JP3049215B2 - 配線板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線板の製造方法
にに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子産業の進歩に伴い、ＬＳＩを
実装するための配線板に対して、小型化、高速化、高密
度化、高信頼化等が望まれている。そのため、最近では
配線板が多層化されるとともに、高密度パターンの形成
に有利なアディティブ法が実施されるに至っている。ま
た、特に最近ではバイアホール形成用穴の穴あけの効率
化及び高精度化を目的として、プラズマの利用も提唱さ
れている。以下にその一例を紹介する。

【０００３】まず、内層導体パターンが形成されたコア
基板上に、樹脂を主成分とする材料からなる層間絶縁層
を形成する。次に、層間絶縁層上に金属マスク形成用の
金属箔を接着する。この金属箔上にエッチングレジスト
を形成した状態で、金属箔を部分的にエッチングする。
その結果、所定箇所に開口部を有する金属マスクを形成
する。さらに、エッチングレジストを剥離した後、プラ
ズマ処理する。すると、層間絶縁層において開口部に対
応する部分がプラズマのダウンストリームに晒されて、
分解・除去される。その結果、層間絶縁層の所定箇所に
バイアホール形成用穴が形成される。この後、無電解め
っき等のプロセス等を経ることによりバイアホール及び
外層導体パターンが形成され、所望の多層配線板が得ら
れるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の製造
方法では、厚さ１０μｍ以上の金属箔をエッチングする
ことにより金属マスクを形成していたため、開口部にア
ンダーカットができやすい。従って、所望の位置にバイ
アホール形成用穴を正確に形成することができず、この
ことがバイアホールの形成精度の向上を妨げていた。

【０００５】また、スパッタリングによりあらかじめ薄
い金属層を形成し、それを部分的にエッチングして金属
マスクを形成するという手法も考えられる。しかし、こ
の方法であると、高価なスパッタリング装置が必要とな
ることで、低コスト化を図ることができなくなる。

【０００６】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、バイアホールの形成精度に
優れかつコスト性にも優れた配線板の製造方法を提供す
ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、開口部を有する金属
マスクを絶縁層上に形成した状態でプラズマ処理するこ
とにより、前記絶縁層の所定箇所にバイアホール形成用
穴を形成する配線板の製造方法において、金属マスク形
成用の金属箔を絶縁層上に接着した後、その金属箔を全
体的に薄層化処理し、次いで薄くなった金属箔上にエッ
チングレジストを形成した状態で同金属箔を部分的にエ
ッチングすることにより、所定箇所に開口部を有する金
属マスクを形成することを特徴とする配線板の製造方法
をその要旨としている。

【０００８】請求項２に記載の発明では、請求項１にお
いて、前記薄層化処理は前記金属箔を溶解しうるエッチ
ャントを用いた湿式エッチングであるとした。請求項３
に記載の発明では、請求項２において、前記金属箔は前
記湿式エッチングにより６μm 以下にエッチングされる
とした。

【０００９】以下、本発明の「作用」を説明する。請求
項１に記載の発明によると、薄層化処理によってあらか
じめ全体的に薄くなった金属箔に対してエッチングが実
施されるため、金属マスクの開口部にアンダーカットが
できにくくなる。従って、開口部の位置精度が確実に高
くなり、所望の位置にバイアホール形成用穴が正確に形
成され、ひいてはバイアホールの形成精度が向上する。
また、この方法によるとスパッタリングによりあらかじ
め薄い金属層を形成することもないため、高価なスパッ
タリング装置が不要となり、コスト化にも優れている。

【００１０】請求項２に記載の発明によると、エッチャ
ントを用いた湿式エッチングであると、乾式エッチング
と比較して低コストであることに加え、金属箔を均一に
薄層化することができる。

【００１１】請求項３に記載の発明によると、金属箔の
厚さを６μm 以下にしておくと、その後にエッチングに
おけるアンダーカットの発生を確実に防止することがで
きる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態の多層配線板の製造方法を図１〜図８に基づき詳細
に説明する。

【００１３】まず、図１に示されるように、内層導体パ
ターン２が形成されたコア基板１を作製する。ここで内
層導体パターン２は銅パターンであることがよい。この
コア基板１への内層導体パターン２の形成は、例えば銅
張積層板のエッチングという方法により行われる。ま
た、ガラスエポキシ基板、ＢＴ（ビスマレイミドトリア
ジン）基板、ポリイミド基板、セラミック基板、金属基
板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この
接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっ
きを施すという方法でもよい。また、前記内層導体パタ
ーン２は、コア基板１の片面のみに形成される場合に限
定されず、両面に形成される場合も含む。なお、コア基
板１が両面板である場合には、表裏を貫通する図示しな
いスルーホールが形成される。スルーホールは表裏両面
の配線層を電気的に接続するためのものである。

【００１４】具体的には本実施形態では、厚さ１mmのガ
ラスエポキシ樹脂からなる基板に18μｍの銅箔がラミネ
ートされている銅張積層板を出発材料とし、コア基板１
を作製した。

【００１５】次に、図２に示されるように、内層導体パ
ターン２が形成されたコア基板１上に層間絶縁層３を形
成する。層間絶縁層３の層全体または少なくともその表
層は、無電解めっき用接着剤層であることが好ましい。
その理由は、表層に粗化面３ａが形成するのに好適だか
らである。

【００１６】粗化面３ａの形成方法としては、１）無電
解めっき用接着剤層の表面を酸や酸化剤などで粗化処理
する方法、２）粗化金属箔などを接着した後にそれをエ
ッチングにより除去する方法等がある。

【００１７】第１の方法においては、特に「酸あるいは
酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が、酸
あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散
した無電解めっき用接着剤」が使用されることが好まし
い。

【００１８】この場合、硬化後に酸や酸化剤で耐熱性樹
脂粒子が選択的に除去されることにより、アンカーを形
成することができる。従って、無電解めっき膜との密着
が得られて有利である。ここで使用される無電解めっき
用接着剤層は、特に限定されないが、酸あるいは酸化剤
に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が、酸あるい
は酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散したも
のが望ましい。

【００１９】耐熱性樹脂粒子としては、平均粒径が１
０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒径が
１０μｍ以下の耐熱性粉末樹脂粉末と、平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２μ
ｍ〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２
μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少
なくとも１種を付着させてなる疑似粒子から選ばれるこ
とが望ましい。より複雑なアンカーを形成することがで
きるからである。

【００２０】耐熱性樹脂粒子としては、例えばエポキシ
樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミ
ン樹脂）などが使用可能である。前記酸あるいは酸化剤
に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂としては、例えばクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポ
キシ樹脂などの各種エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビ
スマレイミドトリアジン樹脂などが挙げられ、中でも特
に脂環式エポキシ樹脂が望ましい。破壊伸度が比較的高
く、誘電率が低いからである。

【００２１】具体的には本実施形態では、無電解めっき
用接着剤として以下のものを使用している。即ち、脂環
式エポキシ樹脂であるジシクロペンタジエン変成エポキ
シ樹脂（大日本インキ株式会社製：ＥＰＩＣＬＯＮ Ｈ
Ｐ−７２００）を３５重量部、イミダゾール硬化剤（四
国化成製：商品名２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、消泡剤
（サンノプコ社製：Ｓ−６５）０．５重量部、さらにこ
の混合物に対してエポキシ樹脂粒子（三洋化成製 商品
名 ポリマーポール）の平均粒径３．０μｍを１０．３
重量部、平均粒径０．５μｍのものを３．０９重量部を
混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加しながら混
合し、ホモディスパー攪拌機で粘度７Ｐａ・ｓに調整し
たものである。また、無電解めっき用接着剤層下にある
接着剤層を、脂環式エポキシ樹脂であるジシクロペンタ
ジエン変成エポキシ樹脂（大日本インキ株式会社製：Ｅ
ＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００）をＤＭＤＧに溶解させ
たものを用いて形成した。

【００２２】粗化処理に用いられる酸としては、例えば
りん酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸
があり、その中でも特に有機酸を用いることが望まし
い。粗化処理した場合に、バイアホール１２から露出す
る金属導体層を腐食させにくいからである。

【００２３】粗化処理に用いられる酸化剤としては、例
えばクロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム
など）を用いることが望ましい。粗化処理は、バイアホ
ール形成用穴１０の形成前になされてもよく、形成後に
なされてもよい。ただし、バイアホール形成用穴１０の
形成後に粗化処理を行うと、バイアホール形成用穴１０
の内壁面も粗化されることによりより高い密着性が得ら
れる。従って、本実施形態では後者の手順を採ってい
る。具体的にはクロム酸を用いて２分間の処理を行った
後、中和液（シプレイ製）により中和するという方法を
採用している。

【００２４】次に、層間絶縁層３の上面に金属マスク７
形成用の金属箔４を接着する。金属箔４としては、例え
ば銅箔、アルミニウム箔、スズ箔、金箔、銀箔、白金
箔、ニッケル箔等が使用可能である。ただし、廉価であ
りエッチング性も優れているという点から、本実施形態
では銅箔を選択している。

【００２５】金属箔４として銅箔を選択した場合、その
厚さは９μｍ〜１８μｍとすべきである。これが薄すぎ
ると、箔自体の取扱性が悪くなり接着作業が困難にな
る。逆にこれが厚すぎると、後述する肉薄化処理の時間
が長くなるため、非効率かつ不経済になるおそれがあ
る。

【００２６】また、前記金属箔４はラミネータ等を用い
て接着される。その際、層間絶縁層３の上面にはあらか
じめ接着剤が塗布される。この接着剤は金属箔４側に塗
布されていてもよい。

【００２７】次に、薄層化処理を行うことによって、接
着された金属箔４を全体的に薄層化する（図３参照）。
前記薄層化処理は金属箔４を溶解しうるエッチャントを
用いた湿式エッチング（いわゆるハーフエッチ）である
ことが望ましい。エッチャントを用いた湿式エッチング
であると、乾式エッチングと比較して低コストであるこ
とに加え、金属箔４を均一に薄層化することができるか
らである。この場合、銅箔用のエッチャントとしては、
例えば塩化第二鉄、塩化第二銅、硫酸と過酸化水素との
混合液、過硫酸塩等がある。本実施形態では硫酸と過酸
化水素との混合液（三菱ガス化学製，ＣＰＥ−７００
［硫酸40〜50g/l,過酸化水素10g/l ］）を用いている。

【００２８】また、金属箔４は前記湿式エッチングによ
り６μm 以下、好ましくは４μm 以下にエッチングされ
ることがよい。その理由は、その後にエッチング時にお
けるアンダーカットの発生を確実に防止することができ
るからである。本実施形態では当初の厚さが１２μｍで
あり、これを４μｍに（即ち１／４に）に薄くしてい
る。

【００２９】次に、全体的に薄くなった金属箔４上にエ
ッチングレジスト５を形成する（図４参照）。そして、
このエッチングレジスト５に対してフォトリソグラフィ
等の従来公知の技法により開口部６を形成する。このと
き、開口部６を介して金属箔４が部分的に露出する。開
口部６の径は１５μｍ〜６０μｍ程度に設定される。

【００３０】次に、金属箔４を溶解しうるエッチャント
により、金属箔４を部分的に溶解する。これにより、バ
イアホール形成用穴１０を形成すべき所定箇所に開口部
８を有する金属マスク７が形成される（図５参照）。そ
の後、エッチングレジスト５は専用の剥離液によって剥
離される。なお、金属箔４が銅箔である場合、金属箔４
を溶解しうるエッチャントとして、薄層化処理において
使用したエッチャントを使用すればよい。

【００３１】次に、層間絶縁層３を貫通するバイアホー
ル形成用穴１０を設ける（図６参照）。このときの穴あ
けは、プラズマアッシング装置を用いて行われる。金属
マスク７を形成した状態で処理を行うと、開口部８に対
応する部分がプラズマ１１のダウンストリームに晒さ
れ、その部分の樹脂が分解除去される。その結果、バイ
アホール形成用穴１０が形成される。なお、本実施形態
ではバイアホール形成用穴１０の径は２５μｍ程度であ
る。前記穴あけの終了後には、不要となった金属マスク
７を同じエッチャントを用いて完全に剥離する。その結
果、層間絶縁層３の表面が完全に露出する。

【００３２】なお、エッチングレジスト５の残したまま
にしておいて、プラズマ処理により同時にアッシングす
ることも可能である。次に、前述した粗化処理を行うこ
とによって、層間絶縁層３の表面及びバイアホール形成
用穴１０の内壁面に、微細な多数のアンカー用凹部から
なる粗化面３ａを形成する。

【００３３】さらに、ここではフルアディティブ法によ
りパターン形成を行うべく、粗化面３ａに対して触媒核
を付与した後、図示しないめっきレジストを形成する。
そして、前記めっきレジストの非形成部分に対して無電
解めっきを施す。その結果、バイアホール形成用穴１０
がバイアホール内導体層１１で充填され、バイアホール
１２が完成する（図７参照）。

【００３４】触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属
コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、塩
化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、
触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望まし
い。このような触媒核としてはパラジウムがよい。

【００３５】また、めっきレジストとしては、市販のド
ライフィルムを使用することができる。とくには、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂をメ
タクリル酸やアクリル酸でアクリル化した樹脂とイミダ
ゾール硬化剤からなる感光性樹脂組成物を使用すること
が望ましい。解像度や耐塩基性に優れるからである。

【００３６】バイアホール形成用穴１０を無電解めっき
にて充填形成する場合（いわゆるフィルドビア形成の場
合）は、以下のようにすることがよい。即ち、無電解め
っき用接着剤層上に触媒核を付与する前に、バイアホー
ル形成用穴１０から露出する下層の導体層の表面を酸で
処理する。このような活性化処理の後、次いで無電解め
っき液に浸漬する。これは表面の酸化皮膜を除去し、め
っきを析出しやすくさせるためである。

【００３７】具体的には本実施形態では、コア基板１を
下記の組成の無電解銅めっき液に約６時間浸漬すること
により、バイアホール形成用穴１０への無電解銅めっき
を行った。

【００３８】 金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 8.6 ｍＭ 錯化剤…ＴＥＡ ： 0.15Ｍ 還元剤…ＨＣＨＯ ： 0.02Ｍ その他…安定剤（ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等）：少量 析出速度は、６μｍ／時間 次いで、めっきでバイアホール形成用穴１０を充填した
後、図８に示されるように、無電解めっき用接着剤層上
に触媒核を付与し、めっきレジスト（永久レジスト１
３）を設ける。この状態で無電解めっきを行うことによ
り、レジスト非形成部分に外層導体パターン１４を形成
する。このようにして形成される外層導体パターン１４
と内層導体パターン２とは、バイアホール１２を介して
電気的に接続される。

【００３９】この工程で使用される無電解めっき液とし
ては、無電解銅めっき液が使用されることがよい。より
詳細には、銅イオン、トリアルカノールアミン、還元剤
及びｐＨ調整剤からなる無電解めっき液が有利である。
高速めっきを実現できるからである。

【００４０】前記トリアルカノールアミンは、トリエタ
ノールアミン、トリイソパノールアミン、トリメタノー
ルアミン及びトリプロパノールアミンから選ばれる少な
くとも１種であることが望ましい。前記アミン類は水溶
性だからである。

【００４１】この無電解めっき液に用いられる還元剤
は、アルデヒド、次亜リン酸塩、水素化ホウ素塩及びヒ
ドラジンから選ばれる少なくとも１種であることが望ま
しい。先に列挙した物質は水溶性であり、塩基性条件下
で還元力を持つからである。

【００４２】また、ｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム及び水酸化カルシウムから選ばれる少な
くとも１種であることが望ましい。なお、導体層と無電
解めっき用接着剤層との密着力を向上させる方法として
は、以下のような方法もある。即ち、銅、ニッケル、コ
バルト及びリンから選ばれる少なくとも２種以上の金属
イオンを使用した合金めっきを一次めっきとして施した
後、銅めっきを二次めっきとして施す方法である。これ
らの合金は強度が高く、ピール強度を向上させることが
できるからである。

【００４３】具体的には本実施形態では、永久レジスト
１３が形成されたコア基板１に対して、下記組成を有す
る無電解銅−ニッケル合金めっき浴を用いて一次めっき
を行い、レジスト非形成部分に厚さ約1.7 μｍの銅−ニ
ッケル−リンめっき薄膜を形成した。めっき浴の温度は
60℃とし、めっき浸漬時間は１時間とした。

【００４４】 金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 6.0 ｍＭ（1.5 ｇ／ｌ） … NiSO₄・6H₂O ： 95.1 ｍＭ（25ｇ／ｌ） 錯化剤… Na₃C₆H₅O₇ ： 0.23Ｍ （60ｇ／ｌ） 還元剤… NaPH₂O₂・H₂O ： 0.19Ｍ （20ｇ／ｌ） ｐＨ調節剤…NaOH ： 0.75Ｍ （pH＝9.5 ） 安定剤…硝酸鉛 ： 0.2 ｍＭ（80ppm ） 界面活性剤 ： 0.05ｇ／ｌ 析出速度は、1.7 μｍ／時間 また、一次めっき処理した基板を、前記めっき浴から引
き上げて表面に付着しているめっき浴を水で洗い流し、
さらに、そのコア基板１を酸性溶液で処理することによ
り、銅−ニッケル−リンめっき薄膜表層の酸化皮膜を除
去した。その後、Pd置換を行うことなく、国際公開番号
ＷＯ９６／２０２９４号の国際特許出願に記載の前処理
液で活性化処理を施し、銅−ニッケル−リンめっき薄膜
上に、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて二次めっき
を施した。めっき浴の温度は50〜70℃とし、めっき浸漬
時間は90〜360 分とした。

【００４５】 金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 8.6 ｍＭ 錯化剤…ＴＥＡ ： 0.15Ｍ 還元剤…ＨＣＨＯ ： 0.02Ｍ その他…安定剤（ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等）：少量 析出速度は、６μｍ／時間 また、本実施形態では永久レジスト１３の作製を以下の
ような手順で行った。まず、感光性エポキシ樹脂からな
る液状のワニスを作製し、それをコア基板１にロールコ
ーターを用いて塗布し、６０℃で３０分の乾燥を行っ
た。それにより厚さ３０μｍのレジスト層とした。次い
でフォトマスクフィルムを載置して４００ｍＪ／ｃｍ²
の紫外線を照射しかつ露光した。フォトマスクフィルム
を取り除き、レジスト層をＤＭＴＧで溶解現像した後、
開口部を所定箇所に有するめっき用レジストをコア基板
１上に形成した。さらに超高圧水銀灯によって６０００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、１００℃で１時間かつ１５０℃
で３時間の加熱処理を行い、永久レジスト１３とした。

【００４６】そして、以上のような各工程を経ることに
より、所望の多層配線板１５が製造される。なお、層間
絶縁層３の形成以降の工程を必要に応じて繰り返してビ
ルドアップを行えば、さらに多層化した多層配線板１５
を得ることができる。

【００４７】さて、以下に本実施形態において特徴的な
作用効果を説明する。 （イ）この実施形態の製造方法では、薄層化処理によっ
てあらかじめ全体的に薄くなった金属箔４に対してエッ
チングが実施される。このため、金属マスク７の開口部
８にアンダーカットができにくくなる。従って、開口部
８の位置精度が確実に高くなり、所望の位置にバイアホ
ール形成用穴１０が正確に形成され、ひいてはバイアホ
ール１２の形成精度が向上する。また、この方法による
とスパッタリングによりあらかじめ薄い金属層を形成す
ることもないため、高価なスパッタリング装置が不要と
なり、コスト化にも優れている。

【００４８】（ロ）この実施形態の製造方法では、エッ
チャントを用いた湿式エッチングを採用している。湿式
エッチングは乾式エッチングと比較して低コストである
点で有利である。また、それに加えて金属箔４を均一に
薄層化することができるという利点を有する。

【００４９】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはなく、例えば次のような形態に変更することが可
能である。 ◎ 前記薄層化処理は、サンドブラスト等のような乾式
法によりなされてもよい。しかし、実施形態のような湿
式法、とりわけエッチャントを用いた湿式エッチングの
ほうが均一にかつ安価に金属箔４を薄層化できる点で優
れている。

【００５０】◎ 層間絶縁層３の表層に粗化面３ａを形
成する方法しては、易溶性の樹脂フィラーを用いた上記
方法に限定されず、粗化金属箔の接着という上記第２の
方法であっても勿論よい。

【００５１】◎ 実施形態のような絶縁層の穴あけ方法
を、バイアホール１２の形成以外の目的、例えばバンプ
の形成等に利用しても勿論よい。 ◎ 外層導体パターン１４の形成としては実施形態のよ
うなフルアディテイブ法によるばかりでなく、例えばセ
ミアディティブ法を採用しても勿論よい。セミアディテ
ィブ法では、必要に応じて無電解めっき用接着剤層を粗
化処理し、触媒核を付与する。その後、層間絶縁層３の
全面に無電解めっきを施して、導体層とバイアホール１
２とを形成する。さらに、パターン非形成部分にめっき
レジストを形成した状態で電解めっきを施し、外層導体
パターン１４及びバイアホール１２の厚付けを行う。こ
の後、めっきレジストを除去してエッチングを行い、外
層導体パターン１２を独立化する。

【００５２】◎ バイアホール内導体層１１の形成のた
めの無電解めっきと、外層導体パターン１４の形成のた
めの無電解めっきとを、同じ無電解めっき液を用いて同
時に行ってもよい。

【００５３】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１〜３のいずれか１項において、前記金
属箔は９μm 〜１８μm であることを特徴とする配線板
の製造方法。この範囲内であると、箔自体の取扱性が悪
くなることもなく、肉薄化処理の時間が長くなることも
ないからである。

【００５４】（２） 請求項１〜３，技術的思想１のい
ずれか１項において、前記金属箔は銅箔であることを特
徴とする配線板の製造方法。この方法であると、銅自体
が比較的廉価であることに加え、一般的なエッチャント
を用いることができるため極めて簡単にかつ安価に薄層
化することができる。

【００５５】（３） 開口部を有する金属マスクを絶縁
層上に形成した状態でプラズマ処理することにより、前
記絶縁層の所定箇所に穴をあける方法において、金属マ
スク形成用の金属箔を絶縁層上に接着した後、その金属
箔を全体的に薄層化処理し、次いで薄くなった金属箔上
にエッチングレジストを形成した状態で同金属箔を部分
的にエッチングすることにより、所定箇所に開口部を有
する金属マスクを形成することを特徴とする絶縁層の穴
あけ方法。

【００５６】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。「エッチャント： 金属箔を
溶解しうる液体や気体等の流体であって、りん酸、塩
酸、硫酸等の無機酸や、蟻酸、酢酸等の有機酸、さらに
クロム酸、過マンガン酸酸塩等の酸化剤をいう。」

【００５７】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜３に記
載の発明によれば、バイアホールの形成精度に優れかつ
コスト性にも優れた多層配線板の製造方法を提供するこ
とができる。

【００５８】請求項２に記載の発明によれば、低コスト
化及びであることに加え、金属箔を均一に薄層化するこ
とができる。請求項３に記載の発明によれば、より確実
にアンダーカットの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施形態の多層配線板の
製造方法において、内層導体パターンを有するコア基板
を示す部分概略断面図。

【図２】同じくコア基板に形成された層間絶縁層に金属
箔を接着した状態を示す部分概略断面図。

【図３】同じく金属箔をハーフエッチした状態を示す部
分概略断面図。

【図４】同じくハーフエッチされた金属箔にエッチング
レジストを形成した状態を示す部分概略断面図。

【図５】同じく金属箔をエッチングして金属マスクを形
成した状態を示す部分概略断面図。

【図６】同じくプラズマによりバイアホール形成用穴を
形成した状態を示す部分概略断面図。

【図７】同じくバイアホール形成用穴内に無電解めっき
を施した状態を示す部分概略断面図。

【図８】同じく層間絶縁層に永久レジスト及び外層導体
パターンを形成した状態を示す部分概略断面図。

【符号の説明】

３…層間絶縁層、４…金属箔、５…エッチングレジス
ト、７…金属マスク、８…開口部、９…プラズマ、１０
…バイアホール形成用穴、１２…バイアホール、１５…
多層配線板。

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】開口部を有する金属マスクを絶縁層上に形
   成した状態でプラズマ処理することにより、前記絶縁層
   の所定箇所にバイアホール形成用穴を形成する配線板の
   製造方法において、 金属マスク形成用の金属箔を絶縁層上に接着した後、そ
   の金属箔を全体的に薄層化処理し、次いで薄くなった金
   属箔上にエッチングレジストを形成した状態で同金属箔
   を部分的にエッチングすることにより、所定箇所に開口
   部を有する金属マスクを形成することを特徴とする配線
   板の製造方法。
2. 【請求項２】前記薄層化処理は前記金属箔を溶解しうる
   エッチャントを用いた湿式エッチングであることを特徴
   とする請求項１に記載の配線板の製造方法。
3. 【請求項３】前記金属箔は前記湿式エッチングにより６
   μm 以下にエッチングされることを特徴とする請求項２
   に記載の配線板の製造方法。