JP3385504B2 - レーザ加工装置、及びレーザ加工装置による照射方法 - Google Patents
レーザ加工装置、及びレーザ加工装置による照射方法Info
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Description
のパルス状のレーザビームを被加工基板に照射して加工
を行うレーザ加工装置、及びレーザ加工装置による照射
方法に関する。
う、プリント配線基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント配線基板を積層した多層プリント配
線基板が提供されている。このような多層プリント配線
基板では、上下に積層されたプリント配線基板間で導電
層(銅箔)同士を電気的に接続する必要がある。
縁層(通常、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のポリマ
ー)に、下層の導電層に達するバイアホールと呼ばれる
穴を形成し、その穴の内部に導電メッキを施すことによ
って実現されている。そして、導電層を形成する銅箔
は、厚さが18μmから12μm、更には9μmと薄く
される傾向にある。
に、最近はレーザが利用されている。レーザを利用した
レーザ加工装置は、図2に示すように、YAGレーザ発
振器10からファイバ11を介してパルス状のレーザビ
ームを被加工基板19に照射して加工を行うものであ
る。
からパルス状のレーザビームを発生し、マスク15へ導
く。マスク15で形成されたレーザビームは、結像光学
系としての結像レンズ16を介して被加工基板19とし
てのセラミックス基板に照射される。
15との位置関係を示している。S2 は、マスク15の
穴における使用範囲を示している。
バ伝送とマスク結像光学系とを用いる場合、ファイバ1
1から出てきたレーザビームをマスクにあて、それを被
加工基板19に結像するので、ファイバ11から出てき
たビームモードによってマスクの穴を設定できる位置関
係が小さくなってしまうとともに、マスクの穴を通過す
るレーザエネルギーが大きく変化してしまう。したがっ
て、被加工基板19の加工品質が変化してしまうという
問題がある。
てきたビームモードを、均一光学系を用いて、各位置で
マスクの穴を通過するレーザエネルギーの変化を小さく
することができるレーザ加工装置、及びレーザ加工装置
による照射方法を提供することにある。
発振器と、該レーザ発振器から出射するパルス状のレー
ザビームを導くファイバと、該ファイバの出射端から出
射する前記レーザビームを導く穴を形成したマスクとを
含み、前記マスクの前記穴を通過させた前記レーザビー
ムを被加工基板に照射して加工を行うレーザ加工装置に
おいて、前記レーザビームのビームモードを変化させレ
ーザエネルギーの強度分布を均一にするよう前記ファイ
バの前記出射端に接近する位置に設けた均一光学系と、
該均一光学系を通過させた前記レーザビームを前記被加
工基板へ照射する結像光学系とを有していることを特徴
とするレーザ加工装置が得られる。
出射させたパルス状のレーザビームをファイバを通過さ
せ該ファイバの出射端から出射させた前記レーザビーム
をマスクへ導き、該マスクに形成した穴を通過させた前
記レーザビームを被加工基板に照射して加工を行うレー
ザ加工装置による照射方法おいて、前記ファイバの前記
出射端に接近する位置に、前記レーザビームのビームモ
ードを変化させてレーザエネルギーの強度分布を均一に
するように均一光学系を設け、前記均一光学系を通過さ
せた前記レーザビームを前記マスクへ導き、該マスクに
形成した穴を通過させた前記レーザビームを結像光学系
へ導き前記被加工基板へ照射することを特徴とするレー
ザ加工装置による照射方法が得られる。
一実施の形態について説明する。図1は、本発明による
レーザ加工装置の概略構成を示す。図1において、ここ
では、レーザ発生源としてYAGレーザ発振器(以下、
レーザ発振器と呼ぶ)を用いている。
ーザ加工装置は、レーザ発振器10からファイバ11を
介してパルス状のレーザビームを被加工基板19に照射
して加工を行うものである。
は、レーザビームのビームモードを変化させレーザエネ
ルギーの強度分布を均一にする均一光学系20が設けら
れている。レーザ発振器10は、ファイバ11の出射端
からパルス状のレーザビームを発生し、均一光学系20
から、入射用の光学レンズ14を介してマスク15に導
く。マスク15で形成されたレーザビームは、結像光学
系としての結像レンズ16を介して被加工基板19に照
射される。
たものと同様な、ファイバ11の先端位置のビームモー
ドとマスク15との位置関係を示している。S2 は、マ
スク15の穴における使用範囲を示している。図中のA
は、均一光学系20の出射端位置のビームモードとマス
ク15との位置関係を示している。S1 は、マスク15
の穴における使用範囲を示している。
ついて図1を参照して説明する。
発振器10からファイバ11を介してパルス状のレーザ
ビームを被加工基板19に照射して加工を行う。
は、レンズ14からマスク15の穴を通り、結像光学系
である結像レンズ16を通り、レーザビームが被加工基
板19に照射される。このレーザ加工装置における均一
光学系20は、多重反射によりレーザエネルギーの強度
分布を均一化するカライド反射鏡を有している。
を通過させたレーザビームを被加工基板19に照射する
結像光学系もしくは集光光学系を有している。均一光学
系20を通過させたレーザビームは、結像光学系もしく
は集光光学系によって被加工基板19に照射される。
を被加工基板19に照射することによって、被加工基板
19に穴あけ加工が行なわれる。均一光学系20は、フ
ァイバ11径の1.5倍以上であり、長さは断面寸法の
5倍以上に設定されている。
AGレーザ発振器の場合には、無酸素銅の他にベリリウ
ムが考えられる。他方、YAGレーザ発振器、エキシマ
レーザ発振器を使用する場合には、石英のようなガラス
材料を使用することもできる。
はマルチモードの強度分布を持つレーザを入射用集光レ
ンズによりカライド反射鏡に入射させ、カライド反射鏡
ではその内部での多重反射を利用してレーザビームのエ
ネルギー強度分布を均一にするためのものである。
光学レンズ14を通してレーザビーム形成用のマスク1
5に入射する。断面形状を形成されたレーザビームは、
結像レンズ16により縮小投影され、ガルバノスキャナ
と呼ばれる走査系により振られ、fθレンズと呼ばれる
光学レンズを通してX−Yステージ上の被加工基板19
に照射される。
動であり、被加工基板19の1つの被加工領域に対する
加工が終了すると、走査系による走査域に被加工基板1
9の次の被加工領域が位置するように被加工基板19を
移動させる。
状及びサイズは、マスク15における開口の形状と、そ
こからのレーザビームを縮小投影する結像レンズ16
と、光学レンズの焦点距離との比で決定される。
ームを被加工基板19に照射することによって、被加工
基板19に穴あけ加工が行なわれるが、穴あけ加工以外
にも、溶接、表面処理など、マスク15の形状を変えて
も対応することができる。
レーザ加工装置は、ファイバから出てきた光のモードを
トップハット形状になるように、均一光学系を用いて、
マスクの穴を通過するレーザエネルギーの変化を小さく
することができる。
ネルギー強度分布を均一化できるので、穴あけ加工に適
している。
すると、従来よりも50%以上の広い範囲にて加工品質
が安定する。
た図である。
ある。
Claims (6)
- 【請求項1】 レーザ発振器と、該レーザ発振器から出
射するパルス状のレーザビームを導くファイバと、該フ
ァイバの出射端から出射する前記レーザビームを導く穴
を形成したマスクとを含み、前記マスクの前記穴を通過
させた前記レーザビームを被加工基板に照射して加工を
行うレーザ加工装置において、前記レーザビームのビー
ムモードを変化させレーザエネルギーの強度分布を均一
にするよう前記ファイバの前記出射端に接近する位置に
設けた均一光学系と、該均一光学系を通過させた前記レ
ーザビームを前記被加工基板へ照射する結像光学系とを
有していることを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のレーザ加工装置におい
て、前記均一光学系は、多重反射によりレーザエネルギ
ーの強度分布を均一化するカライド反射鏡を含むことを
特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項3】 請求項1記載のレーザ加工装置におい
て、前記結像光学系は、前記均一光学系を通過させた前
記レーザビームを縮小投影して前記被加工基板に照射す
る結像レンズであることを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項4】 レーザ発振器から出射させたパルス状の
レーザビームをファイバを通過させ該ファイバの出射端
から出射させた前記レーザビームをマスクへ導き、該マ
スクに形成した穴を通過させた前記レーザビームを被加
工基板に照射して加工を行うレーザ加工装置による照射
方法おいて、前記ファイバの前記出射端に接近する位置
に、前記レーザビームのビームモードを変化させてレー
ザエネルギーの強度分布を均一にするように均一光学系
を設け、前記均一光学系を通過させた前記レーザビーム
を前記マスクへ導き、該マスクに形成した穴を通過させ
た前記レーザビームを結像光学系へ導き前記被加工基板
に照射することを特徴とするレーザ加工装置による照射
方法。 - 【請求項5】 請求項4記載のレーザ加工装置による照
射方法において、前記結像光学系は結像レンズであり、
前記マスクに形成した穴を通過させた前記レーザビーム
を前記結像レンズによって縮小投影して前記被加工基板
へ照射することを特徴とするレーザ加工装置による照射
方法。 - 【請求項6】 請求項5記載のレーザ加工装置による照
射方法おいて、前記 結像レンズによって縮小投影した前
記レーザビームを前記被加工基板に照射することによっ
て、前記被加工基板に穴あけ加工を行うことを特徴とす
るレーザ加工装置による照射方法。
Priority Applications (1)
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JP08222598A JP3385504B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | レーザ加工装置、及びレーザ加工装置による照射方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH11277279A JPH11277279A (ja) | 1999-10-12 |
JP3385504B2 true JP3385504B2 (ja) | 2003-03-10 |
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JP2004042140A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Zosen Corp | 薄膜除去方法及び装置 |
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1998
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