JPH10261869A

JPH10261869A - 多層プリント配線板

Info

Publication number: JPH10261869A
Application number: JP2039898A
Authority: JP
Inventors: Motoo Asai; 元雄浅井; Yoji Mori; 要二森
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1997-01-17
Filing date: 1998-01-16
Publication date: 1998-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ヒートサイクル時の層間樹脂絶縁層と導体層
との剥離を防止し、層間樹脂絶縁層に発生するクラック
を抑制する。【解決手段】格子状の導体層を電源層、グランド層と
して内層に設け、この表面の少なくとも一部に粗化層を
設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板に関し、特には層間樹脂絶縁層との剥離がなく、また
層間樹脂絶縁層のクラックを抑制できる多層プリント配
線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成する。次いで、この層間絶縁材層
の表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗
化面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成
部分に無電解めっきを施してバイアホールを含む導体回
路パターンを形成する。そして、このような工程を複数
回繰り返すことにより、多層化したビルドアップ配線基
板が得られるのである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな多層プリント配線板では、コア基材表面や内層に電
源層あるいはグランド層として広い面積をもつ導体層を
形成しておき、この導体層と表面の半田パッドを配線パ
ターンおよびバイアホールにて接続することが一般的な
設計方法であった。ところが、内層に広い面積をもつ導
体層を形成すると、加熱乾燥時に層間樹脂絶縁層中の残
留溶剤が揮発して導体層を押上げて剥離を生じたりす
る。そこで、出願人らは先に特願平７−１５０４５７号
として電源層あるいはグランド層を格子状の導体層とす
ることによりこのような剥離を防止することを提案し
た。しかしながら、電源層あるいはグランド層を格子状
の導体層としても、導体層の面積が信号層に比べて大き
く、層間樹脂絶縁層との密着性が低いため、ヒートサイ
クル条件や高温、高圧、多湿条件で導体層と層間樹脂絶
縁層との間で剥離が生じたり、導体層と層間樹脂絶縁層
の熱膨張率の相違により層間樹脂絶縁層にクラックが発
生したりするという問題が発生した。本願発明の目的
は、このようなヒートサイクル条件や高温、高圧、多湿
条件で導体層と層間樹脂絶縁層との剥離および層間樹脂
絶縁層のクラックを防止することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本願発明は、「基板上に
格子状の導体層が形成され、該導体層上には層間絶縁層
を介して導体回路が形成されてなる多層プリント配線板
において、前記格子状の導体層は、表面の少なくとも一
部に粗化層が形成されてなることを特徴とする多層プリ
ント配線板」である。格子状の導体層は、電源層あるい
はグランド層として作用するとともに、この導体層上の
表面の少なくとも一部に粗化層が形成されており、導体
層は粗化層を介して層間樹脂絶縁層と密着する。このた
め、ヒートサイクル条件や高温、高圧、高湿度条件でも
導体層と層間樹脂絶縁層との剥離が生じない。特に、格
子状の導体層の側面に粗化層を形成すると導体層と層間
樹脂絶縁層の境界で両者の熱膨張率差に起因して発生す
るクラックを抑制することができる。また、格子状の導
体層は、電源層あるいはグランド層として作用するた
め、バイアホールが接続するが、本願発明では、格子状
の導体層表面の粗化層が形成されているため、バイアホ
ールとの密着性に優れる。

【０００５】また、格子状の導体層としたのは、面状の
導体層とすると導体層が形成される樹脂絶縁層中の残留
溶剤が加熱乾燥中に揮発して導体層を押し上げたり、あ
るいはめっき被膜のもつ応力により面状導体層が膨れる
からである。格子状の場合、導体層が形成されていない
部分が存在しており、この導体層非形成部分から樹脂絶
縁層中の残留溶剤を除去でき、まためっき被膜の応力を
分散させることができるため、導体層に膨れがない。

【０００６】本願発明では、格子状の導体層は無電解め
っき膜および電解めっき膜からなることが望ましい。前
記電解めっき膜は、より外層側に、無電解めっき膜は、
より内層側に形成されている（図１６）。導体層表面の
粗化層が層間樹脂絶縁層に食い込み、強固に密着すると
もに、ヒートサイクル時や吸湿、乾燥により層間樹脂絶
縁層が膨張、収縮しても柔らかい電解めっき膜が追従す
るため、ヒートサイクルや吸湿、乾燥により層間樹脂絶
縁層と導体層に剥離が発生せず、また層間樹脂絶縁層に
クラックが生じないのである。

【０００７】また、比較的硬い無電解めっき膜が絶縁層
側に形成されており、絶縁層との強固に密着する。この
密着は、特に樹脂絶縁層に後述するような粗化面が形成
されている場合には、顕著である。粗化面に硬いめっき
膜がくい込むことにより、ひきはがしの力が加わった場
合でも破壊が金属側で生じにくいからである。

【０００８】前記無電解めっき膜の厚さは、１〜５μｍ
がよい。厚すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下
し、逆に薄すぎるとピール強度の低下を招き、また電解
めっきを施す場合、抵抗値が大きくなり、めっき膜の厚
さにバラツキが発生してしまうからである。

【０００９】また、前記電解めっき膜の厚さは、１０〜
２０μｍがよい。厚すぎるとピール強度の低下を招き、
薄すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下するからで
ある。

【００１０】本願発明における格子状の導体層は円形状
の導体非形成部分を有することが望ましい。円形状であ
るため角部がなく、ヒートサイクル時に角部を起点とし
て発生するクラックを抑制できるからである。円形状の
導体非形成部分を有する格子状の導体層１２としては、
図１８の（Ａ）〜（Ｃ）に示すものがよい。図１８の
（Ａ）では、楕円の導体非形成部分１５０を有する。ま
た図１８の（Ｂ）では、各頂点にアールが形成された方
形の導体非形成部分１５１を有する。また、図１８の
（Ｃ）では、真円の導体非形成部分１５２を有する。

【００１１】本願発明において格子状の導体層表面に形
成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、酸化処
理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面又もしく
はめっき被膜により形成された粗化面であることが望ま
しい。特に粗化層は、銅−ニッケル−リンからなる合金
層であることが望ましい。前述したように格子状の導体
層にはバイアホールが接続するため、粗化層は導電性で
あることが必要だからである。

【００１２】前記合金層の組成は、銅、ニッケル、リン
の割合で、それぞれ90〜96wt％、１〜５wt％、 0.5〜２
wt％であることが望ましい。これらの組成割合のとき
に、針状の構造を有するからである。

【００１３】前記酸化処理は、亜塩素酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶
液が望ましい。また、酸化還元処理は、上記酸化処理の
後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液
に浸漬して行う。

【００１４】前記粗化層は、１〜５μｍがよい。厚すぎ
ると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着
性が低下するからである。

【００１５】本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無
電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電
解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤
に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶
性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適
である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂
粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーから
なる粗化面を形成できる。

【００１６】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子、から選ばれるいずれか
少なくとも１種を用いることが望ましい。これらは、よ
り複雑なアンカーを形成できるからである。

【００１７】次に、本発明にかかるプリント配線板を製
造する一方法について説明する。（１）まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成し
た配線基板を作製する。このコア基板への銅パターンの
形成は、銅張積層板１をエッチングして行うか、あるい
は、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック
基板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を
形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここ
に無電解めっきするか、もしくは全面無電解めっき、め
っきレジスト形成、電解めっき後、めっきレジスト除
去、エッチング処理し、電解めっき膜と無電解めっき膜
からなる導体回路を形成する方法がある。

【００１８】さらに、上記配線基板の下層導体回路表面
に銅−ニッケル−リンからなる粗化層５を形成する。粗
化層５は、無電解めっきにより形成される。めっき液組
成としては、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜
リン酸イオン濃度は、それぞれ２．２×１０^-2〜４．１
×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、２．２×１０^-3〜４．１×１０^-3
ｍｏｌ／ｌ、０．２０〜０．２５ｍｏｌ／ｌであること
が望ましい。この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状
構造になるため、アンカー効果に優れるからである。無
電解めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を
加えてもよい。

【００１９】粗化層５の形成方法としては、この他に前
述した酸化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチン
グして粗化面を形成する方法などがある。なお、コア基
板には、スルーホールが形成され、このスルーホールを
介して表面と裏面の配線層を電気的に接続することがで
きる。また、スルーホールおよびコア基板の導体回路間
には樹脂が充填されて、平滑性を確保してもよい（図１
〜図４）。

【００２０】（２）次に、前記（１）で作製した配線基
板の上に、層間樹脂絶縁層６を形成する。特に本発明で
は、層間樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着
剤を用いることが望ましい（図５）。

【００２１】（３）形成した無電解めっき用接着剤層を
乾燥した後、必要に応じてバイアホール形成用開口を設
ける。感光性樹脂の場合は、露光，現像してから熱硬化
することにより、また、熱硬化性樹脂の場合は、熱硬化
したのちレーザー加工することにより、前記接着剤層に
バイアホール形成用の開口部を設ける（図６）。

【００２２】（４）次に、硬化した前記接着剤層の表面
に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によっ
て溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する（図７）。
ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるい
は蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用い
ることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホール
から露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩
（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望まし
い。

【００２３】（５）次に、接着剤層表面を粗化した配線
基板に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イ
オンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一
般的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用
する。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこ
とが望ましい。このような触媒核としてはパラジウムが
よい。

【００２４】（６）次に、無電解めっき用接着剤表面に
無電解めっきを施し、粗化面全面に無電解めっき膜３を
形成する（図８）。無電解めっき膜の厚みは１〜５μ
ｍ、より望ましくは２〜３μｍである。つぎに、無電解
めっき膜３上にめっきレジスト７を形成する（図９）。
めっきレジスト組成物としては、特にクレゾールノボラ
ックやフェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレ
ートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用いること
が望ましいが、他に市販品を使用することもできる。

【００２５】（７）次に、めっきレジスト非形成部に電
解めっき膜４を形成し、導体回路、ならびにバイアホー
ルを設ける（図１０）。ここで、上記無電解めっきとし
ては、銅めっきを用いることが望ましい。

【００２６】（８）さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウムなどのエッチング液で無電解めっき膜
を溶解除去して、独立した導体回路とする。この時、内
層に形成される格子状の導体層１１（グランド層や電源
層）を設ける（図１１）。

【００２７】（９）次に格子状の導体層１１、バイアホ
ール、導体パターンの表面に粗化層５を形成する（図１
２）。粗化層５の形成方法としては、エッチング処理、
研磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。酸化還元
処理は、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂（４０
ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ＰＯ₄（６ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化
浴）、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄（５ｇ／
ｌ）を還元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合金層
による粗化層５を形成する場合は無電解めっきにより析
出させる。

【００２８】この合金の無電解めっき液としては、硫酸
銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．１〜６．０ｇ／
ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１
００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．
０１〜１０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いるこ
とが望ましい。

【００２９】（１０）次に、この基板上に層間樹脂絶縁
層６として、無電解めっき用接着剤層を形成する（図１
３）。（１１）さらに、（３）〜（８）の工程を繰り返してさ
らに上層の導体回路を設け、半田パッドとして機能する
格子状の導体層とバイアホールを形成する（図１４、１
５）。なお、このとき、一方の面には半田バンプを形成
するランド１４（ランド１４０のようにバイアホールに
て構成してもよい）を設けることができる。

【００３０】（１２）ついで必要に応じてバイアホー
ル、格子状の導体層、ランド等の表面に粗化層を設ける
（図１６）。粗化層の形成方法としては、（９）で説明
したものと同様である。（１３）次に、前記（１２）の処理を終えたプリント配
線板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗布する。プ
リント配線板の両面にソルダーレジスト層を塗布する際
に、前記プリント配線板を垂直に立てた状態でロールコ
ータの一対の塗布用ロールのロール間に挟み、下側から
上側へ搬送させて基板の両面にソルダーレジスト組成物
を同時に塗布することが望ましい。この理由は、現在の
プリント配線板の基本仕様は両面であり、カーテンコー
ト法（樹脂を滝のように上から下へ流し、この樹脂の”
カーテン”に基板をくぐらせて塗布する方法）では、片
面しか塗布できないからである。ソルダーレジスト組成
物は、粘度を25℃で１〜10Pa・ｓとすることにより基板
を垂直に立てて塗布しても流れず、また転写も良好であ
る。

【００３１】（１４）次に、ソルダーレジスト組成物の
塗膜を60〜80℃で５〜60分間乾燥し、この塗膜に、開口
部を描画したフォトマスクフィルムを載置して露光、現
像処理することにより、格子状の導体層のうちパッド部
分を露出させた開口部を形成する。また、反対側面には
ランドを露出させる。このようにして開口部を形成した
塗膜を、さらに80℃〜150 ℃で１〜10時間の熱処理によ
り硬化させる。これにより、開口部を有するソルダーレ
ジスト層は導体回路の表面に設けた粗化層と密着する。

【００３２】（１５）次に、前記開口部から露出した前
記半田パッド、ランド部上に「ニッケル−金」の金属層
を形成する。

【００３３】（１６）次に、前記開口部から露出した前
記半田パッド部上にはんだ体を供給する。（図１７）。
はんだ体の供給方法としては、はんだ転写法や印刷法を
用いることができる。ここで、はんだ転写法は、プリプ
レグにはんだ箔を貼合し、このはんだ箔を開口部分に相
当する箇所のみを残してエッチングすることによりはん
だパターンを形成してはんだキャリアフィルムとし、こ
のはんだキャリアフィルムを、基板のソルダーレジスト
開口部分にフラックスを塗布した後、はんだパターンが
パッドに接触するように積層し、これを加熱して転写す
る方法である。一方、印刷法は、パッドに相当する箇所
に貫通孔を設けたメタルマスクを基板に載置し、はんだ
ペーストを印刷して加熱処理する方法である。以下、実
施例に基づいて説明する。

【００３４】

【実施例】

（実施例１）（１）厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に18μｍの銅箔がラミネートされてなる銅張積層板を
出発材料とした。この銅張積層板の銅箔を常法に従いパ
ターン状にエッチング、穴明け、無電解めっきを施すこ
とにより、基板の両面に内層導体回路２とスルーホール
を形成した。さらに、下層導体回路間、スルーホール内
にビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を充填した。

【００３５】（２）前記（１）で内層銅パターンを形成
した基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂
してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有
機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、
この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、
ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅
導体回路の全表面にCu−Ni−Ｐ合金の厚さ 2.5μｍの粗
化層５（凹凸層）を形成した。

【００３６】（３）ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジ
メチルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル
化物を70重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）30
重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E
4MZ-CN）４重量部、感光性モノマーであるカプロラクト
ン変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート
（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ325 ）10重量
部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）５
重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学
製）0.5 重量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹
脂粒子の平均粒径 5.5μｍのものを35重量部、平均粒径
0.5μｍのものを５重量部を混合した後、ＮＭＰ（ノル
マルメチルピロリドン）を添加しながら混合し、ホモデ
ィスパー攪拌機で粘度12Pa・ｓに調整し、続いて３本ロ
ールで混練して感光性接着剤溶液（層間樹脂絶縁材）を
得る。

【００３７】（４）前記（３）で得た感光性接着剤溶液
を、前記（２）の処理を終えた基板の両面に、ロールコ
ータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、
60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層６を
形成した。（５）前記（４）で接着剤層６を形成した基板の両面
に、バイアホールが描画されたフォトマスクフィルムを
載置し、紫外線を照射して露光した。

【００３８】（６）露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチ
レングリジメチルエーテル）溶液でスプレー現像するこ
とにより、接着剤層に 100μｍφのバイアホールとなる
開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて
3000mJ／cm²で露光し、 100℃で１時間、その後 150℃
で５時間にて加熱処理することにより、フォトマスクフ
ィルムに相当する寸法精度に優れ、開口（バイアホール
形成用開口）を有する厚さ50μｍの接着剤層を形成し
た。なお、バイアホールとなる開口には、粗化層を部分
的に露出させる。

【００３９】（７）前記（５）（６）でバイアホール形
成用開口を形成した基板を、クロム酸に２分間浸漬し、
接着剤層表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去し
て、当該接着剤層の表面を粗化し、その後、中和溶液
（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した。（８）前記（７）で粗面化処理（粗化深さ５μｍ）を行
った基板に対し、パラジウム触媒（アトテック製）を付
与することにより、接着剤層およびバイアホール用開口
の表面に触媒核を付与した。

【００４０】（９）以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗面全体に厚さ３μｍの無電解銅めっ
き膜３を形成した。無電解めっき液ＥＤＴＡ１５０ｇ／ｌ硫酸銅２０ｇ／ｌＨＣＨＯ３０ｍｌ／ｌＮａＯＨ４０ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１ｇ／ｌ無電解めっき条件７０℃の液温度で３０分

【００４１】（１０）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜に張り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ²で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処
理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト７を設けた。

【００４２】（１１）ついで、以下の条件で電解銅めっ
きを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜４を形成し
た。電解めっき液硫酸銅１８０ｇ／ｌ硫酸銅８０ｇ／ｌ添加剤（アドテックジャパン製商品名カパラシドＧＬ）１ｍｌ／ｌ電解めっき条件電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間３０分温度室温

【００４３】（１２）めっきレジスト７を５％ＫＯＨで
剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチング
を行い、無電解めっき膜３を溶解除去して無電解銅めっ
き膜３と電解銅めっき膜４からなる厚さ１８μｍの内層
導体回路（バイアホールおよび内層の格子状のグランド
層１１を含む）を形成した。

【００４４】（１３）導体回路を形成した基板を、硫酸
銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路の表面に厚さ３μｍの銅−ニッ
ケル−リンからなる粗化層５を形成した。粗化層５をＥ
ＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したところ、Ｃｕ９
８ｍｏｌ％、Ｎｉ１．５ｍｏｌ％、Ｐ０．５ｍｏｌ％の
組成比を示した。そしてさらに、その基板を水洗いし、
0.1mol／ｌホウふっ化スズ−1.0mol／ｌチオ尿素液から
なる無電解スズ置換めっき浴に50℃で１時間浸漬し、前
記粗化層の表面に厚さ 0.3μｍのスズ置換めっき層を形
成した。

【００４５】（１４）（４）〜（１３）の工程を繰り返
すことにより、さらに上層に格子状の電源層１２および
バイアホール１０およびランド１４を形成し、その表面
に粗化層５を設けた。但し、粗化層表面はスズ置換めっ
き層を形成しなかった。

【００４６】（１５）一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重
量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）1.6
ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本
化薬製、商品名：Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモ
ノマー（共栄社化学製、商品名：DPE6A ） 1.5ｇ、分散
系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−65）0.71ｇを
混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベ
ンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としての
ミヒラーケトン（関東化学製）を0.2 ｇ加えて、粘度を
25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を
得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL
-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合は
ローターNo.3によった。

【００４７】（１６）基板にソルダーレジスト組成物を
20μｍの厚さで塗布した。（１７）次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、1000mJ／cm²の紫外線で露光し、DMTG現
像処理した。さらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、
120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、
格子状の導体層の上面、バイアホールおよびランド部分
を開口した（開口径 200μｍ）ソルダーレジスト層８
（厚み20μｍ）を形成した。

【００４８】（１８）次に、ソルダーレジスト層を形成
した基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリ
ウム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐ
Ｈ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開
口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層13上
に厚さ0.03μｍの金めっき層を形成した。

【００４９】（１９）そして、ソルダーレジスト層の開
口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローす
ることによりはんだバンプ（半田体）９を形成し、はん
だバンプを有するプリント配線板を製造した。

【００５０】（実施例２）基本的に実施例１と同様であ
るが、導体回路の粗化をエッチングにより行った。エッ
チング液は、メック社製の「デュラボンド」なる商品名
のものを使用した。

【００５１】（実施例３）（１）厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板の両面
に18μｍの銅箔がラミネートされてなる銅張積層板を出
発材料とした。この銅張積層板の銅箔を常法に従いパタ
ーン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層
銅パターンを形成した。

【００５２】（２）前記（１）で内層銅パターンを形成
した基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂
してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有
機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、
この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、
ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅
導体回路の全表面にCu−Ni−Ｐ合金の厚さ 2.5μｍの粗
化層（凹凸層）を形成した。そしてさらに、その基板を
水洗いし、0.1mol／ｌホウふっ化スズ−1.0mol／ｌチオ
尿素液からなる無電解スズ置換めっき浴に50℃で１時間
浸漬し、前記Cu−Ni−Ｐ合金粗化層の表面に厚さ 0.3μ
ｍのスズ置換めっき層を形成した。

【００５３】（３）ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジ
メチルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル
化物を70重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）30
重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E
4MZ-CN）４重量部、感光性モノマーであるカプロラクト
ン変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート
（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ325 ）10重量
部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）５
重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学
製）0.5 重量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹
脂粒子の平均粒径 5.5μｍのものを35重量部、平均粒径
0.5μｍのものを５重量部を混合した後、ＮＭＰ（ノル
マルメチルピロリドン）を添加しながら混合し、ホモデ
ィスパー攪拌機で粘度12Pa・ｓに調整し、続いて３本ロ
ールで混練して感光性接着剤溶液（層間樹脂絶縁材）を
得た。

【００５４】（４）前記感光性接着剤溶液を、前記基板
の両面に、ロールコータを用いて塗布し、水平状態で20
分間放置してから、60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60
μｍの接着剤層を形成した。（５）接着剤層を形成した基板の両面に、バイアホール
が描画されたフォトマスクフィルムを載置し、紫外線を
照射して露光した。

【００５５】（６）露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチ
レングリジメチルエーテル）溶液でスプレー現像するこ
とにより、接着剤層に 100μｍφのバイアホールとなる
開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて
3000mJ／cm²で露光し、 100℃で１時間、その後 150℃
で５時間にて加熱処理することにより、フォトマスクフ
ィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイアホール
形成用開口）を有する厚さ50μｍの接着剤層を形成し
た。なお、バイアホールとなる開口には、スズめっき層
を部分的に露出させる。

【００５６】（７）バイアホール形成用開口を形成した
基板を、クロム酸に２分間浸漬し、接着剤層表面に存在
するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤層の
表面を粗化し、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸
漬してから水洗いした。（８）粗面化処理（粗化深さ20μｍ）を行った基板に対
し、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することに
より、接着剤層およびバイアホール用開口の表面に触媒
核を付与した。

【００５７】（９）ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエ
ポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解
させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油
化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬
化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性
モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、商
品名：Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共
栄社化学製、商品名：DPE6A ）1.5 ｇを混合し、混合液
Ａを調製した。一方で、光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学製）0.2 ｇを40℃に加温した３ｇのＤＭＤ
Ｇに溶解させて混合液Ｂを調製した。上記混合液Ａと上
記混合液Ｂを混合攪拌して液状レジスト組成物を得た。

【００５８】（１０）上記（８）で触媒核付与の処理を
終えた基板の両面に、上記液状レジスト組成物をロール
コーターを用いて塗布し、60℃で30分の乾燥を行い、厚
さ30μｍのレジスト層を形成した。（１１）前記レジスト層にパターンが描画されたマスク
を積層し、紫外線を照射して露光した。

【００５９】（１２）前記（１１）で露光した後、レジ
スト層をＤＭＴＧで溶解現像し、基板上に導体回路パタ
ーン部の抜けためっきレジストを形成し、さらに、これ
を超高圧水銀灯にて6000mJ／cm²で露光した。そしてさ
らに、このめっきレジストを、100℃で１時間、その
後、 150℃で３時間にて加熱処理することにより、前記
接着剤層の上に形成した永久レジストとする。

【００５９】（１３）永久レジストを形成した基板に、
予め、めっき前処理（具体的には硫酸処理等および触媒
核の活性化）を施し、その後、硫酸銅 8.6ｍＭ、トリエ
タノールアミン0.15Ｍ、ホルムアルデヒド0.02Ｍ、ビピ
ルジル少量からなる無電解銅めっき浴による銅めっきを
行い、レジスト非形成部に厚さ15μｍ程度の無電解銅め
っきを析出させて、銅パターン、バイアホール、格子状
のグランド層を形成することにより、アディティブ法に
よる導体層を形成した。（１４）さらに（２）〜（１３）までの工程を繰り返し
て、バイアホール、格子状の電源層、ランドからなる導
体層を設けた。ついで、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル
0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム
29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、ｐ
Ｈ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、バイ
アホール、ランド、格子状の電源層の全表面にCu−Ni−
Ｐ合金の厚さ 2.5μｍの粗化層（凹凸層）を形成した。

【００６０】（１５）一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重
量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）1.6
ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本
化薬製、商品名：Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモ
ノマー（共栄社化学製、商品名：DPE6A ） 1.5ｇ、分散
系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−65）0.71ｇを
混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベ
ンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としての
ミヒラーケトン（関東化学製）を0.2 ｇ加えて、粘度を
25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を
得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL
-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合は
ローターNo.3によった。

【００６１】（１６）基板を、垂直に立てた状態でロー
ルコーターの一対の塗布用ロール間に挟み、ソルダーレ
ジスト組成物を20μｍの厚さで塗布した。（１７）次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、1000mJ／cm²の紫外線で露光し、DMTG現
像処理した。さらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、
120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、
バイアホール、ランド、格子状の電源層の上面の一部が
開口した（開口径 200μｍ）ソルダーレジスト層（厚み
20μｍ）を形成した。

【００６２】（１８）次に、ソルダーレジスト層を形成
した基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリ
ウム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐ
Ｈ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開
口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に
厚さ0.03μｍの金めっき層を形成した。（１９）そして、ソルダーレジスト層の開口部に、はん
だペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより
はんだバンプを形成し、はんだバンプを有するプリント
配線板を製造した。

【００６３】（実施例４）実施例１と同様であるが、コ
ア基板に図１８の（Ｃ）に示す格子パターンをグランド
層として設け、（１２）においては、格子状のグランド
層を設けず、信号層を形成した。グランド層には図１８
（Ｃ）に示すようにバイアホール接続部１６が形成され
る。（比較例）実施例１と同様であるが、格子状の導体層１
１の表面を粗化しなかった。

【００６４】実施例、比較例で製造されたプリント配線
板につき、ＩＣチップを実装し、−５５℃で１５分、常
温１０分、１２５℃で１５分でヒートサイクル試験を１
０００回、および２０００回実施した。さらに、湿度１
００％、温度１２１℃、２気圧の条件（PCT 試験:press
urecooker test)で２００時間放置した。実施例、比較
例について層間樹脂絶縁層の剥離、クラックの発生の有
無を顕微鏡で確認した。結果を表１に示す。無電解めっ
き膜と電解めっき膜からなる導体層の方が無電解めっき
膜のみからなる導体層よりもクラックは発生しにくい。

【００６５】

【表１】

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように本発明のプリント配
線板によれば、電源層およびグランド層として作用する
格子状の導体層の表面に粗化層が形成されており、層間
樹脂絶縁層との剥離がなく、導体層を無電解めっき膜と
電解めっき膜の２層構造とすることによりクラックを抑
制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】〜

【図１７】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図１８】（Ａ）〜（Ｃ）は、円形状の導体非形成部分
を有する格子状導体層を表す模式図。

【符号の説明】

１基板２内層導体回路３無電解銅めっき膜４電解銅めっき膜５粗化層６層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）７めっきレジスト８ソルダーレジスト９、９０半田体（半田バンプ）１０半田パッド１１内層のグランド層１２電源層１４ランド１４０ランド（バイアホール）１５０楕円状の導体非形成部分１５１頂点にアールが設けられた導体非形成部分１５２真円状の導体非形成部分１６バイアホール接続部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に格子状の導体層が形成され、該
導体層上には層間絶縁層を介して導体回路が形成されて
なる多層プリント配線板において、前記格子状の導体層は、表面の少なくとも一部に粗化層
が形成されてなることを特徴とする多層プリント配線
板。
【請求項２】前記格子状の導体層は無電解めっき膜お
よび電解めっき膜からなる請求項１に記載の多層プリン
ト配線板。
【請求項３】前記格子状の導体層は円形状の導体非形
成部分を有する請求項１又は２に記載の多層プリント配
線板。