JP2002271040A

JP2002271040A - 多層プリント配線板の製造方法

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Publication number: JP2002271040A
Application number: JP2001064001A
Authority: JP
Inventors: Masahito Kawade; 雅人川出
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-03-07
Filing date: 2001-03-07
Publication date: 2002-09-20
Anticipated expiration: 2021-03-07
Also published as: JP4863557B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】厚さが一定で、平坦化された層間樹脂絶縁層
を形成することにより、接続性及び信頼性に優れ、周辺
部分の機械的強度にも優れた多層プリント配線板を製造
する方法を提供すること。【解決手段】基板上に、導体回路１０４，１１４と層
間樹脂絶縁層１０２，１１２とが繰り返し積層形成さ
れ、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリ
ント配線板の集合体を形成した後、前記多層プリント配
線板の集合体を切断する多層プリント配線板の製造方法
であって、複数の層からなる、多層プリント配線板の集
合体を構成する導体回路１０４，１１４のうち、少なく
とも一の層の導体回路を形成する際に、多層プリント配
線板非製造領域の一部に導体層１０５，１１５を形成す
ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されている。通常、多層プリント配線板の製造
においては、複数の多層プリント配線板が同時に製造さ
れ、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスク
ロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回
路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより、多
層プリント配線板の集合体が作製される。この多層プリ
ント配線板の集合体を各区画に分割することにより、１
つの多層プリント配線板を製造する。多層プリント配線
板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイ
アホールにより行われている。

【０００３】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔
が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて
無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形
成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの
手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体
回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、
無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、そ
の粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した
後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成
し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を
形成する。

【０００４】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を
形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成
した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジス
ト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイ
アホールにより接続された導体回路を形成する。これを
繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダ
ーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザ
ーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめ
っき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣ
チップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バ
ンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント
配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード
側にも半田バンプを形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銅等に
よる導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層すること
により、製造された多層プリント配線板の集合体（以
下、配線板集合体ともいう）には、導体回路が形成され
ていない多層プリント配線板非製造領域（以下、単に配
線板非製造領域という）が存在する。

【０００６】図２（ａ）は、製造途中の従来の配線板集
合体を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は、その断
面の一部を模式的に示した部分拡大断面図である。この
図は、導体回路が２層と層間樹脂絶縁層が２層積層形成
された配線板集合体を示している。なお、図２では、導
体回路を簡略化し、ベタの導体層２０４、２１４として
示している。

【０００７】このような従来の配線板集合体の場合、図
２（ｂ）に示すように、配線板非製造領域２０６では、
導体層（導体回路）２０４、２１４を全く形成せず、層
間樹脂絶縁層２０２、２１２のみを積層することになる
ため、この配線板非製造領域２０６は、他の部分に比べ
て厚さが薄くなり、窪んだ形状となってしまう。その結
果、配線板非製造領域２０６に近い部分、すなわち、１
個の多層プリント配線板の外縁部では、層間樹脂絶縁層
２０２、２１２の厚さｄが、他の部分の厚さＤに比べて
薄くなってしまい、場合によっては、外縁部に近い上下
の導体回路２０４、２１４の間で短絡が発生するという
問題があった。

【０００８】また、図２（ｂ）に示すように、多層プリ
ント配線板の外縁部では、層間樹脂絶縁層２０２、２１
２が薄いことに起因して、凹凸が発生するため、その上
に形成されるバイアホールや導体回路２１４が変形し、
層間樹脂絶縁層２０２、２１２の剥離や上下の導体回路
２０４、２１４間の接続不良等を引き起こすことがあっ
た。

【０００９】また、層間樹脂絶縁層２１２表面の凹凸
は、その後、導体回路２０４、２１４と層間樹脂絶縁層
２０２、２１２とを交互に積層した後にも残るため、多
層プリント配線板に傾斜や凹凸等が発生する原因とな
る。その結果、このような傾斜面や凹凸等を有する多層
プリント配線板に、コンデンサ等の微小部品を実装する
と、この傾斜等によって、部品が傾いたり、浮き上がっ
たりしてしまい、内部の導体回路等と適切な接続が行え
ず、実装不良を引き起こすことがあった。さらに、配線
板非製造領域には、導体層等の金属層が形成されていな
いため、機械的な強度が弱く、個々の多層プリント配線
板に分割した後、熱衝撃がかかったり、機械的が力が作
用すると、この部分にクラック等が入りやすかった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記課題に
鑑みて鋭意研究した結果、複数の層からなる、配線板集
合体を構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の導
体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体
層を形成することにより、配線板非製造領域での窪みが
なくなり、その結果、層厚が一定で、平坦化された層間
樹脂絶縁層を形成することができ、相互間で短絡がな
く、機械的強度および接続信頼性に優れた多層プリント
配線板を製造することができることを見いだし、以下に
示す内容を要旨構成とする発明に到達した。

【００１１】即ち、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、導体回路を形成した基板上に、導体回路と層間
樹脂絶縁層とが繰り返し積層形成され、最外層にソルダ
ーレジスト層が形成された多層プリント配線板の集合体
を形成した後、上記多層プリント配線板の集合体を切断
する多層プリント配線板の製造方法であって、複数の層
からなる、多層プリント配線板の集合体を構成する導体
回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際
に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成することを
特徴とする。

【００１２】また、上記多層プリント配線板の製造方法
においては、多層プリント配線板の集合体を構成する層
間樹脂絶縁層のうち、少なくとも一の層の層間樹脂絶縁
層を形成する際には、樹脂フィルムを貼付する工程を含
むことが望ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板の製
造方法は、導体回路を形成した基板上に、導体回路と層
間樹脂絶縁層とが繰り返し積層形成され、最外層にソル
ダーレジスト層が形成された配線板集合体を形成した
後、上記配線板集合体を切断する多層プリント配線板の
製造方法であって、複数の層からなる、配線板集合体を
構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の導体回路
を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体層を形
成することを特徴とする。

【００１４】本発明では、配線板集合体を構成する導体
回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際
に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成するので、
配線板非製造領域において、層間樹脂絶縁層が窪んだ形
状とならず、その結果、１個の多層プリント配線板の外
縁部でも、層間樹脂絶縁層の厚さが薄くなることはない
ので、外縁部に近い上下の導体回路の間で短絡が発生す
ることはない。また、配線板非製造領域において、層間
樹脂絶縁層が窪んだ形状とならないため、その上に形成
されるバイアホールや導体回路が変形することはなく、
層間樹脂絶縁層の剥離や上下の導体回路間の接続不良等
を引き起こすこともない。

【００１５】また、多層プリント配線板の表面に凹凸が
形成されることもないため、コンデンサ等の微小部品を
実装しても、実装不良を引き起こすこともなく、好適に
上記部品を実装することができる。さらに、配線板非製
造領域には、導体層等の金属層が形成されているため、
分割された個々の多層プリント配線板の周辺部分は、機
械的強度が増し、熱衝撃がかかったり、機械的が力が作
用しても、この部分にクラック等が入ることはない。

【００１６】以下に、本発明の多層プリント配線板の製
造方法について説明する。本発明の多層プリント配線板
の製造方法は、導体回路のうち、少なくとも一の層の導
体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体
層を形成することを特徴とするものであり、配線板非製
造領域に形成する導体層（以下、ダミー導体層という）
は、通常、多層プリント配線板の導体回路を形成する際
に、同時に形成するものである。

【００１７】従って、本来は、個々の多層プリント配線
板を製造する工程について、詳細に説明しながら、配線
板集合体の配線板非製造領域の一部にダミー導体層を形
成する方法について説明するべきである。しかしなが
ら、多層プリント配線板の製造工程は複雑であるため、
このような説明の仕方では、本発明の主要部分を把握し
にくくなってしまう。

【００１８】そこで、まず初めに、配線板非製造領域に
注目し、この領域でどのような方法でダミー導体層を形
成するかについて主に説明を行い、個々の多層プリント
配線板の製造方法については、後で詳しく説明すること
にする。また、この説明では、随時、後述する個々の多
層プリント配線板の製造方法についての説明を引用しな
がら説明していくことにする。

【００１９】図１（ａ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法において、配線板集合体を製造する際、基
板に導体回路およびダミー導体層を形成した状態を模式
的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した導体
回路等が形成された基板の断面図である。なお、この図
は、導体回路が２層と層間樹脂絶縁層が２層積層形成さ
れた配線板集合体を示している。また、この図では、導
体回路を簡略化し、ベタの導体層１０４、１１４として
示している。

【００２０】ここでは、まず、基板上に導体回路を形成
する工程について説明する。この工程では、後述する
（１）の工程の方法、すなわち、例えば、基板１０１の
両面に無電解めっき処理と電解めっき処理等を施し、配
線板集合体の全体に、いわゆるベタの導体層を形成した
後、その上に導体回路のパターンに対応したエッチング
レジストを形成し、エッチングを行うことにより導体回
路１０４を形成する。本発明では、通常は、導体回路を
形成しない配線板非製造領域１０６の一部にダミー導体
層１０５を形成する。

【００２１】ダミー導体層１０５の形成方法は、上記方
法の場合、フィルム等を接着することより全面にエッチ
ングレジストを形成した後、ダミー導体層１０５を形成
しようとする部分のエッチングレジストを残し、エッチ
ングを行えばよい。ダミー導体層１０５は、上記したよ
うに、導体回路１０４を形成する際に同時に形成するこ
とが望ましい。

【００２２】ただし、このダミー導体層１０５は、単に
層間樹脂絶縁層１０２のレベルを一定にするために形成
するものであり、導体層としての電気的な機能はないの
で、図１（ａ）に示したように、個々の多層プリント配
線板の導体回路１０４とは接続されないよう、孤立した
ものとする必要がある。このような孤立したダミー導体
層１０５を配線板非製造領域１０６に形成することによ
り、従来、凹部となっていた部分が、導体回路１０４と
ほぼ同一平面となる。

【００２３】導体回路１０４とダミー導体層１０５との
間は、１００〜５００μｍ離れていることが望ましい。
導体回路１０４とダミー導体層１０５との間に短絡を発
生させず、かつ、導体回路１０４とダミー導体層１０５
との間に凹部が形成されないようにするためである。ま
た、ダミー導体層の幅は特に限定されず、配線板集合体
の設計等を考慮して適宜選択すればよく、通常、５０〜
３５０μｍ程度が望ましい。

【００２４】この工程の後、後述する（３）〜（４）の
工程を行うことにより、導体回路１０４上に層間樹脂絶
縁層１０２を形成するが、その際、図１（ｂ）に示すよ
うに、配線板非製造領域１０６の層間樹脂絶縁層１０２
に凹部は形成されず、配線板集合体１０１の全体にほぼ
同一平面からなる層間樹脂絶縁層１０２が形成される。
従って、従来の場合のように、配線板非製造領域１０６
に凹部が形成されることにより、個々の多層プリント配
線板の外縁部で、層間樹脂絶縁層の厚さｄが、他の部分
の厚さＤに比べて薄くなってしまい、上述した導体回路
同士の短絡や層間樹脂絶縁層の剥離等、種々の不都合が
発生することはない。

【００２５】この後、後述の（５）の工程において、層
間樹脂絶縁層１０２に粗化面を形成し、（６）〜（８）
の工程において、この層間樹脂絶縁層１０２の上に上層
の導体回路１１４を形成する。この際、層間樹脂絶縁層
１０２の上に無電解めっきにより、薄膜導体層を形成し
た後、この薄膜導体層の上に所定形状のめっきレジスト
を形成し、電解めっき、エッチングを行うことにより、
上層の導体回路１１４を形成する。

【００２６】本発明では、層間樹脂絶縁層１０２上に薄
膜導体層を形成した後、配線板非製造領域１０６のダミ
ー導体層を形成しようとする薄膜導体層上には、めっき
レジストを形成せず、電解めっきを行うことにより、導
体回路と同じ厚さの上層のダミー導体層１１５を形成す
る。これにより、図１（ｂ）に示すように、上層の導体
回路１１４とダミー導体層１１５とがほぼ同一の高さと
なり、この上に層間樹脂絶縁層１１２を形成しても、層
間樹脂絶縁層１１２に凹部が形成されることはなく、配
線板非製造領域１０６の層間樹脂絶縁層１１２と他の領
域の層間樹脂絶縁層１１２とが、ほぼ同一平面となる。
その結果、上述した導体回路１０４、１１４同士の短絡
や層間樹脂絶縁層１０２、１１２の剥離等の種々の不都
合が発生することはない。

【００２７】さらにこの後、必要により、後述する
（３）〜（８）の工程を繰り返し、導体回路と層間樹脂
絶縁層とを積層形成するが、導体回路を形成する際に
は、上述のように、配線板非製造領域内にもダミー導体
層を形成し、この部分に凹部が形成されるのを防止す
る。

【００２８】上記説明では、個々の多層プリント配線板
に複数層の導体回路を形成する際に、それぞれ全ての層
において、配線板非製造領域に上記ダミー導体層を形成
する方法を説明したが、全ての層に上記ダミー導体層を
形成する必要は、必ずしもなく、上記ダミー導体層が形
成されていない層が存在してもよい。ただし、配線板非
製造領域にダミー導体層を形成するのに余分の工程は必
要なく、導体回路を形成する際に、単に配線板非製造領
域にダミー導体層も同時に形成すればよい。従って、全
ての層に上記ダミー導体層を形成することが望ましい。

【００２９】次に、多層プリント配線板の製造方法の全
製造工程について、個々の多層プリント配線板の製造方
法を中心に工程順に説明する。なお、本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法においては、以下の製造方法によ
り配線板集合体を製造し、この配線板集合体を切断し、
各区画に分割することにより、１つの多層プリント配線
板とする。

【００３０】（１）本発明の多層プリント配線板の製造
方法においては、まず、基板上に導体回路を形成する。
具体的には、例えば、基板の両面に無電解めっき処理等
を施し、ベタの導体層を形成した後、該導体層上に導体
回路パターンに対応したエッチングレジストを形成し、
エッチングを行うことにより形成すればよい。この際、
上述した方法を用いて、ダミー導体層を配線板非製造領
域に形成する。

【００３１】なお、無電解めっき処理を施した後、電解
めっきを施すことにより導体層の厚さを厚くしてもよ
い。また、上記導体層は、未硬化の樹脂フィルムの片面
に、銅箔等の金属層により導体層のパターンが形成され
た樹脂フィルムを貼付することにより形成してもよい。

【００３２】上記基板としては、樹脂基板が望ましく、
具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド
基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（ＢＴ樹脂
基板）、フッ素樹脂基板等が挙げられる。また、銅張積
層板やＲＣＣ基板等を、ベタの導体層が形成された基板
として用いてもよい。

【００３３】また、必要に応じて、上記無電解めっき処
理を施す際に、予め、この絶縁性基板に貫通孔を形成し
ておき、該貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すこ
とにより、基板を挟んだ導体回路間を電気的に接続する
スルーホールとしてもよい。また、スルーホールを形成
した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填す
ることが望ましい。

【００３４】（２）次に、必要に応じて、導体回路の表
面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、
黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む
混合溶液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針
状合金めっきによる処理等を用いることができる。

【００３５】（３）次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や
樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、また
は、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。上記未硬
化の樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カ
ーテンコーター等により塗布して成形してもよく、ま
た、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成
してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅
箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよ
い。また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状
に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成する
ことが望ましい。

【００３６】上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹
脂を塗布した後、加熱処理を施す。上記加熱処理を施す
ことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができ
る。なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口
や貫通孔を形成した後に行ってもよい。

【００３７】このような樹脂層の形成において使用する
熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹
脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ
フェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。

【００３８】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。

【００３９】上記ポリオレフィン系樹脂としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。これらのなかでは、誘電率および誘電正接が
低く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅
延や信号エラーが発生しにくく、さらには、剛性等の機
械的特性にも優れている点からシクロオレフィン系樹脂
が望ましい。

【００４０】上記シクロオレフィン系樹脂としては、２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記２−
ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成する
ためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン
酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。上記
共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。また、上記ポリオ
レフィン樹脂は、有機フィラーを含むものであってもよ
い。

【００４１】上記ポリフェニレンエーテル樹脂として
は、例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位
を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化
学式（２）で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。

【００４２】

【化１】

【００４３】（式中、ｎは、２以上の整数を表す。）

【００４４】

【化２】

【００４５】（式中、ｍは、２以上の整数を表す。ま
た、Ｒ¹ 、Ｒ² は、メチレン基、エチレン基または−Ｃ
Ｈ₂ −Ｏ−ＣＨ₂ −を表し、両者は同一であってもよい
し、異なっていてもよい。）

【００４６】また、上記化学式（１）で表される繰り返
し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂
は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有している
が、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテ
ル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のア
ルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフ
ッ素で置換された誘導体等であってもよい。

【００４７】また、上記熱可塑性樹脂としては、例え
ば、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げ
られる。また、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体
（樹脂複合体）としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂
とを含むものであれば特に限定されず、その具体例とし
ては、例えば、粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられ
る。

【００４８】上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例
えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくと
も１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性
樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から
選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性
の物質が分散されたもの等が挙げられる。なお、上記
「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００４９】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。後述す
るバイアホール用開口を形成する工程において、露光現
像処理により開口を形成することができるからである。

【００５０】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱
硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリ
ル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させ
る。特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望まし
い。さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂がより望ましい。上述の粗化面を形成す
ることができるばかりでなく、耐熱性等にも優れている
ため、ヒートサイクル条件下においても、導体回路に応
力の集中が発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層との間
で剥離が発生しにくい。

【００５１】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以
上併用してもよい。

【００５２】上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれ
る少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質
は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹
脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であるこ
とが望ましい。

【００５３】上記無機粒子としては、例えば、アルミニ
ウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグ
ネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これら
は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

【００５４】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、
上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライ
ト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上併用してもよい。

【００５５】上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去す
ることができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去するこ
とができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイト
はアルカリ水溶液で溶解除去することができる。

【００５６】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独
で用いてもよく、２種以上併用してもよい。

【００５７】上記樹脂粒子は予め硬化処理されているこ
とが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が
樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうた
め、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子の
みを選択的に溶解除去することができないからである。

【００５８】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。

【００５９】上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロ
ニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポ
リイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フ
ッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂
等が挙げられる。

【００６０】また、上記ゴム粒子として、例えば、ポリ
ブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メ
タ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエン
ゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニト
リル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。これ
らの可溶性の物質は、単独で用いてもよいし、２種以上
併用してもよい。

【００６１】上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂
の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹
脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴ
マーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。上記液
相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴ
ム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニ
トリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキ
シル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエ
ンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。

【００６２】上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光
性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリッ
クスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分
離するように）ように、これらの物質を選択する必要が
ある。上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリック
スと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性
樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴ
ムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂また
は液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの
「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製す
ることができる。

【００６３】（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂
や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合に
は、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バ
イアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。本
発明では、形成した層間樹脂絶縁層は、配線板非製造領
域においても窪まず、個々の多層プリント配線板の縁部
において、層間樹脂絶縁層の薄くなることもない。

【００６４】上記バイアホール用開口は、レーザ処理に
より形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記
硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよ
い。また、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成し
た場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイア
ホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、
現像処理は、上記硬化処理前に行う。

【００６５】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。

【００６６】このとき、使用するレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ等が挙げられる。これらのレーザは、形成す
るバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けても
よい。

【００６７】上記バイアホール用開口を形成する場合、
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。また、短パルスの
炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成す
ると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対
するダメージが小さい。

【００６８】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホー
ル用開口を形成することができる。光学系レンズとマス
クとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度
が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することが
できるからである。

【００６９】上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ
光のスポット形状を真円にするために、真円であること
が望ましく、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が
望ましい。また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、そ
のパルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。レーザ光
にてバイアホール用開口を形成した場合、特に炭酸ガス
レーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望
ましい。

【００７０】また、上記した方法で形成する層間樹脂絶
縁層の厚さは特に限定されないが、５〜５０μｍが望ま
しい。また、上記バイアホール用開口の開口径は特に限
定されないが、通常、４０〜２００μｍが望ましい。

【００７１】また、層間樹脂絶縁層を形成した後、必要
に応じて、該層間樹脂絶縁層と基板とを貫通する貫通孔
を形成してもよい。該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処
理等を用いて形成すればよい。このような貫通孔を形成
した場合には、後工程で、層間樹脂絶縁層の表面に薄膜
導体層を形成する際に、該貫通孔の壁面にも薄膜導体層
を形成することにより、基板と層間樹脂絶縁層とを挟ん
だ２層の導体回路間は勿論のこと、この２層の導体回路
と基板の両面に形成された２層の導体回路との計４層の
導体回路間を電気的に接続するスルーホールを形成する
ことができる。このようにして導体回路間を接続するこ
とにより、信号伝送距離を短くすることができるため、
信号遅延等が発生しにくくなり、多層プリント配線板の
性能の向上に繋がる。

【００７２】（５）次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間樹脂絶縁層の表面と上記工程で貫通孔を形成し
た場合には貫通孔の内壁とに、必要に応じて、酸または
酸化剤を用いて粗化面を形成する。上記酸としては、硫
酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化
剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナト
リウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。また、上記
粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよ
い。

【００７３】また、粗化面を形成した後には、アルカリ
等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面
を中和することが望ましい。次工程に、酸や酸化剤の影
響を与えないようにすることができるからである。

【００７４】なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層とそ
の上に形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形
成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間
に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。

【００７５】（６）次に、バイアホール用開口を設けた
層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。上記薄
膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の
方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶
縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄
膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ま
しい。なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する
場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与してお
く。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙
げられる。

【００７６】上記薄膜導体層の厚さは特に限定されない
が、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合に
は、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングに
より形成した場合には、０．１〜１．０μｍが望まし
い。なお、上記（４）の工程で貫通孔を形成した場合に
は、この工程で貫通孔の内壁面にも金属からなる薄膜導
体層を形成することにより、スルーホールとすることが
できる。

【００７７】また、上記したように貫通孔の内壁面に薄
膜導体層を形成し、スルーホールとした場合には、この
後、スルーホール内を樹脂充填材で充填することが望ま
しい。上記樹脂充填材としては、例えば、エポキシ樹脂
と硬化剤と無機粒子とを含む樹脂組成物等が挙げられ
る。

【００７８】また、スルーホール内を樹脂充填材により
充填した場合には、スルーホール上に樹脂充填材を覆う
蓋めっき層を形成してもよく、蓋めっき層を形成した場
合には、該蓋めっき層の直上に、バイアホールや半田パ
ッドを形成することができるため、信号伝送距離を短く
することができる。

【００７９】（７）次に、上記薄膜導体層上の一部にド
ライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電気めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形
成する。このとき、バイアホール用開口を電気めっきで
充填してフィールドビア構造としてもよく、バイアホー
ル用開口に導電性ペーストを充填した後、その上に蓋め
っき層を形成してフィールドビア構造としてもよい。

【００８０】（８）電気めっき層を形成した後、めっき
レジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた
金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、独
立した導体回路とする。また、配線板非製造領域内にお
いては、めっきレジストを形成せず、この領域に電気め
っきを行うことにより、厚膜の導体層を形成し、この
後、エッチングを行うことにより、孤立したダミー導体
層とする。

【００８１】エッチング液としては、例えば、硫酸−過
酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶
液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙げられる。ま
た、エッチング液として上述した第二銅錯体と有機酸と
を含む混合溶液を用いてもよい。

【００８２】また、上記（７）および（８）に記載した
方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路
を形成してもよい。即ち、上記薄膜導体層上の全面に電
気めっき層を形成した後、該電気めっき層上の一部にド
ライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、そ
の後、エッチングレジスト非形成部下の電気めっき層お
よび薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エ
ッチングレジストを剥離することにより独立した導体回
路を形成してもよい。この場合、配線板非製造領域内に
もエッチングレジストを形成することにより、ダミー導
体層を形成することができる。

【００８３】（９）この後、上記（３）〜（８）の工程
を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の導
体回路が形成された基板を作製する。（１０）次に、最上層の導体回路を含む基板上に、複数
の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を
形成する。具体的には、未硬化のソルダーレジスト組成
物をロールコータやカーテンコータ等により塗布した
り、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧
着したりした後、レーザ処理や露光現像処理により半田
バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応じて、硬
化処理を施すことによりソルダーレジスト層を形成す
る。

【００８４】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成す
ることができ、これらの樹脂の具体例としては、例え
ば、層間樹脂絶縁層に用いた樹脂と同様の樹脂等が挙げ
られる。

【００８５】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メ
タ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メ
タ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０
００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されて
いることが望ましい。上記ノボラック型エポキシ樹脂の
（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノ
ボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテル
をアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹
脂等が挙げられる。

【００８６】上記２官能性（メタ）アクリル酸エステル
モノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオー
ル類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げら
れ、その市販品としては、日本化薬社製のＲ−６０４、
ＰＭ２、ＰＭ２１等が挙げられる。

【００８７】また、上記ソルダーレジスト組成物は、エ
ラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。エ
ラストマーが配合されていることにより、形成されるソ
ルダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性およ
び反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用し
た場合でも、該応力を吸収したり、緩和したりすること
ができ、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製
造した多層プリント配線板にＩＣチップ等の電子部品を
搭載した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発
生することを抑制でき、さらに、クラックが発生した場
合でも該クラックが大きく成長することがほとんどな
い。また、上記半田バンプ形成用開口を形成する際に用
いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形
成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。

【００８８】次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に
露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッド
を形成する。上記半田パッドは、ニッケル、パラジウ
ム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表
面を被覆することにより形成することができる。具体的
には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジ
ウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成す
ることが望ましい。また、上記半田パッドは、例えば、
めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することがで
きるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れると
いう点からめっきが望ましい。

【００８９】（１１）次に、上記半田バンプ形成用開口
の底面に半田バッドを有するソルダーレジスト層に、半
田ペーストを印刷することにより、半田ペースト層を形
成し、該半田ペースト層にリフロー処理を施すことによ
り半田ペーストを形成する。

【００９０】上記半田ペーストを印刷する場合は、ソル
ダーレジスト層上に、半田バンプ形成用開口に対向する
部分に開口を有するマスクを載置した後、半田ペースト
を印刷してもよい。マスクを載置して、半田バンプ形成
用開口に半田ペーストを選択的に印刷することにより、
半田バンプ形成用開口の壁面を除くソルダーレジスト層
の表面に半田ペーストが付着することがなく、後工程
で、ソルダーレジスト層表面に付着した半田ペーストを
除去する必要がないからである。

【００９１】また、上記マスクの種類としては特に限定
されず、プリント配線板製造用の印刷マスクやその他の
印刷マスクで用いられている材質全てのものを用いるこ
とができる。具体的には、例えば、ニッケル合金、ニッ
ケル−コバルト合金、ＳＵＳ等からなるメタルマスク；
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるプラスチック
マスク等が挙げられる。また、マスクの製造方法として
はエッチング、アディテイブ加工、レーザ加工等が挙げ
られる。

【００９２】また、マスクが有する開口は、ソルダーレ
ジスト層に対して垂直な壁面を有するように形成されて
いてもよいが、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する
形態のテーパが形成されていることが望ましい。半田ペ
ーストの抜け性に優れ、半田バンプ形成用開口に半田ペ
ーストをより確実に充填することができるからである。
また、マスクの厚さは特に限定されず、半田ペーストの
抜け性等を考慮して適宜選択すればよく、通常、３０〜
７０μｍが望ましく、３０〜５０μｍがより望ましい。

【００９３】また、上記半田ペーストとしては特に限定
されず、一般にプリント配線板の製造で使用されるもの
全てを用いることができる。具体的には、例えば、Ｓ
ｎ：Ｐｂ（重量比）＝６３：３７、Ｓｎ：Ｐｂ：Ａｇ＝
６２：３６：２、Ｓｎ：Ａｇ＝９６．５：３．５等から
なるものや、ＳｎとＳｂとからなるものが挙げられる。
また、半田粒子の粒子径は、２〜４０μｍが好ましく、
５〜２０μｍがより好ましい。

【００９４】上記半田ペーストの粘度は、２５℃で１５
０〜３５０Ｐａ・ｓが望ましい。また、半田ペーストの
流動性を上げることにより、半田ペーストを半田バンプ
形成用開口により確実に充填することができる。特に、
その底面に窪みを有する半田バンプ形成用開口を確実に
充填することができる。また、流動性の高い半田ペース
トで半田バンプ形成用開口を充填した場合には、半田バ
ンプを形成した際によりボイドが発生しにくい。半田ペ
ーストの粘度を低下させる方法としては、半田ペースト
に添加する溶剤の量を多くしたり、フラックスの含有量
を多くしたり、半田粒子の粒径を小さくしたりする方法
等が挙げられる。

【００９５】ここで、半田パッドがバイアホール上に形
成されている場合、該半田パッドの形状は、その一部に
窪みを有するものとなる。このような、底面に窪みを有
する半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填する際
には、２回に分けて半田ペースト印刷を行うことによ
り、半田バンプ形成用開口に半田ペーストをより確実に
充填することができる。

【００９６】また、上記半田ペーストを印刷する際に
は、通常、印刷用スキージを用いる。上記印刷形成用ス
キージの材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレン
等のゴム；鉄、ステンレス等の金属；セラミック等の一
般にプリント配線板の印刷に用いられる材質を使用する
ことができる。これらのなかでは、弾力性を有し、基板
表面の凹凸（アンジュレーション）に対する追従性が高
いため、より確実に開口内に半田ペーストを印刷するこ
とができる点から硬度６０°以上のゴムが望ましく、目
減りしにくく、摩耗による半田ペーストへの異物混入が
起こりにくい点から金属が望ましい。

【００９７】上記スキージの形状としては、平型、角型
等の種々の形状が挙げられる。上記形状のスキージに、
適時切れ込みを入れることにより半田ペーストの充填性
を向上させることもできる。上記スキージの厚さは特に
限定されないが、通常、１０〜３０ｍｍが望ましく、１
５〜２５ｍｍがより望ましい。繰り返し印刷を行って
も、反りやたわみがないからである。また、金属性のス
キージの場合は、その厚さは５０〜３００μｍが望まし
い。

【００９８】また、上記半田ペーストの印刷は、密閉式
のスキージユニットを用いて行ってもよい。このような
スキージとしては、例えば、エアー圧入型、ローラー圧
入型、ピストン圧入型等が挙げられる。隣合う半田バン
プ同士の距離が２００μｍ以下の半田バンプを形成する
場合、このような半田バンプを形成することができる半
田ペースト層は、通常のスキージ印刷を用いて形成する
ことが困難であるため、密閉式のスキージユニットを用
いて形成することが望ましい。また、上記密閉式のスキ
ージユニットのなかでは、印刷圧力の安定性に優れる点
からピストン圧入型が望ましい。

【００９９】また、半田バンプ形成用開口の壁面を除く
ソルダーレジスト層の表面に半田ペーストが付着してい
る場合には、付着した半田ペーストを除去するのが望ま
しい。また、形成した半田ペースト層にリフロー処理を
施す前に、予め、該半田ペースト層に導電性ピンを取り
付けておき、外部端子と接続するためのＰＧＡ（Pin Gr
id Array) を形成してもよい。なお、製品認識文字など
を形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の
改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を
適時行ってもよい。

【０１００】この後、得られた配線板集合体を個々の多
層プリント配線板に分割し、半導体チップ等を実装する
ための配線板として使用するが、個々の多層プリント配
線板の周辺部分には、金属層が形成されているため、機
械的強度に優れ、熱衝撃が加わったり、周辺部に大きな
力が作用しても、この部分にクラック等が発生すること
はない。なお、本発明の多層プリント配線板の製造方法
は、上述の多層ビルドアップ配線板の製造方法の場合に
限られるものではない。

【０１０１】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。

【０１０２】Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）７２重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製
ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混
合することにより、その粘度が２５±１℃で３０〜８０
Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【０１０３】Ｃ．プリント配線板の製造方法（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした（図３（ａ）参照）。この銅張積層
板は、縦３５０ｍｍ、横５２０ｍｍで、６０個の多層プ
リント配線板を一度に製造することができるようになっ
ている。

【０１０４】まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無
電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングするこ
とにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホー
ル９を形成した。この際、配線板非製造領域の一部のエ
ッチングは行わず、この配線板非製造領域に、図１に示
すようなダミー導体層を形成した。ダミー導体層の幅
は、０．２ｍｍであった。

【０１０５】（２）次に、スルーホール９および下層導
体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、Ｎａ
ＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎ
ａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化
浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導
体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図３
（ｂ）参照）。

【０１０６】（３）次に、上記Ｂに記載した貫通孔充填
用樹脂組成物を調製した後、下記の方法により調整後２
４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の片
面の導体回路非形成部と導体回路４の外縁部とに樹脂充
填材１０の層を形成した。即ち、まず、スキージを用い
てスルーホール内に貫通孔充填用樹脂組成物を押し込ん
だ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導
体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板
上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回
路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、
２０分の条件で乾燥させた（図３（ｃ）参照）。

【０１０７】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い
たベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面
やスルーホール９のランド表面に樹脂充填材１０が残ら
ないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨に
よる傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処
理を行って樹脂充填材１０を硬化させた。

【０１０８】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図３（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填
材１０の表面と下層導体回路４、ダミー導体層の表面が
同一平面となる。

【０１０９】（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とス
ルーホール９のランド表面をエッチングすることによ
り、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成
した（図４（ａ）参照）。なお、エッチング液として
は、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコー
ル酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチン
グ液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。

【０１１０】（６）基板の両面に、上記Ａで作製した基
板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基
板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時
間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下
の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付け、
その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形
成した（図４（ｂ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層
用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．
４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着
して張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させ
た。

【０１１１】（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ
１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０
ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マス
クの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹
脂絶縁層２に、直径７５μｍのバイアホール用開口６を
形成した（図４（ｃ）参照）。

【０１１２】（８）さらに、バイアホール用開口６を形
成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃
の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表
面を粗面とした（図４（ｄ）参照）。

【０１１３】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用
開口６の内壁面に触媒核を付着させた。

【０１１４】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
３．０μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図５
（ａ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【０１１５】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき層１２に貼り付け、導体回路および配線板
非製造領域の一部に形成するダミー導体層のパターンに
相当する部分に開口を有するマスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジ
スト３を設けた（図５（ｂ）参照）。

【０１１６】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっ
き層１３を形成した（図５（ｃ）参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１１７】（１３）さらに、めっきレジスト３を５％
ＮａＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト
３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液
でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１
２と電解めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの独立の上
層導体回路５（バイアホール７を含む）およびダミー導
体層（図示せず）とした（図５（ｄ）参照）。この工程
では、配線板非製造領域内に、ダミー導体層（幅０．１
５ｍｍ）を形成した。

【０１１８】（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに、上層の層間樹脂絶縁層２、
ならびに、上層の導体回路５（バイアホール７を含む）
およびダミー導体層を形成した（図６（ａ）〜図７
（ａ）参照）。その後、上記上層の導体回路５の表面に
エッチング液を用いて粗化面を形成した。なお、エッチ
ング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使
用した（図７（ｂ）参照）。

【０１１９】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重
量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商
品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サン
ノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社
製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で
２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、Ｄ
ＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ^-1（ｒｐｍ）の場合はロータ
ーＮｏ．４、６ｍｉｎ^-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮ
ｏ．３によった。

【０１２０】（１６）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ５
ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて
１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液
で現像処理し、直径８０μｍの開口を形成した。そし
て、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２
０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バン
プ形成用開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレ
ジスト層１４を形成した。なお、半田バンプ形成用開口
の開口径は８０μｍであり、隣合う半田バンプ形成用開
口間の距離は１５０μｍである。また、上記ソルダーレ
ジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物
を使用することもできる。

【０１２１】（１７）次に、過硫酸ナトリウムを主成分
とするエッチング液を、そのエッチング能が毎分２μｍ
程度になるように調製し、このエッチング液中にソルダ
ーレジスト層１４が形成された基板を１分間浸漬し、導
体回路表面に平均粗度（Ｒａ）が１μｍ以下の粗化面を
形成した。さらに、この基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０ ^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層１６を形成し、半田パッドとした。

【０１２２】（１８）この後、ソルダーレジスト層１４
上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直
径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン
式圧入型印刷機を用いて、凹形状の半田バンプ形成用開
口を半田ペーストで完全に充填した。

【０１２３】（１９）その後、上記（１８）の工程で印
刷した半田ペーストを２５０℃でリフローし、フラック
ス洗浄を行った。さらに、このように製造された配線板
集合体を切断し、各区画に分割することにより、半田バ
ンプを備えた多層プリント配線板を得た（図７（ｃ）参
照）。

【０１２４】（実施例２）Ａ．実施例１と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムの作製、および、貫通孔充填用樹脂組成物の調製を
行った。

【０１２５】Ｂ．多層プリント配線板の製造（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板
３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされてい
る銅張積層板を出発材料とした（図８（ａ）参照）。ま
ず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッチ
ングすることにより、基板の両面に下層導体回路３４を
形成した（図８（ｂ）参照）。この際、配線板非製造領
域の一部のエッチングは行わず、この配線板非製造領域
に、図１に示すようなダミー導体層を形成した。ダミー
導体層の幅は、０．３ｍｍであった。

【０１２６】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、
および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層
導体回路３４の表面に粗化面３４ａを形成した（図８
（ｃ）参照）。

【０１２７】（３）次に、上記Ａで作製した層間樹脂絶
縁層用樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇温し
ながら、０．５ＭＰａで真空圧着ラミネートして貼り付
け、樹脂フィルム層５０αを形成した（図８（ｄ）参
照）。さらに、樹脂フィルム層５０αを貼り付けた基板
３０に、ドリル加工により直径３００μｍの貫通孔３５
を形成した（図８（ｅ）参照）。

【０１２８】（４）次に、樹脂フィルム層５０α上に、
厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、
波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径
４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ
秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件
で樹脂フィルム層５０αに、直径７５μｍのバイアホー
ル用開口５２を形成し、層間樹脂絶縁層５０とした（図
９（ａ）参照）。

【０１２９】（５）バイアホール用開口５２を形成した
基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液
に１０分間浸漬し、貫通孔３５の壁面にデスミア処理を
施すとともに、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホー
ル用開口５２の内壁面を含むその表面に粗化面５０ａ、
５２ａを形成した（図９（ｂ）参照）。

【０１３０】（６）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶
縁層５０の表面（バイアホール用開口５２の内壁面を含
む）、および、貫通孔３５の壁面に触媒核を付着させた
（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（Ｐｂ
Ｃｌ₂ ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ₂ ）とを含む触媒液
中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触
媒を付与した。

【０１３１】（７）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に、基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面
（バイアホール用開口５２の内壁面を含む）、および、
貫通孔３５の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅
めっき膜４２を形成した（図９（ｃ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３４℃の液温度で４０分

【０１３２】（８）次に、無電解銅めっき膜４２が形成
された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、
導体回路および配線板非製造領域の一部に形成するダミ
ー導体層のパターンに相当する部分に開口を有するマス
クを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％
炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ
２０μｍのめっきレジスト４３を設けた（図９（ｄ）参
照）。

【０１３３】（９）ついで、基板を５０℃の水で洗浄し
て脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄して
から、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト
４３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜４４を
形成した（図９（ｅ）参照）。〔電解めっき液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１３４】（１０）次に、めっきレジスト４３を５％
ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４３下の
無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチ
ング処理して溶解除去し、スルーホール３６、上層導体
回路４５（バイアホール４６を含む）、および、ダミー
導体層（図示せず）とした（図１０（ａ）参照）。ここ
では、配線板非製造領域には、ダミー導体層（幅０．２
ｍｍ）を形成した。

【０１３５】（１１）次に、スルーホール３６等を形成
した基板３０をエッチング液に浸漬し、スルーホール３
６、ならびに、上層導体回路（バイアホール４６を含
む）、および、導体層（図示せず）の表面に粗化面３６
ａ、４６ａを形成した（図１０（ｂ）参照）。なお、エ
ッチング液としては、メック社製、メックエッチボンド
を使用した。

【０１３６】（１２）次に、上記Ａに記載した貫通孔充
填用樹脂組成物を調製した後、下記の方法により調製後
２４時間以内に、スルーホール３６内、および、基板の
片面のバイアホール４６内に樹脂充填材４０、５４の層
を形成した。即ち、まず、スキージを用いてスルーホー
ル内に貫通孔充填用樹脂組成物を押し込んだ後、１００
℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、バイアホール４
６に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、
スキージを用いてバイアホール４６内に貫通孔充填用樹
脂組成物を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥を行
った。さらに、同様にして、基板の他方の面のバイアホ
ール４６内にも貫通孔充填用樹脂組成物を充填した（図
１０（ｃ）参照）。

【０１３７】（１３）次に、上記（１２）の処理を終え
た基板の両面にバフ研磨を施し、スルーホール３６およ
びバイアホール４６から露出した樹脂充填材４０、５４
の層の表面を平坦にした。次いで、１００℃で１時間、
１５０℃で１時間の加熱処理を行うことにより、樹脂充
填材４０、５４の層を硬化させた（図１０（ｄ）参
照）。

【０１３８】（１４）次に、層間樹脂絶縁層５０の表
面、および、樹脂充填材４０、５４の露出面に、上記
（６）と同様の処理を行いてパラジウム触媒（図示せ
ず）を付与した。次に、上記（７）と同様の条件で無電
解めっき処理を施し、層間樹脂絶縁層５０の表面、およ
び、樹脂充填材４０、５４の露出面に無電解めっき膜５
６を形成した（図１１（ａ）参照）。

【０１３９】（１５）次に、上記（８）と同様の方法を
用いて、無電解めっき膜５６上に、厚さ２０μｍのめっ
きレジストを設けた（図示せず）。さらに、上記（９）
と同様の条件で電解めっきを施して、めっきレジスト非
形成部に電解めっき膜５７を形成した。その後、めっき
レジストと、その下に存在する無電解めっき膜５６とを
除去し、スルーホール３６上およびバイアホール４６上
に、無電解めっき膜５６と電解めっき膜５７とからなる
蓋めっき層５８を形成した（図１１（ｂ）参照）。この
工程において、配線板非製造領域内に、めっきレジスト
非形成部を設けることにより、ダミー導体層（幅０．０
５ｍｍ）を形成した。

【０１４０】（１６）次に、蓋めっき層５８の表面に上
記（１１）で用いたエッチング液（メックエッチボン
ド）を用いて粗化面５８ａを形成した（図１１（ｃ）参
照）。（１７）次に、上記（３）〜（１１）の工程を繰り返す
ことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層６０、導体回
路（バイアホール６６を含む）を形成し、多層配線板を
得た（図１１（ｄ）参照）。なお、この工程において
も、配線板非製造領域の一部にダミー導体層を形成し
た。

【０１４１】（１８）次に、実施例１の（１６）および
（１７）と同様にして、半田バンプ形成用開口が形成さ
れ、その底面に、半田パッド６６を有するソルダーレジ
スト層６０を形成した（図１２（ａ）〜（ｃ）参照）。
なお、半田バンプ形成用開口の開口径は８０μｍであ
り、隣合う半田バンプ形成用開口間の距離は１５０μｍ
である。

【０１４２】（１９）この後、ソルダーレジスト層１４
上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直
径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン
式圧入型印刷機を用いて、凹形状の半田バンプ形成用開
口を半田ペーストで完全に充填した。

【０１４３】また、ソルダーレジスト層１４の他の一面
には、Ｓｎ：Ｓｂ＝９５：５の半田ペースト層を形成し
た後、導電性ピン７８を取り付けた（図１３参照）。

【０１４４】（２０）その後、上記（１９）の工程で形
成した半田ペースト層を２６０℃でリフローし、フラッ
クス洗浄を行った。さらに、このように製造された配線
板集合体を切断し、各区画に分割することにより、半田
バンプとＰＧＡ（Pin Grid Array）とを備えた多層プリ
ント配線板を得た。

【０１４５】（比較例１）配線板非製造領域にダミー導
体層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして多
層プリント配線板を製造した。

【０１４６】（比較例２）配線板非製造領域にダミー導
体層を形成しなかった以外は、実施例２と同様にして多
層プリント配線板を製造した。

【０１４７】実施例１、２および比較例１、２で得られ
た多層プリント配線板について、層間樹脂絶縁層の層厚
の観察、信頼性試験前後の性能評価を下記の評価方法を
用いて行った。

【０１４８】評価方法（１）層間樹脂絶縁層の層厚の観察プリント配線板を切断し、１００倍の光学顕微鏡を用い
て断面を観察し、層間樹脂絶縁層の厚さおよび凹凸を調
べた。

【０１４９】（２）信頼性試験１３５℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時間放置
した後、下記する導通試験を行った。また、これとは別
に多層プリント配線板を切断し、層間樹脂絶縁層と導体
回路との剥離の有無を調べた。

【０１５０】（３）導通試験多層プリント配線板を製造した後、上記信頼性試験前後
に導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通
状態を評価した。（４）ヒートサイクル試験製造した多層プリント配線板を−５５℃で３０分保持し
た後、１２５℃で３０分保持するヒートサイクルを１０
００回繰り返し、多層プリント配線板の周辺の状態を観
察した。また、得られた多層プリント配線板のクロスカ
ットを行い、層間樹脂絶縁層と導体回路との接着状態を
観察した。

【０１５１】実施例１、２の多層プリント配線板では、
層間樹脂絶縁層の層厚は一定で、凹凸も殆どなく、平坦
であった。また、上下層間での導体回路の短絡もなく、
信頼性試験前後に行った導通試験にも全く問題はなく、
信頼性試験後、および、ヒートサイクル試験後にも、層
間樹脂絶縁層と導体回路との剥離等は見当たらなかっ
た。また、多層プリント配線板の周辺部分にクラック等
は発生していなかった。

【０１５２】一方、比較例１、２の多層プリント配線板
では、実施例１、２と比べて、多層プリント配線板の外
縁部で層間樹脂絶縁層の層厚が薄くなっており、配線板
非製造領域の部分が窪んでいた。また、導通試験に関し
ては、信頼性試験前は特に問題がなかったが、信頼性試
験後には短絡、断線が発生した。これは、多層プリント
配線板の外縁部で層間樹脂絶縁層の層厚が薄くなってい
ることにより、上下層間の導体回路の絶縁性が確保され
なかったためであると推定された。また、ヒートサイク
ル試験後に、層間樹脂絶縁層と導体回路との剥離が発見
され、一部の多層プリント配線板では、周辺部分にクラ
ックが発生していた。

【０１５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法では、複数の層からなる、配線板
集合体を構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の
導体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導
体層を形成することにより、層厚が一定で、平坦化され
た層間樹脂絶縁層を形成することができ、相互間で短絡
がなく、接続信頼性に優れた多層プリント配線板を製造
することができる。この得られた多層プリント配線板の
周辺部分には、金属層が形成されているため、この多層
プリント配線板に熱衝撃が加わったり、大きな力が作用
した場合であっても、周辺部分にクラック等が発生する
ことはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の多層プリント配線板の製造
方法の工程の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、その
Ａ−Ａ線断面図である。

【図２】（ａ）は、従来の多層プリント配線板の製造方
法の工程の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、そのＢ
−Ｂ線断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図９】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。

【図１３】本発明の製造方法により得られる多層プリン
ト配線板の一例を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１、３０、１０１、２０１基板８、３２銅箔４、３４下層導体回路９、３６スルーホール６、５２バイアホール用開口１２、４２薄膜導体層（無電解めっき膜）３、４３めっきレジスト１３、４４電解めっき膜２、５０層間樹脂絶縁層１０、５４樹脂充填材５８蓋めっき層１４、７０ソルダーレジスト層１７、７６半田バンプ７８導電性ピン１０４、２０４導体回路１０５ダミー導体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 ＪＦターム(参考） 5E338 AA03 BB33 BB35 CC09 CD15 EE26 EE28 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB01 BB15 BB16 BB20 CC32 DD02 DD22 DD33 EE06 EE31 EE35 FF04 FF12 GG14 GG15 GG17 GG18 GG26 GG28 HH11 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層と
が繰り返し積層形成され、最外層にソルダーレジスト層
が形成された多層プリント配線板の集合体を形成した
後、前記多層プリント配線板の集合体を切断する多層プ
リント配線板の製造方法であって、複数の層からなる、
多層プリント配線板の集合体を構成する導体回路のう
ち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際に、多層
プリント配線板非製造領域の一部に導体層を形成するこ
とを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】多層プリント配線板の集合体を構成する
層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも一の層の層間樹脂絶
縁層を形成する際には、樹脂フィルムを貼付する工程を
含む請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。