（３）この両面銅張積層板１３０Ａに炭酸ガスレーザ（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０^-6秒のパルス条件で１０ショットにて直径１５０μｍ（上径Ｄ１：１６０μｍ 下径Ｄ２：１４０μｍのテーパあり）の孔１１６を設けた（図１（Ｃ））。このように、レーザにて５μｍの銅箔１３２を貫通して基板１３０に孔を明けることができる。（３）以下の条件で該孔１１６内に無電解銅めっきを行い、めっきスルーホール１３６を形成した（図１（Ｄ））。
無電解めっき液；
ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ
硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ
ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ
ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ
α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ
ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ無電解めっき条件；
７０℃の液温度で３０分

実施例２
（１）基板２３０に厚さ１２μｍ銅箔２３２が貼付された厚さ０．６mmの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７１５）２３０Ａを用意した（図２（Ａ））。
（２）この銅箔２３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングして厚さを９μｍとした（図２（Ｂ）。
（３）この両面銅張積層板２３０Ａに炭酸ガスレーザ（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０^-6秒のパルス条件で１５ショットにて直径１５０μｍ（上径Ｄ１：１６０μｍ 下径Ｄ２：１４０μｍのテーパあり）の孔２１６を設けた（図２（Ｃ））。このように、レーザにて９μｍの銅箔１３２を貫通して基板１３０に孔を明けることができる。
（４）実施例１と同様にして無電解銅めっきを施してめっきスルーホール２３６を形成した（図２（Ｃ））。

実施例３
（１）基板３３０に厚さ１２μｍ銅箔３３２が貼付された厚さ０．６mmの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７１５）３３０Ａを用意した（図３（Ａ））。
（２）この銅箔３３２を硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングして厚さを５μｍとした（図３（Ｂ））。
（３）この両面銅張積層板３３０Ａに炭酸ガスレーザ（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０^-6秒のパルス条件で１５ショットにて表面および裏面から照射して直径１５０μｍ（最大径Ｄ３：１６０μｍ 最小径Ｄ４：１４０μｍのテーパあり）の孔３１６を設けた。孔３１６の断面はつつみ形状である（図３（Ｃ））。
（４）実施例１と同様にして無電解銅めっきを施してめっきスルーホール３３６を形成した（図３（Ｄ））。この実施例４では、表及び裏面からレーザを照射するため、基板の厚さが厚くともスルーホールを形成できる。

比較例１
（１）厚さ１２μｍ銅箔が貼付された厚さ０．６mmの両面銅張積層板（松下電工 Ｒ５７１５）を用意した。
（２）この両面銅張積層板に炭酸ガスレーザ（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０^-6秒のパルス条件で１５ショットの条件でレーザを照射したが、穿孔できなかった。この例から、銅箔の厚みが１２μｍを越えるとスルーホールが形成できないことが分かった。

実施例４引き続き、レーザによりスルーホールを形成して多層プリント配線板を製造する第４実施例について、図４〜図１０を参照して説明する。先ず、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板１０の構成について、図９を参照して説明する。多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルトアップ層８０Ａは、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。また、ビルドアップ配線層８０Ｂは、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。

多層プリント配線板１０の上面側には、ＩＣチップのランド（図示せず）へ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドーターボードのランド（図示せず）に接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。

引き続き、多層プリント配線板１０の製造方法について説明する。
ここでは、先ず、実施例４の多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．樹脂充填剤、Ｃ．ソルダーレジスト組成物の調整について説明する。

Ａ．無電解めっき用接着剤（上層用接着剤）の調製(1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製：分子量2500）の25重量％アクリル化物を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスM315）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製S-65）0.5 重量部、N-メチルピロリドン（NMP ）3.6 重量部を攪拌混合した。

(2) ポリエーテルスルフォン（PES ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製：商品名ポリマーポール）の平均粒径1.0 μｍのものを7.2 重量部、平均粒径0.5 μｍのものを3.09重量部を混合した後、更にNMP 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。

(3) イミダゾール硬化剤（四国化成製：商品名2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製：イルガキュア I-907）２重量部、光増感剤（日本化薬製：DETX-S）0.2 重量部、NMP 1.5 重量部を攪拌混合した。
(4) 混合物(1) 〜(3) を混合して、無電解めっき用接着剤組成物を得た。

Ｂ．樹脂充填剤の調整(1) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製：分子量310 、商品名YL983U ） 100重量部と平均粒径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティングされたＳｉＯ₂ 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整した。

(2) イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。
(3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製した。

Ｃ．ソルダーレジストの調整ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。

プリント配線板の製造
(1) 厚さ０．６mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板３０の両面に１２μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図４（Ａ））。これをエッチングして厚さを５μｍに調整した（図４（Ｂ））。

(2) この銅張積層板３０Ａに、炭酸ガスレーザ（三菱電機 ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０^-6秒のパルス条件で１５ショットの条件でレーザを照射して、直径１００μｍ（上径Ｄ１：１１０μｍ 下径Ｄ２：９０μｍのテーパあり）の貫通孔１６を設けた（図４（Ｃ））。次に無電解めっき、電解めっきを施し（図４（Ｄ））、更に銅箔を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両面に厚さ１５μｍの内層銅パターン（下層導体回路）３４及びスルーホール３６を形成した（図４（Ｅ））。

次に、内層銅パターン３４の表面と、スルーホール３６のランド３６Ａ表面と内壁とに、それぞれ、粗化面３８を設けて、配線基板を製造した（図４（Ｆ））。粗化面３８は、前述の基板３０を水洗し、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、内層銅パターン３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面と内壁とをエッチングすることによって形成した。エッチング液には、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部、イオン交換水７８重量部を混合したものを用いた。

(3) 次いで、樹脂層４０を配線基板の内層銅パターン３４間とスルーホール３６内とに設けた（図５（Ｇ））。樹脂層４０は、予め調製した上記Ｂの樹脂充填剤を、ロールコータにより配線基板の両面に塗布し、内層銅パターンの間とスルーホール内に充填し、 100℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間、それぞれ加熱処理することにより硬化させて形成した。

(4) (3) の処理で得た基板３０の片面を、ベルトサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン３４の粗化面３８やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないようにした（図５（Ｈ））。次に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くために、バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。

得られた配線基板３０は、内層銅パターン３４間に樹脂層４０が設けられ、スルーホール３６内に樹脂層４０が設けられている。内層銅パターン３４の粗化面３８とスルーホール３６のランド３６ａ表面の粗化面が除去されており、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されている。樹脂層４０は内層銅パターン３４の側面の粗化面３８７又はスルーホール３６のランド部３６ａ側面の粗化面３８と密着し、また、樹脂層はスルーホールの内壁の粗化面と密着している。

(5) 更に、露出した内層銅パターン３４とスルーホール３６のランド３６ａ上面を(2) のエッチング処理で粗化して、深さ３μｍの粗化面４２を形成した（図５（Ｉ））。

この粗化面４２をスズ置換めっきして、0.3 μｍの厚さのＳｎ層（図示せず）を設けた。置換めっきは、ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル／Ｌ、温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面をＣｕ−Ｓｎ置換反応させた。

(6) 得られた配線基板３０の両面に、上記Ａの無電解めっき用接着剤をロールコータを用いて塗布した。この接着剤は、基板を水平状態で20分間放置してから、60℃で30分乾燥し、厚さ35μｍの接着剤層５０を形成した（図５（Ｊ））。

(7) 得られた配線基板３０の両面を超高圧水銀灯により 500mJ／cm² で露光し、１５０℃で５時間加熱した。

(8) 得られた基板３０をクロム酸に１分間浸漬し、接着剤層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、接着剤層５０の表面に形成した。その後、得られた基板３０を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（図５（Ｋ））。

(9) ついで、基板３０の全面に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき４４を施した（図６（Ｌ））。

（10) エッチングレジスト（図示せず）を設けて、硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングシて、無電解銅めっき４４のバイアホール形成部分にφ５０μｍの開口４４ａを設けた（図６（Ｍ））。

(11)上記無電解銅めっき４４をコンフォーマルマスクとして用い、短パルス（１０^-4秒）のレーザ光（三菱電機 ML６０５GTL ）により、開口４４ａ下の接着剤層５０を除去してバイアホール用開口４８を設けた（図６（Ｎ））。

更に、配線基板３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解めっき膜４４表面およびバイアホール用開口４８の粗化面に触媒核を付けた。

(12)得られた基板３０を以下の条件の無電解銅めっき浴中に浸漬し、厚さ1.6 μｍの無電解銅めっき膜５２を基板３０の全体に形成した（図６（Ｏ））。
無電解めっき液；
ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ
硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ
ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ
ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ
α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ
ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ
無電解めっき条件；
７０℃の液温度で３０分

(13)次に、市販の感光性ドライフィルム（図示せず）を無電解銅めっき膜５２に張り付け、パターンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置した。この基板３０を、100mJ/cm² で露光し、その後０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（図６（Ｐ））。

（14) 次いで、得られた基板に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図６（Ｑ））。
電解めっき液；
硫酸 ： １８０ ｇ／Ｌ
硫酸銅 ： ８０ ｇ／Ｌ
添加剤 ： １ｍＬ／Ｌ（添加剤はアトテックジャパン製：商品名カパラシドＧＬ）
電解めっき条件；
電流密度 ： １Ａ／ｄｍ²
時間 ： ３０分
温度 ： 室温

(15)めっきレジスト５４を５％KOH で剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去し、銅箔３２、無電解めっき４４、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６とからなる厚さ１８μｍ（１０μｍ〜３０μｍ）の導体回路５８及びバイアホールを６０を得た（図６（Ｒ））。ここで、厚みを１０μｍ〜３０μｍにすることで、ファインピッチと接続信頼性とを両立させる。

更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去した。

(16)(5) と同様の処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図７（Ｓ）参照）。

(17)(6) 〜(16)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０とバイアホール１６０及び導体回路１５８を形成する。さらに、バイアホール１６０及び該導体回路１５８の表面に粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する（図６（Ｔ））。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。

(18)そして、上述した多層プリント配線板にはんだバンプを形成する。前記(17)で得られた基板３０両面に、上記Ｃ．にて説明したソルダーレジスト組成物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／cm² の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成する（図８（Ｕ））。

(19)次に、塩化ニッケル2.31×10^-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10^-1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10^-2ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87×10^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10^-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10^-1ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図８（Ｖ））。

(22)そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を形成した（図８（Ｗ）参照）。

（実施例５）
実施例４と同様であるが、実施例３で得られたつつみ型スルーホール３３６を有するスルーホール形成基板３３０をコア基板として使用した。

（実施例６）
図１０は、実施例６に係る多層プリント配線板の構成を示している。このプリント配線板においては、スルーホル３６の通孔１６の直径Ｄは、レーザにより１００〜２００μｍに形成されている。この例では、通孔１６にはテーパが設けられていない。そして、多層プリント配線板１０では、コア基板３０に形成されたスルーホール３６の通孔１６を塞ぐようにバイアホール６０が形成することで、スルーホール３６の直上にバイアホール６０を配置している。このため、多層プリント配線板内の配線長が最短になり、ＩＣチップの高速化に対応することができる。

また、スルーホール３６直上の領域を内層パッドとして機能せしめることでデッドスペースが無くなる。しかも、スルーホール３６からバイアホール６０に接続するための内層パッドを配線する必要もないので、スルーホール３６のランド３６ａの形状を真円とすることができる。その結果、多層コア基板３０中に設けられるスルーホール３６の配置密度が向上しする。なお、本実施例では、バイアホール６０の底面の内の２０％〜５０％が、スルーホール３６のランド３６ａと接触しておれば、十分な電気的接続を達成できる。

以上説明のように、本発明では、直接銅張積層板を炭酸ガスレーザで穿孔できるため、低コストで微細なスルーホールを形成できる。

図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）は、本発明の実施例１に係るスルーホール形成基板の製造工程図である。 図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）は、本発明の実施例２に係るスルーホール形成基板の製造工程図である。 図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）は、本発明の実施例３に係るスルーホール形成基板の製造工程図である。 図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４（Ｄ）、図４（Ｅ）、図４（Ｆ）は、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 図５（Ｇ）、図５（Ｈ）、図５（Ｉ）、図５（Ｊ）、図５（Ｋ）は、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 図６（Ｌ）、図６（Ｍ）、図６（Ｎ）、図６（Ｏ）、図６（Ｐ）は、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 図７（Ｑ）、図７（Ｒ）、図７（Ｓ）、図７（Ｔ）は、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 図８（Ｕ）、図８（Ｖ）、図８（Ｗ）は、本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の製造工程図である。 本発明の実施例４に係る多層プリント配線板の断面図である。 本発明の実施例６に係る多層プリント配線板の断面図である。

符号の説明

１６ 通孔
３０ コア基板
３４ 導体回路
３６ スルーホール
４８ 開口
５０ 層間樹脂絶縁層
５２ 無電解めっき層
５６ 電解めっき層
５８ 導体回路
６０ バイアホール
８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路

Claims (1)

1. コア基板に形成されるスルーホールの断面がテーパ形状である多層プリント基板の製造法において、
   （１） コア基板とする両面銅張積層板の銅層をエッチングにより５〜９μｍの範囲に調整する工程
   （２）レーザ条件２０〜４０mJ、１０ ^-4 〜１０ ^-8 秒の炭酸ガスレーザーでコア基板の一方向に向けてその直径が大きくなるように貫通孔を形成する工程
   （３） コア基板表面と貫通孔側面に無電解めっきで導電化する工程
   （４） コア基板表面の無電解めっき層上に電解めっきを施し導体層厚を１０〜３０μｍに調整する工程
   （５） コア基板表面の銅層をパターン状にエッチングし、内層銅パターンおよびスルーホールを形成する工程
   （６） 内層銅パターン表面およびスルーホールの内壁に粗化面を形成する工程
   （７） 前記スルーホール内に樹脂充填剤を充填する工程
   （８） 前記形成基板の少なくとも１面に、層間絶縁層と導体パターンを積層する工程
   （９） 前記貫通孔の直径が大きい側に、ＩＣチップへ接続するための半田バンプを配設する工程。

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