JP2000077851A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板の製造方法Info
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- JP2000077851A JP2000077851A JP24938298A JP24938298A JP2000077851A JP 2000077851 A JP2000077851 A JP 2000077851A JP 24938298 A JP24938298 A JP 24938298A JP 24938298 A JP24938298 A JP 24938298A JP 2000077851 A JP2000077851 A JP 2000077851A
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- resin layer
- conductor circuit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バイアホール部における接続信頼性がより一
層向上した、多層プリント配線板を得る。 【解決手段】 基板１上に下層導体回路５が形成され、
下層導体回路５上に絶縁樹脂層１６と上層導体回路２
０，２５が設けられ、下層導体回路５と上層導体回路２
０，２５とがバイアホール２７にて接続されてなる多層
プリント配線板２８を得るにあたり、基板１上に下層導
体回路５を形成し、ついで下層導体回路５上に絶縁樹脂
層１６を設け、さらに絶縁樹脂層１６の表面に粗化面を
形成するとともに、前記粗化面上に、該粗化面の一部を
露出するような開口を設けた金属層を形成し、前記開口
から露出した前記粗化面にレーザ光を照射して絶縁樹脂
層１６を除去してバイアホール用開口を形成した後、上
層導体回路２０，２５およびバイアホール２７を設け
る。
層向上した、多層プリント配線板を得る。 【解決手段】 基板１上に下層導体回路５が形成され、
下層導体回路５上に絶縁樹脂層１６と上層導体回路２
０，２５が設けられ、下層導体回路５と上層導体回路２
０，２５とがバイアホール２７にて接続されてなる多層
プリント配線板２８を得るにあたり、基板１上に下層導
体回路５を形成し、ついで下層導体回路５上に絶縁樹脂
層１６を設け、さらに絶縁樹脂層１６の表面に粗化面を
形成するとともに、前記粗化面上に、該粗化面の一部を
露出するような開口を設けた金属層を形成し、前記開口
から露出した前記粗化面にレーザ光を照射して絶縁樹脂
層１６を除去してバイアホール用開口を形成した後、上
層導体回路２０，２５およびバイアホール２７を設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に下層導体
回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上
層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導
体回路とがバイアホールにて接続されてなる多層プリン
ト配線板の製造方法に関し、バイアホール用の開口をレ
ーザ光にて形成する方法に関する。
回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上
層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導
体回路とがバイアホールにて接続されてなる多層プリン
ト配線板の製造方法に関し、バイアホール用の開口をレ
ーザ光にて形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度多層化の要求により、ビル
ドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多
層配線板は、導体回路と層間樹脂層が交互に積層された
多層配線板であり、各層の導体回路がバイアホールで接
続されている。バイアホールは、露光、現像処理あるい
はレーザ光による開口により形成されるが、小径のバイ
アホールはレーザ光により形成する。
ドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多
層配線板は、導体回路と層間樹脂層が交互に積層された
多層配線板であり、各層の導体回路がバイアホールで接
続されている。バイアホールは、露光、現像処理あるい
はレーザ光による開口により形成されるが、小径のバイ
アホールはレーザ光により形成する。
【０００３】しかしながら、レーザ光による開口は、一
穴づつ照射することになるため、生産性が悪いという問
題があった。そこで、レーザ光によりバイアホールを形
成する技術として、特公平４−３６７６号に示すような
「コンフォーマルマスク」と呼ばれる方法が提案されて
いる。
穴づつ照射することになるため、生産性が悪いという問
題があった。そこで、レーザ光によりバイアホールを形
成する技術として、特公平４−３６７６号に示すような
「コンフォーマルマスク」と呼ばれる方法が提案されて
いる。
【０００４】この技術は、絶縁樹脂層上に金属層を形成
しておき、バイアホール形成部分の金属層をエッチング
により取り除いて開口を設けておき、この開口部分にレ
ーザ光を照射して開口により露出した絶縁樹脂層のみを
除去するという技術である。この技術によれば、絶縁樹
脂層に複数のバイアホール用開口を設けることができる
ため、生産性に優れる。
しておき、バイアホール形成部分の金属層をエッチング
により取り除いて開口を設けておき、この開口部分にレ
ーザ光を照射して開口により露出した絶縁樹脂層のみを
除去するという技術である。この技術によれば、絶縁樹
脂層に複数のバイアホール用開口を設けることができる
ため、生産性に優れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者の研
究によれば、このような技術においては、バイアホール
用開口に樹脂が残存し、冷熱サイクルにより、残留樹脂
が膨張してバイアホールを押し上げてしまい、上層と下
層との間を電気的に絶縁するという問題があることが解
明された。
究によれば、このような技術においては、バイアホール
用開口に樹脂が残存し、冷熱サイクルにより、残留樹脂
が膨張してバイアホールを押し上げてしまい、上層と下
層との間を電気的に絶縁するという問題があることが解
明された。
【０００６】また、本発明者の研究によって、開口周縁
部の樹脂がもり上がり、バイアホールが断線してしまう
という問題が見られた。
部の樹脂がもり上がり、バイアホールが断線してしまう
という問題が見られた。
【０００７】本発明は、バイアホール部における接続信
頼性がより一層向上した、多層プリント配線板を得るこ
とを目的とする。
頼性がより一層向上した、多層プリント配線板を得るこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に下層
導体回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層
と上層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上
層導体回路とがバイアホールにて接続されてなる多層プ
リント配線板を得るにあたり、前記基板上に前記下層導
体回路を形成し、ついで前記下層導体回路上に前記絶縁
樹脂層を設け、さらに前記絶縁樹脂層の表面に粗化面を
形成するとともに、前記粗化面上に、該粗化面の一部を
露出するような開口を設けた金属層を形成し、前記開口
から露出した前記粗化面にレーザ光を照射して前記絶縁
樹脂層を除去してバイアホール用開口を形成した後、前
記上層導体回路および前記バイアホールを設けることを
特徴とする多層プリント配線板の製造方法に係るもので
ある。
導体回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層
と上層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上
層導体回路とがバイアホールにて接続されてなる多層プ
リント配線板を得るにあたり、前記基板上に前記下層導
体回路を形成し、ついで前記下層導体回路上に前記絶縁
樹脂層を設け、さらに前記絶縁樹脂層の表面に粗化面を
形成するとともに、前記粗化面上に、該粗化面の一部を
露出するような開口を設けた金属層を形成し、前記開口
から露出した前記粗化面にレーザ光を照射して前記絶縁
樹脂層を除去してバイアホール用開口を形成した後、前
記上層導体回路および前記バイアホールを設けることを
特徴とする多層プリント配線板の製造方法に係るもので
ある。
【０００９】また、本発明は、基板上に下層導体回路が
形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体
回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導体回路
とがバイアホールにて接続されてなる多層プリント配線
板を得るにあたり、前記基板上に前記下層導体回路を形
成し、ついで、片面に粗化層を設けてなりその粗化層上
に前記絶縁樹脂層を形成した金属箔を、前記絶縁樹脂層
が前記下層導体回路と接するように積層、加熱圧縮する
ことによって一体化し、さらに前記金属箔の一部をエッ
チングして開口を設けて前記絶縁樹脂層の粗化面を露出
させ、前記開口から露出した前記粗化面にレーザ光を照
射して前記絶縁樹脂層を除去してバイアホール用開口を
形成した後、前記上層導体回路および前記バイアホール
を設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法に係るものである。
形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体
回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導体回路
とがバイアホールにて接続されてなる多層プリント配線
板を得るにあたり、前記基板上に前記下層導体回路を形
成し、ついで、片面に粗化層を設けてなりその粗化層上
に前記絶縁樹脂層を形成した金属箔を、前記絶縁樹脂層
が前記下層導体回路と接するように積層、加熱圧縮する
ことによって一体化し、さらに前記金属箔の一部をエッ
チングして開口を設けて前記絶縁樹脂層の粗化面を露出
させ、前記開口から露出した前記粗化面にレーザ光を照
射して前記絶縁樹脂層を除去してバイアホール用開口を
形成した後、前記上層導体回路および前記バイアホール
を設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法に係るものである。
【００１０】本発明者らは鋭意研究した結果、バイアホ
ール用開口の残渣の原因が、レーザ照射面が鏡面になっ
ており、レーザ光が反射して絶縁樹脂層が完全に除去さ
れないためであることを知見した。
ール用開口の残渣の原因が、レーザ照射面が鏡面になっ
ており、レーザ光が反射して絶縁樹脂層が完全に除去さ
れないためであることを知見した。
【００１１】本発明では、このような知見に基づき、レ
ーザ照射面を粗化面としておくことにより、レーザ光の
反射を抑制したものである。
ーザ照射面を粗化面としておくことにより、レーザ光の
反射を抑制したものである。
【００１２】本発明では、レーザ光に対するレジストと
して金属層あるいは金属箔を用い、金属層あるいは金属
箔に開口を設ける。この開口に開口径よりも大きなスポ
ット径のレーザ光を照射して絶縁樹脂層にバイアホール
用開口を形成する。
して金属層あるいは金属箔を用い、金属層あるいは金属
箔に開口を設ける。この開口に開口径よりも大きなスポ
ット径のレーザ光を照射して絶縁樹脂層にバイアホール
用開口を形成する。
【００１３】本発明では、金属層等の開口から露出する
絶縁樹脂層表面が粗化面となっているため、レーザ光の
反射を抑制でき、絶縁樹脂層を完全に除去できる。ま
た、絶縁樹脂層の周縁部のもり上がりを抑制できるた
め、バイアホールの断線もない。
絶縁樹脂層表面が粗化面となっているため、レーザ光の
反射を抑制でき、絶縁樹脂層を完全に除去できる。ま
た、絶縁樹脂層の周縁部のもり上がりを抑制できるた
め、バイアホールの断線もない。
【００１４】もり上がりを抑制できる理由は、明確では
ないが、粗化面のレーザ光の吸収率が高く、樹脂がプラ
ズマ化しやすいからではないかと推定している。
ないが、粗化面のレーザ光の吸収率が高く、樹脂がプラ
ズマ化しやすいからではないかと推定している。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明で使用される基板は、ガラ
ス布エポキシ基板、ガラス布ビスマレイミド−トリアジ
ン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板などの樹脂基板、
これらの樹脂基板に銅箔を貼付した銅張積層板、金属基
板、セラミック基板などを使用することができる。
ス布エポキシ基板、ガラス布ビスマレイミド−トリアジ
ン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板などの樹脂基板、
これらの樹脂基板に銅箔を貼付した銅張積層板、金属基
板、セラミック基板などを使用することができる。
【００１６】基板上に導体回路を設ける。導体回路は、
無電解めっき、電解めっき、あるいは銅張積層板の場合
は、エッチング処理により形成することができる。
無電解めっき、電解めっき、あるいは銅張積層板の場合
は、エッチング処理により形成することができる。
【００１７】ついで絶縁樹脂層を設けるが、本発明で
は、絶縁樹脂層にレーザ光を照射して、バイアホール用
開口部を形成する。このため、かかる絶縁樹脂層には、
レーザ光を照射することで、開口部が設けられるような
材料が選択される。
は、絶縁樹脂層にレーザ光を照射して、バイアホール用
開口部を形成する。このため、かかる絶縁樹脂層には、
レーザ光を照射することで、開口部が設けられるような
材料が選択される。
【００１８】かかる材料には、熱硬化性樹脂、熱可塑性
樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。
樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。
【００１９】例えば、熱硬化性樹脂を基剤とする無電解
めっき用接着剤を用いることができる。熱硬化性樹脂と
しては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹
脂等が用いられる。また、熱可塑性樹脂としては、ポリ
エーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテ
ル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹
脂などを使用できる。
めっき用接着剤を用いることができる。熱硬化性樹脂と
しては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹
脂等が用いられる。また、熱可塑性樹脂としては、ポリ
エーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテ
ル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹
脂などを使用できる。
【００２０】本発明では、金属層あるいは金属箔から露
出した絶縁樹脂の粗化面は、次のような方法で形成され
る。
出した絶縁樹脂の粗化面は、次のような方法で形成され
る。
【００２１】具体的には、絶縁樹脂層中に予め、酸、酸
化剤等によって溶解する粒子を含ませておき、この粒子
を酸や酸化剤で溶解することで、絶縁樹脂層の表面に形
成することができる。この場合は、粗化面を形成した
後、金属層を設ける必要がある。
化剤等によって溶解する粒子を含ませておき、この粒子
を酸や酸化剤で溶解することで、絶縁樹脂層の表面に形
成することができる。この場合は、粗化面を形成した
後、金属層を設ける必要がある。
【００２２】かかる耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹
脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エ
ポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂をアミン系
硬化剤で硬化させたものが最適）、ビスマレイミド−ト
リアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることが
できる。
脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エ
ポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂をアミン系
硬化剤で硬化させたものが最適）、ビスマレイミド−ト
リアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることが
できる。
【００２３】また、かかる無電解めっき用接着剤には、
特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維
質フィラー等を、必要により含ませることができる。
特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維
質フィラー等を、必要により含ませることができる。
【００２４】かかる耐熱性樹脂粒子には、(1) 平均粒径
が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均
粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ
未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付
着させた疑似粒子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μ
ｍ未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍ
の耐熱性樹脂粉末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1
〜1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少
なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒
子は、より複雑な粗化面を形成するからである。
が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均
粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ
未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付
着させた疑似粒子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μ
ｍ未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍ
の耐熱性樹脂粉末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1
〜1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少
なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒
子は、より複雑な粗化面を形成するからである。
【００２５】また、本発明にかかる絶縁樹脂層の粗化面
は、いわゆるＲＣＣ（RESIN COATEDCOPPER ：樹脂付銅
箔) などの粗化層が形成された金属箔を用いて形成する
ことができる。この場合、金属箔の片面に粗化層を設
け、粗化層上に絶縁樹脂層を設けて、金属箔を作製す
る。
は、いわゆるＲＣＣ（RESIN COATEDCOPPER ：樹脂付銅
箔) などの粗化層が形成された金属箔を用いて形成する
ことができる。この場合、金属箔の片面に粗化層を設
け、粗化層上に絶縁樹脂層を設けて、金属箔を作製す
る。
【００２６】かかる金属表面の粗化層は、種々の粗化処
理を用いて形成することができる。かかる粗化処理とし
ては、例えば、マット処理、酸化処理、酸化還元処理、
黒化−還元処理、硫酸−過酸化水素処理、第二銅錯体と
有機酸とを含有する溶液による処理等のエッチング処理
や、銅−ニッケル−リンの針状合金めっき等のめっき処
理等を挙げることができる。
理を用いて形成することができる。かかる粗化処理とし
ては、例えば、マット処理、酸化処理、酸化還元処理、
黒化−還元処理、硫酸−過酸化水素処理、第二銅錯体と
有機酸とを含有する溶液による処理等のエッチング処理
や、銅−ニッケル−リンの針状合金めっき等のめっき処
理等を挙げることができる。
【００２７】このようにして作製された金属箔は、コア
基板に設けられている下層導体回路上に積層する。この
際、絶縁樹脂層の面と下層導体回路とを接触させ、コア
基板と金属箔とを加熱圧縮すれば、これらを一体化させ
ることができる。
基板に設けられている下層導体回路上に積層する。この
際、絶縁樹脂層の面と下層導体回路とを接触させ、コア
基板と金属箔とを加熱圧縮すれば、これらを一体化させ
ることができる。
【００２８】前記金属箔をエッチング除去することによ
って、絶縁樹脂層上に、露出した絶縁樹脂層の表面に、
粗化層に由来する粗化面を転写することができる。
って、絶縁樹脂層上に、露出した絶縁樹脂層の表面に、
粗化層に由来する粗化面を転写することができる。
【００２９】銅箔の場合のエッチング液としては、硫酸
−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液、塩化
第二鉄などを使用できる。
−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液、塩化
第二鉄などを使用できる。
【００３０】絶縁樹脂層の表面に形成される粗化面又は
銅箔表面に形成される粗化層は、０．０１〜５μｍの最
大粗度（Ｒｍａｘ）を有するのが好ましい。０．０１μ
ｍ未満の最大粗度では、絶縁樹脂層の表面に形成される
粗化面又は絶縁樹脂層表面に転写される粗化面がレーザ
光を反射し易くなり、絶縁樹脂層を十分に除去すること
ができなくなる。また、５μｍを超える最大粗度では、
粗化層がエッチング除去し難くなる。
銅箔表面に形成される粗化層は、０．０１〜５μｍの最
大粗度（Ｒｍａｘ）を有するのが好ましい。０．０１μ
ｍ未満の最大粗度では、絶縁樹脂層の表面に形成される
粗化面又は絶縁樹脂層表面に転写される粗化面がレーザ
光を反射し易くなり、絶縁樹脂層を十分に除去すること
ができなくなる。また、５μｍを超える最大粗度では、
粗化層がエッチング除去し難くなる。
【００３１】本発明では、このようにして形成された粗
化面にレーザ光を照射し、絶縁樹脂層を除去し、バイア
ホール用開口部を形成し、かかる開口部をめっきして、
バイアホールを形成することができる。
化面にレーザ光を照射し、絶縁樹脂層を除去し、バイア
ホール用開口部を形成し、かかる開口部をめっきして、
バイアホールを形成することができる。
【００３２】かかるレーザ光には、炭酸ガスレーザ光、
紫外線レーザ、エキシマレーザ等を用いることができ
る。特に、炭酸ガスレーザ光は、安価な装置で発生させ
ることができ、好ましい。
紫外線レーザ、エキシマレーザ等を用いることができ
る。特に、炭酸ガスレーザ光は、安価な装置で発生させ
ることができ、好ましい。
【００３３】本発明では、下層導体回路と絶縁樹脂層の
密着性や、下層導体回路とバイアホール導体との密着性
を向上させるため、下層導体回路の表面に、粗化面が設
けられているのが好ましい。
密着性や、下層導体回路とバイアホール導体との密着性
を向上させるため、下層導体回路の表面に、粗化面が設
けられているのが好ましい。
【００３４】かかる粗化面は、種々の粗化処理を用いて
形成することができる。かかる粗化処理としては、例え
ば、酸化処理、酸化還元処理、黒化−還元処理、硫酸−
過酸化水素処理、第二銅錯体と有機酸とを含有する溶液
による処理等のエッチング処理や、銅−ニッケル−リン
合金めっき等のめっき処理等が挙げられる。
形成することができる。かかる粗化処理としては、例え
ば、酸化処理、酸化還元処理、黒化−還元処理、硫酸−
過酸化水素処理、第二銅錯体と有機酸とを含有する溶液
による処理等のエッチング処理や、銅−ニッケル−リン
合金めっき等のめっき処理等が挙げられる。
【００３５】かかる下層導体回路では、バイアホール用
開口部を開ける際、粗化面に樹脂が残存し易いが、本発
明の方法では、絶縁樹脂層の表面に粗化面を設けれるた
め、この粗化面にレーザ光を照射すれば、下層導体回路
の粗化面に樹脂を残すことなく、絶縁樹脂層を除去する
ことができる。
開口部を開ける際、粗化面に樹脂が残存し易いが、本発
明の方法では、絶縁樹脂層の表面に粗化面を設けれるた
め、この粗化面にレーザ光を照射すれば、下層導体回路
の粗化面に樹脂を残すことなく、絶縁樹脂層を除去する
ことができる。
【００３６】次いで、Ｐｄ触媒などの無電解めっき用の
触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイ
アホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設
ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体
に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきし
て、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回
路を形成する。
触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイ
アホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設
ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体
に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきし
て、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回
路を形成する。
【００３７】
【実施例】以下、図面を参照して、実施例及び比較例に
基づき、本発明を説明する。図１〜図１４は、一例の製
造工程に従って示す、本発明にかかる一例の多層プリン
ト配線板の縦断面図である。図１５〜図１８は、一例の
製造工程に従って示す、本発明にかかる他の例の多層プ
リント配線板の縦断面図である。実施例１ 無電解めっき用接着剤の調製 (1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製：分子量2500）の25重量％アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスM31
5）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製S-65）0.5 重量
部、N-メチルピロリドン（NMP ）3.6 重量部を攪拌混合
した。
基づき、本発明を説明する。図１〜図１４は、一例の製
造工程に従って示す、本発明にかかる一例の多層プリン
ト配線板の縦断面図である。図１５〜図１８は、一例の
製造工程に従って示す、本発明にかかる他の例の多層プ
リント配線板の縦断面図である。実施例１ 無電解めっき用接着剤の調製 (1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製：分子量2500）の25重量％アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスM31
5）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製S-65）0.5 重量
部、N-メチルピロリドン（NMP ）3.6 重量部を攪拌混合
した。
【００３８】(2) ポリエーテルスルフォン（PES ）12重
量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製：商品名ポリマー
ポール）の平均粒径1.0 μｍのものを7.2 重量部、平均
粒径0.5 μｍのものを3.09重量部を混合した後、更にNM
P 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。
量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製：商品名ポリマー
ポール）の平均粒径1.0 μｍのものを7.2 重量部、平均
粒径0.5 μｍのものを3.09重量部を混合した後、更にNM
P 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。
【００３９】(3) イミダゾール硬化剤（四国化成製：商
品名2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製：
イルガキュア I-907）２重量部、光増感剤（日本化薬
製：DETX-S）0.2 重量部、NMP 1.5 重量部を攪拌混合し
た。 (4) 混合物(1) 〜(3) を混合して、無電解めっき用接着
剤組成物を得た。
品名2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製：
イルガキュア I-907）２重量部、光増感剤（日本化薬
製：DETX-S）0.2 重量部、NMP 1.5 重量部を攪拌混合し
た。 (4) 混合物(1) 〜(3) を混合して、無電解めっき用接着
剤組成物を得た。
【００４０】樹脂充填剤の調整 (1) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製：分子量310 、商品名 YL983U ） 100重量部と平均粒
径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたＳｉＯ2 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101
−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パタ
ーンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重
量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整した。
製：分子量310 、商品名 YL983U ） 100重量部と平均粒
径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたＳｉＯ2 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101
−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パタ
ーンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重
量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整した。
【００４１】(2) イミダゾール硬化剤（四国化成製、商
品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。
品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。
【００４２】プリント配線板の製造 (1) 図１に示すように、本実施例では、厚さ１mmのガラ
スエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン（BT）樹
脂からなる基板１の両面に18μｍの銅箔２がラミネート
されている銅張積層板３を出発材料とした。
スエポキシ樹脂又はビスマレイミドトリアジン（BT）樹
脂からなる基板１の両面に18μｍの銅箔２がラミネート
されている銅張積層板３を出発材料とした。
【００４３】(2) まず、この銅張積層板３に、図２に示
すようなドリル孔４を開け、無電解めっき、電解めっき
を施し、更に銅箔２を常法に従いパターン状にエッチン
グすることにより、基板１の両面に厚さ２５μｍの内層
銅パターン（下層導体回路）５及びスルーホール６を形
成した。
すようなドリル孔４を開け、無電解めっき、電解めっき
を施し、更に銅箔２を常法に従いパターン状にエッチン
グすることにより、基板１の両面に厚さ２５μｍの内層
銅パターン（下層導体回路）５及びスルーホール６を形
成した。
【００４４】次に、内層銅パターン５の表面と、スルー
ホール６のランド表面と内壁とに、それぞれ、粗化面
７，８，９を設けて、図２に示すような配線基板１０を
製造した。粗化面７，８，９は、前述の基板を水洗し、
乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹
きつけて、内層銅パターン５の表面とスルーホール６の
ランド表面と内壁とをエッチングすることによって形成
した。エッチング液には、イミダゾール銅（II）錯体１
０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量
部、イオン交換水７８重量部を混合したものを用いた。
ホール６のランド表面と内壁とに、それぞれ、粗化面
７，８，９を設けて、図２に示すような配線基板１０を
製造した。粗化面７，８，９は、前述の基板を水洗し、
乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹
きつけて、内層銅パターン５の表面とスルーホール６の
ランド表面と内壁とをエッチングすることによって形成
した。エッチング液には、イミダゾール銅（II）錯体１
０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量
部、イオン交換水７８重量部を混合したものを用いた。
【００４５】(3) 次いで、図３に示すような樹脂層１
１，１２を配線基板１０の内層銅パターン５間とスルー
ホール６内とに設けた。樹脂層１１，１２は、予め調製
した樹脂充填剤を、ロールコータにより配線基板１０の
両面に塗布し、内層銅パターン５の間とスルーホール６
内に充填し、 100℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃
で１時間、 180℃で７時間、それぞれ加熱処理すること
により硬化させて形成した。
１，１２を配線基板１０の内層銅パターン５間とスルー
ホール６内とに設けた。樹脂層１１，１２は、予め調製
した樹脂充填剤を、ロールコータにより配線基板１０の
両面に塗布し、内層銅パターン５の間とスルーホール６
内に充填し、 100℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃
で１時間、 180℃で７時間、それぞれ加熱処理すること
により硬化させて形成した。
【００４６】(4) (3) の処理で得た基板の片面を、ベル
トサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベルト研磨
紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン５の粗化面
７やスルーホール６のランド表面に樹脂充填剤が残らな
いようにした。次に、このベルトサンダー研磨による傷
を取り除くために、バフ研磨を行った。このような一連
の研磨を基板の他方の面についても同様に行い、図３に
示すような配線基板１３を得た。
トサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベルト研磨
紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン５の粗化面
７やスルーホール６のランド表面に樹脂充填剤が残らな
いようにした。次に、このベルトサンダー研磨による傷
を取り除くために、バフ研磨を行った。このような一連
の研磨を基板の他方の面についても同様に行い、図３に
示すような配線基板１３を得た。
【００４７】得られた配線基板１３は、内層銅パターン
５間に樹脂層１１が設けられ、スルーホール６内に樹脂
層１２が設けられている。内層銅パターン５の粗化面７
とスルーホール６のランド表面の粗化面８が除去されて
おり、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されている。
樹脂層１１は内層銅パターン５の側面の粗化面７ａ又は
スルーホール６のランド部側面の粗化面８ａと密着し、
また、樹脂層１２はスルーホール６の内壁の粗化面９と
密着している。
５間に樹脂層１１が設けられ、スルーホール６内に樹脂
層１２が設けられている。内層銅パターン５の粗化面７
とスルーホール６のランド表面の粗化面８が除去されて
おり、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されている。
樹脂層１１は内層銅パターン５の側面の粗化面７ａ又は
スルーホール６のランド部側面の粗化面８ａと密着し、
また、樹脂層１２はスルーホール６の内壁の粗化面９と
密着している。
【００４８】(5) 更に、図４に示すように、露出した内
層銅パターン５とスルーホール６のランド上面を(2) の
エッチング処理で粗化して、深さ３μｍの粗化面１４，
１５を形成した。
層銅パターン５とスルーホール６のランド上面を(2) の
エッチング処理で粗化して、深さ３μｍの粗化面１４，
１５を形成した。
【００４９】この粗化面１４，１５をスズ置換めっきし
て、0.3 μｍの厚さのＳｎ層を設けた。置換めっきは、
ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル／Ｌ、
温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面１４，１５をＣｕ
−Ｓｎ置換反応させた（Ｓｎ層については図示していな
い）。
て、0.3 μｍの厚さのＳｎ層を設けた。置換めっきは、
ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル／Ｌ、
温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面１４，１５をＣｕ
−Ｓｎ置換反応させた（Ｓｎ層については図示していな
い）。
【００５０】(6) 得られた配線基板の両面に、無電解め
っき用接着剤をロールコータを用いて塗布した。この接
着剤は、基板を水平状態で20分間放置してから、60℃で
30分乾燥し、図５に示すような厚さ35μｍの接着剤層１
６を形成した。
っき用接着剤をロールコータを用いて塗布した。この接
着剤は、基板を水平状態で20分間放置してから、60℃で
30分乾燥し、図５に示すような厚さ35μｍの接着剤層１
６を形成した。
【００５１】（７) 得られた配線基板の両面を超高圧水
銀灯により 500mJ／cm2 で露光し、１５０℃で５時間加
熱した。 （８) 得られた基板をクロム酸に１分間浸漬し、接着剤
層１６の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去し
た。この処理によって、図６に示すような粗化面１６ａ
を、接着剤層１６の表面に形成した。その後、得られた
基板を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗し
た。
銀灯により 500mJ／cm2 で露光し、１５０℃で５時間加
熱した。 （８) 得られた基板をクロム酸に１分間浸漬し、接着剤
層１６の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去し
た。この処理によって、図６に示すような粗化面１６ａ
を、接着剤層１６の表面に形成した。その後、得られた
基板を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗し
た。
【００５２】（９）ついで、図７に示すように、基板の
全面に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜１７を施し
た。
全面に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜１７を施し
た。
【００５３】(10) 得られた基板にエッチングレジスト
を設けて、硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングして、
図８に示すように、バイアホール形成部分に５０μｍの
開口１８を設けた。
を設けて、硫酸−過酸化水素水溶液でエッチングして、
図８に示すように、バイアホール形成部分に５０μｍの
開口１８を設けた。
【００５４】(11) 開口１８上から短パルス（１０
-4秒）のレーザ光（三菱電機 ML６０５GTL ）を照射
し、図９に示すように、接着剤層１６に開口１９を設け
た。
-4秒）のレーザ光（三菱電機 ML６０５GTL ）を照射
し、図９に示すように、接着剤層１６に開口１９を設け
た。
【００５５】更に、粗面化処理した配線基板の表面に、
パラジウム触媒（アトテック製）を付与することによ
り、無電解めっき膜１７の表面およびバイアホール用開
口１９の粗化面に触媒核を付けた。
パラジウム触媒（アトテック製）を付与することによ
り、無電解めっき膜１７の表面およびバイアホール用開
口１９の粗化面に触媒核を付けた。
【００５６】(12)得られた基板を以下の条件の無電解銅
めっき浴中に浸漬し、図１０に示すような厚さ1.6 μｍ
の無電解銅めっき膜２０を粗化面全体に形成した。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件；７０℃の液温度で３０分
めっき浴中に浸漬し、図１０に示すような厚さ1.6 μｍ
の無電解銅めっき膜２０を粗化面全体に形成した。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件；７０℃の液温度で３０分
【００５７】(13)次に、図１１に示すように、市販の感
光性ドライフィルム２１を無電解銅めっき膜２０に張り
付け、パターン２２が印刷されたマスクフィルム２３を
載置した。この基板を、100mJ/cm2 で露光し、その後
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して、図１２に示す
ように、厚さ15μｍのめっきレジスト２４を設けた。
光性ドライフィルム２１を無電解銅めっき膜２０に張り
付け、パターン２２が印刷されたマスクフィルム２３を
載置した。この基板を、100mJ/cm2 で露光し、その後
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して、図１２に示す
ように、厚さ15μｍのめっきレジスト２４を設けた。
【００５８】(14)次いで、得られた基板に以下の条件で
電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜２５
を形成した。 電解めっき液； 硫酸 ： １８０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ８０ ｇ／Ｌ 添加剤 ： １ｍＬ／Ｌ （添加剤はアトテックジャパン製：商品名カパラシドＧ
Ｌ） 電解めっき条件； 電流密度 ： １Ａ／ｄｍ2 時間 ： ３０分 温度 ： 室温
電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜２５
を形成した。 電解めっき液； 硫酸 ： １８０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ８０ ｇ／Ｌ 添加剤 ： １ｍＬ／Ｌ （添加剤はアトテックジャパン製：商品名カパラシドＧ
Ｌ） 電解めっき条件； 電流密度 ： １Ａ／ｄｍ2 時間 ： ３０分 温度 ： 室温
【００５９】(15)めっきレジスト２４を５％KOH で剥離
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト２４下の無電解銅めっき膜２０を溶解除
去し、図１４に示すような無電解銅めっき膜２０と電解
銅めっき膜２５とからなる厚さ18μｍの導体回路２６
（バイアホール２７を含む）を得た。
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト２４下の無電解銅めっき膜２０を溶解除
去し、図１４に示すような無電解銅めっき膜２０と電解
銅めっき膜２５とからなる厚さ18μｍの導体回路２６
（バイアホール２７を含む）を得た。
【００６０】更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間
浸漬して、導体回路２６間の無電解めっき用接着剤層１
６の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去して、図１４に示すような多層プリント配線
板２８を製造した。
浸漬して、導体回路２６間の無電解めっき用接着剤層１
６の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去して、図１４に示すような多層プリント配線
板２８を製造した。
【００６１】実施例２ 実施例１の(1) および(2) の工程を実施して、図２に示
すような下層導体回路表面が粗化されたコア基板１０を
作製した。その一方、図１５に示すような樹脂付銅箔２
９を作製した。
すような下層導体回路表面が粗化されたコア基板１０を
作製した。その一方、図１５に示すような樹脂付銅箔２
９を作製した。
【００６２】この樹脂付銅箔２９は、厚さが12μｍの銅
箔３０の片面を、実施例１の(2) で示したようなエッチ
ング処理で粗化し、深さ３μｍの粗化層３１を形成し
た。この粗化面に、エポキシ樹脂を塗布し、６０℃で３
時間加熱してＢステージとした。
箔３０の片面を、実施例１の(2) で示したようなエッチ
ング処理で粗化し、深さ３μｍの粗化層３１を形成し
た。この粗化面に、エポキシ樹脂を塗布し、６０℃で３
時間加熱してＢステージとした。
【００６３】図１６に示すように、２枚の樹脂付銅箔２
９をコア基板１０の両面に載置して、150 ℃で10ｋｇ／
ｃｍ2 の圧力で加圧して一体化し、図１７に示すような
基板３３を得た。この際、図１５に示す樹脂付銅箔のエ
ポキシ樹脂からなる接着剤層３２がコア基板１０の下層
導体回路５と接触するようにした。
９をコア基板１０の両面に載置して、150 ℃で10ｋｇ／
ｃｍ2 の圧力で加圧して一体化し、図１７に示すような
基板３３を得た。この際、図１５に示す樹脂付銅箔のエ
ポキシ樹脂からなる接着剤層３２がコア基板１０の下層
導体回路５と接触するようにした。
【００６４】次に、この基板３３を、実施例１の(10)の
処理と同様にして、銅箔３０の表面にドライフィルムを
貼付し、紫外線で露光現像処理して、エッチングレジス
トを設け、硫酸−過酸化水素からなる水溶液を用いて、
バイアホール形成予定部分の銅箔３０をエッチング除去
して、図１８に示すような開口３４を設けた。これによ
り、銅箔３０の粗化層３１の形状が転写された粗化面３
５を接着剤層３２の表面に露出させた。
処理と同様にして、銅箔３０の表面にドライフィルムを
貼付し、紫外線で露光現像処理して、エッチングレジス
トを設け、硫酸−過酸化水素からなる水溶液を用いて、
バイアホール形成予定部分の銅箔３０をエッチング除去
して、図１８に示すような開口３４を設けた。これによ
り、銅箔３０の粗化層３１の形状が転写された粗化面３
５を接着剤層３２の表面に露出させた。
【００６５】この粗化面に、実施例１の(11)と同様にし
て、炭酸ガスレーザ光を照射して、直径50μｍのバイア
ホール用開口部を形成し、この積層基板上に、実施例１
の(13)〜(15)と同様の条件で無電解めっき膜、電解めっ
き膜を形成し、パターン状に無電解めっき膜を溶解除去
し、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなるバイ
アホールを含む多層プリント配線板を製造した。
て、炭酸ガスレーザ光を照射して、直径50μｍのバイア
ホール用開口部を形成し、この積層基板上に、実施例１
の(13)〜(15)と同様の条件で無電解めっき膜、電解めっ
き膜を形成し、パターン状に無電解めっき膜を溶解除去
し、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなるバイ
アホールを含む多層プリント配線板を製造した。
【００６６】比較例１ 接着剤層の表面に粗化面を設けずにレーザ光を照射した
以外、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を製
造した。
以外、実施例１と同様にして、多層プリント配線板を製
造した。
【００６７】比較例２ 樹脂付き銅箔表面に粗化層を設けなかった。
【００６８】加熱試験及びヒートサイクル試験 実施例１及び２、比較例１で得られた配線板について、
−55℃〜125 ℃で500回のヒートサイクル試験を実施し
た。各試験後に、バイアホール部分の抵抗変化率を測定
した。また、開口周縁部の樹脂のもり上がりの有無を光
学顕微鏡で確認した。その結果を表１に示す。
−55℃〜125 ℃で500回のヒートサイクル試験を実施し
た。各試験後に、バイアホール部分の抵抗変化率を測定
した。また、開口周縁部の樹脂のもり上がりの有無を光
学顕微鏡で確認した。その結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
【００７０】
【発明の効果】本発明の方法によれば、バイアホール接
続部の下層導体回路の表面に樹脂が残存しない。このた
め、本発明によれば、ヒートサイクル時においても、下
層導体回路とバイアホール導体とが剥離せず、バイアホ
ール部における接続不良が発生せず、接続信頼性に優れ
た多層プリント配線板を得ることができる。
続部の下層導体回路の表面に樹脂が残存しない。このた
め、本発明によれば、ヒートサイクル時においても、下
層導体回路とバイアホール導体とが剥離せず、バイアホ
ール部における接続不良が発生せず、接続信頼性に優れ
た多層プリント配線板を得ることができる。
【図１】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図２】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図３】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図４】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図５】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図６】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図７】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図８】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図９】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工程
図である。
図である。
【図１０】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工
程図である。
程図である。
【図１１】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工
程図である。
程図である。
【図１２】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工
程図である。
程図である。
【図１３】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工
程図である。
程図である。
【図１４】本発明の一例の多層プリント配線板の製造工
程図である。
程図である。
【図１５】本発明の他の例の多層プリント配線板の製造
工程図である。
工程図である。
【図１６】本発明の他の例の多層プリント配線板の製造
工程図である。
工程図である。
【図１７】本発明の他の例の多層プリント配線板の製造
工程図である。
工程図である。
【図１８】本発明の他の例の多層プリント配線板の製造
工程図である。
工程図である。
１，３３ 基板 ２，３０ 銅箔 ３ 銅張積層板 ４ ドリル孔 ５ 内層銅パターン（下層導体回路） ６ スルーホール ７，７ａ，８，８ａ，９，14，15，16ａ，35 粗化面 10，13 配線基板 11，12 樹脂層 16，32 接着剤層 17，20 無電解銅めっき膜 18，19，34 開口 21 感光性ドライフィルム 22 パターン 23 マスクフィルム 24 めっきレジスト 25 電解銅めっき膜 26 導体回路 27 バイアホール 28 多層プリント配線板 29 樹脂付銅箔 31 粗化層
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に下層導体回路が形成され、その
下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体回路が設けら
れ、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホ
ールにて接続されてなる多層プリント配線板を得るにあ
たり、 前記基板上に前記下層導体回路を形成し、ついで前記下
層導体回路上に前記絶縁樹脂層を設け、さらに前記絶縁
樹脂層の表面に粗化面を形成するとともに、前記粗化面
上に、該粗化面の一部を露出するような開口を設けた金
属層を形成し、前記開口から露出した前記粗化面にレー
ザ光を照射して前記絶縁樹脂層を除去してバイアホール
用開口を形成した後、前記上層導体回路および前記バイ
アホールを設けることを特徴とする多層プリント配線板
の製造方法。 - 【請求項２】 前記絶縁樹脂層が酸又は酸化剤によって
溶解する粒子を含んでおり、前記粒子を前記酸又は前記
酸化剤によって溶解し、前記絶縁樹脂層の表面に前記粗
化面を設けることを特徴とする、請求項１記載の多層プ
リント配線板の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に下層導体回路が形成され、その
下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体回路が設けら
れ、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイアホ
ールにて接続されてなる多層プリント配線板を得るにあ
たり、 前記基板上に前記下層導体回路を形成し、ついで、片面
に粗化層を設けてなりその粗化層上に前記絶縁樹脂層を
形成した金属箔を、前記絶縁樹脂層が前記下層導体回路
と接するように積層、加熱圧縮することによって一体化
し、さらに前記金属箔の一部をエッチングして開口を設
けて前記絶縁樹脂層の粗化面を露出させ、前記開口から
露出した前記粗化面にレーザ光を照射して前記絶縁樹脂
層を除去してバイアホール用開口を形成した後、前記上
層導体回路および前記バイアホールを設けることを特徴
とする多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項４】 前記粗化面が、０．０１〜５μｍの最大
粗度（Ｒｍａｘ）を有していることを特徴とする請求項
２または３に記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項５】 前記レーザ光が炭酸ガスレーザ光である
ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項記載の
多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項６】 前記下層導体回路の表面に粗化面が設け
られていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか
一項記載の多層プリント配線板の製造方法。
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-
1998
- 1998-09-03 JP JP24938298A patent/JP2000077851A/ja active Pending
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