JP2000091742A

JP2000091742A - プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2000091742A
Application number: JP28194098A
Authority: JP
Inventors: Kota Noda; 宏太野田
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-09-16
Filing date: 1998-09-16
Publication date: 2000-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】コンフォーマルマスクを用いてもアンダーカ
ットの発生しないプリント配線板の製造方法を提案す
る。【解決手段】エッチングにより薄膜（３μｍ）化し熱
伝導率を低下させた銅箔２２をコンフォーマルマスクと
して用いるので、少ない回数のパルス状レーザの照射で
樹脂２０に開口２０ａを形成できる。このため、層間樹
脂絶縁層を形成する樹脂２０にアンダーカットを発生さ
せることがなくなり、バイアホールの接続信頼性を高め
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レーザにより開
口部を穿設し、該開口部にめっき膜を生成することでバ
イアホールを形成するプリント配線板の製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】樹脂絶縁層の表面に導体層を形成し、そ
の導体層の一部にエッチングにより開口を設け、この開
口にレーザを照射して樹脂絶縁層に孔を開ける、いわゆ
るコンフォーマルマスクを用いるプリント配線板の製造
方法として、特開平９−１３００３８号が提案されてい
る。

【０００３】このコンフォーマルマスクを用いるバイア
ホールの形成方法について、図７を参照して説明する。
まず、図７（Ａ）に示す基板２２０の片側に１８μｍ〜
１２μｍの銅箔２２２がラミネートされてなる片側銅張
積層板２２０ａを出発材料とし、図７（Ｂ）に示すよう
に該片側銅張積層板２２０ａを２枚張り合わせる。次
に、感光性樹脂を均一に該基板２２０に塗付した後、露
光・現像してバイアホール用の開口２２４ａを有するレ
ジスト２２４を形成する（図７（Ｃ））。その後、エッ
チングにより該開口部２２４ａに対応させて銅箔１２２
を除去し開口２２２ａを形成してから、レジスト２２４
を剥膜する（図７（Ｄ））。引き続き、該銅箔２２２の
開口部２２２ａからレーザ光を照射し、即ち、該銅箔２
２２をマスクとして用いて基板２２０にバイアホール形
成用開口２２０ａを形成した後、該開口２２０ａ内をデ
スミア処理し、開口２２０ａ内の樹脂を完全に除去する
（図７（Ｅ））。そして、触媒核を付与してから、無電
解銅めっきを行い２μｍ程度の無電解銅めっき膜２４０
を析出させる（図７（Ｆ））。その後、所定パターンに
レジスト２４２を形成した後（図７（Ｇ））、電解めっ
きにより電解銅めっき膜２４４をレジスト２４２の非形
成部に形成する（図７（Ｈ））。そして、レジスト２４
２を剥膜した後、該レジスト下の無電解銅めっき膜２４
０及び銅箔２２２をパターンエッチングにて除去するこ
とでバイアホール２４８及び導体回路２４６を完成して
いる（図７（Ｉ））。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術では、１２μｍ〜１８μｍと厚みのある銅箔２２
２をコンフォーマルマスクとして使用するため、銅箔２
１２の熱伝導率が大きく、熱が拡散し易いため、高い出
力のレーザ、或いは、パルス状のレーザを多数回照射す
ることが必要となる。このため、図７（Ｅ）に示すよう
に、開口２２０ａを形成する際に、アンダーカットが発
生し、該開口２２０ａに電解銅めっき膜２４０及び無電
解銅めっき膜を２４４を配設してバイアホール２４８を
形成しても、めっき膜２４０、２４４の剥離が発生し易
くなり、接続信頼性が低かった。

【０００５】更に、上記技術では、ファインピッチの導
体回路２４６を形成することができなかった。即ち、図
７（Ｈ）及び図７（Ｉ）を参照して上述したように電解
銅めっき膜２４４を形成した後、レジスト２４２下の無
電解銅めっき膜２４０（０．１〜５μｍ）及び銅箔２２
２（１２μｍ〜１８μｍ）を除去しなければならないた
め、導体回路２４６の幅Ｗ１を狭くすることができなか
った。

【０００６】同様に、厚みのある銅箔２２２をコンフォ
ーマルマスクとして使用するため、微細な孔径のバイア
ホールを形成することができなかった。即ち、レジスト
２４２下の無電解銅めっき膜（２μｍ）及び銅箔（１２
μｍ〜１８μｍ）を除去しなければならないため、バイ
アホールの直径Ｗ２を小さくすることが困難であった。

【０００７】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、コンフ
ォーマルマスクを用いてもアンダーカットの発生しない
プリント配線板の製造方法を提案することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１のプリント配線
板の製造方法は、上記目的を達成するため、以下の
（１）〜（５）の工程を含むことを技術的特徴とする。（１）導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間樹脂
絶縁層形成用樹脂を圧着する工程。（２）前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。（３）前記金属膜に開口を設ける工程。（４）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層形成用樹脂を除去してバイアホール形成用の開口を設
ける工程。（５）前記バイアホール形成用の開口にめっき導体を析
出し、バイアホールを形成する工程。

【０００９】また、請求項２のプリント配線板の製造方
法は、以下の（１）〜（８）の工程を含むことを技術的
特徴をする。（１）導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間樹脂
絶縁層形成用樹脂を圧着する工程。（２）前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。（３）前記金属膜に開口を設ける工程。（４）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層形成用樹脂を除去してバイアホール形成用の開口を設
ける工程。（５）無電解めっき膜を前記導体回路形成基板に形成す
る工程。（６）前記導体回路形成基板にめっきレジストを形成す
る工程。（７）前記めっきレジスト非形成部に電解めっきを施す
工程。（８）前記めっきレジストを除去し、めっきレジスト下
の金属膜、及び無電解銅めっき膜をエッチングして除去
する工程。

【００１０】上記目的を達成するため、請求項３のプリ
ント配線板の製造方法では、請求項１又は２において、
前記金属膜が銅箔であることを技術的特徴とする。

【００１１】上記目的を達成するため、請求項４のプリ
ント配線板の製造方法では、請求項１又は２において、
前記金属膜をエッチングで薄くする工程において、金属
膜の厚みを５〜０．５μｍにすることを技術的特徴とす
る。

【００１２】請求項１の発明では、エッチングにより薄
膜化し熱伝導率を低下させた金属膜をコンフォーマルマ
スクとして用いるため、小出力のレーザで開口を形成で
き、層間樹脂絶縁層を形成する樹脂にアンダーカットを
発生させることがない。

【００１３】また、請求項２の発明では、エッチングに
より薄膜化し熱伝導率を低下させた金属膜をコンフォー
マルマスクとして用いるため、小出力のレーザで開口を
形成でき、層間樹脂絶縁層を形成する樹脂にアンダーカ
ットを発生させることがない。また、バイアホール用開
口を設けた後、金属膜上に無電解めっき層を形成し、さ
らに無電解めっき層の上に電解めっき層を設ける。導体
回路及びバイアホールを形成する際に、レジスト下層の
無電解めっき層をエッチングで除去するが、金属膜、無
電解めっき層が薄い膜であり容易に除去できるので、該
エッチングの際に導体回路及びバイアホールを形成する
電解めっき層を浸食することがない。このため、ファイ
ンピッチな配線及び微細な孔径のバイアホールを形成す
ることが可能となる。

【００１４】請求項４では、金属膜の厚みを５〜０．５
μｍにする。これは、金属膜の厚みが５μｍを越えると
アンダーカットが発生し、他方、０．５μｍ以下では、
コンフォーマルマスクとしての役割を果たし得ないから
である。

【００１５】請求項５では、導体回路形成基板に厚み５
〜０．５μｍの金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成用
樹脂を圧着するものである。この発明では、あらかじめ
薄い金属膜を形成した樹脂フィルムを圧着するため、可
撓性に優れ、導体回路形成基板に圧着し易い。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態に係
るプリント配線板の製造方法について図を参照して説明
する。（１）厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に
18μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３
０Ａを出発材料とする（図１（Ａ）参照）。まず、この
銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を
施し、パターン状にエッチングすることにより、基板３
０の両面に内層銅パターン３４とスルーホール３６を形
成する（図１（Ｂ））。

【００１７】（２）内層銅パターン３４およびスルーホ
ール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、
酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO ₂
（40ｇ／ｌ），Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）、還元浴として、
NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH₄（６ｇ／ｌ）を用いた酸化−
還元処理により、内層銅パターン３４およびスルーホー
ル３６の表面に粗化層３８を設ける（図１（Ｃ）参
照）。

【００１８】（３）下記の樹脂充填剤調製用の原料組成
物を混合混練して樹脂充填剤を得る。〔樹脂組成物〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、
分子量310 、YL983U）100重量部、表面にシランカップ
リング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ
₂球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、
最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15
μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノ
プコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合するこ
とにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,0
00cps に調整して得る。〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）6.5 重量部。

【００１９】（４）前記（３）で得た樹脂充填剤４０
を、調製後24時間以内に基板３０の両面にロールコータ
を用いて塗布することにより、導体回路（内層銅パター
ン）３４と導体回路３４との間、及び、スルーホール３
６内に充填し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面につ
いても同様にして樹脂充填剤４０を導体回路３４間ある
いはスルーホール３６内に充填し、70℃，20分間で加熱
乾燥させる（図１（Ｄ）参照）。

【００２０】（５）前記（４）の処理を終えた基板３０
の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用
いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン３４の
表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填
剤４０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサ
ンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行っ
た。このような一連の研磨を基板の他方の面についても
同様に行う（図２（Ｅ）参照）。次いで、100 ℃で１時
間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間
の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。

【００２１】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および内層導体回路３
４上面の粗化層３８を除去して基板３０両面を平滑化し
た上で、樹脂充填剤４０と内層導体回路３４の側面とが
粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３
６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強
固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、
樹脂充填剤４０の表面と内層銅パターン３４の表面が同
一平面となる。

【００２２】（６）導体回路３４を形成した基板３０に
アルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化
パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐ
ｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．
２×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０^-3ｍ
ｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、次亜りん
酸ナトリウム３．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サ
ーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無
電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回
に割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４およ
びスルーホール３６のランド３６ａの表面にＣｕ−Ｎｉ
−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた
（図２（Ｆ）参照）。

【００２３】さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。

【００２４】（７）引き続き、樹脂付き銅箔（日立化成
工業製：商品名ＭＣＦ−６０００Ｅ樹脂２０の厚みが６
０μｍ、銅箔２２の厚みが１２μｍ）２０Ａを、上記厚
さ０．８mmの基板３０の両面に真空プレスにより圧着す
る（図２（Ｇ）。ここで、真空プレスは、１７５°Ｃ・
９０min 圧力３０Ｋg ／cm² 真空度＜５０torrにて
行う。

【００２５】（８）次に、表面の銅箔２２を、エッチン
グ液（三菱瓦斯化学製：商品名ＳＥ−０７）を用いて、
厚さが３μｍとなるまで全面エッチングをする（図２
（Ｈ））。

【００２６】（９）ドライフィルムレジスト（日合モー
トン製：商品名ＮＩＴ−２１５）を銅箔２２に張り付
け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、バイアホール形
成部に開口４４ａを有するエッチングレジスト４４を設
ける（図３（Ｉ））。

【００２７】（１０）該開口４４ａ内の銅箔２２を塩化
第２銅エッチング液にて除去した後（図３（Ｊ））、エ
ッチングレジスト４４を水酸化ナトリウム水溶液で剥離
し、コンフォーマルマスクとなる銅箔２２を完成する
（図３（Ｋ））。

【００２８】（１１）炭酸ガスレーザ照射装置（三菱電
機製：商品名６０５ＧＴＸ）を用いて、銅箔の開口２２
ａ毎に２ショットの短パルスのレーザを照射し、層間樹
脂絶縁層（樹脂）２０に６０μｍφの通孔２０ａを形成
する（図３（Ｌ））。即ち、厚み３μｍの銅箔２２をコ
ンフォーマルマスクとして用い、レーザにより開口２２
ａを穿設する。ここで、該炭酸ガスレーザの照射は、上
述したように、それぞれの銅箔２２の開口２２ａに向け
て、一穴毎に照射することも、或いは、プリント配線板
全体を走査するようにレーザを照射し、銅箔２２の各開
口２２ａ下の樹脂２０を除去することも可能である。

【００２９】またビーム径は、開口径の１．３倍以上が
よい。さらに開口２０ａを形成した後、残さ除去を行っ
てもよい。例えば、クロム酸、過マンガン酸、カリウム
の水溶液に浸漬したり、Ｏ₂プラズマ、ＣＦ₄プラズ
マ、もしくは、Ｏ₂とＣＦ₄混合ガスのプラズマを使用
して、樹脂残さを除去できる。特に、フッ素樹脂を層間
樹脂絶縁層として使用した場合は、プラズマ処理が最適
である。

【００３０】（１２）まず、基板３０の表面に通常の無
電解めっきにより無電解銅めっき膜５２を形成した後
（図４（Ｍ））、更に、硫酸銅めっきにより１０μｍの
電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ｎ））。

【００３１】（１３）ドライフィルムレジスト（日合モ
ートン製：商品名ＮＩＴ−２１５）を銅箔２２に張り付
け、所定位置にパターンの形成されたマスク（図示せ
ず）を載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光する。その
後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、バイアホー
ル形成部及び回路形成部を覆うＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ：
３０／３０μｍのエッチングレジスト５４を設ける（図
４（Ｏ））。）

【００３２】（１４）その後、塩化第二銅を用いてパタ
ーンエッチングを行い、更に、２％のＮａＯＨにて、エ
ッチングレジスト５４を剥離して、バイアホール６０及
び導体回路５８を形成する（図４（Ｐ））。

【００３３】なお、上述した（１２）〜（１４）では、
電解銅めっき膜５６を形成した後にレジスト５４を形成
したが、この代わりに、レジスト５４の形成後に電解銅
めっき膜５６を構成することもできる。この工程を図５
を参照して説明する。

【００３４】先ず、図３（Ｌ）に示す樹脂２０に開口２
０ａを形成した基板３０を以下の組成の無電解銅めっき
浴中に基板２０を浸漬して、厚さ０．５μｍの無電解銅
めっき膜５２を形成する（図５（Ｍ’））。無電解めっき液ＥＤＴＡ１５０ｇ／l 硫酸銅２０ｇ／l ＨＣＨＯ３０ｍｌ／l ＮａＯＨ４０ｇ／l α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１ｇ／ｌ無電解めっき条件７０℃の液温度で３０分

【００３５】ドライフィルムレジスト（日合モートン
製：商品名ＮＩＴ−２１５）５４を銅箔２２に張り付
け、所定位置にパターンの形成されたマスク（図示せ
ず）を載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光する。その
後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、バイアホー
ル形成部及び回路形成部に開口５４ａを有するエッチン
グレジスト５４を設ける（図５（Ｎ’））。

【００３６】ついで、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図
５（Ｏ’））。電解めっき液硫酸１８０ｇ／ｌ硫酸銅８０ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製商品名カパラシドＧ
Ｌ）１ｍｌ／ｌ電解めっき条件電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間３０分温度室温

【００３７】めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除
去し、その後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングを
行い、めっきレジスト５４の下側にあった無電解銅めっ
き膜５２、銅箔２２を溶解除去して銅箔２０、無電解銅
めっき膜３０、４０と電解銅めっき膜４４からなる厚さ
１８μｍの導体回路５８、バイアホール６０を形成する
（図５（Ｐ’））。

【００３８】（１５）最後に、上述した（６）と同様の
処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面
にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表
面にSn置換を行う（図６（Ｑ）参照）。

【００３９】（１６）前記（７）〜（１５）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８及びバ
イアホール１６０を形成し、多層配線基板を得る（図６
（Ｒ）参照）。但し、該導体回路１５８及びバイアホー
ル１６０の表面に形成した粗化面６２では、Sn置換を行
わない。

【００４０】この第１実施形態では、エッチングにより
薄膜（３μｍ）化し熱伝導率を低下させた金属膜（銅
箔）２２をコンフォーマルマスクとして用いるため、小
出力のレーザで開口２０ａを形成できる。具体的には、
図７に示す従来技術の製造方法では、上述した炭酸ガス
レーザ装置で樹脂２０に１つの開口２０ａを設ける際
に、３回短パルスレーザを照射する必要があったのに対
して、第１実施形態では、２回の短パルスレーザで開口
２０ａを形成することができる。

【００４１】また、本実施形態では、上述したように小
出力のレーザ、或いは、パルスレーザの照射回数を少な
くして開口２０ａを形成できるため、層間樹脂絶縁層を
形成する樹脂２０にアンダーカットを発生させることが
ない（図３（Ｌ）参照）。従って、バイアホールの接続
信頼性を高めることができる。なお、金属膜の厚みは、
エッチングにより５〜０．５μｍまで薄くすることが望
ましい。これは、金属膜の厚みが５μｍを越えるとアン
ダーカットが発生し、他方、０．５μｍ以下では、コン
フォーマルマスクとしての役割を果たし得ないからであ
る。

【００４２】また、導体回路形成基板に、金属膜を形成
した層間樹脂絶縁層形成樹脂を圧着した後エッチングす
る場合は、圧着するまでは厚い金属膜が補強材として存
在しており、ハンドリング性に優れる。なお、この実施
形態では、金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成樹脂を
圧着した後エッチングしているが、厚み５〜０．５μｍ
の薄い金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成樹脂を圧着
してもよい。

【００４３】この第１実施形態では、コンフォーマルマ
スクに用いる金属膜をエッチングを行い薄くする。導体
回路５８及びバイアホール６０を形成する際に、不要部
分のコンフォーマルマスク３０をエッチングで除去する
が、薄く形成してあるため容易に除去でき、該エッチン
グの際に導体回路５８及びバイアホール６０を形成する
電解銅めっき膜５６を大きく浸食することがない。この
ため、ファインピッチな配線及び微細な孔径のバイアホ
ールを形成することが可能となる。即ち、図７を参照し
て上述した製造方法では、配線の形成能力が７５μｍで
あったのに対して、本第１実施形態では、５０μｍまで
向上する。更に、コンフォーマルマスクの形成能力が、
上記従来技術では、５０φμｍであったのに対して、本
実施形態では、１３φμｍの開口を設けることが可能に
なり、微細径のバイアホールを形成できる。

【００４４】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプ
リント配線板の製造方法について説明する。この第２実
施形態は、用いる基材を除き第１実施形態の製造方法と
ほぼ同じ工程を採用しているため、図１〜図６を参照し
て説明を行う。

【００４５】上述した（１）〜（６）の工程により図２
（Ｆ）に示す厚さ０．４mmのコア基板３０を形成する。
引き続き、樹脂付き銅箔（松下電子工業製：商品名ＡＲ
ＣＣＲ−０８８０樹脂２０の厚みが６０μｍ、銅箔２
２の厚みが１２μｍ）２０Ａを、基板３０の両面に真空
プレスにより圧着する（図２（Ｇ））。ここで、真空プ
レスは、１３０°Ｃ・３０min で更に１７５°Ｃで９０
min 圧力３０Ｋg／cm² 真空度＜５０torr にて行
う。

【００４６】次に、表面の銅箔２２を、エッチング液
（三菱瓦斯化学製：商品名ＳＥ−０７）を用いて、厚さ
が３μｍになるまで全面エッチングをする（図２
（Ｈ））。

【００４７】ドライフィルムレジスト（日合モートン
製：商品名ＮＩＴ−２１５）を銅箔２２に張り付け、マ
スクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光、０．８％
炭酸ナトリウムで現像処理し、バイアホール形成部に開
口４４ａを有するエッチングレジスト４４を設ける（図
３（Ｉ））。

【００４８】該開口４４ａ内の銅箔２２を塩化第２銅エ
ッチング液にて除去した後（図３（Ｊ）、エッチングレ
ジスト４４を水酸化ナトリウム水溶液で剥離し、コンフ
ォーマルマスクとなる銅箔２２を完成する（図３
（Ｋ））。

【００４９】炭酸ガスレーザ照射装置（三菱電機製：商
品名６０５ＧＴＸ）を用いて、銅箔の開口２２ａ毎に２
ショットの短パルスのレーザを照射し、層間樹脂絶縁層
（樹脂）２０に６０μｍφの通孔２０ａを形成する（図
３（Ｌ））。

【００５０】基板３０の表面に通常の無電解めっきによ
り無電解銅めっき膜５２を形成した後（図４（Ｍ））、
更に、硫酸銅めっきにより１０μｍの電解銅めっき膜５
６を形成する（図４（Ｎ））。

【００５１】ドライフィルムレジスト（日合モートン
製：商品名ＮＩＴ−２１５）を銅箔２２に張り付け、所
定位置にパターンの形成されたマスク（図示せず）を載
置してで露光する。その後、０．８％炭酸ナトリウムで
現像処理し、バイアホール形成部及び回路形成部を覆う
Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ：５０／５０μｍのエッチングレ
ジスト５４を設ける（図４（Ｏ））。）

【００５２】その後、塩化第二銅を用いてパターンエッ
チングを行い、更に、２％のＮａＯＨにて、エッチング
レジスト５４を剥離して、バイアホール６０及び導体回
路５８を形成する（図４（Ｐ））。更に、同様な工程を
繰り返し、両面併せて６層のプリント配線板を完成する
（図６（Ｒ））。

【００５３】引き続き、本発明の第３実施形態に係るプ
リント配線板の製造方法について説明する。この第３実
施形態は、用いる基材を除き第１実施形態の製造方法と
ほぼ同じ工程を採用しているため、図１〜図６を参照し
て説明を行う。

【００５４】上述した（１）〜（６）の工程により図２
（Ｆ）に示す厚さ０．６mmのコア基板３０を形成する。
引き続き、ガラスクロス入り樹脂付き銅箔（三菱瓦斯化
学製：商品名ＣＣＬ−ＨＬ８３０ＬＳガラスクロス／
樹脂２０の厚みが６０μｍ、銅箔２２の厚みが１２μ
ｍ）２０Ａを、基板３０の両面に真空プレスにより圧着
する（図２（Ｇ））。ここで、真空プレスは、１５０°
Ｃ・３０min で更に１７５°Ｃで１２０min 圧力３０
Ｋg ／cm² 真空度＜５０torr にて行う。

【００５５】次に、表面の銅箔２２を、エッチング液
（三菱瓦斯化学製：商品名ＳＥ−０７）を用いて、厚さ
が３μｍとなるまで全面エッチングをする（図２
（Ｈ））。

【００５６】ドライフィルムレジスト（日合モートン
製：商品名ＮＩＴ−２１５）を銅箔２２に張り付け、マ
スクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光、０．８％
炭酸ナトリウムで現像処理し、バイアホール形成部に開
口４４ａを有するエッチングレジスト４４を設ける（図
３（Ｉ））。

【００５７】該開口４４ａ内の銅箔２２を塩化第２銅エ
ッチング液にて除去した後（図３（Ｊ）、エッチングレ
ジスト４４を水酸化ナトリウム水溶液で剥離し、コンフ
ォーマルマスクとなる銅箔２２を完成する（図３
（Ｋ））。

【００５８】炭酸ガスレーザ照射装置（三菱電機製：商
品名６０５ＧＴＸ）を用いて、銅箔の開口２２ａ毎に２
ショットの短パルスのレーザを照射し、層間樹脂絶縁層
（樹脂）２０に６０μｍφの通孔２０ａを形成する（図
３（Ｌ））。

【００５９】基板３０の表面に通常の無電解めっきによ
り無電解銅めっき膜５２を形成した後（図４（Ｍ））、
更に、硫酸銅めっきにより１０μｍの電解銅めっき膜５
６を形成する（図４（Ｎ））。

【００６０】ドライフィルムレジスト（日合モートン
製：商品名ＮＩＴ−２１５）を銅箔２２に張り付け、所
定位置にパターンの形成されたマスク（図示せず）を載
置してで露光する。その後、０．８％炭酸ナトリウムで
現像処理し、バイアホール形成部及び回路形成部を覆う
Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ：５０／５０μｍのエッチングレ
ジスト５４を設ける（図４（Ｏ））。）

【００６１】その後、塩化第二銅を用いてパターンエッ
チングを行い、更に、２％のＮａＯＨにて、エッチング
レジスト５４を剥離して、バイアホール６０及び導体回
路５８を形成する（図４（Ｐ））。更に、同様な工程を
繰り返し、両面併せて６層のプリント配線板を完成する
（図６（Ｒ））。

【００６２】なお、上述した実施形態では、予め樹脂に
銅箔が付着されたものを用いたが、樹脂に銅箔等の金属
膜を後から接着させて用いることも可能である。更に、
第１、第２実施形態では、樹脂に銅箔が付着されたもの
を用い、第３実施形態では、ガラスクロスを含む樹脂に
銅箔が付着されたものを用いたが、樹脂に種々の材質
（例えば、不織布等）が加えられたものを用いることが
できる。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、小出力
のレーザ、或いは、パルスレーザの照射回数を少なくし
てバイアホール用の開口を形成できるため、層間樹脂絶
縁層を形成する樹脂にアンダーカットを発生させること
がなくなり、バイアホールの接続信頼性を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板
の製造工程図である。

【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２
（Ｈ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板
の製造工程図である。

【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３
（Ｌ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板
の製造工程図である。

【図４】図４（Ｍ）、図４（Ｎ）、図４（Ｏ）、図４
（Ｐ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板
の製造工程図である。

【図５】図５（Ｍ’）、図５（Ｎ’）、図５（Ｏ’）、
図５（Ｐ’）は、本発明の第１実施形態の改変例に係る
プリント配線板の製造工程図である。

【図６】図６（Ｑ）、図６（Ｒ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図７】従来技術に係るコンフォーマルマスクを用いる
プリント配線板の製造工程図である。

【符号の説明】

２０樹脂２０ａ開口２２銅箔（金属膜）２２ａ開口３０基板（導体回路形成基板）５２無電解銅めっき膜（無電解めっき膜）５６電解銅めっき膜（めっき導体）５８導体回路６０バイアホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】以下の（１）〜（５）の工程を含むこと
を特徴をするプリント配線板の製造方法。（１）導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間樹脂
絶縁層形成用樹脂を圧着する工程。（２）前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。（３）前記金属膜に開口を設ける工程。（４）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層形成用樹脂を除去してバイアホール形成用の開口を設
ける工程。（５）前記バイアホール形成用の開口にめっき導体を析
出し、バイアホールを形成する工程。
【請求項２】以下の（１）〜（８）の工程を含むこと
を特徴をするプリント配線板の製造方法。（１）導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間樹脂
絶縁層形成用樹脂を圧着する工程。（２）前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。（３）前記金属膜に開口を設ける工程。（４）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層形成用樹脂を除去してバイアホール形成用の開口を設
ける工程。（５）無電解めっき膜を前記導体回路形成基板に形成す
る工程。（６）前記導体回路形成基板にめっきレジストを形成す
る工程。（７）前記めっきレジスト非形成部に電解めっきを施す
工程。（８）前記めっきレジストを除去し、めっきレジスト下
の金属膜、及び無電解銅めっき膜をエッチングして除去
する工程。
【請求項３】前記金属膜が銅箔であることを特徴とす
る請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】前記金属膜をエッチングで薄くする工程
において、金属膜の厚みを５〜０．５μｍにすることを
特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板の製
造方法。
【請求項５】以下の（１）〜（４）の工程を含むこと
を特徴をするプリント配線板の製造方法。（１）導体回路形成基板に、厚み５〜０．５μｍの金属
膜を形成した層間樹脂絶縁層形成用樹脂を圧着する工
程。（２）前記金属膜に開口を設ける工程。（３）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層形成用樹脂を除去してバイアホール形成用の開口を設
ける工程。（４）前記バイアホール形成用の開口にめっき導体を析
出し、バイアホールを形成する工程。