JP4592929B2 - 多層回路基板 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層化コア基板の両面にビルドアップ配線層が形成された多層回路基板に係り、とくに、充填ビアホールを備えた複数の片面または両面回路基板を積層し、接着剤を介して一括加熱プレスすることにより形成された多層コア基板内の導体回路と、多層コア基板上に形成したビルドアップ配線層との電気的接続が、多層コア基板に形成したビアホールと、その直上に形成したビルドアップ配線層内のビアホールとを介して確保でき、さらにビルドアップ配線層の最も外側の導体回路表面の一部が導体パッドあるいは接続用端子の形態に形成され、その導体パッドあるいは接続用端子に対してＬＳＩ等の半導体チップを搭載するパッケージ基板を実装するに有利なマザーボード用多層回路基板について提案する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩ等の半導体チップを含む電子部品を実装するパッケージ基板は、電子工業の進歩に伴う電子機器の小型化あるいは高速化に対応し、ファインパターンによる高密度化および信頼性の高いものが求められている。
このようなパッケージ基板として、１９９７年、１月号の「表面実装技術」には、多層コア基板の両面にビルドアップ多層配線層が形成されたものが開示されている。
【０００３】
ところが、上掲の従来技術に係るパッケージ基板では、多層コア基板内の導体層とビルドアップ配線層との接続は、多層コア基板の表面にスルーホールから配線した内層パッドを設け、この内層パッドにビアホールを接続させて行っていた。このため、スルーホールのランド形状がダルマ形状あるいは鉄アレイ形状となり、その内層パッドの領域がスルーホールの配置密度の向上を阻害し、スルーホールの形成数には一定の限界があった。それ故に、配線の高密度化を図るためにコア基板を多層化すると、外層のビルドアップ配線層は、多層コア基板内の導体層と十分な電気的接続を確保することができないという問題があった。
【０００４】
なお、このような問題点については、本発明らは先に、特願平第１０−１５３４６号（特開平第１１−２１４８４６号）としてその改善方法を提案した。
このような改善提案による多層回路基板は、内層に導体層を有する多層コア基板上に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されて各導体層間がビアホールにて接続されたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板において、多層コア基板には、スルーホールが形成され、そのスルーホールには充填材が充填されるとともに該充填材のスルーホールからの露出面を覆って導体層が形成され、その導体層にはビアホールが接続された構成であり、それによってスルーホールの配置密度が向上し、高密度化したスルーホールを介して多層化したコア基板内の導体回路との接続が確保できるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる構成の多層回路基板におけるスルーホールは、多層化されたコア基板にドリル等で貫通孔を明け、その貫通孔の壁面および基板表面に無電解めっきを施して形成されるため、その開口性や経済性を考慮すると、形成され得るスルーホール開口径の下限は３００μｍ程度であり、現在の電子産業界の要請を満足するような超高密度配線を実現するためには、５０〜２５０μｍ程度のより小さな開口径と、より狭いスルーホールランドピッチを得るための技術開発が望まれている。
【０００６】
そこで、本発明者らは、硬質材料からなるコア材の片面または両面に導体回路を有し、その片面からコア材を貫通して導体回路に達する充填ビアホールを形成してなる回路基板の複数枚を互いに積層し、接着剤を介して一括して加熱プレスすることにより多層コア基板を形成すれば、多層コア基板にスルーホールを設けることなく、多層コア基板内の導体回路同士、および多層コア基板内の導体回路と多層コア基板上に形成したビルドアップ配線層との電気的接続が、多層コア基板に形成した充填ビアホールと、その直上に形成したビルドアップ配線層内のビアホールとを介して十分に確保できることを知見し、
さらに、一方のビルドアップ配線層の最も外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドに形成し、そのはんだパッドに対してＬＳＩ等の半導体チップを含んだ電子部品を接続するための導電性バンプを配設するとともに、他方のビルドアップ配線層の最も外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドに形成し、そのはんだパッドに対してマザーボードに直接的に接続できる導電性ピンまたは導電性ボールを配設することによって高密度配線および電子部品の高密度実装化が可能なパッケージ基板を実現できることを知見した。
【０００７】
さらにまた、上記ビルドアップ配線層の最も外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドあるいは接続用端子の形態に形成するだけで、電子部品搭載用の導電性バンプや導電性ピンまたは導電性ボールをはんだパッド上に配設しないような構造の多層プリント配線板は、パッケージ基板そのものを搭載するマザーボードとして用いられる多層プリント配線板として好適であることを知見した。
本発明の目的は、このような高密度配線化および電子部品の高密度実装に有利な多層回路基板を提供することにあり、とくに、マザーボードとして用いられるのに有利な多層プリント配線板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成とする発明に想到した。すなわち、
本発明の多層回路基板は、内層に導体回路を有する多層コア基板の両面上に、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成された導体層とが交互に積層され、各導体層間がビアホールにて接続されたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板において、
上記多層コア基板は、硬化した硬質の樹脂材料から形成された絶縁性硬質基材の片面または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達する孔内に、導電性物質が充填されてなるビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を介して積層され、一括して加熱プレスされることで形成され、さらに、
上記ビルドアップ配線層の最も外側の導体層は、ソルダーレジスト層に覆われ、そのソルダーレジスト層に設けた開口から露出する前記導体層の少なくとも一部は、導体パッドあるいは接続用端子に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
上記多層コア基板を構成する各回路基板のビアホールに充填される導電性物質は、電解めっきにより形成された金属めっきまたは導電性ペーストから形成されることが望ましく、金属めっきとしては電解銅めっきがより好ましく、導電性ペーストとしては、金属粒子と、熱硬化性または熱可塑性の樹脂とからなるものがより好ましい。
【００１０】
また、上記多層コア基板を構成する各回路基板は、上記絶縁性硬質基材の孔のビアホールに電気的に接続されるとともにその孔から突出し、加熱プレスにより接着剤層を貫通するとともに熱変形する突起状導体を有しており、その突起状導体は導電性ペーストから形成されることが望ましい。
【００１１】
上記ビルドアップ配線層のビアホールの一部は、上記多層コア基板に形成されたビアホールの直上に位置して、そのビアホールに直接接続されていることが望ましい。
【００１２】
上記多層回路基板において、多層コア基板を構成する各回路基板の絶縁性基材は、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材、から選ばれるいずれかの硬質基材から形成されることが望ましい。
【００１３】
また、上記多層コア基板を構成する各回路基板の絶縁性基材は、厚さが２０〜６００μｍのガラス布エポキシ樹脂基材から形成され、前記充填ビアホール径は５０〜２５０μｍであることが望ましい。
【００１４】
さらに、前記充填ビアホールは、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、ショット数が１〜５０の条件での炭酸ガスレーザ開口に対して形成されたものであることが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の多層回路基板は、多層コア基板上にビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板において、多層コア基板を、絶縁性硬質基材の片面または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達する貫通孔に電解めっきや導電性ペースト等の導電性物質が充填されてなる回路基板の複数枚を接着剤層を介して互いに積層し、かつ一括して加熱プレスすることで形成した点に特徴がある。
【００１６】
このような構成によれば、コア基板にスルーホールを設けることが不要となるので、ランドなどのパッド配設の自由度が向上する。その結果、充填ビアホールを高密度に設けることができ、こうして高密度化されたビアホールを介して、外層のビルドアップ配線層は、多層コア基板内の導体回路と十分な接続を確保することが可能になり、高密度配線化が可能となる。また、多層コア基板内においても配線の更なる高密度化が可能となる。
【００１７】
さらに、本発明の多層回路基板は、硬質な絶縁性基材の片面または両面に導体回路を有する複数の回路基板を接着剤を介して積層し、一括して加熱プレスにより形成した多層コア基板の表面および裏面に形成されたビルドアップ配線層の最も外側の導体層がソルダーレジスト層で覆われ、そのソルダーレジスト層に形成した開口から露出する導体層の少なくとも一部が、電子部品を搭載するパッケージ基板のはんだボールやＴピンに接続されるべく、導体パッドあるいは接続用端子の形態に形成されていることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、ビルドアップ配線層内にビアホールが高密度に設けられ、こうして高密度化されたビアホールのうち、最も外側に位置するソルダーレジスト層に形成した開口から露出するビアホールの一部が、導体パッドあるいは接続用端子の形態に形成され得るので、ＬＳＩ等の半導体チップを含んだ電子部品を搭載するパッケージ基板に設けたはんだボールやＴピンに最短の配線長で接続され、高密度配線化および高密度実装化が可能となる。
【００１９】
本発明において、多層コア基板を構成する各回路基板は、従来のような半硬化状態のプリプレグではなく、完全に硬化した硬質の樹脂材料から形成された絶縁性樹脂基材から形成される。
【００２０】
このような絶縁性基材としては、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材から選ばれるリジッド（硬質）な積層基材が使用され、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も望ましい。
【００２１】
上記絶縁性基材上に導体回路を形成する場合には、絶縁性基材上に銅箔を加熱プレスによって圧着させる工程において、プレス圧による絶縁性基材の最終的な厚みの変動がなくなるので、ビアホールの位置ずれが最小限度に抑えられ、ビアランド径を小さくでき、その結果、配線ピッチを小さくして配線密度を向上させることができる。
【００２２】
また、硬化された樹脂基材を絶縁性基材として用いるので、基材の厚みを実質的に一定に保つことができ、ひいてはビアホール形成用開口を形成する際のレーザ加工条件の設定が容易となる。
【００２３】
上記絶縁性基材の厚さは、２０〜６００μｍが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するためである。２０μｍ未満の厚さでは強度が低下して取扱が難しくなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くなるからであり、６００μｍを超えると微細なビアホール形成用開口が難くなると共に、基板そのものが厚くなるためである。
【００２４】
また、上記範囲の厚さを有するガラスエポキシ基板上に形成されるビアホール形成用開口は、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が0.５ｍｓ以上、ショット数が１〜５０の条件で照射される炭酸ガスレーザによって形成されることが好ましく、その開口径は、５０〜２５０μｍの範囲であることが望ましい。その理由は、５０μｍ未満では開口に導電性物質を充填し難くなると共に、接続信頼性が低くなるからであり、２５０μｍを超えると、高密度化が困難になるからである。
【００２５】
このような炭酸ガスレーザによる開口形成の前に、絶縁性基材の導体回路形成面と反対側の面に樹脂フィルムを粘着させ、あるいは必要に応じて、半硬化状態の樹脂接着剤層を介して樹脂フィルムを粘着させ、その樹脂フィルム上からレーザ照射を行うのが望ましい。
前者の方法は、片面に予め銅箔が貼り付けてある絶縁性基材に銅箔の反対側からレーザ照射を行なって非貫通孔を設け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリードとして電解めっき層を充填した後、エッチング処理することによって片面回路基板を製作する場合、あるいは片面銅張積層板をエッチング処理して導体回路を予め形成した絶縁性基材にレーザ照射により非貫通孔を設け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリードとして電解めっき層を充填することによって片面回路基板を製作する場合に採用され、後者は、絶縁性基材に予めレーザ照射により貫通孔を設け、その貫通孔を導電性ペーストで充填した後に、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付け、エッチング処理することによって両面回路基板を製作する場合に採用される。
この樹脂接着剤は、銅箔を絶縁性基材の表面に接着するためのものであり、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂から形成され、その厚みは１０〜５０μｍの範囲が好ましい。
【００２６】
上記絶縁性基材上にあるいはその絶縁性基材上に形成した樹脂接着剤層の上に貼付けられた樹脂フィルムは、ビアホール形成用の開口内に電解めっきを充填してビアホールを形成する際の保護フィルムとして、あるいは開口内に導電性ペーストを充填してビアホールと突起状導体を形成する際の、あるいは電解めっき層の上に導電性ペーストを充填して電解めっき層の直上に突起状導体（バンプ）を形成する際の印刷用マスクとして機能し、導電性物質の充填後は、絶縁性基材あるいは接着剤層から剥離されるような粘着剤層を有する。
この樹脂フィルムは、たとえば、粘着剤層の厚みが１〜２０μｍであり、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍであるＰＥＴフィルムから形成されるのが好ましい。
【００２７】
その理由は、ＰＥＴフィルムの厚さに依存して後述する突起状導体の高さが決まるので、１０μｍ未満の厚さでは突起状導体が低すぎて接続不良になりやすく、逆に５０μｍを超えた厚さでは、接続界面で突起状導体が拡がりすぎるので、ファインパターンの形成ができないからである。
【００２８】
上記絶縁性基材に形成した開口内部に充填される導電性物質としては、電解めっき処理によって形成される金属めっきや導電性ペーストが好ましい。
導電性ペーストは、工程をシンプルにして、製造コストを低減させ、歩留まりを向上させる点では好ましいが、接続信頼性の点から金属めっきがより好ましい。
上記導電性ペーストとしては、銀、銅、金、ニッケル、半田から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子からなる導電性ペーストを使用できる。
上記金属粒子としては、金属粒子の表面に異種金属をコーティングしたものも使用できる。具体的には銅粒子の表面に金、銀から選ばれる貴金属を被覆した金属粒子を使用することができる。
このような導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフイド（ＰＰＳ）などの熱可塑性樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。
【００２９】
絶縁性基材の片面または両面に形成される導体回路は、厚さが５〜１８μｍの銅箔を半硬化状態に保持された樹脂接着剤層を介して熱プレスした後、適切なエッチング処理をすることによって形成されるのが好ましい。このような熱プレスは、適切な温度および加圧力のもとで行なわれる。より好ましくは、減圧下において行なわれ、半硬化状態の樹脂接着剤層のみを硬化することによって、銅箔を絶縁性基材に対してしっかりと接着され得るので、従来のプリプレグを用いた回路基板に比べて製造時間が短縮される。
【００３０】
このような導体回路が絶縁性基材の両面に形成されるような回路基板は、多層コア基板のコアとして適切であるが、各ビアホールに対応した基板表面には、導体回路の一部としてのビアランド(パッド)が、その口径が５０〜２５０μｍの範囲に形成されるのが好ましい。
【００３１】
また、導体回路が絶縁性基材の片面に形成されるような回路基板は、それらの複数枚を順次重ね合わせて多層化基板とすることができるだけでなく、両面回路基板をコアとし、その両側に積層される積層用回路基板として適切であり、ビアホールに充填された導電性物質の位置の真上に突起状導体が形成されることが好ましい。
【００３２】
上記突起状導体は、導電性ペーストや低融点金属から形成されることが好ましく、各回路基板を積層して、一括して加熱プレスする工程において、導電性ペーストあるいは低融点金属が熱変形するので、前記ビアホール内に充填される導電性物質の高さのばらつきを吸収することができ、それ故に、接続不良を防止して接続信頼性に優れた多層コア基板を得ることができる。
また、このような突起状導体は、ビアホール内に充填される導電性ペーストと同一の材料で、しかも同一の充填工程によって形成されることもできる。
【００３３】
さらに、多層コア基板上に形成するビルドアップ配線層を、後述するような樹脂の塗布および硬化によって形成する場合には、多層コア基板表面に設けた導体回路の表面には、粗化層が形成されていることが有利である。
その理由は、多層コア基板上に積層されるビルドアップ配線層内の層間樹脂絶縁層やビアホールとの密着性を改善することができるからである。
とくに、導体回路の側面に粗化層が形成されていると、その導体回路側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラックを抑制することができる。
【００３４】
一方、ビルドアップ配線層を、後述するような樹脂フィルムの積層および加熱加圧による硬化によって形成する場合には、粗化層の形成は必ずしも必要でない。
【００３５】
このような導体回路の表面に形成される粗化層の厚さは、 ０．１〜１０μｍがよい。この理由は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄すぎると被着体との密着力が低くなるからである。
この粗化層としては、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめっき処理にて形成したものがよい。
【００３６】
これらの粗化処理のうち、有機酸−第二銅錯体の混合水溶液を用いた処理では、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で次のように作用し、導体回路である銅などの金属箔を溶解させる。
Ｃｕ＋Ｃｕ（II）An→２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２
２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２＋ｎ／４Ｏ_２＋ｎＡＨ（エアレーション）
→２Ｃｕ（II）Ａ_ｎ＋ｎ／２Ｈ_２Ｏ
式中、Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配位数である。
【００３７】
この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用する。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールなどがよい。
このアゾール類の第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％がよい。この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れるからである。
【００３８】
また、有機酸は、酸化銅を溶解させるために配合させるものである。
具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少なくとも１種がよい。
この有機酸の含有量は、０．１〜３０重量％がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためである。
なお、発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。
また、有機酸に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加してもよい。
【００３９】
この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲンイオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給できる。
ハロゲンイオン量は、０．０１〜２０重量％がよい。この範囲内にあれば、形成された粗化層は層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。
この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸（必要に応じてハロゲンイオン）を、水に溶解して調製する。
【００４０】
また、銅−ニッケル−リンからなる針状合金のめっき処理では、硫酸銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．１〜６．０ｇ／ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。
【００４１】
本発明においては、多層コア基板は、上記片面回路基板の複数枚を積層して、それらを一括して加熱加圧することによって形成されるが、その多層コア基板上にビルドアップ配線層を構成する層間樹脂絶縁層を形成する。
【００４２】
上記層間樹脂絶縁層の形成は、予め粘度などを調整し、液状にした樹脂をカーテンコータ、ロールコータ、印刷などによって塗布して形成する方法、半硬化のＢステージ状態にしたフィルム上にしたものを貼り付ける方法、もしくは板状になった樹脂膜を圧着、加熱圧着して形成させる方法を行うことができる。
【００４３】
上記層間絶縁樹脂層を形成する樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂（紫外線硬化性樹脂なども意味する）、熱硬化性樹脂の一部をアクリル化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体が少なくとも１種類以上用いられているものを用いることが望ましい。それ以外にも硬化剤、反応促進剤、光反応重合剤、添加剤、溶剤などを含有させてもよい。
【００４４】
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスーマレイド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂などを使用できる。
【００４５】
上記エポキシ樹脂としては、フェノ−ルノボラック型、クレゾ−ルノボラック型などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００４６】
上記感光性樹脂としては、アクリル樹脂、また、熱硬化性樹脂に感光化する場合は、熱硬化性樹脂の熱硬化基にメタクリル酸やアクリル酸などとをアクリル化反応させる。
【００４７】
上記熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエ−テルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルホォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ），ポリフェニルエ−テル（ＰＰＥ）、ポリエ−テルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
【００４８】
上記樹脂複合体としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との組み合わせがある。
上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との組み合わせとしては、フェノール樹脂とポリエーテルスルフォン、ポリイミド樹脂とポリスルホォン、エポキシ樹脂とポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂とフェノキシ樹脂などがある。
【００４９】
上記感光性樹脂と熱可塑性樹脂との組み合わせとしては、エポキシ基の一部をアクリル化したエポキシ樹脂とポリエーテルスルフォン、アクリル樹脂とフェノキシ樹脂などがある。樹脂複合体の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。
【００５０】
また、層間樹脂絶縁層は２層構成以上にしてもよい。つまり２層の異なる樹脂によって樹脂層から形成してもよい。例えば、フィラー成分を少なくして絶縁性を向上させて、上層には、酸あるいは酸化剤に対して可溶性のフィラーを含浸させることにより、無電解めっき膜と密着性を高めるという構成にしてもよい。形成させる樹脂層の厚みは、２０〜７０μｍの間で形成させることが望ましい。特に望ましいのは、２５〜５０μｍの間であり、その厚みであれば絶縁性という点でもめっき膜との密着性という点でも容易にクリアできるからである。
【００５１】
上記樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００５２】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００５３】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００５４】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００５５】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００５６】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００５７】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００５８】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００５９】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００６０】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００６１】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００６２】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００６３】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００６４】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
【００６５】
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００６６】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００６７】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００６８】
本発明において、ビルドアップ配線層を構成する層間樹脂絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂等の所望枚数の樹脂フィルムを積層し、加熱プレスした後、熱硬化させて一体化させて形成することができる。
ポリオレフィン系樹脂層の厚さは、５〜２００μｍの範囲が望ましい。その理由は、５μｍ未満では層間絶縁の確保が難しく、２００μｍを超えるとレーザ加工による開口を形成し難くなるからである。
【００６９】
また本発明において、ビルドアップ配線層を構成する層間樹脂絶縁層としては、無電解めっき用接着剤を用いることができる。
この無電解めっき用接着剤としては、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。この理由は、酸や酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面が形成できるからである。
粗化面の深さは、０．１〜２０μｍがよい。密着性を確保するためである。また、セミアディティブプロセスにおいては、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できる範囲だからである。
【００７０】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、(1)平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(2)平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3)平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4)平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、(5)平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを超え２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(6)平均粒径が０．１〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末、から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望ましい。上記樹脂粒子の代わりに金属粒子、無機粒子を用いてもよく、またそれらの複数種類を混合して用いてもよい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。
この無電解めっき用接着剤で使用される耐熱性樹脂は、前述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。
【００７１】
本発明において、多層コア基板上に形成された導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電気的接続は、層間樹脂絶縁層内に形成したビアホールで接続することができる。この場合、ビアホールは、めっき膜や充填材で充填してもよい。
【００７２】
以下、本発明の多層回路基板を製造する一例について、添付図面を参照にして具体的に説明する。なお、以下に述べる方法において、多層コア基板上へのビルドアップ配線層の形成は、セミアディティブ法によって行う。
【００７３】
(Ａ) 多層コア基板の形成
(1) 本発明にかかる多層回路基板を製造するに当たって、ベースとなる多層コア基板を構成する回路基板は、絶縁性基材１０の片面に銅箔１２が貼付けられたものを出発材料として用いる。
【００７４】
この絶縁性基材１０は、たとえば、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材から選ばれる硬質な積層基材が使用され得るが、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ましい。
【００７５】
上記絶縁性基材１０の厚さは、２０〜６００μｍが望ましい。その理由は、２０μｍ未満の厚さでは、強度が低下して取扱が難しくなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くなり、６００μｍを超える厚さでは微細なビアホールの形成および導電性ペーストの充填が難しくなるとともに、基板そのものが厚くなるためである。
【００７６】
また銅箔１２の厚さは、５〜１８μｍが望ましい。その理由は、後述するようなレーザ加工を用いて、絶縁性基材にビアホール形成用の開口（非貫通孔）を形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからであり、逆に厚すぎるとエッチングにより、微細な線幅の導体回路パターンを形成し難いからである。
【００７７】
上記絶縁性基材１０および銅箔１２としては、特に、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてＢステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレスすることにより得られる片面銅張積層板を用いることが好ましい。その理由は、銅箔１２が後述するようにエッチングされた後の取扱中に、配線パターンやビアホールの位置がずれることがなく、位置精度に優れるからである。
【００７８】
(2) まず、両面に導体回路が形成された回路基板を製造する場合には、このような絶縁性基材１０の銅箔１２が貼付けられた表面と反対側の表面に、保護フィルム１４を貼付ける（図１(ａ)参照）。
【００７９】
この保護フィルム１４は、後述する突起状導体を形成する導電性ペーストの印刷用マスクとして使用され、たとえば、表面に粘着層を設けたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが使用され得る。
前記ＰＥＴフィルム１４は、粘着剤層の厚みが１〜２０μｍ、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍであるようなものが使用される。
【００８０】
(3) ついで、絶縁性基材１０上に貼付けられたＰＥＴフィルム１４上から炭酸ガスレーザ照射を行って、ＰＥＴフィルム１４を貫通して、絶縁性基材１０の表面から銅箔１２に達する開口１６を形成する（図１(ｂ)参照）。
このレーザ加工は、パルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によって行われ、その加工条件は、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、ショット数が１〜５０の範囲内であることが望ましい。
このような加工条件のもとで形成され得るビア口径は、５０〜２５０μｍであることが望ましい。
【００８１】
(4) 前記(3)の工程で形成された開口１６の側面および底面に残留する樹脂残滓を除去するために、デスミア処理を行う。
このデスミア処理は、酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レーザ処理またはエキシマレーザ処理等によって行われる。特に、開口内に紫外線レーザまたはエキシマレーザを照射することによってデスミア処理するのが、接続信頼性の確保の観点から望ましい。
【００８２】
このデスミア処理を、たとえば、ＹＡＧ第３高調波を用いた紫外線レーザ照射によって行う場合のレーザ照射条件は、発信周波数が３〜１５ＫＨｚ、パルスエネルギーが０．１〜５ｍＪ、ショット数が５〜３０の範囲が望ましい。
【００８３】
(5) 次に、デスミア処理された基板に対して、以下のような条件で銅箔１２をめっきリードとする電解銅めっき処理を施して、開口１６内に電解銅めっき１８を充填して、充填ビアホール２０を形成する（図１（ｃ）参照）。このめっき処理により、開口１６の上部には後述するような導電性ペースト２２を充填できる程度のわずかの隙間を残して電解銅めっき１８が充填される。
〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸銅・５水和物 ： ６５ｇ／ｌ
レベリング剤（アトテック製、ＨＬ）： ２０ｍｌ／ｌ
硫酸 ： ２２０ｇ／ｌ
光沢剤（アトテック製、ＵＶ） ： ０．５ｍｌ／ｌ
塩素イオン ： ４０ｐｐｍ
〔電解めっき条件〕
バブリング ： ３．０リットル／分
電流密度 ： ０．５Ａ／ｄｍ^２
設定電流値 ： ０．１８ Ａ
めっき時間 ： １３０分
【００８４】
(6) 上記(5)の工程にて電解銅めっき２０が充填されなかった開口１８上部のわずかな隙間あるいは凹みに対して、保護フィルム１４を印刷用マスクとして導電性ペースト２２を充填した後、絶縁性基材１０の表面から保護フィルム１４の厚みに相当する分だけ突出した導体部分２４（以下、「突起状導体」という）を形成する（図１（ｄ）参照）。
【００８５】
(7) 次いで、保護フィルム１４を剥離させた後、突起状導体２４を含んだ絶縁性基材１０の表面に接着剤層２６を形成する（図１（ｅ）参照）。この接着剤２６は半硬化状態、すなわちＢステージ接着剤であり、導体回路パターンが形成されるべき銅箔を接着するためのものであり、たとえば、エポキシ樹脂ワニスが使用され、その層厚は１０〜５０μｍの範囲が好ましい。
【００８６】
(8) 上記(7)の工程で接着剤層２６を設けた絶縁性基材１０の表面に、銅箔２８を加熱プレスによって圧着して、接着剤層２６を硬化させる（図１(f)参照）。
その際、銅箔２８は硬化した接着剤層２６を介して絶縁性基材１０に接着され、突起状導体２４は接着剤層２６を貫通して銅箔２８と電気的に接続される。この銅箔２８の厚さは、５〜１８μｍが望ましい。
【００８７】
(9) 次いで、絶縁性基材１０の両面に貼付けられた銅箔１２および２８上に、それぞれエッチング保護フィルムを貼付けて、所定の回路パターンのマスクで披覆した後、エッチング処理を行って、導体回路３０および３２（ビアランドを含む）を形成する（図１(g)参照）。
【００８８】
この処理工程においては、先ず、銅箔１２および２８の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理してエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含んだ導体回路パターン３０および３２を形成する。
エッチング液としては、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも1種の水溶液が望ましい。
【００８９】
上記銅箔１２および２８をエッチングして導体回路３０および３２を形成する前処理として、ファインパターンを形成しやすくするため、あらかじめ、銅箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜１０μｍ、より好ましくは２〜８μｍ程度まで薄くすることができる。
導体回路の一部としてのビアランドは、その内径がビアホール口径とほぼ同様であるが、その外径は、５０〜２５０μｍの範囲に形成されることが好ましい。
【００９０】
(10) 次に、前記(8)の工程で形成した導体回路３０および３２の表面を、必要に応じて粗化処理して（粗化層の表示は省略する）、両面回路基板３４を形成する。
この粗化処理は、多層化する際に、接着剤層との密着性を改善し、剥離（デラミネーション）を防止するためである。
粗化処理方法としては、例えば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）一還元処理、銅−ニッケルーリンからなる針状合金めっき（荏原ユージライト製：商品名インタープレート）の形成、メック社製の商品名「メックエッチボンド」なるエッチング液による表面粗化がある。
【００９１】
この実施形態においては、上記粗化層の形成は、エッチング液を用いて形成されるのが好ましく、たとえば、導体回路の表面を第二銅錯体と有機酸の混合水溶液からエッチング液を用いてエッチング処理することによって形成することができる。かかるエッチング液は、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で、銅導体回路パターンを溶解させることができ、反応は、次のように進行するものと推定される。
Ｃｕ＋Ｃｕ（II）Ａ_ｎ→２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２
２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２＋ｎ／４Ｏ_２＋ｎＡＨ（エアレーション）
→２Ｃｕ（II）Ａ_ｎ＋ｎ／２Ｈ_２Ｏ
式中、Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配位数を示す。
【００９２】
上式に示されるように、発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。本発明において使用される第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸（必要に応じてハロゲンイオン）を、水に溶解して調製することができる。
このようなエッチング液は、たとえば、イミダゾール銅(ＩＩ)錯体 １０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム ５重量部を混合した水溶液から形成される。
本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多層化基板を構成する両面回路基板は、上記(1)〜(10)の工程にしたがって製造される。
【００９３】
(11) 次に、このような両面回路基板の表面および裏面に対してそれぞれ積層される片面回路基板を製造する。まず、上記両面回路基板３４を製造する工程(1)〜(6)にしたがった処理を行い、絶縁性基材１０の片面に貼り付けられた銅箔１２と反対側の面から、レーザ照射によって非貫通孔を設け、その非貫通孔に電解銅めっき層１８を充填してビアホール２０を形成した後、ビアホール上部のわずかな隙間に導電性ペースト２２を充填して突起状導体４４を形成する（図２（ａ）〜図２（ｄ）参照）。
このような突起状導体４４の絶縁性基材１０の表面からの突出高さは、保護フィルム１４の厚みにほぼ等しく、５〜３０μｍの範囲が望ましい。その理由は、５μｍ未満では、接続不良を招きやすく、３０μｍを越えると抵抗値が高くなると共に、加熱プレス工程において突起状導体４４が熱変形した際に、絶縁性基板の表面に沿って拡がりすぎるので、ファインパターンが形成できなくなるからである。
【００９４】
また、上記突起状導体４４は、プレキュアされることが望ましい。
その理由は、突起状導体４４は半硬化状態でも硬く、積層プレスの段階で接着剤層が硬化する前に、積層される他の回路基板の導体回路（導体パッド）と電気的接触が可能となるからである。
このような突起状導体４４は、加熱プレス時に変形して接触面積が増大するので、導通抵抗を低くすることができ、さらに突起状導体４４の高さのばらつきが是正される。
【００９５】
(12) 次いで、レーザ照射によって開口した保護フィルム１４を覆って、エッチング保護フィルム２５を貼付けた後、所定の回路パターンのマスクで披覆した後、エッチング処理を行って、導体回路４０（ビアランドを含む）を形成する（図２(ｅ)参照）。
この処理工程においては、先ず、銅箔１２の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理してエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含んだ導体回路パターン４０を形成する。
【００９６】
エッチング液としては、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも1種の水溶液が望ましい。
上記銅箔１２をエッチングして導体回路４０を形成する前処理として、ファインパターンを形成しやすくするため、あらかじめ、銅箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜１０μｍ、より好ましくは２〜８μｍ程度まで薄くすることができる。
【００９７】
(13) 絶縁性基材１０の片面に導体回路４０を形成した後、保護フィルム１４およびエッチング保護フィルム２５を剥離させて、突起状導体４４を露出させると、片面回路基板５０を得ることができ、さらに絶縁性基材１０の表面から露出する突起状導体４４を覆って接着剤層４６を形成する（図２（ｆ）参照）。
このような樹脂接着剤は、絶縁性基材１０の突起状導体４４を含んだ表面全体だけではなく、突起状導体２４を含まないような表面に塗布することもでき、乾燥化された状態の未硬化樹脂からなる接着剤層４６として形成される。
前記接着剤層４６は、取扱が容易になるため、プレキュアしておくことが好ましく、その厚さは、５〜５０μｍの範囲が望ましい。
【００９８】
また前記接着剤層４６は、有機系接着剤からなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエーテル（ＰＰＥ）、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との複合樹脂、ＢＴレジンから選ばれる少なくとも１種の樹脂であることが望ましい。
有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。また、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートすることによってもできる。
【００９９】
上記工程(11)〜(13)にしたがって形成された片面回路基板５０は、絶縁性基材１０の一方の表面に導体回路４０を有し、他方の表面には充填ビアホール２０の直上において導電性ペーストの一部が露出して形成される突起状導体４４を有し、さらに突起状導体４４を含んだ絶縁性基材１０の表面に接着剤層４６を有して形成され、それらの複数枚が相互に積層接着されたり、予め製造された両面回路基板３４に積層接着されたりして、多層化基板が形成されるが、樹脂接着剤４６はこのような積層段階で使用されることが好ましい。
【０１００】
（Ｂ）積層用回路基板の多層化
上記（Ａ）の処理工程にしたがって製造された両面回路基板３４の両面に、図３に示すように、３枚の片面回路基板５０、５２および５４が積層されてなる４層基板が、加熱温度１５０〜２００℃、加圧力１〜４ＭＰａの条件のもとで、1度のプレス成形により一体化され多層コア基板６０が形成される（図４参照）。
上記のような条件のもとで、加圧と同時に加熱することで、各片面回路基板の接着剤層４６が硬化し、隣接する片面回路基板との間で強固な接着が行われる。なお、加熱プレスとしては、真空熱プレスを用いることが好適である。
上述した実施の形態では、１層の両面回路基板と３層の片面回路基板とを用いて４層に多層化したが、５層あるいは６層を超える多層化にも適用できる。
【０１０１】
（Ｃ）ビルドアップ配線層の形成
上記(Ａ)および(Ｂ)の工程によって形成された多層コア基板６０の両面にビルドアップ配線層を形成する。図５においては、多層コア基板６０を構成する両面および片面回路基板の図示は、簡単化の目的ですべて省略する（図５（ａ）参照）。
【０１０２】
(1) まず、多層コア基板６０表面の導体回路５２の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成する（図５（ｂ）参照）。
この粗化層６２は、無電解めっきにより形成される。この無電解めっき水溶液の液組成は、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ２．２×１０^−２〜４．１×１０^−２ ｍｏｌ／ｌ、 ２．２×１０^−３〜４．１×１０^−３ｍｏｌ／ｌ、０．２０〜０．２５ｍｏｌ／ｌであることが望ましい。
この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構造になるため、アンカー効果に優れるからである。この無電解めっき水溶液には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。
粗化層の形成方法としては、前述したように、銅−ニッケル−リン針状合金めっきによる処理、酸化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチングする処理にて粗化面を形成する方法などがある。
【０１０３】
(2) 次に、前記(1)で作製した粗化層を有する多層コア基板６０の上に、層間樹脂絶縁層６４を形成する（図５（ｃ））。
特に本発明では、後述するビアホール７０を形成する層間樹脂絶縁材として、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を樹脂マトリックスとした無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。また、半硬化状態の樹脂フィルムを積層して用いてもよい。
【０１０４】
(3) 前記(2)で形成した無電解めっき用接着剤層を乾燥した後、ビアホール形成用の開口部６５を設ける（図５（ｄ））。
感光性樹脂の場合は、露光、現像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹脂の場合は、熱硬化したのちレーザ加工することにより、前記接着剤層６４にビアホール形成用の開口部６５を設ける。
【０１０５】
(4) 次に、硬化した前記接着剤層６４の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によって分解または溶解して除去し、接着剤層表面に粗化処理を施して粗化面６６とする（第５図（ｅ））。
ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、ビアホールから露出する金属導体層を腐食させ難いからである。
一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望ましい。
【０１０６】
(5) 次に、接着剤層６４表面の粗化面６６に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよい。
【０１０７】
(6) さらに、（無電解めっき用）接着剤層６４の表面に無電解めっきを施し、粗化面全域に追従するように、無電解めっき膜６７を形成する（図５（ｆ））。このとき、無電解めっき膜６７の厚みは、０．１〜５μｍの範囲が好ましく、より望ましくは０．５〜３μｍとする。
次に、無電解めっき膜６７上にめっきレジスト６８を形成する（図６（ａ))。めっきレジスト組成物としては、特にクレゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが、他に市販品のドライフィルムを使用することもできる。
【０１０８】
(7) さらに、無電解めっき膜６７上のめっきレジスト非形成部に電解めっきを施して、上層導体回路７２を形成すべき導体層を設けると共に開口６５内部に電解めっき膜６９を充填してビアホール７０を形成する（図６（ｂ））。
この時、開口５の外側に露出する電解めっき膜９の厚みは、５〜３０μｍが望ましい。ここで、上記電解めっきとしては、銅めっきを用いることが望ましい。
【０１０９】
(8) さらに、めっきレジスト６８を除去した後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した上層導体回路７２と充填ビアホール７０とする。
【０１１０】
(9) 次に、上層導体回路７２の表面に粗化層７４を形成する。
粗化層７４の形成方法としては、エッチング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。
これらの処理のうち、酸化還元処理は、ＮａＯＨ（２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂（５０ｇ／ｌ）、ＮａＰＯ_４（１５．０ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）とし、ＮａＯＨ（２．７ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ_４(１．０ｇ／ｌ)を還元浴とする。
また、銅−ニッケル−リン合金層からなる粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成される。
【０１１１】
この合金の無電解めっき液としては、硫酸銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．１〜６．０ｇ／ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。
さらに、この粗化層７４の表面をイオン化傾向が銅より大きくチタン以下である金属もしくは貴金属の層にて被覆する。
スズの場合は、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。このとき、Ｃｕ−Ｓｎの置換反応により０．１〜２μｍ程度のＳｎ層が形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用できる。
【０１１２】
(10) 次に、この基板上に層間樹脂絶縁層として、無電解めっき用接着剤層７６を形成する。
(11) さらに、上記工程(3)〜(9)を繰り返して、ビアホール７０の真上に他のビアホール８０を設けると共に上記上層導体回路７２よりもさらに外側に上層導体回路８２および粗化層８４を設ける（図６（ｃ）参照）。このビアホール８０の表面は、はんだパッドとして機能する導体パッドに形成される。
【０１１３】
(12) 次いで、こうして得られた配線基板の外表面に、ソルダーレジスト組成物を塗布し、その塗膜を乾燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフォトマスクフィルムを載置して露光、現像処理することにより、導体層のうち導体パッドやビアホールを含む部分を露出させた開口９１を持つソルダーレジスト層９０を形成する（図７（ａ）参照）。
ここで、露出する開口の口径は、導体パッドの径よりも大きくすることができ、導体パッドを完全に露出させてもよい。また、逆に前記開口の開口径は、導体パッドの径よりも小さくすることができ、導体パッドの縁周をソルダーレジスト層９０で被覆することができる。この場合、導体パッドをソルダーレジスト層９０で抑えることができ、導体パッドの剥離を防止できる。
【０１１４】
(13) さらに、前記ソルダーレジスト層９０の開口部９１から露出した前記導体パッド部上に「ニッケル−金」からなる金属層を形成するか、あるいは開口部９１から露出した導体層上に接続用端子(図示を省略する)を固着させることによって、多層回路基板が製造される（図７（ｂ）参照）。
上記ニッケル層９２は１〜７μｍが望ましく、金層は０．０１〜０．０６μｍがよい。この理由は、ニッケル層９２は、厚すぎると抵抗値の増大を招き、薄すぎると剥離しやすいからである。一方、上記ニッケル層９２上に形成される金層９４は、厚すぎるとコスト増になり、薄すぎるとはんだ体との密着効果が低下するからである。上記接続用端子は、実装されるべきパッケージ基板に出力端子として設けたＴピンの脚部が、そこに挿入・保持されるように導体パッド上に固定されるのが好ましい。
【０１１５】
【実施例】
（実施例１）
(1) エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてＢステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレスすることにより得られる片面銅張積層板を基板として用いて、両面回路基板を製作する。この絶縁性基材１０の厚さは７５μｍ、銅箔１２の厚さは、１２μｍであった。
この積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが１０μｍの粘着剤層を有し、フィルム自体の厚みが１２μｍのＰＥＴフィルム１４をラミネートする。
【０１１６】
(2) 次いで、ＰＥＴフィルム１４上からパルス発振型炭酸ガスレーザを照射して銅箔１２に達するビアホール形成用の非貫通孔１６を形成し、さらに銅箔１２をめっきリードとして電解銅めっき処理を施して、非貫通孔１６上部にわずかの隙間を残してその非貫通孔内部に電解銅めっき１８を充填して、充填ビアホール２０を形成する。
【０１１７】
この実施例においては、ビアホール形成用の非貫通孔の形成には、三菱電機製の高ピーク短パルス発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、全体として厚さ２２μｍのＰＥＴフィルムを樹脂面にラミネートした、基材厚７５μｍのガラス布エポキシ樹脂基材に、マスクイメージ法でＰＥＴフィルム側からレーザビーム照射して１００穴／秒のスピードで、１５０μｍφのビアホール形成用の開口を形成した。
【０１１８】
(3) ＰＥＴフィルム１４を印刷用マスクとして、レーザ照射により形成された開口から、充填ビアホール２０の上部に残った隙間に導電性ペースト２２を充填した。
【０１１９】
(4) ＰＥＴフィルム１４を絶縁性基材１０の表面から剥離すると、絶縁性基材１０のビアホール２０側の表面に、ビアホール２０の真上に突起状導体２４が形成される。さらに、エポキシ樹脂接着剤を突起状導体側の全面に塗布し、１００℃で３０分間の乾燥を行って厚さ２０μｍの接着剤層２６を形成した後、厚さ１２μｍの銅箔２８を、加熱温度１８０℃、加熱時間７０分、圧力２ＭＰａ、真空度２．５×１０^３Ｐａの条件のもとで、接着剤層２６上に加熱プレスする。
【０１２０】
(5) その後、基板両面の銅箔１２および２８に適切なエッチング処理を施して、導体回路３０および３２（ビアランドを含む）を形成して、コア用両面回路基板３４を作製した。
【０１２１】
(6) 次に、積層用の片面回路基板を作製する。この回路基板は両面回路基板と同様に、片面銅張積層板を基板として用いる。絶縁性基材１０の厚さは７５μｍ、銅箔１２の厚さは、１２μｍである。
この積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが１０μｍの粘着剤層を有し、フィルム自体の厚みが１２μｍのＰＥＴフィルム１４をラミネートする。
【０１２２】
(7) ついで、上記(2)および(3)の工程にしたがった処理を行って、充填ビアホール２０のわずかな隙間に導電性ペースト２２を充填して、突起状導体４４を形成する。
【０１２３】
(8) 上記ＰＥＴフィルム１４を覆って、エッチング保護フィルムとしての厚さ２２μｍのＰＥＴフィルム２５を貼付けた後、絶縁性基材１０の充填ビアホール２０と反対側の表面に貼付けた銅箔１２に適切なエッチング処理を施して、導体回路４０を形成する。
【０１２４】
(9) その後、ＰＥＴフィルム１４および２５をすべて絶縁性基材１０から剥離すると、絶縁性基材１０のビアホール２０側の表面に、ビアホール２０の真上に突起状導体４４が形成される。さらに、エポキシ樹脂接着剤を突起状導体側の全面に塗布してプレキュアして、多層化のための接着剤層４６を形成する。このような積層用片面回路基板を３枚作製する。
【０１２５】
(10) 上記(1)〜(9)の処理によって形成された、１層の両面回路基板３４をコアとして、その両面に対して３層の片面回路基板５０、５２および５４を所定の位置にスタックし（図３参照）、真空熱プレスを用いて１８０℃の温度で積層プレスして全層がＩＶＨ構造を有する多層コア基板６０を作成した（図４参照）。
このように製造された多層コア基板６０においては、Ｌ/Ｓ=７５μｍ/７５μｍ、ランド径が２５０μｍ、ビアホール口径が１５０μｍ、導体層の厚みが１２μｍ、そして絶縁層の厚みが７５μｍであった。
【０１２６】
(11) 次に、両面に導体回路４０を形成した多層コア基板６０（図５(a)
参照）を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該導体回路４０の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成した。次いで、その基板を水洗いし、０．１ｍｏｌ／ｌホウふっ化スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からなる無電解スズ置換めっき浴に５０℃で１時間浸漬し、前記粗化層６３の表面に０．３μｍのスズ層を設けた（図５(b)
参照、但し、スズ層については図示しない）。
【０１２７】
(12)下記(1)〜(3)で得た組成物を混合撹拌して、無電解めっき用接着剤を調製した。
(1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の２５％アクリル化物を３５重量部（固形分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）０．５重量部、ＮＭＰ３．６重量部を撹拌混合した。
(2)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのものを７．２４５重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ２０重量部を添加し撹拌混合した。
(3)イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュアＩ−907）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合した。
【０１２８】
(13) 前記(12)で調製した無電解めっき用接着剤を上記(11)の処理を施した基板６０に塗布し（図５(c)参照）、乾燥させて接着剤層を形成したその基板６０の両面に、８５μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍJ／ｃｍ^２で露光した。これをＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテル）溶液でスプレー現像することにより、接着剤層に８５μｍφのビアホールとなる開口６５を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍJ／ｃｍ^２で露光し、１００℃で１時間、その後 １５０℃で５時間の加熱処理をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口を有する厚さ３５μｍの層間絶縁材層６４（接着剤層）を形成した（図５(ｄ)参照）。なお、ビアホールとなる開口６５には、スズめっき層を部分的に露出させた。
【０１２９】
(14) ビアホール形成用開口６５を形成した基板を、クロム酸に２０分間浸漬し、接着剤層表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤層６４の表面をRmax=１〜５μｍ程度の深さで粗化して粗化面６６を形成し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した。
【０１３０】
(15) 接着剤層表面の粗化層６６（粗化深さ ３.５μｍ）に対し、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、接着剤層６４およびビアホール形成用開口６５の表面に触媒核を付与した。
【０１３１】
(16) 以下の組成の無電解銅めっき浴中に基板を浸漬して、粗化面全体に厚さ0.6μｍの無電解銅めっき膜６７を形成した（図５（ｆ）参照）。このとき、その無電解めっき膜６７は、薄いために、その膜表面には、接着剤層６４の粗化面６６に追従した凹凸が観察された。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ_４ ：０．００３ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ：０．２０ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ：０．０３ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ：０．０５ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ：０．１０ｍｏｌ／ｌ
α、α’−ビピリジル ：４０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）：０．１ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３３℃の液温度
【０１３２】
(17) 前記(16)で形成した無電解銅めっき膜６７上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍJ／ｃｍ^２で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト６８を設けた（図６（ａ）参照）。
【０１３３】
(18) 次に、以下の条件にて、めっきレジスト非形成部分に電解めっきを施し、厚さ２０μｍの電解めっき膜６９を設けて上層導体回路７２を形成すべき導体層を設けると同時に、開口部内をめっき膜６９で充填してビアホール７０を形成した（図６(b)
参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸銅・５水和物 ：６０ｇ／ｌ
レベリング剤（アトテック製、ＨＬ） ：４０ｍｌ／ｌ
硫酸 ：１９０ｇ／ｌ
光沢剤（アトテック製、ＵＶ） ：０．５ ｍｌ／ｌ
塩素イオン ：４０ｐｐｍ
〔電解めっき条件〕
バブリング ：３．０リットル／分
電流密度 ：０．５Ａ／ｄｍ^２
設定電流値 ： ０．１８ Ａ
めっき時間 ： １３０分
【０１３４】
(19) めっきレジスト６８を剥離、除去した後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジスト下の無電解めっき膜６７を溶解、除去して、無電解めっき膜６７と電解銅めっき膜６９からなる厚さ約２０μｍ、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍの上層導体回路７２を形成した。このとき、ビアホール７０の表面は平坦であり、導体回路表面とビアホール表面のレベルは同一であった。
【０１３５】
(20) この基板に上記(11)と同様にして粗化層８４を形成し、さらに上記(12)〜(19)の手順を繰り返して、さらに上層の層間樹脂絶縁層７６と導体回路８２（ビアホール８０を含む）を１層積層し、片面３層、両面６層のビルドアップ配線層を得た（図７（ａ）参照）。
なお、ここでは、導体回路８２の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層８４を設けるが、この粗化層８４表面にはスズ置換めっき層を形成しない。
【０１３６】
(21) 一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１４.１２１重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１.６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４）１.５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄社製、ＤＰＥ６Ａ）３０重量部、アクリル酸エステル重合物からなるレベリング剤（共栄社製、ポリフローＮｏ.７５）０．３６重量部を混合し、この混合物に対して光開始剤としてのペンゾフェノン（関東化学製）２０重量部、光増感割としてのＥＡＢ（保土ヶ谷化学製）０.２重量部を加え、さらにＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテル）１０重量部を加えて、粘度を２５℃で１.４±０．３ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ‐Ｂ型）を用いて行い、６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【０１３７】
(22) 上記(20)で得られたビルドアップ配線層の両面に、前記(21)で得られたソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのソーダライムガラス基坂を、クロム層が形成された側をソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、パッド部分が開口した（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層９０（厚み２０μｍ）を形成した。
【０１３８】
(23) 次に、ソルダーレジスト層９０を形成した基板を、塩化ニッケル３０ｇ／１、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／１、クエン酸ナトリウム１０ｇ／１からなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層９２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金力リウム２ｇ／１、塩化アンモニウム７５ｇ／１、クエン酸ナトリウム５０ｇ／１、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／１からなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬することによって、ニッケルめっき層９２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層９４が形成された多層回路基板を製作した（図７（ｂ）参照）。
【０１３９】
このようにして製造した多層回路基板では、多層コア基板のビアホールのランド形状を真円とすることができ、ランドピッチを６００μｍ程度にできるため、ビアホールを密集して形成でき、ビアホールの高密度化が容易に達成できる。しかも、コア基板中のビアホール数を増やすことができるので、多層コア基板内の導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電気的接続を十分に確保することができる。
また、ビルドアップ配線層の最も外側に設けたソルダーレジスト層９０の開口から露出した金めっき層９４（はんだパッド）に対して、ＬＳＩ等の半導体チップを含む電子部品を搭載するパッケージ基板の導電性ボール（はんだボール）が接続されるので、パッケージ基板の実装に有利となる。
【０１４０】
（実施例２）
多層コア基板を構成する両面回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成するとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビアホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を形成したこと以外は、実施例１と同様にして多層回路基板を製造した。
【０１４１】
（実施例３）
層間樹脂絶縁層を、厚さ２０μｍのエポキシ樹脂フィルムを熱圧着させることにより形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径６０μｍのビアホール形成用の開口を設け、その開口内壁面を含んだ層間樹脂絶縁層の表面を過マンガン酸溶液によって粗化処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして多層回路基板を製造した。
上記エポキシ樹脂フィルムは、フェノキシ樹脂との樹脂複合体であることが望ましく、粗化層形成用の粒子を含有させている。
【０１４２】
（実施例４）
多層コア基板を構成する両面回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成するとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビアホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を形成したこと以外は、実施例３と同様にして多層回路基板を製作した。
【０１４３】
（実施例５）
層間樹脂絶縁層を、厚さ２０μｍのポリオレフィン樹脂フィルムを熱圧着させることにより形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径６０μｍのビアホール形成用の開口を設け、その後、無電解めっき膜を形成する代わりに、粗化処理を施さないで、スパッタリングによって開口内壁面を含んだ層間樹脂絶縁層の表面に厚さ０．１μｍのＣｕスパッタ膜またはＣｕ−Ｎｉスパッタ膜を形成したこと以外は実施例１と同様にして多層回路基板を製造した。
【０１４４】
（実施例６）
多層コア基板を構成する両面回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成するとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビアホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を形成したこと以外は、実施例５と同様にして多層回路基板を製作した。
【０１４５】
（比較例）
(1) 厚さ０．８μｍの両面銅張積層板からなる絶縁基板をコア基板とし、そのコア基板に直径３００μｍの貫通孔をドリルで削孔し、その後、無電解めっき、電解めっき処理を施してスルーホールを含む導体層を形成し、さらに、スルーホールを含む導体層の全表面に粗化層を設け、スルーホール内に非導電性の穴埋め用充填材を充填し、乾燥、硬化させた。
(2) 次いで、スルーホールからはみ出した充填材を取り除いて平坦化し、その表面に無電解めっき、電解めっき処理を施して厚付けして導体回路、およびスルーホールに充填された充填材を覆う導体層となる部分を形成した。
(3) 導体回路およびスルーホールに充填された充填材を覆う導体層となる部分を形成した基板の表面に、エッチングレジストを形成し、そのエッチングレジスト非形成部分のめっき膜をエッチング除去し、さらにエッチングレジストを剥離除去して、独立した導体回路および充填材を覆う導体層を形成した。
さらに、実施例１の(11)〜(23)と同様の工程に従って多層回路基板を製造した。
【０１４６】
上記実施例１〜６および比較例について、配線長とランド径を調べた結果、実施例１〜６は、比較例と比べて配線長を短くすることができ、ループインダクタンスを低減することができ、単位面積あたりのランド形成数が多くなった。また、電気抵抗も比較例に比べて小さくなったので、電気的特性の向上を図ることもできた。
【０１４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層回路基板によれば、多層コア基板を、レーザ加工により形成した微細な充填ビアホールおよび導体回路を有する多数の回路基板を積層して一括熱プレスすることによって形成したので、多層コア基板内の配線を高密度化できるとともに、従来のようなスルーホールを設けることなく、ビルドアップ配線層との電気的接続が充填ビアホールを介して十分に確保することができる。
【０１４８】
さらに、ビルドアップ配線層の最も外側に位置するソルダーレジスト層に設けた開口内に露出する導体層の少なくとも一部を導体パッドあるいは接続用端子の形態に形成したので、ビアホール直上の導体パッド上あるいは接続用端子に対して、電子部品を搭載するパッケージ基板に設けたはんだボールあるいはＴピンが接続され得るので、高密度配線化および高密度実装化が可能となる。
【０１４９】
さらに、片面あるいは両面回路基板を同一材料で形成し、それらを積層した構造なので、熱膨張に起因する界面を起点とするクラックや剥離が起きにくく、したがって、温度サイクル試験に対する信頼性も向上する。また、片面回路基板だけを用いて多層回路基板を構成した場合には、配線形成の有無に関わらず反りが発生し難くなるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】(a)〜(f) は、本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多層コア基板を構成する両面回路基板の製造工程の一部を示す図である。
【図２】(a)〜(e) は、本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多層コア基板を構成する片面回路基板の製造工程の一部を示す図である。
【図３】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多層コア基板の製造工程の一部を示す図である。
【図４】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多層コア基板を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明にかかる多層回路基板の製造工程の一部を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明にかかる多層回路基板の製造工程の一部を示す図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明にかかる多層回路基板の製造工程の一部を示す図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁性基材
１２ 接着剤
１４ 保護フィルム
１６ ビアホール形成用開口
１８ 導電性ペースト
２０ ビアホール
２２ 銅箔
２４ 導体回路
３０ 両面回路基板
３２、３４，３６ 片面回路基板
４０ 絶縁性基材
４２ 銅箔
４４ ＰＥＴフィルム
４６ ビアホール形成用開口
４８ 導電性ペースト
４９ ビアホール
５０ エッチング保護フィルム
５２ 導体回路
５３ 突起状導体
５４ 接着剤層
６０ 多層コア基板
６２ 粗化層
６４ 無電解めっき用接着剤層
６５ ビアホール形成用開口
６６ 粗化層
６７ 無電解めっき膜
６８ めっきレジスト
６９ 電解めっき膜
７０ ビアホール
７２ 導体回路
７４ 粗化層
７６ 無電解めっき用接着剤層
８０ ビアホール
８２ 導体回路
８４ 粗化層
９０ ソルダーレジスト層
９２ ニッケルめっき層
９４ 金めっき層
９６ 導体パッド

Claims (5)

1. 内層に導体回路を有する多層コア基板の両面上に、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成された導体層とが交互に積層され、各導体層間がビアホールにて接続されたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板において、
   上記多層コア基板は、硬化した硬質の樹脂材料から形成された絶縁性硬質基材の片面または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達する孔内に、導電性物質が充填されてなるビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を介して積層され、一括して加熱プレスされることで形成され、さらに、
   上記ビルドアップ配線層の最も外側の導体層は、ソルダーレジスト層に覆われ、そのソルダーレジスト層に設けた開口から露出する前記導体層の少なくとも一部は、導体パッドあるいは接続用端子に形成されており、
   上記多層コア基板を構成する各回路基板は、上記絶縁性硬質基材の孔のビアホールに電気的に接続されるとともにその孔から突出し、加熱プレスにより接着剤層を貫通するとともに熱変形する突起状導体を有していることを特徴とする多層回路基板。
2. 上記導電性物質は、電解めっき処理によって形成された金属めっきであることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
3. 上記導電性物質は、金属粒子と、熱硬化性または熱可塑性の樹脂とからなる導電性ペーストであることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
4. 上記突起状導体は、導電性ペーストから形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層回路基板。
5. 上記ビルドアップ配線層のビアホールの一部は、上記多層コア基板に形成されたビアホールの直上に位置して、そのビアホールに直接接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層回路基板。

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