JP3049214B2 - 配線板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線板の製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子産業の進歩に伴い、ＬＳＩを
実装するための配線板に対して、小型化、高速化、高密
度化、高信頼化等が望まれている。そのため、最近では
配線板が多層化されるとともに、高密度パターンの形成
に有利なアディティブ法が実施されるに至っている。ま
た、特に最近ではバイアホール形成用穴の穴あけの効率
化及び高精度化を目的として、レーザ光照射の利用も提
唱されている。以下にその一例を図７に従って紹介す
る。

【０００３】まず、めっきレジスト３０及び内層導体パ
ターン３１が形成されたコア基板３２を用意する。この
コア基板３２のコーナー部には、位置合わせの際の基準
として用いられるアライメントマーク３３が形成されて
いる。このようなコア基板３２上に、図７に示されるよ
うに層間絶縁層３４を形成する。図７の層間絶縁層３４
は、例えば一方側に接着剤が塗布されかつ他方側に無電
解めっき用接着剤が塗布された高靭性樹脂フィルム３５
を用いて形成される。この高靭性樹脂フィルム３５は、
前記アライメントマーク３３を位置合わせの基準として
コア基板３２に圧着される。なお、一方側に無電解めっ
き用接着剤のみが塗布された高靭性樹脂フィルム３５を
用い、それをあらかじめ接着剤が塗布されたコア基板３
２に圧着する方法もある。以上のような圧着の結果、接
着剤層３６、高靭性樹脂フィルム３５及び無電解めっき
用接着剤層３７が前記順序で積層されてなる層間絶縁層
３４が形成される。次に無電解めっき用接着剤層３７の
表層に、多数の微細なアンカー用凹部からなる粗化面を
形成する。次に前記アライメントマーク３３を再び位置
合わせの基準として用い、レーザ光照射をする。その結
果、層間絶縁層３４の所定箇所にバイアホール形成用穴
を形成する。この後、無電解めっき等のプロセス等を経
ることによりバイアホール及び外層導体パターンが形成
され、所望の多層配線板が得られるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、層間絶縁層
３４を構成する高靭性樹脂フィルム３５の光透過性が低
いと、その内層側にあるコア基板３２のアライメントマ
ーク３３が見にくくなる。従って、コア基板３２上のア
ライメントマーク３３を基準として位置合わせを行おう
としても、レーザ光照射装置の画像認識装置が誤認識を
起こしやすい。ゆえに、レーザ光照射の位置ずれに起因
してバイアホール形成用穴の位置精度が低下し、ひいて
はバイアホールの形成精度が悪化する。

【０００５】なお、高靭性樹脂フィルム３５の上面側に
別のアライメントマークを形成し、それを位置合わせの
基準としてレーザ光照射を行うという方法も考えられ
る。しかし、この方法ではアライメントマークが見にく
くなるという問題は解消される反面、コア基板３２の内
層導体パターン３１に対する位置精度が損なわれる。従
って、やはりバイアホール形成用穴の形成精度に劣るも
のとなる。

【０００６】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、コア基板上のアライメント
マークを位置合わせの基準として用いて、バイアホール
を精度よく形成することができる配線板の製造方法を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、アライメントマーク
が形成されたコア基板上に、接着剤層、高靭性樹脂フィ
ルム及び無電解めっき用接着剤層が前記順序で積層され
てなる層間絶縁層を形成した後、前記アライメントマー
クを位置合わせの基準としてレーザ光照射をすることに
より、前記層間絶縁層の所定箇所にバイアホール形成用
穴を形成する配線板の製造方法であって、前記高靭性樹
脂フィルムに前記アライメントマークの位置に対応して
透孔を設け、その透孔を介して見える前記アライメント
マークを基準として位置合わせを行ったうえで、レーザ
光照射により前記バイアホール形成用穴を形成すること
を特徴とする配線板の製造方法をその要旨とする。

【０００８】請求項２に記載の発明では、請求項１にお
いて、前記高靭性樹脂フィルムはポリイミドフィルムで
あるとした。請求項３に記載の発明では、請求項１また
は２において、前記透孔は前記アライメントマークより
も大きいとした。

【０００９】以下、本発明の「作用」を説明する。請求
項１〜３に記載の発明によると、高靭性樹脂フィルムに
形成された透孔を介してコア基板上のアライメントマー
クを見ることができるため、レーザ照射装置がアライメ
ントマークの位置を正しく認識する。従って、そのアラ
イメントマークを位置合わせの基準として正確な位置に
レーザ光が照射される。よって、バイアホール形成用穴
の位置精度が向上し、ひいてはバイアホールが精度よく
形成される。

【００１０】また、層間絶縁層には高靭性樹脂フィルム
が存在しており、それが下層にある導体層と無電解めっ
き用接着剤層とを隔てている。従って、ヒートサイクル
時に発生する応力が高靭性樹脂フィルムによって吸収さ
れ、それによりクラックの発生が抑制され、かつ下層導
体層の断線も防止される。

【００１１】請求項２に記載の発明によると、ポリイミ
ドフィルムは無電解めっき用接着剤層と比較して破壊伸
度がとりわけ優れており、好適な靭性を備えている。そ
のため、応力を充分に吸収することができ、ヒートサイ
クル時におけるクラックの発生がより確実に抑制され
る。また、クラックが仮に発生したときであってもその
進行が確実にくい止められる。加えて、ポリイミドフィ
ルムは電気的特性や耐熱性にも優れているため、高性能
の配線板を製造することができる。

【００１２】請求項３に記載の発明によると、透孔がア
ライメントマークよりも大きいと、アライメントマーク
がより見やすくなるため、レーザ照射装置がアライメン
トマークの位置をより正しく認識することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態の多層配線板の製造方法を図１〜図６に基づき詳細
に説明する。

【００１４】図１には、この実施形態において穴あけ手
段として使用されるレーザ照射装置１が概略的に示され
ている。このレーザ照射装置１は、Ｘ−Ｙテーブル２、
ＣＯ ₂ ガスレーザ発生源３、反射鏡４、集光レンズ５、
ガルバノヘッド６、ＣＣＤカメラ７、コンピュータ８等
を備えている。Ｘ−Ｙテーブル２上には、被加工物であ
るコア基板１１が固定される。ＣＯ₂ ガスレーザ発生源
３によって発生されたレーザ光Ｂ1 は、反射鏡４により
反射された後、集光レンズ５を経てガルバノヘッド６に
入射する。ガルバノヘッド６は、集光されたレーザ光Ｂ
1 の照射位置を、２枚の独立した反射鏡９ａ，９ｂの位
置調節により変更する。前記反射鏡９ａ，９ｂはそれぞ
れモータ等により駆動される。また、このときの位置調
節はコンピュータ８からの指令により行われる。コンピ
ュータ８はＣＣＤカメラ７からの撮像信号に基づいて画
像認識を行い、その結果に基づいて前記ガルバノヘッド
６に所定の指令を発するようになっている。なお、炭酸
ガスレーザのほかにも、例えばＵＶレーザ、エキシマレ
ーザなどを利用してもよい。

【００１５】次に、図２〜図６に基づいて多層配線板２
７の製造手順を説明する。まず、図２に示されるよう
に、内層導体パターン１３及びアライメントマークパタ
ーン１４が形成されたコア基板１１を作製する。アライ
メントマークパターン１４は、コア基板１１の各コーナ
ー部にそれぞれ設けられている。その形状は円形であっ
て、直径は約１００μｍである。ここで内層導体パター
ン１３及びアライメントマークパターン１４は、ともに
銅パターンであることがよい。このコア基板１１への内
層導体パターン１３及びアライメントマークパターン１
４の形成は、例えば銅張積層板のエッチングという方法
により行われる。また、ガラスエポキシ基板、ＢＴ（ビ
スマレイミドトリアジン）基板、ポリイミド基板、セラ
ミック基板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着
剤層を形成し、この表面を粗化して粗化面とし、ここに
無電解めっきを施すという方法でもよい。また、前記内
層導体パターン１３は、コア基板１１の片面のみに形成
される場合に限定されず、両面に形成される場合も含
む。なお、コア基板１１が両面板である場合には、表裏
を貫通する図示しないスルーホールが形成される。スル
ーホールは表裏両面の配線層を電気的に接続するための
ものである。

【００１６】具体的にいうと本実施形態では、厚さ１mm
のガラスエポキシ樹脂からなる基板に18μｍの銅箔がラ
ミネートされている銅張積層板を出発材料とし、コア基
板１１を作製した。従って、形成される内層導体パター
ン１３及びアライメントマークパターン１４は、同じ銅
箔に由来するものとなる。

【００１７】図２に示されるように、パターン形成後の
コア基板１１には凹凸があることから、パターン１３，
１４間のギャップ部分は樹脂充填層１２で埋められるこ
とが好ましい。その結果、表面の平滑化が図られるから
である。

【００１８】具体的にいうと本実施形態では、以下のよ
うにして樹脂充填層１２の形成用の充填剤を得ている。
まず、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェ
ル製、分子量310 、商品名：YL983U） 100重量部と、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）６
重量部とを混合する。この混合物に対して、平均粒径1.
6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティングさ
れたSiＯ₂ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、
ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの
厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、消泡剤（サン
ノプコ製 ペレノールＳ４）0.5 重量部を混合する。こ
れを３本ロールによって混練することにより、その混合
物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整する。
そして、かかる充填剤をロールコータ等の従来公知の塗
布方法によりコア基板１１に塗布しかつ乾燥・硬化させ
ることで、樹脂充填層１２を形成している。なお、この
後にベルトサンダー等による研磨を行なうことで、より
いっそう表面平滑化を図ってもよい。

【００１９】次に、内層導体パターン１３等が形成され
たコア基板１１上に、接着剤層１５、高靭性樹脂フィル
ム１７及び無電解めっき用接着剤層１６が前記順序で積
層されてなる層間絶縁層２０を形成する（図３，図４参
照）。

【００２０】無電解めっき用接着剤層１６は、高靱性樹
脂フィルム１７及び接着剤層１５を介して、その下層に
ある内層導体パターン１３やアライメントマークパター
ン１４等の下層導体層と一体化している。それゆえ、下
層導体層とそれが接触する前記樹脂充填層１２とは密着
していない。このため、ヒートサイクル時に層間絶縁層
２０に発生する応力が高靱性樹脂フィルム１７によって
吸収され、それによりクラックの発生が抑制される。ま
た、下層導体層の断線も防止される。

【００２１】前記高靱性樹脂フィルム１７は、その破壊
伸度が無電解めっき用接着剤層１６を構成する樹脂より
も大きければよい。このようなものとしては、例えばポ
イリミドフィルム、熱可塑性樹脂フィルム、ゴムフィル
ム等がある。これらは、靱性が高くて破壊伸度も大きい
ため、応力を充分吸収できるからである。

【００２２】ポリイミドフィルムとしては、イミド構造
とビフェニル構造とを兼ね備えるものがよい。その理由
は、耐アルカリ性などの耐薬品性に優れ、破壊伸度も６
０％と高いからである。

【００２３】熱可塑性樹脂フィルムとしては、ポリエー
テルスルフォン（ＰＥＳ：破壊伸度４０〜８０％）、ポ
リスルフォン（ＰＳ：破壊伸度５０〜１００％）、ポリ
フェニレンエーテル（ＰＰＥ：破壊伸度５０％）、ポリ
フェニレンスルフォン（ＰＰＥＳ：破壊伸度６０〜１２
０％）などのフィルムがある。

【００２４】また、ゴムフィルムとしては、アクリロニ
トリル−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、クロロプレ
ンゴム、スチレンブタジエン共重合、ポリアミド、ポリ
エチレンテレフタレートやシリコーンゴムなどをフィル
ム状にしたものが使用可能である。

【００２５】前記接着剤層１５の形成には、例えばエポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン
樹脂などの各種樹脂が使用可能である。この場合、特に
脂環式エポキシ樹脂の使用が望ましい。脂環式エポキシ
樹脂の利点は、誘電率を４以下にできるため信号の伝搬
遅延を防止できること、破壊伸度がクレゾールノボラッ
ク型のエポキシ樹脂よりも大きいこと等である。具体的
にいうと本実施形態では、脂環式エポキシ樹脂であるジ
シクロペンタジエン変成エポキシ樹脂（大日本インキ株
式会社製：ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００）をＤＭＤ
Ｇに溶解させて接着剤層１５に使用される樹脂溶液とし
ている。

【００２６】無電解めっき用接着剤層１６としては、例
えば酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性
樹脂粒子（樹脂フィラー）が、酸あるいは酸化剤に難溶
性の未硬化の耐熱性樹脂（樹脂マトリクス）中に分散し
たものが使用可能である。

【００２７】樹脂フィラーとしては、エポキシ樹脂、ア
ミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）
などがある。樹脂マトリクスとしては、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂
などの各種エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂などがある。その中でも特に脂環式
エポキシ樹脂が望ましい。脂環式エポキシ樹脂は、破壊
伸度が比較的高くて、誘電率が低いからである。

【００２８】具体的にいうと本実施形態では、下記のよ
うにして得られた無電解めっき用接着剤を用いている。
即ち、脂環式エポキシ樹脂であるジシクロペンタジエン
変成エポキシ樹脂（大日本インキ株式会社製：ＥＰＩＣ
ＬＯＮ ＨＰ−７２００）を３５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成製：商品名２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量
部、消泡剤（サンノプコ社製：Ｓ−６５）０．５重量
部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子（三洋
化成製 商品名 ポリマーポール）の平均粒径３．０μ
ｍを１０．３重量部、平均粒径０．５μｍのものを３．
０９重量部を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添
加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度７Ｐａ
・ｓに調整したものである。

【００２９】無電解めっき用接着剤層１６の厚さは、２
μｍ〜５０μｍ程度がよい。これが薄すぎると、密着強
度が低下するからである。逆にこれが厚すぎると、バイ
アホール形成用穴２１のアスペクト比が大きくなり、め
っきが着きにくくなるからである。また、これが厚すぎ
ると光が透過しにくくなることで、アライメントマーク
パターン１４が見にくくなるおそれがあるからである。

【００３０】高靱性樹脂フィルム１７の厚さは、１μｍ
〜５０μｍ程度がよい。これが薄すぎると、クラックを
抑制する効果が低下するからである。逆に、これが厚す
ぎると、バイアホール形成用穴２１のアスペクト比が大
きくなり、めっきが着きにくくなるからである。

【００３１】接着剤層１５の厚さは、０．１μｍ〜３０
μｍ程度がよい。これが薄すぎると、コア基板１１の導
体層と密着しにくくなるからである。逆に、これが厚す
ぎると、バイアホール形成用穴２１のアスペクト比が大
きくなり、めっきが着きにくくなるからである。また、
これが厚すぎると光が透過しにくくなることで、アライ
メントマークパターン１４が見にくくなるおそれがある
からである。

【００３２】また、前記高靭性樹脂フィルム１７は透孔
１９を備えている。透孔１９は、コア基板１１側のアラ
イメントマークパターン１４の位置に対応して設けられ
ている。従って、図１，図３等に示されるように、ここ
では前記透孔１９は高靭性樹脂フィルム１７の各コーナ
ー部に設けられている。透孔１９はアライメントマーク
パターン１４よりも大きいことがよく、例えば１００μ
ｍ〜５００μｍ程度がよい。このようにするとアライメ
ントマークパターン１４がより見やすくなるからであ
る。本実施形態では透孔１９は円形状であって、その径
は約２００μｍに設定されている。前記透孔１９は、例
えばドリル加工やパンチング加工等によって形成される
ことができる。

【００３３】なお、層間絶縁層２０の形成には、例えば
層間絶縁層形成用フィルム状物１８を使用することがよ
い（図３参照）。かかるフィルム状物１８とは、透孔１
９を備える高靭性樹脂フィルム１７の片側面に、無電解
めっき用樹脂の塗布により形成された無電解めっき用接
着剤層１６を備えるものをいう。このようなフィルム状
物１８は、あらかじめ接着剤が塗布されたコア基板１１
に圧着される。

【００３４】具体的にいうと本実施形態では、厚さ２５
μｍのポリイミドフィルム（宇部興産：ユーピレック
ス）１７の片面に、前述の無電解めっき用接着剤を塗布
しかつ６０℃で乾燥させることで、未硬化で厚さ５μｍ
の無電解めっき用接着剤層１６を形成した。

【００３５】そして、あらかじめ接着剤層１５が形成さ
れたコア基板１１上に前記フィルム状物１８を載置し、
ラミネート装置を用いて両者を圧着させた（図４参
照）。この場合、ラミネート温度は１５０℃〜２００℃
に、ラミネート圧は１ｋｇ／ｃｍ ² 〜１００ｋｇ／ｃｍ
² に設定される。脂環式エポキシ樹脂を接着剤層１５に
使用しかつポリイミドフィルム１７を採用した本実施形
態では、ラミネート温度を１７５℃に、ラミネート圧を
２０ｋｇ／ｃｍ² に設定している。

【００３６】ここで、層間絶縁層２０が形成されたコア
基板１１を粗化処理することにより、無電解めっき用接
着剤層１６の表面に粗化面１６ａを形成する。この粗化
面１６ａは、微細な多数のアンカー用凹部を有してい
る。

【００３７】粗化処理に用いられる酸としては、例えば
りん酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸
があり、その中でも特に有機酸を用いることが望まし
い。粗化処理した場合に、バイアホール２５から露出す
る金属導体層を腐食させにくいからである。また、粗化
処理に用いられる酸化剤としては、例えばクロム酸、過
マンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いるこ
とが望ましい。なお、粗化処理は、バイアホール形成用
穴２１の形成前になされてもよく、形成後になされても
よい。

【００３８】次に、上述した図１の炭酸ガスレーザ照射
装置１を用い、開口径を３０μｍに設定して、下記の手
順によりバイアホール形成用穴２１の穴あけを行う（図
５参照）。

【００３９】まず、Ｘ−Ｙテーブル２上に前記コア基板
１１をセットする。コンピュータ８は、アライメントマ
ークパターン１４を見ているＣＣＤカメラ７からの撮像
信号に基づいて画像認識を行う。このとき、ＣＣＤカメ
ラ７は、ポリイミドフィルム１７に設けられている透孔
１９を介して、アライメントマークパターン１４を直接
的に見ることができる。次いで、コンピュータ８は、Ｃ
ＣＤカメラ７が見ているアライメントマークパターン１
４を基準として位置合わせを行う。そして、位置合わせ
ができたら、レーザ光Ｂ1 を短時間照射することによ
り、所定箇所にバイアホール形成用穴２１を形成する。
レーザ光Ｂ1 による穴あけの位置は、コンピュータ８が
ガルバノヘッド６を駆動することにより順次変更され
る。

【００４０】さらに、ここではフルアディティブ法によ
りパターン形成を行うべく、前記粗化面１６ａに対して
触媒核を付与した後、図示しないめっきレジストを形成
する。そして、前記めっきレジストの非形成部分に対し
て無電解めっきを施す。その結果、バイアホール形成用
穴２１がバイアホール内導体層２２で充填され、バイア
ホール２５が完成する（図６参照）。

【００４１】触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属
コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、塩
化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、
触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望まし
い。このような触媒核としてはパラジウムがよい。

【００４２】また、めっきレジストとしては、市販のド
ライフィルムを使用することができる。とくには、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂をメ
タクリル酸やアクリル酸でアクリル化した樹脂と、イミ
ダゾール硬化剤とからなる感光性樹脂組成物を使用する
ことが望ましい。解像度や耐塩基性に優れるからであ
る。

【００４３】バイアホール形成用穴２１を無電解めっき
にて充填形成する場合（いわゆるフィルドビア形成の場
合）は、以下のようにすることがよい。即ち、無電解め
っき用接着剤層１６上に触媒核を付与する前に、バイア
ホール形成用穴２１から露出する下層の導体層の表面を
酸で処理する。このような活性化処理の後、次いで無電
解めっき液に浸漬する。これは表面の酸化皮膜を除去
し、めっきを析出しやすくさせるためである。

【００４４】具体的には本実施形態では、コア基板１１
を下記の組成の無電解銅めっき液に約６時間浸漬するこ
とにより、バイアホール形成用穴２１への無電解銅めっ
きを行った。

【００４５】 金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 8.6 ｍＭ 錯化剤…ＴＥＡ ： 0.15Ｍ 還元剤…ＨＣＨＯ ： 0.02Ｍ その他…安定剤（ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等）：少量 析出速度は、６μｍ／時間 次いで、めっきでバイアホール形成用穴２１を充填した
後、無電解めっき用接着剤層１６上に触媒核を付与し、
めっきレジスト（永久レジスト２４）を設ける。この状
態で無電解めっきを行うことにより、レジスト非形成部
分に外層導体パターン２３を形成する。このようにして
形成される外層導体パターン２３と内層導体パターン１
３とは、バイアホール２５を介して電気的に接続され
る。

【００４６】この工程で使用される無電解めっき液とし
ては、無電解銅めっき液が使用されることがよい。より
詳細には、銅イオン、トリアルカノールアミン、還元剤
及びｐＨ調整剤からなる無電解めっき液が有利である。
高速めっきを実現できるからである。

【００４７】前記トリアルカノールアミンは、トリエタ
ノールアミン、トリイソパノールアミン、トリメタノー
ルアミン及びトリプロパノールアミンから選ばれる少な
くとも１種であることが望ましい。前記アミン類は水溶
性だからである。

【００４８】この無電解めっき液に用いられる還元剤
は、アルデヒド、次亜リン酸塩、水素化ホウ素塩及びヒ
ドラジンから選ばれる少なくとも１種であることが望ま
しい。先に列挙した物質は水溶性であり、塩基性条件下
で還元力を持つからである。

【００４９】また、ｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム及び水酸化カルシウムから選ばれる少な
くとも１種であることが望ましい。なお、導体層と無電
解めっき用接着剤層との密着力を向上させる方法として
は、以下のような方法もある。即ち、銅、ニッケル、コ
バルト及びリンから選ばれる少なくとも２種以上の金属
イオンを使用した合金めっきを一次めっきとして施した
後、銅めっきを二次めっきとして施す方法である。これ
らの合金は強度が高く、ピール強度を向上させることが
できるからである。

【００５０】具体的にいうと本実施形態では、永久レジ
スト２４が形成されたコア基板１１に対して、下記組成
を有する無電解銅−ニッケル合金めっき浴を用いて一次
めっきを行い、レジスト非形成部分に厚さ約1.7 μｍの
銅−ニッケル−リンめっき薄膜を形成した。めっき浴の
温度は60℃とし、めっき浸漬時間は１時間とした。

【００５１】 金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 6.0 ｍＭ（1.5 ｇ／ｌ） … NiSO₄・6H₂O ： 95.1 ｍＭ（25ｇ／ｌ） 錯化剤… Na₃C₆H₅O₇ ： 0.23Ｍ （60ｇ／ｌ） 還元剤… NaPH₂O₂・H₂O ： 0.19Ｍ （20ｇ／ｌ） ｐＨ調節剤…NaOH ： 0.75Ｍ （pH＝9.5 ） 安定剤…硝酸鉛 ： 0.2 ｍＭ（80ppm ） 界面活性剤 ： 0.05ｇ／ｌ 析出速度は、1.7 μｍ／時間 また、一次めっき処理したコア基板１１を、前記めっき
浴から引き上げて表面に付着しているめっき浴を水で洗
い流し、さらに、そのコア基板１１を酸性溶液で処理す
ることにより、銅−ニッケル−リンめっき薄膜表層の酸
化皮膜を除去した。その後、Pd置換を行うことなく、国
際公開番号ＷＯ９６／２０２９４号の国際特許出願に記
載の前処理液で活性化処理を施し、銅−ニッケル−リン
めっき薄膜上に、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて
二次めっきを施した。めっき浴の温度は50〜70℃とし、
めっき浸漬時間は90〜360 分とした。

【００５２】 金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 8.6 ｍＭ 錯化剤…ＴＥＡ ： 0.15Ｍ 還元剤…ＨＣＨＯ ： 0.02Ｍ その他…安定剤（ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等）：少量 析出速度は、６μｍ／時間 また、本実施形態では永久レジスト２４の作製を以下の
ような手順で行った。まず、感光性エポキシ樹脂からな
る液状のワニスを作製し、それをコア基板１１にロール
コーターを用いて塗布し、６０℃で３０分の乾燥を行っ
た。それにより厚さ３０μｍのレジスト層とした。次い
でフォトマスクフィルムを載置して４００ｍＪ／ｃｍ²
の紫外線を照射しかつ露光した。フォトマスクフィルム
を取り除き、レジスト層をＤＭＴＧで溶解現像した後、
開口部を所定箇所に有するめっき用レジストをコア基板
１１上に形成した。さらに超高圧水銀灯によって６００
０ｍＪ／ｃｍ² で露光し、１００℃で１時間かつ１５０
℃で３時間の加熱処理を行い、永久レジスト２４とし
た。

【００５３】そして、以上のような各工程を経ることに
より、所望の多層配線板２７が製造される。なお、層間
絶縁層２０の形成以降の工程を必要に応じて繰り返して
ビルドアップを行えば、さらに多層化した多層配線板２
７を得ることができる。

【００５４】さて、以下に本実施形態において特徴的な
作用効果を列挙する。 （イ）本実施形態の製造方法では、高靭性樹脂フィルム
１７に透孔１９を形成したことを特徴としている。よっ
て、その透孔１９を介してコア基板１１上のアライメン
トマークパターン１４を見ることができる。つまり、高
靭性樹脂フィルム１７の光透過性が仮に低いものであっ
たとしても、その存在によりコーナー部における光の通
過が妨げられることはない。このため、炭酸ガスレーザ
照射装置１のＣＣＤカメラ７は、アライメントマークパ
ターン１４の位置を正しく認識することができる。従っ
て、コンピュータ８はそのアライメントマークパターン
１４を位置合わせの基準とすることで、正確な位置にレ
ーザ光Ｂ1 を照射することができる。従って、バイアホ
ール形成用穴２１の位置精度が向上し、ひいてはバイア
ホール２５が精度よく形成される。

【００５５】（ロ）また、層間絶縁層２０には高靭性樹
脂フィルム１７が存在しており、それが下層にある導体
層と無電解めっき用接着剤層１６とを隔てている。従っ
て、ヒートサイクル時に発生する応力が高靭性樹脂フィ
ルム１７によって吸収され、それによりクラックの発生
が抑制され、かつ下層導体層の断線も防止される。

【００５６】本実施形態では、破壊伸度がとりわけ優れ
かつ好適な靭性を備えるポリイミドフィルム１７が使用
されている。そのため、応力を充分に吸収することがで
き、クラックの発生がより確実に抑制される。また、ク
ラックが仮に発生したときであってもその進行が確実に
くい止められる。加えて、ポリイミドフィルム１７は電
気的特性や耐熱性にも優れているため、高性能の多層配
線板２７を製造することができる。

【００５７】（ハ）本実施形態の製造方法では、透孔１
９がアライメントマークパターン１４よりも大きく形成
されている。ゆえに、アライメントマークパターン１４
がより見やすくなっており、レーザ照射装置１がその位
置をより正しく認識することができる。このことは、バ
イアホール２５の形成精度の向上に確実に寄与してい
る。

【００５８】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはなく、例えば次のような形態に変更することが可
能である。 ◎ コア基板１１の片側面のみにビルドアップ層を形成
した実施形態に代え、コア基板１１の両面にビルドアッ
プ層を形成しても勿論よい。

【００５９】◎ あらかじめ接着剤が塗布されたコア基
板１１上に高靭性樹脂フィルム１７のみを圧着した後、
その上面に無電解めっき用接着剤を塗布することにより
無電解めっき用接着剤層１６を形成するという方法を採
用してもよい。また、無電解めっき用接着剤層１６の塗
布形成に代えて、無電解めっき用接着剤フィルムを圧着
してもよい。

【００６０】◎ 透孔１９の形状や大きさは、コア基板
１１上のアライメントマーク１４の大きさや形状に応じ
て変更可能である。例えばアライメントマーク１４が矩
形状であるときには、透孔１９をそれに合わせて矩形状
にしてもよい。もっとも、透孔１９とアライメントマー
ク１４とは必ずしも相似形状でなくてもよい。

【００６１】◎ 無電解めっき用接着剤層１６はフィラ
ーを含まないことがよい。フィラーを含まないと、層間
絶縁層２０内においてレーザ光が散乱せず、しかも層間
絶縁層２０が吸湿しにくくなり、さらに接着剤自体が廉
価になる等の利益が得られるからである。従って、かか
る場合には、粗化金属箔をフィラー抜きの無電解めっき
用接着剤層１６に圧着しておき、それを剥離することで
粗化面１６ａを形成するという方法が適している。

【００６２】◎ アライメントマーク１４はめっき等に
よって形成されたものであってもよい。また、必ずしも
コア基板１１上の内層導体パターン１３と同じ導電金属
材料に由来するものでなくてもよく、例えば印刷された
もの等でもよい。

【００６３】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） アライメントマークが形成されたコア基板上
に、接着剤層、高靭性樹脂フィルム及び無電解めっき用
接着剤層が前記順序で積層されてなる層間絶縁層を形成
した後、前記アライメントマークを位置合わせの基準と
してレーザ光照射をする穴あけ方法であって、前記高靭
性樹脂フィルムに前記アライメントマークの位置に対応
して透孔を設け、その透孔を介して見える前記アライメ
ントマークを基準として位置合わせを行ったうえでレー
ザ光照射をすることを特徴とする層間絶縁層の穴あけ方
法。この方法によると、コア基板上のアライメントマー
クを位置合わせの基準として用いて所望の穴を精度よく
形成することができる。

【００６４】（２） コア基板側のアライメントマーク
の位置に対応して設けられた透孔を備える高靭性樹脂フ
ィルムと、その高靭性樹脂フィルムの片側面に無電解め
っき用樹脂の塗布により形成された無電解めっき用接着
剤層とを含む層間絶縁層形成用フィルム状物。これを使
用すると、本発明の製造方法を確実にかつ容易に実施す
ることができる。

【００６５】（３） 請求項１〜３のいずれか１項にお
いて、前記無電解めっき用接着剤層はフィラーを含まな
いことを特徴とする配線板の製造方法。この方法である
と、層間絶縁層内においてレーザ光が散乱せずしかも層
間絶縁層が吸湿しにくくなり、さらに無電解めっき用接
着剤自体が廉価になる等の利益が得られる。

【００６６】（４） 請求項１〜３のいずれか１項にお
いて、前記アライメントマークは、前記コア基板上の内
層導体パターンと同じ導電金属材料に由来するアライメ
ントマークパターンであることを特徴とする配線板の製
造方法。このようなものであると、内層導体パターンの
パターニング時に同時にアライメントマークパターンも
形成できるため、効率化が図られるとともに位置精度も
向上する。

【００６７】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。「レーザ： 炭酸ガスレー
ザ、ＵＶレーザ、エキシマレーザ等をいう。」

【００６８】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜３に記
載の発明によれば、コア基板上のアライメントマークを
位置合わせの基準として用いて、バイアホールを精度よ
く形成することができる配線板の製造方法を提供するこ
とができる。

【００６９】請求項２に記載の発明によれば、好適な靭
性、電気的特性、耐熱性を備えるポリイミドフィルムの
使用により、ヒートサイクル時におけるクラックの発生
がより確実に抑制することができ、かつ高性能の多層配
線板を製造することができる。

【００７０】請求項３に記載の発明によれば、レーザ照
射装置がアライメントマークの位置をより正しく認識す
ることができるため、バイアホールをよりいっそう精度
よく形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施形態の配線板の製造
方法において、レーザ照射装置による穴あけを説明する
ための概略斜視図。

【図２】同じくコア基板に接着剤層を形成した状態を示
す部分概略断面図。

【図３】同じく無電解めっき用接着剤層を備えるポリイ
ミドフィルムを圧着する際の状態を示す部分概略断面
図。

【図４】同じくポリイミドフィルム圧着後の状態を示す
部分概略断面図。

【図５】同じくバイアホール形成用穴を形成した状態を
示す部分概略断面図。

【図６】同じく無電解めっき後の状態を示す部分概略断
面図。

【図７】従来における配線板の製造方法の問題点を説明
するための部分概略断面図。

【符号の説明】

１１…コア基板、１４…アライメントマークとしてのア
ライメントマークパターン、１５…接着剤層、１６…無
電解めっき用接着剤層、１７…高靭性樹脂フィルムとし
てのポリイミドフィルム、１９…透孔、２０…層間絶縁
層、２１…バイアホール形成用穴、２７…多層配線板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/46 H05K 3/00

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アライメントマークが形成されたコア基板
   上に、接着剤層、高靭性樹脂フィルム及び無電解めっき
   用接着剤層が前記順序で積層されてなる層間絶縁層を形
   成した後、前記アライメントマークを位置合わせの基準
   としてレーザ光照射をすることにより、前記層間絶縁層
   の所定箇所にバイアホール形成用穴を形成する配線板の
   製造方法であって、 前記高靭性樹脂フィルムに前記アライメントマークの位
   置に対応して透孔を設け、その透孔を介して見える前記
   アライメントマークを基準として位置合わせを行ったう
   えで、レーザ光照射により前記バイアホール形成用穴を
   形成することを特徴とする配線板の製造方法。
2. 【請求項２】前記高靭性樹脂フィルムはポリイミドフィ
   ルムであることを特徴とする請求項１に記載の配線板の
   製造方法。
3. 【請求項３】前記透孔は前記アライメントマークよりも
   大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の配線
   板の製造方法。