JPH11340590A - プリント配線板 - Google Patents
プリント配線板Info
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- JPH11340590A JPH11340590A JP10140694A JP14069498A JPH11340590A JP H11340590 A JPH11340590 A JP H11340590A JP 10140694 A JP10140694 A JP 10140694A JP 14069498 A JP14069498 A JP 14069498A JP H11340590 A JPH11340590 A JP H11340590A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- wiring pattern
- width
- conductor
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い歩留まりで製造できる高密度のプリント
配線板を提供する。 【解決手段】 配線パターン５８を、バイアホールラン
ド６１に挟まれた部位（狭幅部）５８ａの幅を狭くする
ことで、配線パターン５８とバイアホールランド６１と
の絶縁距離を保ち、高密度化する。このため、ビルドア
ップ層の層数を増やすことなく高密度化を実現できる。
ここで、バイアホールランド６１との絶縁距離が保ち得
る部位、即ち、バイアホールランド６１で挟まれていな
い部分（通常幅部）５８ａは配線パターンの幅を狭くし
ないため、製造工程において断線が生じる可能性が下が
り、歩留まりが高まる。
配線板を提供する。 【解決手段】 配線パターン５８を、バイアホールラン
ド６１に挟まれた部位（狭幅部）５８ａの幅を狭くする
ことで、配線パターン５８とバイアホールランド６１と
の絶縁距離を保ち、高密度化する。このため、ビルドア
ップ層の層数を増やすことなく高密度化を実現できる。
ここで、バイアホールランド６１との絶縁距離が保ち得
る部位、即ち、バイアホールランド６１で挟まれていな
い部分（通常幅部）５８ａは配線パターンの幅を狭くし
ないため、製造工程において断線が生じる可能性が下が
り、歩留まりが高まる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ランド、バイア
ホール等の導体部と配線パターンとが形成されたプリン
ト配線板に関し、特に、多層ビルドアップ配線板に好適
に用い得る配線パターンの形状に関するものである。
ホール等の導体部と配線パターンとが形成されたプリン
ト配線板に関し、特に、多層ビルドアップ配線板に好適
に用い得る配線パターンの形状に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多層ビルドアップ配線板は、コア基板の
上に層間樹脂絶縁層と配線層とを交互に積層することで
形成されている。現在、多層ビルドアップ配線板は、主
としてアディティブ法により製造されており、上述した
配線層は、電解、又は、無電解めっきにより層間樹脂絶
縁層上に形成されたレジストの開口部に形成される。そ
して、上下の配線層は、層間樹脂絶縁層を貫通するバイ
アホールにより電気的に接続されている。この配線層
は、バイアホールの受け皿として用いられるバイアホー
ルランド、配線パターン、電源などの高電位が印加され
コンデンサの電極の如き役割を果たすベタ部等からな
る。ここで、バイアホールランドの大きさ、配線パター
ンの幅、及び、これらの絶縁間隔は、レジストの解像
度、メッキの付き具合等により最小値が決定され、この
最小値よりも大きな値でバイアホールランド、配線パタ
ーンは製造されている。
上に層間樹脂絶縁層と配線層とを交互に積層することで
形成されている。現在、多層ビルドアップ配線板は、主
としてアディティブ法により製造されており、上述した
配線層は、電解、又は、無電解めっきにより層間樹脂絶
縁層上に形成されたレジストの開口部に形成される。そ
して、上下の配線層は、層間樹脂絶縁層を貫通するバイ
アホールにより電気的に接続されている。この配線層
は、バイアホールの受け皿として用いられるバイアホー
ルランド、配線パターン、電源などの高電位が印加され
コンデンサの電極の如き役割を果たすベタ部等からな
る。ここで、バイアホールランドの大きさ、配線パター
ンの幅、及び、これらの絶縁間隔は、レジストの解像
度、メッキの付き具合等により最小値が決定され、この
最小値よりも大きな値でバイアホールランド、配線パタ
ーンは製造されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】パッケージ用の多層ビ
ルドアップ配線板は、上面に実装されるＩＣチップなど
の電子部品と、下面に位置するマザーボード等のプリン
ト配線板とを電気的に接続するコネクタとしての役割を
果たす。ここで、該電子部品とプリント配線板との接続
部分の高密度化に対応するため、より狭い配線パターン
の線幅、絶縁間隔、ランド径が求められている。しかし
ながら、これらの値を、上述した最小値よりも小さくす
ると、僅かな工程条件のばらつきにより、所望の配線が
形成できず、配線の断線、配線同士の短絡等が発生する
確率が高まり、歩留まりが低下する。
ルドアップ配線板は、上面に実装されるＩＣチップなど
の電子部品と、下面に位置するマザーボード等のプリン
ト配線板とを電気的に接続するコネクタとしての役割を
果たす。ここで、該電子部品とプリント配線板との接続
部分の高密度化に対応するため、より狭い配線パターン
の線幅、絶縁間隔、ランド径が求められている。しかし
ながら、これらの値を、上述した最小値よりも小さくす
ると、僅かな工程条件のばらつきにより、所望の配線が
形成できず、配線の断線、配線同士の短絡等が発生する
確率が高まり、歩留まりが低下する。
【０００４】一方、配線パターンの線幅、絶縁間隔を小
さくせずに、上述した高密度化に対応するためには、多
層ビルドアップ配線板のビルドアップ層の層数を増やす
ことによっても可能である。しかし、ビルドアップ層数
を増やせば、製造工程が指数関数的に煩雑になるのに加
えて、信頼性と共に歩留まりが低下する。
さくせずに、上述した高密度化に対応するためには、多
層ビルドアップ配線板のビルドアップ層の層数を増やす
ことによっても可能である。しかし、ビルドアップ層数
を増やせば、製造工程が指数関数的に煩雑になるのに加
えて、信頼性と共に歩留まりが低下する。
【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、高い歩
留まりで製造できる高密度のプリント配線板を提供する
ことにある。
なされたものであり、その目的とするところは、高い歩
留まりで製造できる高密度のプリント配線板を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１は、上記目的を
達成するため、導体部と配線パターンとが配設されたプ
リント配線板であって、配線パターンを、隣接する導体
部との距離に応じて幅の狭い部分を設けたことを技術的
特徴とする。
達成するため、導体部と配線パターンとが配設されたプ
リント配線板であって、配線パターンを、隣接する導体
部との距離に応じて幅の狭い部分を設けたことを技術的
特徴とする。
【０００７】請求項２は、導体部と配線パターンとが配
設されたプリント配線板であって、前記配線パターン
を、前記導体部に挟まれた部位の幅を狭くしたことを技
術的特徴とする。
設されたプリント配線板であって、前記配線パターン
を、前記導体部に挟まれた部位の幅を狭くしたことを技
術的特徴とする。
【０００８】請求項３は、請求項２において、１本の前
記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、該配線パ
ターンの中心側に幅を狭くしたことを技術的特徴とす
る。
記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、該配線パ
ターンの中心側に幅を狭くしたことを技術的特徴とす
る。
【０００９】請求項４は、請求項２において、２本の前
記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、該配線パ
ターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしたこと
を技術的特徴とする。
記配線パターンが前記導体部に挟まれた際に、該配線パ
ターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を狭くしたこと
を技術的特徴とする。
【００１０】請求項５は、請求項２において、少なくと
も３本以上の前記配線パターンが前記導体部に挟まれた
際に、両側を除く中央の配線パターンの少なくとも一部
を中心側に幅を狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ
導体部との反対側に幅を狭くしたことを技術的特徴とす
る。
も３本以上の前記配線パターンが前記導体部に挟まれた
際に、両側を除く中央の配線パターンの少なくとも一部
を中心側に幅を狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ
導体部との反対側に幅を狭くしたことを技術的特徴とす
る。
【００１１】請求項６は、請求項２〜５において、導体
部の配線パターン側を切り欠くことを技術的特徴とす
る。
部の配線パターン側を切り欠くことを技術的特徴とす
る。
【００１２】請求項７は、請求項１〜６において、前記
プリント配線板は、多層ビルドアップ配線板であること
を技術的特徴とする。
プリント配線板は、多層ビルドアップ配線板であること
を技術的特徴とする。
【００１３】請求項８は、請求項１〜７において、前記
導体部は、バイアホールランド又は実装用パッドである
ことを技術的特徴とする。
導体部は、バイアホールランド又は実装用パッドである
ことを技術的特徴とする。
【００１４】請求項１のプリント配線板では、配線パタ
ーンに隣接する導体部との距離に応じて幅の狭い部分を
設けることで、配線パターンと導体部との絶縁距離を保
ち、高密度化が可能となる。ここで、導体部との絶縁距
離が保ち得る部位は配線パターンの幅を狭くしないた
め、断線が生じる可能性が低くなり、歩留まりが高ま
る。
ーンに隣接する導体部との距離に応じて幅の狭い部分を
設けることで、配線パターンと導体部との絶縁距離を保
ち、高密度化が可能となる。ここで、導体部との絶縁距
離が保ち得る部位は配線パターンの幅を狭くしないた
め、断線が生じる可能性が低くなり、歩留まりが高ま
る。
【００１５】請求項２のプリント配線板では、配線パタ
ーンを、導体部に挟まれた部位の幅を狭くすることで、
配線パターンと導体部との絶縁距離を保ち、高密度化が
可能となる。ここで、導体部との絶縁距離が保ち得る部
位、即ち、導体部で挟まれていない部分は配線パターン
の幅を狭くしないため、断線が生じる可能性が低くな
り、歩留まりが高まる。
ーンを、導体部に挟まれた部位の幅を狭くすることで、
配線パターンと導体部との絶縁距離を保ち、高密度化が
可能となる。ここで、導体部との絶縁距離が保ち得る部
位、即ち、導体部で挟まれていない部分は配線パターン
の幅を狭くしないため、断線が生じる可能性が低くな
り、歩留まりが高まる。
【００１６】請求項３のプリント配線板では、１本の配
線パターンが導体部に挟まれた際に、該配線パターンの
中心側に幅を狭くしてあるため、両導体部からの絶縁距
離を保っことができる。
線パターンが導体部に挟まれた際に、該配線パターンの
中心側に幅を狭くしてあるため、両導体部からの絶縁距
離を保っことができる。
【００１７】請求項４のプリント配線板では、２本の配
線パターンが導体部に挟まれた際に、該配線パターンを
それぞれ導体部との反対側に幅を狭くしてあるため、両
導体部からの絶縁距離を保っことができる。
線パターンが導体部に挟まれた際に、該配線パターンを
それぞれ導体部との反対側に幅を狭くしてあるため、両
導体部からの絶縁距離を保っことができる。
【００１８】請求項５のプリント配線板では、３本以上
の配線パターンが導体部に挟まれた際に、両側を除いた
中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を狭
くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対側
に幅を狭くしてあるため、両導体部からの絶縁距離及び
配線パターン相互の絶縁距離を保っことができる。
の配線パターンが導体部に挟まれた際に、両側を除いた
中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を狭
くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対側
に幅を狭くしてあるため、両導体部からの絶縁距離及び
配線パターン相互の絶縁距離を保っことができる。
【００１９】請求項６のプリント配線板では、導体部の
配線パターン側を切り欠いてあるため、配線パターンと
両導体部との絶縁距離を保っことができる。
配線パターン側を切り欠いてあるため、配線パターンと
両導体部との絶縁距離を保っことができる。
【００２０】請求項７のプリント配線板は、多層ビルド
アップ配線板の配線パターンのピッチを狭めることがで
きるため、ビルドアップ層の層数を増やすことなく高密
度化を実現できる。
アップ配線板の配線パターンのピッチを狭めることがで
きるため、ビルドアップ層の層数を増やすことなく高密
度化を実現できる。
【００２１】請求項８のプリント配線板は、バイアホー
ルランド又は実装用パッド間のピッチを狭めることがあ
できるため、ビルドアップ層の層数を増やすことなく高
密度化を実現できる。
ルランド又は実装用パッド間のピッチを狭めることがあ
できるため、ビルドアップ層の層数を増やすことなく高
密度化を実現できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の１実施形態に係る
多層ビルドアップ配線板について図を参照して説明す
る。図８は、本発明の実施形態に係る多層ビルドアップ
配線板の断面を示している。多層コア基板３０の表面及
び裏面にビルドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂが形成され
ている。該ビルトアップ層９０Ａ、９０Ｂは、バイアホ
ール６０、バイアホールランド６１及び配線パターン５
８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１
６０、ランド１６１及び配線パターン（図示せず）の形
成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。該バイアホ
ールランド６１には、上層のバイアホール１６０が接続
されている。
多層ビルドアップ配線板について図を参照して説明す
る。図８は、本発明の実施形態に係る多層ビルドアップ
配線板の断面を示している。多層コア基板３０の表面及
び裏面にビルドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂが形成され
ている。該ビルトアップ層９０Ａ、９０Ｂは、バイアホ
ール６０、バイアホールランド６１及び配線パターン５
８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１
６０、ランド１６１及び配線パターン（図示せず）の形
成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。該バイアホ
ールランド６１には、上層のバイアホール１６０が接続
されている。
【００２３】表面（上面）側には、ＩＣチップのバンプ
（図示せず）へ接続するための半田バンプ７６Ｕが形成
され、裏面（下面）側には、マザーボードのバンプ（図
示せず）へ接続するための半田バンプ７６Ｄが形成され
ている。多層ビルドアップ配線板内では、ＩＣチップへ
接続する半田バンプ７６Ｕからの配線パターンが、基板
の外周方向へ向けて配線され、マザーボード側へ接続す
る半田バンプ７６Ｄへ接続されている。表側のビルトア
ップ層９０Ａと裏側のビルトアップ層９０Ｂとは、コア
基板３０に形成されたスルーホール３６を介して接続さ
れている。
（図示せず）へ接続するための半田バンプ７６Ｕが形成
され、裏面（下面）側には、マザーボードのバンプ（図
示せず）へ接続するための半田バンプ７６Ｄが形成され
ている。多層ビルドアップ配線板内では、ＩＣチップへ
接続する半田バンプ７６Ｕからの配線パターンが、基板
の外周方向へ向けて配線され、マザーボード側へ接続す
る半田バンプ７６Ｄへ接続されている。表側のビルトア
ップ層９０Ａと裏側のビルトアップ層９０Ｂとは、コア
基板３０に形成されたスルーホール３６を介して接続さ
れている。
【００２４】図８中の多層ビルドアップ配線板のＡ−Ａ
断面を、図９（Ａ）に示す。図９（Ａ）中のＸ−Ｘ線
が、図８の切断端に相当する。本実施形態の多層ビルド
アップ配線板では、バイアホールランド６１及びバイア
ホール６０は、直径１４０〜２００μｍに形成されてい
る。一方、配線パターン５８は、隣接する導体部（バイ
アホール、バイアホールランド）との距離に応じて幅３
０μｍの狭い部分（以下と狭幅部称する）５８ｂと、幅
４０〜５０μｍの通常の線幅部分（以下、通常幅部と称
する）５８ａが形成されている。
断面を、図９（Ａ）に示す。図９（Ａ）中のＸ−Ｘ線
が、図８の切断端に相当する。本実施形態の多層ビルド
アップ配線板では、バイアホールランド６１及びバイア
ホール６０は、直径１４０〜２００μｍに形成されてい
る。一方、配線パターン５８は、隣接する導体部（バイ
アホール、バイアホールランド）との距離に応じて幅３
０μｍの狭い部分（以下と狭幅部称する）５８ｂと、幅
４０〜５０μｍの通常の線幅部分（以下、通常幅部と称
する）５８ａが形成されている。
【００２５】即ち、バイアホールランド６１，６１に挟
まれた２本の配線パターン５８が、当該バイアホールラ
ンド６１，６１に挟まれている部分を狭幅部５８ｂと
し、当該２本の配線パターン５８のバイアホールランド
との絶縁間隔（ここでは、４０μｍ）が保ち得る部位
は、通常幅部５８ａとして４０〜５０μｍに形成してあ
る。ここで、該２本のバイアホールランド６１は、それ
ぞれバイアホールランド６１との反対側に幅を狭くし
て、両バイアホールランド６１からの絶縁距離を保たせ
てある。他方、バイアホール６０とバイアホールランド
６１との間に配設されている配線パターン５８は、最も
近接する部分でもバイアホール６０及びバイアホールラ
ンド６１との絶縁間隔（４０μｍ）を保ち得るため、全
て通常幅部５８ａとして形成されている。
まれた２本の配線パターン５８が、当該バイアホールラ
ンド６１，６１に挟まれている部分を狭幅部５８ｂと
し、当該２本の配線パターン５８のバイアホールランド
との絶縁間隔（ここでは、４０μｍ）が保ち得る部位
は、通常幅部５８ａとして４０〜５０μｍに形成してあ
る。ここで、該２本のバイアホールランド６１は、それ
ぞれバイアホールランド６１との反対側に幅を狭くし
て、両バイアホールランド６１からの絶縁距離を保たせ
てある。他方、バイアホール６０とバイアホールランド
６１との間に配設されている配線パターン５８は、最も
近接する部分でもバイアホール６０及びバイアホールラ
ンド６１との絶縁間隔（４０μｍ）を保ち得るため、全
て通常幅部５８ａとして形成されている。
【００２６】本実施形態の多層ビルドアップ配線板にお
いては、配線パターン５８を、導体部（バイアホールラ
ンド６１）に挟まれた部位（狭幅部）５８ａの幅を狭く
することで、配線パターン５８と導体部との絶縁距離を
保ち高密度化する。このため、ビルドアップ層の層数を
増やすことなく高密度化を実現できる。ここで、導体部
との絶縁距離が保ち得る部位、即ち、バイアホールラン
ド６１で挟まれていない部分（通常幅部）５８ａは幅を
狭くしないため、後述する製造工程において断線が生じ
る可能性が下がり、歩留まりの低下を防止できる。
いては、配線パターン５８を、導体部（バイアホールラ
ンド６１）に挟まれた部位（狭幅部）５８ａの幅を狭く
することで、配線パターン５８と導体部との絶縁距離を
保ち高密度化する。このため、ビルドアップ層の層数を
増やすことなく高密度化を実現できる。ここで、導体部
との絶縁距離が保ち得る部位、即ち、バイアホールラン
ド６１で挟まれていない部分（通常幅部）５８ａは幅を
狭くしないため、後述する製造工程において断線が生じ
る可能性が下がり、歩留まりの低下を防止できる。
【００２７】更に、図９（Ｂ）、図１０（Ｃ）、図１０
（Ｄ）、図１１を参照して、本実施形態の配線パターン
５８の形状について説明を続ける。図９（Ｂ）中では、
導体部（バイアホールランド又は実装用パッド（以下パ
ッドをいう）６１）に挟まれた１本の配線パターン５８
が、配線パターンの中心側に幅を狭くした狭幅部５８ｂ
が設けられている。即ち、配線パターン５８の中心側に
幅を狭くすることで、両導体部（バイアホールランド又
はパッド６１）からの絶縁距離を保ってある。
（Ｄ）、図１１を参照して、本実施形態の配線パターン
５８の形状について説明を続ける。図９（Ｂ）中では、
導体部（バイアホールランド又は実装用パッド（以下パ
ッドをいう）６１）に挟まれた１本の配線パターン５８
が、配線パターンの中心側に幅を狭くした狭幅部５８ｂ
が設けられている。即ち、配線パターン５８の中心側に
幅を狭くすることで、両導体部（バイアホールランド又
はパッド６１）からの絶縁距離を保ってある。
【００２８】図１０（Ｃ）では、導体部（バイアホール
ランド又はパッド）６１に３本の配線パターンがに挟ま
れた際に、中央の配線パターン５８を中心側に幅を狭く
し、両側の配線パターン５８をそれぞれ導体部（バイア
ホールランド又はパッド）６１との反対側に幅を狭く形
成してある。即ち、中央の配線パターンを中心側に幅を
狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対
側に幅を狭くすることで、両導体部からの絶縁距離及び
配線パターン相互の絶縁距離を保ってある。
ランド又はパッド）６１に３本の配線パターンがに挟ま
れた際に、中央の配線パターン５８を中心側に幅を狭く
し、両側の配線パターン５８をそれぞれ導体部（バイア
ホールランド又はパッド）６１との反対側に幅を狭く形
成してある。即ち、中央の配線パターンを中心側に幅を
狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対
側に幅を狭くすることで、両導体部からの絶縁距離及び
配線パターン相互の絶縁距離を保ってある。
【００２９】図１０（Ｄ）では、図１０（Ｃ）と同様に
３本の配線パターン５８に狭幅部５８ａを設けると共
に、導体部（バイアホールランド又はパッド６１）の配
線パターン側を切り欠いてある。即ち、バイアホールラ
ンド又はパッド６１の配線パターン側を切り欠くこと
で、配線パターンとバイアホールランド又はパッド６１
との絶縁距離を保ってある。この図１０（Ｄ）に示す例
では、図１０（Ｃ）に示すように配線パターンの幅を狭
くするだけでは、４０μｍの絶縁間隔を保ち得ない場合
のみに用いる。即ち、バイアホールランド又はパッド６
１の径は、図８中に示す上層バイアホール１６０の下端
面の直径が１４０μｍである際には、該直径よりも５０
μｍ大きな１９０μｍに形成される。これは、バイアホ
ールランド又はパッド６１に対して、上層バイアホール
１６０の位置誤差が±２５μｍ程度あるので、最も偏位
したとしても該バイアホール１６０がバイアホールラン
ド又はパッド６１上に形成し得るようにするためであ
る。このため、図１０（Ｄ）に示す例の様に、バイアホ
ールランド又はパッド６１の一部を切り欠くと、上層バ
イアホール１６０との接続が適切に行えなくなることも
あり、歩留まりが低下するからである。
３本の配線パターン５８に狭幅部５８ａを設けると共
に、導体部（バイアホールランド又はパッド６１）の配
線パターン側を切り欠いてある。即ち、バイアホールラ
ンド又はパッド６１の配線パターン側を切り欠くこと
で、配線パターンとバイアホールランド又はパッド６１
との絶縁距離を保ってある。この図１０（Ｄ）に示す例
では、図１０（Ｃ）に示すように配線パターンの幅を狭
くするだけでは、４０μｍの絶縁間隔を保ち得ない場合
のみに用いる。即ち、バイアホールランド又はパッド６
１の径は、図８中に示す上層バイアホール１６０の下端
面の直径が１４０μｍである際には、該直径よりも５０
μｍ大きな１９０μｍに形成される。これは、バイアホ
ールランド又はパッド６１に対して、上層バイアホール
１６０の位置誤差が±２５μｍ程度あるので、最も偏位
したとしても該バイアホール１６０がバイアホールラン
ド又はパッド６１上に形成し得るようにするためであ
る。このため、図１０（Ｄ）に示す例の様に、バイアホ
ールランド又はパッド６１の一部を切り欠くと、上層バ
イアホール１６０との接続が適切に行えなくなることも
あり、歩留まりが低下するからである。
【００３０】また、図１１に示すように４本以上の配線
パターン５８が導体部６１に挟まれた際に、両側を除い
た中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を
狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対
側に幅を狭くし、両導体部６１からの絶縁距離及び配線
パターン５８相互の絶縁距離を保っことができる。
パターン５８が導体部６１に挟まれた際に、両側を除い
た中央の配線パターンの少なくとも一部を中心側に幅を
狭くし、両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対
側に幅を狭くし、両導体部６１からの絶縁距離及び配線
パターン５８相互の絶縁距離を保っことができる。
【００３１】引き続き、図８を参照して上述した多層ビ
ルドアップ配線板の製造方法について図を参照して説明
する。ここでは、該多層ビルドアップ配線板の製造方法
に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁
剤、Ｃ．樹脂充填剤の組成について先ず説明する。
ルドアップ配線板の製造方法について図を参照して説明
する。ここでは、該多層ビルドアップ配線板の製造方法
に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁
剤、Ｃ．樹脂充填剤の組成について先ず説明する。
【００３２】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得る。
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得る。
【００３３】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得る。
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得る。
【００３４】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得る。
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得る。
【００３５】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得る。
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得る。
【００３６】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得る。
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得る。
【００３７】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得る。
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得る。
【００３８】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールＡ型エポキシモノマー
（油化シェル製、エピコート８２８） 100重量部、平均
粒径 1.5μｍのAl2 Ｏ3 球状粒子 150重量部、Ｎ−メチ
ルピロリドン（ＮＭＰ）30重量部、レベリング剤（サン
ノプコ製、ペレノールＳ４）1.5重量部を攪拌混合し、
その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調
整する。
（油化シェル製、エピコート８２８） 100重量部、平均
粒径 1.5μｍのAl2 Ｏ3 球状粒子 150重量部、Ｎ−メチ
ルピロリドン（ＮＭＰ）30重量部、レベリング剤（サン
ノプコ製、ペレノールＳ４）1.5重量部を攪拌混合し、
その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調
整する。
【００３９】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００４０】引き続き、プリント配線板の製造について
図１乃至図８を参照して説明する。 （１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキ
シ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂か
らなる基板３０の両面に1２μｍの銅箔３２がラミネー
トされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする。ま
ず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、通孔内に無
電解めっき３３を析出させてスルーホール３６を形成す
る（図１（Ｂ））。そして、銅箔３２をパターン状にエ
ッチングすることにより、図１（Ｃ）に示すようコア基
板３０に導体層３４を形成する。
図１乃至図８を参照して説明する。 （１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキ
シ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂か
らなる基板３０の両面に1２μｍの銅箔３２がラミネー
トされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする。ま
ず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、通孔内に無
電解めっき３３を析出させてスルーホール３６を形成す
る（図１（Ｂ））。そして、銅箔３２をパターン状にエ
ッチングすることにより、図１（Ｃ）に示すようコア基
板３０に導体層３４を形成する。
【００４１】（２）この基板３０を水洗いし、乾燥した
後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaCl
Ｏ2 （40ｇ／ｌ），Na3 Ｏ4 ( ６ｇ／ｌ）、還元浴とし
て、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH4 （６ｇ／ｌ）を用いた酸
化−還元処理により、図１（Ｄ）に示すように導体層３
４及びスルーホール３６の表面に粗化層３８を設ける。 （３）上述したＣの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混
合混練して樹脂充填剤を得る。
後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaCl
Ｏ2 （40ｇ／ｌ），Na3 Ｏ4 ( ６ｇ／ｌ）、還元浴とし
て、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH4 （６ｇ／ｌ）を用いた酸
化−還元処理により、図１（Ｄ）に示すように導体層３
４及びスルーホール３６の表面に粗化層３８を設ける。 （３）上述したＣの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混
合混練して樹脂充填剤を得る。
【００４２】（４）このコア基板３０のスルーホール３
６に熱硬化性樹脂からなる充填剤４０を充填する。これ
と同時に、コア基板３０の表面へ充填剤４０を塗布する
（図２（Ｅ）参照）。
６に熱硬化性樹脂からなる充填剤４０を充填する。これ
と同時に、コア基板３０の表面へ充填剤４０を塗布する
（図２（Ｅ）参照）。
【００４３】（５）充填剤を熱硬化させ、＃400 のベル
ト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨
により、スルーホールランド３６ａ及び導体層３４の表
面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記
ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨
をＳｉＣ砥粒にて行う。このような一連の研磨を基板の
他方の面についても同様に行う（図２（Ｆ）参照）。次
いで、100 ℃で１時間、 150℃で１時間の加熱処理を行
って樹脂充填剤４０を硬化させる。このようにして、ス
ルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部
およびスルーホールランド３６ａなどの上面の粗化層を
除去して、基板３０の両面を平滑化する。
ト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨
により、スルーホールランド３６ａ及び導体層３４の表
面に樹脂充填剤が残らないように研磨し、次いで、前記
ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨
をＳｉＣ砥粒にて行う。このような一連の研磨を基板の
他方の面についても同様に行う（図２（Ｆ）参照）。次
いで、100 ℃で１時間、 150℃で１時間の加熱処理を行
って樹脂充填剤４０を硬化させる。このようにして、ス
ルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部
およびスルーホールランド３６ａなどの上面の粗化層を
除去して、基板３０の両面を平滑化する。
【００４４】（６）前記（５）の処理で露出したスルー
ホールランド３６ａ、導体層３４上面に図２（Ｇ）に示
すように、厚さ 2.5μｍのCu−Ni−Ｐ合金からなる粗化
層（凹凸層）４２を形成し、さらに、粗化層４２の表面
に厚さ 0.3μｍのSn層（図示せず）を設ける。その形成
方法は以下のようである。基板３０を酸性脱脂してソフ
トエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸から
なる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を
活性化した後、硫酸銅8ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／
ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／
ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９
からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、導体層３４
上面およびスルーホールのランド３６ａ上面にCu−Ni−
Ｐ合金の粗化層４２を形成する。ついで、ホウフッ化ス
ズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50℃、ｐＨ＝
1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層４２の表面に
厚さ0.3 μｍのSn層を設ける。
ホールランド３６ａ、導体層３４上面に図２（Ｇ）に示
すように、厚さ 2.5μｍのCu−Ni−Ｐ合金からなる粗化
層（凹凸層）４２を形成し、さらに、粗化層４２の表面
に厚さ 0.3μｍのSn層（図示せず）を設ける。その形成
方法は以下のようである。基板３０を酸性脱脂してソフ
トエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸から
なる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を
活性化した後、硫酸銅8ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／
ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／
ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９
からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、導体層３４
上面およびスルーホールのランド３６ａ上面にCu−Ni−
Ｐ合金の粗化層４２を形成する。ついで、ホウフッ化ス
ズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50℃、ｐＨ＝
1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層４２の表面に
厚さ0.3 μｍのSn層を設ける。
【００４５】（７）上述した組成物Ｂの層間樹脂絶縁剤
調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調
整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得る。次いで、上述
した組成物Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき
用接着剤溶液（上層用）を得る。
調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調
整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得る。次いで、上述
した組成物Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき
用接着剤溶液（上層用）を得る。
【００４６】（８）前記（６）の基板３０（図２
（Ｇ））の両面に、図２（Ｈ）に示すように前記（７）
で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）
４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平
状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベ
ーク）を行う。次いで、前記（７）で得られた粘度７Pa
・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時
間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃
で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着
剤層５０を形成する。
（Ｇ））の両面に、図２（Ｈ）に示すように前記（７）
で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）
４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平
状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベ
ーク）を行う。次いで、前記（７）で得られた粘度７Pa
・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時
間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃
で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着
剤層５０を形成する。
【００４７】（９）前記（８）で接着剤層５０を形成し
た基板３０の両面に、85μｍφの黒円が印刷されたフォ
トマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀
灯により 500mJ／cm2 で露光する。これをＤＭＴＧ溶液
でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯に
より3000mJ／cm2 で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で
１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベー
ク）をすることにより、図３（Ｉ）に示すようにフォト
マスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの
開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μ
ｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成する。な
お、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層を
部分的に露出させる。
た基板３０の両面に、85μｍφの黒円が印刷されたフォ
トマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀
灯により 500mJ／cm2 で露光する。これをＤＭＴＧ溶液
でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯に
より3000mJ／cm2 で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で
１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベー
ク）をすることにより、図３（Ｉ）に示すようにフォト
マスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの
開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μ
ｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成する。な
お、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層を
部分的に露出させる。
【００４８】（１０）開口４８が形成された基板３０
を、クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の
表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することに
より、図３（Ｊ）に示すように当該層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗化面５１とし、その後、中和溶液（シプレイ
社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理
（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウ
ム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹
脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内
壁面に触媒核を付ける。
を、クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の
表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することに
より、図３（Ｊ）に示すように当該層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗化面５１とし、その後、中和溶液（シプレイ
社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理
（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウ
ム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹
脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内
壁面に触媒核を付ける。
【００４９】（１１）以下に示す組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板を浸漬して、図３（Ｋ）に示すように粗
面全体に厚さ0.6 μｍの無電解銅めっき膜５２を形成す
る。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
水溶液中に基板を浸漬して、図３（Ｋ）に示すように粗
面全体に厚さ0.6 μｍの無電解銅めっき膜５２を形成す
る。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
【００５０】（１２）図３（Ｌ）に示すようにコア基板
３０の無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフ
ィルム５４αを張り付け、配線パターン形成用のパター
ン５３ｂ及びバイアホール・ランド形成用の黒円パター
ン５３ａの描かれたマスク５３を載置して、100 mJ／cm
2 で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、図４
（Ｍ）に示すように厚さ15μｍのめっきレジスト５４を
設ける。
３０の無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフ
ィルム５４αを張り付け、配線パターン形成用のパター
ン５３ｂ及びバイアホール・ランド形成用の黒円パター
ン５３ａの描かれたマスク５３を載置して、100 mJ／cm
2 で露光、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、図４
（Ｍ）に示すように厚さ15μｍのめっきレジスト５４を
設ける。
【００５１】（１３）ついで、レジスト非形成部分（開
口部５４ａ、５４ｂ）に以下の条件で電解銅めっきを施
し、図４（Ｎ）に示すように厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成する。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm2 時間 30分 温度 室温
口部５４ａ、５４ｂ）に以下の条件で電解銅めっきを施
し、図４（Ｎ）に示すように厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成する。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm2 時間 30分 温度 室温
【００５２】（１４）図４（Ｏ）に示すようにめっきレ
ジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、めっきレジ
スト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の
混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっ
き膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ18μｍの配
線パターン５８、バイアホール６０及びバイアホール６
１を形成する。
ジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、めっきレジ
スト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の
混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっ
き膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ18μｍの配
線パターン５８、バイアホール６０及びバイアホール６
１を形成する。
【００５３】上述したコア基板３０を７０℃で８００ｇ
／ｌのクロム酸に３分間浸漬して、配線パターン５８、
バイアホール６０、バイアホール６１の形成されていな
い無電解めっき用接着剤層５０の表面を１μｍエッチン
グ処理し、表面のパラジウム触媒を除去する。
／ｌのクロム酸に３分間浸漬して、配線パターン５８、
バイアホール６０、バイアホール６１の形成されていな
い無電解めっき用接着剤層５０の表面を１μｍエッチン
グ処理し、表面のパラジウム触媒を除去する。
【００５４】この様に配線パターン５８を形成する際
に、図９（Ａ）〜図１０（Ｄ）、図１１を参照して上述
したように、本実施形態の多層ビルドアップ配線板にお
いては、配線パターン５８を、バイアホールランド６１
等の導体部に挟まれた部位（狭幅部）５８ａのみの幅を
狭くしてある。即ち、バイアホールランド６１で挟まれ
ていない部分（通常幅部）５８ａは幅を狭くしないた
め、上述した工程において断線が生じる可能性が低くな
り、歩留まりが高まる。
に、図９（Ａ）〜図１０（Ｄ）、図１１を参照して上述
したように、本実施形態の多層ビルドアップ配線板にお
いては、配線パターン５８を、バイアホールランド６１
等の導体部に挟まれた部位（狭幅部）５８ａのみの幅を
狭くしてある。即ち、バイアホールランド６１で挟まれ
ていない部分（通常幅部）５８ａは幅を狭くしないた
め、上述した工程において断線が生じる可能性が低くな
り、歩留まりが高まる。
【００５５】（１５）配線パターン５８を形成した基板
３０を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、
クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／
ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからな
るｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、図５（Ｐ）に示
すように該配線パターン５８、バイアホールランド６１
及びバイアホール６０の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケ
ル−リンからなる粗化層６２を形成する。ついで、ホウ
フッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／
ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換
反応させ、粗化層６２の表面に０．３μｍの厚さのＳｎ
層を設ける。（Ｓｎ層については図示しない）。
３０を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、
クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／
ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからな
るｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、図５（Ｐ）に示
すように該配線パターン５８、バイアホールランド６１
及びバイアホール６０の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケ
ル−リンからなる粗化層６２を形成する。ついで、ホウ
フッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／
ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換
反応させ、粗化層６２の表面に０．３μｍの厚さのＳｎ
層を設ける。（Ｓｎ層については図示しない）。
【００５６】（１６）（２）〜（１４）の工程を繰り返
すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層及び導体層
を形成する。即ち、基板３０の両面に、層間樹脂絶縁剤
（下層用）をロールコ一夕で塗布し、絶縁材層１４４を
形成する（図５（Ｑ））。更に、この絶縁剤層１４４の
上に無電解めっき用接着剤（上層用）をロールコ一タを
用いて塗布し、接着剤層１４６を形成する。
すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層及び導体層
を形成する。即ち、基板３０の両面に、層間樹脂絶縁剤
（下層用）をロールコ一夕で塗布し、絶縁材層１４４を
形成する（図５（Ｑ））。更に、この絶縁剤層１４４の
上に無電解めっき用接着剤（上層用）をロールコ一タを
用いて塗布し、接着剤層１４６を形成する。
【００５７】絶縁剤層１４４および接着剤層１４６を形
成した基板３０の両面に、フォトマスクフィルムを密着
させ、露光・現像し、開口（バイアホール形成用開口）
１４８を有する層間樹脂絶縁層１５０を形成した後、該
層間樹脂絶縁層１５０の表面を粗面とする（図５（Ｒ）
参照）。その後、該粗面化処理した該基板３０の表面
に、無電解銅めっき膜１５２を形成する（図６（Ｓ）参
照）。引き続き、無電解銅めっき膜１５２上にめっきレ
ジスト１５４を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅
めっき膜１５６を形成する（図６（Ｔ）参照）。そし
て、めっきレジスト１５４をＫＯＨで剥離除去した後、
めっきレジスト１５４下の無電解めっき膜１５２を溶解
除去し配線パターン（図示せず）、ランド１６１及びバ
イアホール１６０を形成する。さらに、該配線パター
ン、ランド１６１及びバイアホール１６０の表面に粗化
層１６２を形成し、多層ビルドアップ配線板を完成する
（図６（Ｕ）参照）。なお、この上層の導体層を形成す
る工程においては、Ｓｎ置換は行わない。
成した基板３０の両面に、フォトマスクフィルムを密着
させ、露光・現像し、開口（バイアホール形成用開口）
１４８を有する層間樹脂絶縁層１５０を形成した後、該
層間樹脂絶縁層１５０の表面を粗面とする（図５（Ｒ）
参照）。その後、該粗面化処理した該基板３０の表面
に、無電解銅めっき膜１５２を形成する（図６（Ｓ）参
照）。引き続き、無電解銅めっき膜１５２上にめっきレ
ジスト１５４を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅
めっき膜１５６を形成する（図６（Ｔ）参照）。そし
て、めっきレジスト１５４をＫＯＨで剥離除去した後、
めっきレジスト１５４下の無電解めっき膜１５２を溶解
除去し配線パターン（図示せず）、ランド１６１及びバ
イアホール１６０を形成する。さらに、該配線パター
ン、ランド１６１及びバイアホール１６０の表面に粗化
層１６２を形成し、多層ビルドアップ配線板を完成する
（図６（Ｕ）参照）。なお、この上層の導体層を形成す
る工程においては、Ｓｎ置換は行わない。
【００５８】（１７）そして、上述した多層ビルドアッ
プ配線板にはんだバンプを形成する。先ず、基板３０に
ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７
０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った
後、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ
現像処理する。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１
時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加
熱処理し、図７（Ｖ）に示すようにパッド部分に対応す
る開口部７１を設けた（開口径２００μｍ）ソルダーレ
ジスト層（厚み２０μｍ）７０を形成する。
プ配線板にはんだバンプを形成する。先ず、基板３０に
ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７
０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った
後、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ
現像処理する。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１
時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加
熱処理し、図７（Ｖ）に示すようにパッド部分に対応す
る開口部７１を設けた（開口径２００μｍ）ソルダーレ
ジスト層（厚み２０μｍ）７０を形成する。
【００５９】（１８）引き続き、ソルダーレジスト層を
補強用の樹脂組成物をソルダーレジストの開口群の周囲
に塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、さらに８０
℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１
５０℃で３時間の条件で加熱処理し、図７（Ｗ）に示す
ように厚さ４０μｍの補強層７８を形成する。
補強用の樹脂組成物をソルダーレジストの開口群の周囲
に塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、さらに８０
℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１
５０℃で３時間の条件で加熱処理し、図７（Ｗ）に示す
ように厚さ４０μｍの補強層７８を形成する。
【００６０】（１９）次に、ソルダーレジスト層７０及
び補強層７８を形成した基板３０を、塩化ニッケル３０
ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナ
トリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケル
めっき液に２０分間浸漬して、図８に示すように開口部
７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。
さらに、その基板３０を、シアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、
ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７
４を形成する。
び補強層７８を形成した基板３０を、塩化ニッケル３０
ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナ
トリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケル
めっき液に２０分間浸漬して、図８に示すように開口部
７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。
さらに、その基板３０を、シアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、
ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７
４を形成する。
【００６１】（２０）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることによりはんだバンプ７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、はんだパンプを有するプリント配線板を製造
する。
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることによりはんだバンプ７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、はんだパンプを有するプリント配線板を製造
する。
【００６２】なお、上述した実施形態では、本発明の構
成を多層ビルドアップ配線板に適用する例を挙げたが、
本発明の構成は、多層ではないプリント配線板に適用し
得ることは言うまでもない。更に、上述した実施形態で
は、多層ビルドアップ配線板としてレジストを除去する
セミアディテブを例示したが、本実施形態の製造方法を
フルアディテブにも適用可能である。
成を多層ビルドアップ配線板に適用する例を挙げたが、
本発明の構成は、多層ではないプリント配線板に適用し
得ることは言うまでもない。更に、上述した実施形態で
は、多層ビルドアップ配線板としてレジストを除去する
セミアディテブを例示したが、本実施形態の製造方法を
フルアディテブにも適用可能である。
【００６３】更に、上述した例では、配線パターンを無
電解めっきにて形成する例を挙げたが、配線パターンを
銅箔エッチングにより形成する際にも、上述した実施形
態の配線パターンの形状を応用できる。更に、上述した
実施形態では、バイアホールランド又はパッド６１に挟
まれた配線パターンの一部を細くする例を挙げたが、バ
イアホール、ベタ層に挟まれた、或いは、近接する配線
パターンの一部を同様に細くするこのも勿論可能であ
る。
電解めっきにて形成する例を挙げたが、配線パターンを
銅箔エッチングにより形成する際にも、上述した実施形
態の配線パターンの形状を応用できる。更に、上述した
実施形態では、バイアホールランド又はパッド６１に挟
まれた配線パターンの一部を細くする例を挙げたが、バ
イアホール、ベタ層に挟まれた、或いは、近接する配線
パターンの一部を同様に細くするこのも勿論可能であ
る。
【００６４】
【発明の効果】以上のように、本発明の多層ビルドアッ
プ配線板においては、配線パターンを、導体部に挟まれ
た部位（狭幅部）の幅を狭くすることで、配線パターン
と導体部との絶縁距離を保ち高密度化する。このため、
ビルドアップ層の層数を増やすことなく高密度化を実現
できる。ここで、導体部との絶縁距離が保ち得る部位、
即ち、導体部で挟まれていない部分（通常幅部）は配線
パターンの幅を狭くしないため、製造工程において断線
が生じる可能性が下がり、歩留まりが高まる。
プ配線板においては、配線パターンを、導体部に挟まれ
た部位（狭幅部）の幅を狭くすることで、配線パターン
と導体部との絶縁距離を保ち高密度化する。このため、
ビルドアップ層の層数を増やすことなく高密度化を実現
できる。ここで、導体部との絶縁距離が保ち得る部位、
即ち、導体部で挟まれていない部分（通常幅部）は配線
パターンの幅を狭くしないため、製造工程において断線
が生じる可能性が下がり、歩留まりが高まる。
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明の１実施例に係る多層ビルドアップ配
線板の製造方法の工程図である。
（Ｄ）は、本発明の１実施例に係る多層ビルドアップ配
線板の製造方法の工程図である。
【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２
（Ｈ）は、本発明の１実施例に係る多層ビルドアップ配
線板の製造方法の工程図である。
（Ｈ）は、本発明の１実施例に係る多層ビルドアップ配
線板の製造方法の工程図である。
【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３
（Ｌ）は、本発明の１実施例に係る多層ビルドアップ配
線板の製造方法の工程図である。
（Ｌ）は、本発明の１実施例に係る多層ビルドアップ配
線板の製造方法の工程図である。
【図４】図４（Ｍ）、図４（Ｎ）、図４（Ｏ）は、本発
明の１実施例に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法
の工程図である。
明の１実施例に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法
の工程図である。
【図５】図５（Ｐ）、図５（Ｑ）、図５（Ｒ）は、本発
明の１実施例に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法
の工程図である。
明の１実施例に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法
の工程図である。
【図６】図６（Ｓ）、図６（Ｔ）、図６（Ｕ）は、本発
明の１実施例に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法
の工程図である。
明の１実施例に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法
の工程図である。
【図７】図７（Ｖ）、図７（Ｗ）は、本発明の１実施例
に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法の工程図であ
る。
に係る多層ビルドアップ配線板の製造方法の工程図であ
る。
【図８】本発明の１実施例に係る多層ビルドアップ配線
板の断面を示す図である。
板の断面を示す図である。
【図９】図９（Ａ）は、図８に示す多層ビルドアップ配
線板のＡ−Ａ横断面図であり、図９（Ｂ）は、配線パタ
ーンの例を示す平面図である。
線板のＡ−Ａ横断面図であり、図９（Ｂ）は、配線パタ
ーンの例を示す平面図である。
【図１０】図１０（Ｃ）及び図１０（Ｄ）は、配線パタ
ーンの例を示す平面図である。
ーンの例を示す平面図である。
【図１１】配線パターンの例を示す平面図である。
３０ コア基板 ３６ スルーホール ５０ 層間樹脂絶縁層 ５８ 配線パターン ５８ａ 通常幅部 ５８ｂ 狭幅部 ６０ バイアホール（導体部） ６１ バイアホールランド（導体部） １５０ 層間樹脂絶縁層 １６０ バイアホール
Claims (8)
- 【請求項１】 導体部と配線パターンとが配設されたプ
リント配線板であって、 配線パターンを、隣接する導体部との距離に応じて幅の
狭い部分を設けたことを特徴とするプリント配線板。 - 【請求項２】 導体部と配線パターンとが配設されたプ
リント配線板であって、 前記配線パターンを、前記導体部に挟まれた部位の幅を
狭くしたことを特徴とするプリント配線板。 - 【請求項３】 １本の前記配線パターンが前記導体部に
挟まれた際に、該配線パターンの中心側に幅を狭くした
ことを特徴とする請求項２のプリント配線板。 - 【請求項４】 ２本の前記配線パターンが前記導体部に
挟まれた際に、該配線パターンをそれぞれ導体部との反
対側に幅を狭くしたことを特徴とする請求項２のプリン
ト配線板。 - 【請求項５】 少なくとも３本以上の前記配線パターン
が前記導体部に挟まれた際に、 両側を除く中央の配線パターンの少なくとも一部を中心
側に幅を狭くし、 両側の配線パターンをそれぞれ導体部との反対側に幅を
狭くしたことを特徴とする請求項２のプリント配線板。 - 【請求項６】 導体部の配線パターン側を切り欠くこと
を特徴とする請求項２〜５のいずれか１に記載のプリン
ト配線板。 - 【請求項７】 前記プリント配線板は、多層ビルドアッ
プ配線板であることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
か１に記載のプリント配線板。 - 【請求項８】 前記導体部は、バイアホールランド又は
実装用パッドであることを特徴とする請求項１〜７のい
ずれか１に記載のプリント配線板。
Priority Applications (16)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10140694A JPH11340590A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | プリント配線板 |
| KR1020007013000A KR100791281B1 (ko) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | 프린트배선판 및 프린트배선판의 제조방법 |
| CNB998063916A CN1245061C (zh) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | 印刷布线板和印刷布线板的制造方法 |
| DE69934981T DE69934981T2 (de) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | Gedruckte leiterplatte und verfahren zur herstellung |
| EP20060004650 EP1670300A3 (en) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | Printed wiring board and manufacturing method of printed wiring board |
| KR1020077013879A KR20070073984A (ko) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | 프린트배선판 및 프린트배선판의 제조방법 |
| PCT/JP1999/002512 WO1999060831A1 (en) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | Printed circuit board and method of production thereof |
| EP99919584A EP1083779B1 (en) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | Printed circuit board and method of production thereof |
| CN 200510137014 CN1791302B (zh) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | 印刷布线板 |
| US09/700,592 US6407345B1 (en) | 1998-05-19 | 1999-05-13 | Printed circuit board and method of production thereof |
| TW95102580A TWI287414B (en) | 1998-05-19 | 1999-05-18 | Printed wiring board and manufacturing method of printed wiring board |
| TW92122343A TW200400782A (en) | 1998-05-19 | 1999-05-18 | Printed circuit board and manufacturing method of printed circuit board |
| US10/108,628 US7332816B2 (en) | 1998-05-19 | 2002-03-29 | Method of fabricating crossing wiring pattern on a printed circuit board |
| US11/078,342 US7525190B2 (en) | 1998-05-19 | 2005-03-14 | Printed wiring board with wiring pattern having narrow width portion |
| US12/389,456 US8018046B2 (en) | 1998-05-19 | 2009-02-20 | Printed wiring board with notched conductive traces |
| US13/206,084 US8629550B2 (en) | 1998-05-19 | 2011-08-09 | Printed wiring board with crossing wiring pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10140694A JPH11340590A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | プリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340590A true JPH11340590A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15274583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10140694A Pending JPH11340590A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-22 | プリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012144644A1 (ja) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 株式会社ダイセル | 環状オレフィン系樹脂の架橋体及びその製造方法 |
| US8957325B2 (en) | 2013-01-15 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Optimized via cutouts with ground references |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10140694A patent/JPH11340590A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012144644A1 (ja) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 株式会社ダイセル | 環状オレフィン系樹脂の架橋体及びその製造方法 |
| US8957325B2 (en) | 2013-01-15 | 2015-02-17 | Fujitsu Limited | Optimized via cutouts with ground references |
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