JP3373406B2 - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents
プリント配線板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3373406B2 JP3373406B2 JP28050097A JP28050097A JP3373406B2 JP 3373406 B2 JP3373406 B2 JP 3373406B2 JP 28050097 A JP28050097 A JP 28050097A JP 28050097 A JP28050097 A JP 28050097A JP 3373406 B2 JP3373406 B2 JP 3373406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulation layer
- wiring board
- printed wiring
- layer
- interlayer resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板お
よびその製造方法に関し、層間樹脂絶縁層と導体回路と
の密着性および導体回路間の絶縁性に優れ、低コストで
短納期化を図ることのできるプリント配線板とその製造
方法について提案する。
よびその製造方法に関し、層間樹脂絶縁層と導体回路と
の密着性および導体回路間の絶縁性に優れ、低コストで
短納期化を図ることのできるプリント配線板とその製造
方法について提案する。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁層と導体回路の密着性を改善
した回路基板として、特公昭56-37719号公報では、絶縁
層上に、クロムなどをスパッタリングし、さらにその上
に、電解めっき用導電層としての銅層をスパッタリング
にて形成し、この銅層上に電解めっきにより導体回路を
形成してなる回路基板が提案されている。
した回路基板として、特公昭56-37719号公報では、絶縁
層上に、クロムなどをスパッタリングし、さらにその上
に、電解めっき用導電層としての銅層をスパッタリング
にて形成し、この銅層上に電解めっきにより導体回路を
形成してなる回路基板が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この回
路基板では、絶縁層との密着性を改善するために導体回
路下に形成されるクロム層や電解めっき用導電層として
の銅層は、絶縁層を被覆するまでスパッタリングなどの
気相プロセスで成膜することになる。そのため、上記提
案の回路基板は、コストや納期の点で問題があった。ま
た一方で、上記回路基板は、スパッタで絶縁層表面に打
ち込まれるクロム層が除去されにくいので、導体回路間
の絶縁性に問題があった。
路基板では、絶縁層との密着性を改善するために導体回
路下に形成されるクロム層や電解めっき用導電層として
の銅層は、絶縁層を被覆するまでスパッタリングなどの
気相プロセスで成膜することになる。そのため、上記提
案の回路基板は、コストや納期の点で問題があった。ま
た一方で、上記回路基板は、スパッタで絶縁層表面に打
ち込まれるクロム層が除去されにくいので、導体回路間
の絶縁性に問題があった。
【０００４】本発明は、従来技術が抱える上記問題を解
消するためになされたものである。その主たる目的は、
層間樹脂絶縁層と導体回路の密着性を損なうことなく、
導体回路間の絶縁性に優れ、低コストで短納期化を図る
ことのできるプリント配線板を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、上記プリント配線板を有利に
製造することのできる方法を提案することにある。
消するためになされたものである。その主たる目的は、
層間樹脂絶縁層と導体回路の密着性を損なうことなく、
導体回路間の絶縁性に優れ、低コストで短納期化を図る
ことのできるプリント配線板を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、上記プリント配線板を有利に
製造することのできる方法を提案することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨構成は以下
のとおりである。 (1) 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に積
層形成され、導体回路同士がバイアホールを介して電気
的接続されてなるプリント配線板において、前記層間樹
脂絶縁層はフッ素樹脂からなり、その層間樹脂絶縁層の
表面には、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉか
ら選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属核が、６
〜１０μｇ／cm 2 の付着量で化学的に結合しあるいは物
理的 に打ち込まれており、層間樹脂絶縁層上には、前記
金属核と結合しためっき膜からなるバイアホールを含ん
だ導体回路が形成されていることを特徴とするプリント
配線板である。
のとおりである。 (1) 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に積
層形成され、導体回路同士がバイアホールを介して電気
的接続されてなるプリント配線板において、前記層間樹
脂絶縁層はフッ素樹脂からなり、その層間樹脂絶縁層の
表面には、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉか
ら選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属核が、６
〜１０μｇ／cm 2 の付着量で化学的に結合しあるいは物
理的 に打ち込まれており、層間樹脂絶縁層上には、前記
金属核と結合しためっき膜からなるバイアホールを含ん
だ導体回路が形成されていることを特徴とするプリント
配線板である。
【０００６】(2) 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層
とが交互に積層形成され、導体回路同士がバイアホール
を介して電気的接続されてなるプリント配線板を製造す
る方法において、前記層間樹脂絶縁層をフッ素樹脂から
形成し、その層間樹脂絶縁層の表面には、Ａｇ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１
種の金属からなる金属核を、６〜１０μｇ／cm 2 の付着
量で化学的に結合しあるいは物理的に打ち込んだ後、そ
の金属核を触媒としてめっきを行なうことにより、バイ
アホールを含んだ導体回路を形成することを特徴とする
プリント配線板の製造方法である。上記製造方法におい
て、ＣＶＤ（化学蒸着：Chemical Vaper Deposition ）
法、ＰＶＤ（物理蒸着：Pysical Vaper Deposition ）
法により、金属核を、層間樹脂絶縁層の表面に化学的に
結合しもしくは物理的に打ち込むことが好ましい。
とが交互に積層形成され、導体回路同士がバイアホール
を介して電気的接続されてなるプリント配線板を製造す
る方法において、前記層間樹脂絶縁層をフッ素樹脂から
形成し、その層間樹脂絶縁層の表面には、Ａｇ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１
種の金属からなる金属核を、６〜１０μｇ／cm 2 の付着
量で化学的に結合しあるいは物理的に打ち込んだ後、そ
の金属核を触媒としてめっきを行なうことにより、バイ
アホールを含んだ導体回路を形成することを特徴とする
プリント配線板の製造方法である。上記製造方法におい
て、ＣＶＤ（化学蒸着：Chemical Vaper Deposition ）
法、ＰＶＤ（物理蒸着：Pysical Vaper Deposition ）
法により、金属核を、層間樹脂絶縁層の表面に化学的に
結合しもしくは物理的に打ち込むことが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、層間樹脂絶縁層の表面
に、金属核が化学的に結合しあるいは物理的に打ち込ま
れており、かつこの金属核を触媒核として形成されるめ
っき膜が、バイアホールを含んだ導体回路として形成さ
れている点に特徴がある。これにより、本発明における
バイアホールを含んだ導体回路は、めっき膜が層間樹脂
絶縁層表面に強固に付着した金属核と結合するので、層
間樹脂絶縁層の表面を粗化しなくても、その表面に密着
する。
に、金属核が化学的に結合しあるいは物理的に打ち込ま
れており、かつこの金属核を触媒核として形成されるめ
っき膜が、バイアホールを含んだ導体回路として形成さ
れている点に特徴がある。これにより、本発明における
バイアホールを含んだ導体回路は、めっき膜が層間樹脂
絶縁層表面に強固に付着した金属核と結合するので、層
間樹脂絶縁層の表面を粗化しなくても、その表面に密着
する。
【０００８】また、層間樹脂絶縁層として、フッ素樹脂
などの耐薬品性に優れた樹脂を採用すると、前述のよう
にして層間樹脂絶縁層表面に強固に付着させた金属核が
容易に除去されない場合があり、導体回路間の絶縁信頼
性は低下しやすい。この点、本発明では、金属核の付着
量を6〜10μｇ/cm 2 の範囲に調整することにより、その
ような絶縁信頼性の低下を防止することができる。
などの耐薬品性に優れた樹脂を採用すると、前述のよう
にして層間樹脂絶縁層表面に強固に付着させた金属核が
容易に除去されない場合があり、導体回路間の絶縁信頼
性は低下しやすい。この点、本発明では、金属核の付着
量を6〜10μｇ/cm 2 の範囲に調整することにより、その
ような絶縁信頼性の低下を防止することができる。
【０００９】前記金属核は、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、
ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の金属から
なることが望ましい。これらは、無電解めっきの触媒核
として優れているからである。
ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種の金属から
なることが望ましい。これらは、無電解めっきの触媒核
として優れているからである。
【００１０】前記層間樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹
脂の複合体を使用できる。これらのうち、熱硬化性樹脂
としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）など
が使用できる。熱可塑性樹脂としては、ポリテトラフル
オロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、熱可塑型
ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポ
リフェニレンスルフォン（ＰＰＥＳ）、４フッ化エチレ
ン６フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４フッ化エ
チレンパーフロロアルコキシ共重合体（ＰＦＡ）、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリオレフィン系樹脂などが使
用できる。熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体として
は、エポキシ樹脂−ＰＥＳ、エポキシ樹脂−ＰＳＦ、エ
ポキシ樹脂−ＰＰＳ、エポキシ樹脂−ＰＰＥＳなどが使
用できる。
脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹
脂の複合体を使用できる。これらのうち、熱硬化性樹脂
としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）など
が使用できる。熱可塑性樹脂としては、ポリテトラフル
オロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスルフォン（ＰＳ
Ｆ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、熱可塑型
ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポ
リフェニレンスルフォン（ＰＰＥＳ）、４フッ化エチレ
ン６フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４フッ化エ
チレンパーフロロアルコキシ共重合体（ＰＦＡ）、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリオレフィン系樹脂などが使
用できる。熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体として
は、エポキシ樹脂−ＰＥＳ、エポキシ樹脂−ＰＳＦ、エ
ポキシ樹脂−ＰＰＳ、エポキシ樹脂−ＰＰＥＳなどが使
用できる。
【００１１】以下、本発明にかかるプリント配線板を製
造する一方法について説明する。 (1) まず、基板にドリルで貫通孔を明け、貫通孔の壁
面および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホール
を形成する。基板としては、ガラスエポキシ基板やポリ
イミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フ
ッ素樹脂基板などの樹脂基板、あるいはこれらの樹脂基
板の銅張積層板、セラミック基板、金属基板などを用い
ることができる。特に、誘電率を考慮する場合は、両面
銅張フッ素樹脂基板を用いることが好ましい。この基板
は、片面が粗化された銅箔をポリテトラフルオロエチレ
ン等のフッ素樹脂基板に熱圧着したものである。無電解
めっきとしては銅めっきがよい。フッ素樹脂基板のよう
にめっきのつきまわりが悪い基板の場合は、有機金属ナ
トリウムからなる前処理剤（潤工社製、商品名：テトラ
エッチ）、プラズマ処理などの表面改質を行う。
造する一方法について説明する。 (1) まず、基板にドリルで貫通孔を明け、貫通孔の壁
面および銅箔表面に無電解めっきを施してスルーホール
を形成する。基板としては、ガラスエポキシ基板やポリ
イミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フ
ッ素樹脂基板などの樹脂基板、あるいはこれらの樹脂基
板の銅張積層板、セラミック基板、金属基板などを用い
ることができる。特に、誘電率を考慮する場合は、両面
銅張フッ素樹脂基板を用いることが好ましい。この基板
は、片面が粗化された銅箔をポリテトラフルオロエチレ
ン等のフッ素樹脂基板に熱圧着したものである。無電解
めっきとしては銅めっきがよい。フッ素樹脂基板のよう
にめっきのつきまわりが悪い基板の場合は、有機金属ナ
トリウムからなる前処理剤（潤工社製、商品名：テトラ
エッチ）、プラズマ処理などの表面改質を行う。
【００１２】次に、厚付けのために電解めっきを行う。
この電解めっきとしては銅めっきがよい。そしてさら
に、スルーホール内壁および電解めっき膜表面を粗化処
理して粗化層を設けてもよい。この粗化層には、黒化
（酸化）−還元処理によるもの、有機酸と第二銅錯体の
混合水溶液をスプレー処理して形成したもの、あるいは
銅−ニッケル−リン針状合金めっきによるものがある。
なお、必要に応じてスルーホール内に導電ペーストを充
填し、この導電ペーストを覆う導体層を電解めっきにて
形成することもできる。
この電解めっきとしては銅めっきがよい。そしてさら
に、スルーホール内壁および電解めっき膜表面を粗化処
理して粗化層を設けてもよい。この粗化層には、黒化
（酸化）−還元処理によるもの、有機酸と第二銅錯体の
混合水溶液をスプレー処理して形成したもの、あるいは
銅−ニッケル−リン針状合金めっきによるものがある。
なお、必要に応じてスルーホール内に導電ペーストを充
填し、この導電ペーストを覆う導体層を電解めっきにて
形成することもできる。
【００１３】(2) 前記(1) の処理を終えた基板上に、
層間樹脂絶縁層を形成する。層間樹脂絶縁層としては、
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と
熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。この層間樹脂絶縁
層は、これらの樹脂の未硬化液を塗布したり、フィルム
状の樹脂を熱圧してラミネートすることにより形成され
る。
層間樹脂絶縁層を形成する。層間樹脂絶縁層としては、
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と
熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。この層間樹脂絶縁
層は、これらの樹脂の未硬化液を塗布したり、フィルム
状の樹脂を熱圧してラミネートすることにより形成され
る。
【００１４】(3) 次に、この樹脂絶縁層に被覆される
下層の導体回路との電気的接続を確保するために上記層
間樹脂絶縁層に開口を設ける。この開口の穿孔は、層間
樹脂絶縁層が感光性樹脂からなる場合は、露光、現像処
理にて行い、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂からなる場合
は、レーザ光にて行う。このとき、使用されるレーザ光
としては、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレ
ーザなどがある。レーザ光にて孔明けした場合は、デス
ミア処理を行ってもよい。このデスミア処理は、クロム
酸、過マンガン酸塩などの水溶液からなる酸化剤を使用
して行うことができ、また酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素
の混合プラズマなどで処理してもよい。特にＣＦ4 と酸
素の混合プラズマは、樹脂表面に親水性基を導入するこ
とができ、後のＣＶＤやＰＶＤ処理がしやすいため、有
利である。
下層の導体回路との電気的接続を確保するために上記層
間樹脂絶縁層に開口を設ける。この開口の穿孔は、層間
樹脂絶縁層が感光性樹脂からなる場合は、露光、現像処
理にて行い、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂からなる場合
は、レーザ光にて行う。このとき、使用されるレーザ光
としては、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレ
ーザなどがある。レーザ光にて孔明けした場合は、デス
ミア処理を行ってもよい。このデスミア処理は、クロム
酸、過マンガン酸塩などの水溶液からなる酸化剤を使用
して行うことができ、また酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素
の混合プラズマなどで処理してもよい。特にＣＦ4 と酸
素の混合プラズマは、樹脂表面に親水性基を導入するこ
とができ、後のＣＶＤやＰＶＤ処理がしやすいため、有
利である。
【００１５】(4) 開口を形成した層間樹脂絶縁層の表
面に、金属核を、ＣＶＤ処理やＰＶＤ処理にて化学的に
結合させるかあるいは物理的に打ち込む。ＣＶＤ処理と
しては、アリルシクロペンタジフェニルパラジウム、ジ
メチルゴールドアセチルアセトネート、スズテトラメチ
ルアクリロニトリル、ジコバルトオクタカルボニルアク
リロニトリルなどのＭＯ（メタルオーガニック）を供給
材料とするＰＥ−ＣＶＤ（Plasma Enhanced CVD ）など
が具体的に挙げられる。また、ＰＶＤ処理としては、ス
パッタリング、イオンビームスパッタリングなどの蒸着
法が具体的に挙げられる。この金属核の付着量は、6〜1
0μｇ／cm 2 の範囲に調整する。導体回路間の絶縁信頼
性を確保するためである。
面に、金属核を、ＣＶＤ処理やＰＶＤ処理にて化学的に
結合させるかあるいは物理的に打ち込む。ＣＶＤ処理と
しては、アリルシクロペンタジフェニルパラジウム、ジ
メチルゴールドアセチルアセトネート、スズテトラメチ
ルアクリロニトリル、ジコバルトオクタカルボニルアク
リロニトリルなどのＭＯ（メタルオーガニック）を供給
材料とするＰＥ−ＣＶＤ（Plasma Enhanced CVD ）など
が具体的に挙げられる。また、ＰＶＤ処理としては、ス
パッタリング、イオンビームスパッタリングなどの蒸着
法が具体的に挙げられる。この金属核の付着量は、6〜1
0μｇ／cm 2 の範囲に調整する。導体回路間の絶縁信頼
性を確保するためである。
【００１６】(5) 前記(4) の金属核を触媒として、層
間樹脂絶縁層の表面に無電解めっきを施し、全面に無電
解めっき膜を形成する。この無電解めっきは銅めっきが
最適であり、無電解めっき膜の厚みは、 0.1〜５μｍが
よい。この理由は、後に行う電解めっきの導電層として
の機能を損なうことなく、エッチング除去できるように
するためである。
間樹脂絶縁層の表面に無電解めっきを施し、全面に無電
解めっき膜を形成する。この無電解めっきは銅めっきが
最適であり、無電解めっき膜の厚みは、 0.1〜５μｍが
よい。この理由は、後に行う電解めっきの導電層として
の機能を損なうことなく、エッチング除去できるように
するためである。
【００１７】(6) 次に、無電解めっき膜上にめっきレ
ジストを形成する。このめっきレジストは、感光性ドラ
イフィルムをラミネートして露光、現像処理して形成さ
れる。さらに、電解めっきを行い、導体回路部分を厚付
けする。電解めっき膜は、５〜30μｍがよい。そしてさ
らに、めっきレジストを剥離した後、そのめっきレジス
ト下の無電解めっき膜をエッチングにて溶解除去して独
立した導体回路とし、必要に応じて前記 (2)〜(6) の工
程を繰り返すことにより、プリント配線板を製造する。
エッチング液としては、硫酸−過酸化水素の水溶液、過
硫酸アンモニウムや過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム
などの過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄や塩化第二銅の水溶
液がよい。
ジストを形成する。このめっきレジストは、感光性ドラ
イフィルムをラミネートして露光、現像処理して形成さ
れる。さらに、電解めっきを行い、導体回路部分を厚付
けする。電解めっき膜は、５〜30μｍがよい。そしてさ
らに、めっきレジストを剥離した後、そのめっきレジス
ト下の無電解めっき膜をエッチングにて溶解除去して独
立した導体回路とし、必要に応じて前記 (2)〜(6) の工
程を繰り返すことにより、プリント配線板を製造する。
エッチング液としては、硫酸−過酸化水素の水溶液、過
硫酸アンモニウムや過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム
などの過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄や塩化第二銅の水溶
液がよい。
【００１８】前述したプリント配線板の製造方法では、
導体回路をセミアディティブ法にて形成したが、本発明
では、導体回路をフルアディティブ法にて形成すること
ができる。このフルアディティブ法は、層間樹脂絶縁層
の表面に、金属核を、ＣＶＤ処理やＰＶＤ処理にて化学
的に結合させるかあるいは物理的に打ち込んだ後、感光
性ドライフィルムをラミネートするかあるいは液状の感
光性樹脂を塗布し、露光、現像処理してめっきレジスト
を設け、レジスト非形成部分に厚付けの無電解めっきを
施して導体回路を形成する方法である。このような方法
でも、めっきレジスト下の金属核量を6〜10μｇ／cm 2
の範囲に調整することにより、導体回路間の絶縁信頼性
を確保できる。以下、実施例をもとに説明する。
導体回路をセミアディティブ法にて形成したが、本発明
では、導体回路をフルアディティブ法にて形成すること
ができる。このフルアディティブ法は、層間樹脂絶縁層
の表面に、金属核を、ＣＶＤ処理やＰＶＤ処理にて化学
的に結合させるかあるいは物理的に打ち込んだ後、感光
性ドライフィルムをラミネートするかあるいは液状の感
光性樹脂を塗布し、露光、現像処理してめっきレジスト
を設け、レジスト非形成部分に厚付けの無電解めっきを
施して導体回路を形成する方法である。このような方法
でも、めっきレジスト下の金属核量を6〜10μｇ／cm 2
の範囲に調整することにより、導体回路間の絶縁信頼性
を確保できる。以下、実施例をもとに説明する。
【００１９】
【実施例】（実施例１）
(1) 厚さ0.8mm のポリテトラフルオロエチレン樹脂
（以下、商品名：テフロンと略記する）基板１に、基板
側の片面が粗化された厚さ18μｍの銅箔２がラミネート
されている銅張積層板（松下電工製、商品名：Ｒ4737）
を出発材料とした（図１(a) 参照）。まず、この銅張積
層板をドリル削孔し、内壁面を有機金属ナトリウムから
なる改質剤（潤工社製、商品名：テトラエッチ）で処理
して表面の濡れ性を改善した（図１(b) 参照）。
（以下、商品名：テフロンと略記する）基板１に、基板
側の片面が粗化された厚さ18μｍの銅箔２がラミネート
されている銅張積層板（松下電工製、商品名：Ｒ4737）
を出発材料とした（図１(a) 参照）。まず、この銅張積
層板をドリル削孔し、内壁面を有機金属ナトリウムから
なる改質剤（潤工社製、商品名：テトラエッチ）で処理
して表面の濡れ性を改善した（図１(b) 参照）。
【００２０】次に、パラジウム−スズコロイドを付着さ
せ、下記組成で無電解めっきを施して、基板全面に 0.7
μｍの無電解めっき膜を形成した。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分
せ、下記組成で無電解めっきを施して、基板全面に 0.7
μｍの無電解めっき膜を形成した。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分
【００２１】さらに、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜を形成した（図１ (c)
参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） 1 ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 Ａ／dm2 時間 30分 温度 室温
し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜を形成した（図１ (c)
参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） 1 ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 Ａ／dm2 時間 30分 温度 室温
【００２２】(2) 全面に無電解銅めっき膜と電解銅め
っき膜からなる導体（スルーホール３を含む）を形成し
た基板を、水洗いし、乾燥した後、NaOH（10ｇ／ｌ）、
NaClO2（40ｇ／ｌ）、Na3PO4（６ｇ／ｌ）を酸化浴（黒
化浴）、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaBH4 （６ｇ／ｌ）を還元
浴とする酸化還元処理に供し、そのスルーホール３を含
む導体の全表面に粗化層４を設けた（図１(d) 参照）。
っき膜からなる導体（スルーホール３を含む）を形成し
た基板を、水洗いし、乾燥した後、NaOH（10ｇ／ｌ）、
NaClO2（40ｇ／ｌ）、Na3PO4（６ｇ／ｌ）を酸化浴（黒
化浴）、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaBH4 （６ｇ／ｌ）を還元
浴とする酸化還元処理に供し、そのスルーホール３を含
む導体の全表面に粗化層４を設けた（図１(d) 参照）。
【００２３】(3) 次に、銅粒子を含む導電ペースト５
を、スルーホール３内にスクリーン印刷によって充填
し、乾燥、硬化させた。そして、導体上面の粗化層４お
よびスルーホール３からはみ出した導電ペースト５を、
＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルト
サンダー研磨により除去し、さらに、このベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板
表面を平坦化した（図１(e)参照）。
を、スルーホール３内にスクリーン印刷によって充填
し、乾燥、硬化させた。そして、導体上面の粗化層４お
よびスルーホール３からはみ出した導電ペースト５を、
＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルト
サンダー研磨により除去し、さらに、このベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板
表面を平坦化した（図１(e)参照）。
【００２４】(4) 前記(3) で平坦化した基板表面に、
常法に従ってパラジウムコロイド触媒を付与してから無
電解銅めっきを施すことにより、厚さ 0.6μｍの無電解
銅めっき膜６を形成した（図１(f) 参照）。
常法に従ってパラジウムコロイド触媒を付与してから無
電解銅めっきを施すことにより、厚さ 0.6μｍの無電解
銅めっき膜６を形成した（図１(f) 参照）。
【００２５】(5) ついで、以下の条件で電解銅めっき
を施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜７を形成し、導体
回路９となる部分の厚付け、およびスルーホール３に充
填された導電ペースト５を覆う導体層10となる部分を形
成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm2 時間 30分 温度 室温
を施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜７を形成し、導体
回路９となる部分の厚付け、およびスルーホール３に充
填された導電ペースト５を覆う導体層10となる部分を形
成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm2 時間 30分 温度 室温
【００２６】(6) 導体回路９および導体層10となる部
分を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィル
ムを張り付け、マスク載置して、100 mJ／cm2 で露光、
0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのエッ
チングレジスト８を形成した（図２(a) 参照）。
分を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィル
ムを張り付け、マスク載置して、100 mJ／cm2 で露光、
0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのエッ
チングレジスト８を形成した（図２(a) 参照）。
【００２７】(7) そして、エッチングレジスト８を形
成してない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチ
ングレジスト８を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した
導体回路９および導電ペースト５を覆う導体層10を形成
した（図２(b) 参照）。
成してない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチ
ングレジスト８を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した
導体回路９および導電ペースト５を覆う導体層10を形成
した（図２(b) 参照）。
【００２８】(8) 次に、導体回路９および導電ペース
ト５を覆う導体層10の表面にCu−Ni−Ｐ合金からなる厚
さ 2.5μｍの粗化層（凹凸層）11を形成し、さらにこの
粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を形成した（図２
(c) 参照、Sn層については図示しない）。その形成方法
は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂してソフト
エッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からな
る触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を
活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／
ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／
ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９
からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、導体回路９
および導電ペースト５を覆う導体層10の表面にCu−Ni−
Ｐ合金の粗化層11を設けた。ついで、ホウフッ化スズ
0.1 mol／ｌ、チオ尿素 1.0 mol／ｌ、温度50℃、ｐＨ
＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層11の表面に
厚さ 0.3μｍのSn層を設けた（Sn層については図示しな
い）。
ト５を覆う導体層10の表面にCu−Ni−Ｐ合金からなる厚
さ 2.5μｍの粗化層（凹凸層）11を形成し、さらにこの
粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を形成した（図２
(c) 参照、Sn層については図示しない）。その形成方法
は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂してソフト
エッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からな
る触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を
活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／
ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／
ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９
からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、導体回路９
および導電ペースト５を覆う導体層10の表面にCu−Ni−
Ｐ合金の粗化層11を設けた。ついで、ホウフッ化スズ
0.1 mol／ｌ、チオ尿素 1.0 mol／ｌ、温度50℃、ｐＨ
＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層11の表面に
厚さ 0.3μｍのSn層を設けた（Sn層については図示しな
い）。
【００２９】(9) 基板の両面に、厚さ25μｍのテフロ
ンシート（デュポン製、商品名：テフロンR ＦＥＰ）を
温度 200℃、圧力20kg／cm2 で積層した後、300 ℃でア
ニーリングして層間樹脂絶縁層12を設けた（図２(d) 参
照）。
ンシート（デュポン製、商品名：テフロンR ＦＥＰ）を
温度 200℃、圧力20kg／cm2 で積層した後、300 ℃でア
ニーリングして層間樹脂絶縁層12を設けた（図２(d) 参
照）。
【００３０】(10) 波長10.4μｍの CO2ガスレーザに
て、テフロン樹脂絶縁層12に直径40μｍのバイアホール
用開口13を設けた（図２(e) 参照）。さらに、ＣＦ4 と
酸素の混合気体を用いるプラズマ処理により、デスミア
およびテフロン樹脂絶縁層12の表面の改質を行った。こ
の改質により、表面にはＯＨ基やＣＯＯＨ基などの親水
性基が確認された。プラズマ処理条件は、 500Ｗ，500m
Torr，10分である。
て、テフロン樹脂絶縁層12に直径40μｍのバイアホール
用開口13を設けた（図２(e) 参照）。さらに、ＣＦ4 と
酸素の混合気体を用いるプラズマ処理により、デスミア
およびテフロン樹脂絶縁層12の表面の改質を行った。こ
の改質により、表面にはＯＨ基やＣＯＯＨ基などの親水
性基が確認された。プラズマ処理条件は、 500Ｗ，500m
Torr，10分である。
【００３１】(11)Ａｇをターゲットにしたスパッタリン
グを、気圧 0.6Pa、温度 100℃、電力200Ｗ、時間１分
間の条件で行い、Ａｇ核をテフロン樹脂絶縁層12の表面
に打ち込んだ。このとき、スパッタリングのための装置
は、日本真空技術（株）製のSV−4540を使用した。打ち
込まれるＡｇ量は、10μｇ／cm2 以下とした。このＡｇ
量は、基板を６Ｎ塩酸水溶液に浸漬し、溶出した総Ａｇ
量を原子吸光法にて測定し、その総Ａｇ量を露出面積で
除して求めた。
グを、気圧 0.6Pa、温度 100℃、電力200Ｗ、時間１分
間の条件で行い、Ａｇ核をテフロン樹脂絶縁層12の表面
に打ち込んだ。このとき、スパッタリングのための装置
は、日本真空技術（株）製のSV−4540を使用した。打ち
込まれるＡｇ量は、10μｇ／cm2 以下とした。このＡｇ
量は、基板を６Ｎ塩酸水溶液に浸漬し、溶出した総Ａｇ
量を原子吸光法にて測定し、その総Ａｇ量を露出面積で
除して求めた。
【００３２】(12)前記(11)の処理を終えた基板に対して
前記(1) の無電解めっきを施し、厚さ0.7μｍの無電解
めっき膜14をテフロン樹脂絶縁層12の表面に形成した
（図３(a)参照）。
前記(1) の無電解めっきを施し、厚さ0.7μｍの無電解
めっき膜14をテフロン樹脂絶縁層12の表面に形成した
（図３(a)参照）。
【００３３】(13) 前記(12)で無電解めっき膜14を形成
した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張り
付け、フォトマスクフィルムを載置して、 100mJ／cm2
で露光、0.8％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μ
ｍのめっきレジスト16を設けた（図３(b) 参照）。
した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張り
付け、フォトマスクフィルムを載置して、 100mJ／cm2
で露光、0.8％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μ
ｍのめっきレジスト16を設けた（図３(b) 参照）。
【００３４】(14) さらに、前記(1) の電解めっきを施
して、厚さ15μｍの電解めっき膜15を形成し、導体回路
９の部分の厚付け、およびバイアホール17の部分のめっ
き充填を行った（図３(c) 参照）。
して、厚さ15μｍの電解めっき膜15を形成し、導体回路
９の部分の厚付け、およびバイアホール17の部分のめっ
き充填を行った（図３(c) 参照）。
【００３５】(15) そしてさらに、めっきレジスト16を
５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト16下
の無電解めっき膜14を硫酸と過酸化水素の混合液を用い
るエッチングにて溶解除去し、無電解銅めっき膜14と電
解銅めっき膜15からなる厚さ16μｍの導体回路９（バイ
アホール17を含む）を形成して、多層プリント配線板を
製造した（図３(d) 参照）。
５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト16下
の無電解めっき膜14を硫酸と過酸化水素の混合液を用い
るエッチングにて溶解除去し、無電解銅めっき膜14と電
解銅めっき膜15からなる厚さ16μｍの導体回路９（バイ
アホール17を含む）を形成して、多層プリント配線板を
製造した（図３(d) 参照）。
【００３６】（実施例２）Ｐｔ
を、気圧 0.6Pa、温度 100℃、電力 200Ｗ、時間２
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
【００３７】（実施例３）Ａｕ
を、気圧 0.6Pa、温度 100℃、電力 200Ｗ、時間１
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
【００３８】（実施例４）Ｔｉ
を、気圧 0.6Pa、温度 100℃、電力 200Ｗ、時間５
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
【００３９】（実施例５）Ｃｕ
を、気圧 0.6Pa、温度 100℃、電力 200Ｗ、時間２
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
【００４０】（実施例６）Ｎｉ
を、気圧 0.6Pa、温度 100℃、電力 200Ｗ、時間３
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
分間の条件でテフロン樹脂絶縁層に付着させたこと以外
は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
【００４１】このようにして製造したプリント配線板に
ついて、ピール強度を測定したところ、実施例１では
0.5kg／cm、実施例２では 0.5kg／cm、実施例３では 0.
5kg／cm、実施例４では 0.7kg／cm、実施例５では 0.7k
g／cm、実施例６では 1.0kg／cmであり、層間樹脂絶縁
層表面に粗化層を設けていないにも関わらず、実用的な
ピール強度が得られることがわかる。また、いずれの実
施例においても導体回路間のショートは見られなかっ
た。さらに、実施例の記載からも明らかなように、導体
回路形成時の気相プロセスは、わずか１分程度で非常に
短く、所期した特性を有するプリント配線板の低コスト
化、短納期化を実現できる。
ついて、ピール強度を測定したところ、実施例１では
0.5kg／cm、実施例２では 0.5kg／cm、実施例３では 0.
5kg／cm、実施例４では 0.7kg／cm、実施例５では 0.7k
g／cm、実施例６では 1.0kg／cmであり、層間樹脂絶縁
層表面に粗化層を設けていないにも関わらず、実用的な
ピール強度が得られることがわかる。また、いずれの実
施例においても導体回路間のショートは見られなかっ
た。さらに、実施例の記載からも明らかなように、導体
回路形成時の気相プロセスは、わずか１分程度で非常に
短く、所期した特性を有するプリント配線板の低コスト
化、短納期化を実現できる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
体回路の密着強度を低下させることなく、導体回路間の
絶縁信頼性を確保し、しかも、プリント配線板の低コス
ト化およびその製造の短納期化を実現することができ
る。
体回路の密着強度を低下させることなく、導体回路間の
絶縁信頼性を確保し、しかも、プリント配線板の低コス
ト化およびその製造の短納期化を実現することができ
る。
【図１】(a) 〜(f) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。
線板の製造工程の一部を示す図である。
【図２】(a) 〜(e) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。
線板の製造工程の一部を示す図である。
【図３】(a) 〜(d) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。
線板の製造工程の一部を示す図である。
１ 基板
２ 銅箔
３ スルーホール
４、１１ 粗化層
５ 導電ペースト
６、１４ 無電解めっき膜
７，１５ 電解めっき膜
８ エッチングレジスト
９ 導体回路
１０ 導体層
１２ 層間樹脂絶縁層（テフロン樹脂絶縁層）
１３ バイアホール用開口
１６ めっきレジスト
１７ バイアホール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/46
H05K 3/18
H05K 3/38
H05K 1/09
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
交互に積層形成され、導体回路同士がバイアホールを介
して電気的接続されてなるプリント配線板において、前記層間樹脂絶縁層はフッ素樹脂からなり、その層間樹
脂絶縁層の表面には、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕお
よびＮｉから選ばれる少なくとも１種の金属からなる金
属核が、６〜１０μｇ／cm 2 の付着量で化学的に結合し
あるいは物理的に打ち込まれており、層間樹脂絶縁層上
には、前記金属核と結合しためっき膜からなるバイアホ
ールを含んだ導体回路が形成されていることを特徴とす
るプリント配線板。 - 【請求項２】 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
交互に積層形成され、導体回路同士がバイアホールを介
して電気的接続されてなるプリント配線板を製造する方
法において、 前記層間樹脂絶縁層をフッ素樹脂から形成し、その層間
樹脂絶縁層の表面には、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉから選ばれる少なくとも１種の金属からなる
金属核を、６〜１０μｇ／cm 2 の付着量で化学的に結合
しあるいは物理的に打ち込んだ後、その金属核を触媒と
してめっきを行なうことにより、バイアホールを含んだ
導体回路を形成することを特徴とするプリント配線板の
製造方法 。 - 【請求項３】 前記層間樹脂絶縁層の表面に、ＣＶＤ
（化学蒸着）法あるいはＰＶＤ（物理蒸着）法により、
金属核を、化学的に結合しもしくは物理的に打ち込むこ
とを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28050097A JP3373406B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | プリント配線板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28050097A JP3373406B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | プリント配線板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121905A JPH11121905A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3373406B2 true JP3373406B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=17625962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28050097A Expired - Fee Related JP3373406B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | プリント配線板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373406B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4545866B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2010-09-15 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板用回路基板の製造方法 |
| US6867983B2 (en) | 2002-08-07 | 2005-03-15 | Avery Dennison Corporation | Radio frequency identification device and method |
| JP4752357B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-08-17 | 日立化成工業株式会社 | 積層板の製造方法およびプリント配線基板の製造方法 |
| JP6208411B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2017-10-04 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| JP6324688B2 (ja) * | 2013-09-12 | 2018-05-16 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | フレキシブルプリント配線板、多層プリント配線板及びフレキシブルプリント配線板の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP28050097A patent/JP3373406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11121905A (ja) | 1999-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE40947E1 (en) | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole | |
| JP2007235165A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JPH1187928A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP3373406B2 (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPH11214846A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP2001015928A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP4159136B2 (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP2000091750A (ja) | スルーホールの形成方法、多層プリント配線板の製造方法、およびスルーホール形成基板、多層プリント配線板 | |
| JP4468528B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法。 | |
| JPH11243280A (ja) | フィルドビア構造を有する多層プリント配線板 | |
| JPH11243279A (ja) | フィルドビア構造を有する多層プリント配線板 | |
| JPH11199738A (ja) | フッ素樹脂組成物および多層プリント配線板 | |
| JP2003115663A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP2000077851A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2000138452A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JPH11121926A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPH1117336A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2000151118A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JPH11243278A (ja) | フィルドビア構造を有する多層プリント配線板 | |
| JP4812065B2 (ja) | フィルビア構造を有する多層プリント配線板 | |
| JP2000124601A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2001015918A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2003179358A (ja) | フィルビア構造を有する多層プリント配線板 | |
| JP2009055059A (ja) | フィルビア構造を有する多層プリント配線板 | |
| JP2007201508A (ja) | 多層プリント配線板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |