JP3929084B2 - 未処理製品の表面を照射する方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の個別の部分ビームを使用して未処理製品の表面を照射する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の照射方法を実施するための装置は従来より以前から知られている。
米国特許第５，２６８，５５４号によって知られている装置の場合、レーザーのビームを様々なミラーを経て集束しつつ、処理すべき対象物の表面へと導く。調整要素によって、方向転換ミラーの位置を２つの軸の方向に変化させることができ、その結果として、処理すべき対象物の表面上の所定の面の複数の個別の作業点へとレーザービームを導くことができる。複数の露光点は順次処理される。しかし、レーザービームの偏向に応じて、未処理製品の表面上の入射点の大きさが異なってしまうという欠点がある。
【０００３】
米国特許第５，１１３，０５５号から知られている材料露光手段においては、複数の相前後して位置するミラー素子から成る光学系を通して、未処理製品の表面上の複数の点を選択的に得ることができる。
【０００４】
米国特許第４，５５３，０１７号からは、１本のエネルギービームから格子を通して複数のビームを発生し、それらのビームの焦点が全て１本の線の上に位置しているような多重ビーム発生装置が知られている。
【０００５】
ドイツ特許第４３２８８９４号により知られているレーザービームの別のビーム分割構造は、１本のレーザービームから２本の別個のビームを発生し、その後、それらのビームは未処理製品の表面上の２つの点に突き当たる（欧州特許第０３６０３２８号、ドイツ特許第４１１１８７６号、ドイツ特許第２７０８０３９号及び米国特許第４，６２３，７７６号をも参照）。
【０００６】
米国特許第４，７１３，５１８号及び米国特許第５，０５５，６５３号からは、１本のレーザービームから複数の相前後して位置するレンズを通して一方向に複数の別個のレーザービームを発生するような材料露光手段が知られている。
【０００７】
米国特許第４，９５０，８６２号から知られている材料露光手段においては、レーザービームを検流計・ミラーを通してレンズアレイへと偏向させ、そのアレイの各々個々のレンズはそのビームを未処理製品の表面に結像する。
【０００８】
現在、たとえば、金属レジスト技法における導体板上の導体経路は次のようにして製造されている（孔あけ工程とはんだ止めラックの塗布との間の簡単な説明）。
【０００９】
１）銅又は別の導電性材料を張ったプラスチック板／プラスチック箔を感光レジストで被覆する。
【００１０】
２）膜マスクを使用し、投影光学系を介して所望の導体経路のネガパターンを１）で挙げた板の上に投影する。その場合、露光された箇所でレジストが硬化するように適切な光を使用する。一般にこれはＵＶ光である。
【００１１】
３）露光後の板を現像浴に浸す。周知の技術から知られているように、このとき、レジストの露光されていない区域は除去され、後に導体経路になる銅構造が空く。
【００１２】
４）空いた銅経路上に銅を所望の導体経路厚さに至るまでガルバニック方式で形成する。
【００１３】
５）形成された銅経路に、たとえば、すず−鉛−エッチングレジストをガルバニック方式で塗布する。
【００１４】
６）適切なエッチング浴の中で残留している硬化レジストを除去（剥取り）、別のエッチング浴の中で露出している銅の面をエッチングによって除去するが、このとき、導体経路は金属レジストによって保護されている。
【００１５】
あるいは、今日、特に微細な導体板構造に適するものとして次のような方法も従来からある。
【００１６】
先に説明した工程ではあるが、導体板ＬＰを、先に述べた（膜）レジストとは異なり露光時に硬化しないで、破壊される流体レジスト（フォトラック）で被覆する。
【００１７】
レジストを乾燥させた後、所望の導体経路のポジパターン、すなわち、導体経路パターンそのままを適切な波長の光によってＬＰ上に投影し、この場所でレジストが破壊される。
【００１８】
露光後のＬＰを現像浴の中に浸し、このとき、破壊したレジストが除去されるので、後に導体経路になる銅構造が空く。
その後の経過は先に説明した通りである。
【００１９】
この露光方法の場合、投影に際してフォトマスクが必要であるという点が特に不利である。後に導体経路になる部分の縁部又は線の真偽の程度は、フォトマスクの分解能によって決まる。しかしながら、このため、縁部又は線の真偽は最小単位としてのフォトピクセルサイズ、特に膜マスクの「固有性質」（すなわち、不安定さ）によって左右される。マスクは温度、湿度及び気圧の影響を受けてその幾何学的形状を変える。これは微細構造（＜１００μｍ）の形成時に障害をもたらすように作用するので、膜の代わりに一部でマスク支持体としてガラス板を使用しなければならないが、そのためにこの工程にかかるコストは著しく高くなっている。
【００２０】
適切な波長のレーザービーム（たとえば、ＵＶレーザー）によって、前述のように事前処理した導体板をレーザー光に耐えるマスクを介して露光することができる。この方法の欠点としては、マスクの構造上、導体経路の配列が固定しており、導体軌道の配列を変更するには別のマスクが必要になるということがある。
【００２１】
また、（数値を定めて導入される）レーザービームから、後に望ましい導体経路になる場所又は導体経路のない面の上方でレジスト層の硬化又は破壊が起こるような直接露光手段も知られている。
【００２２】
レーザー個別ビーム方法の場合、マスクなしの露光又は材料除去を実行することができる。レーザービームは、露光又は材料除去を実行したい箇所へと個別に導かれる。ここで、大きな欠点となるのは、多数の導体経路又は導体経路なし面、もしくは多数の孔と構造を形成するときに時間がかかるということである。
【００２３】
Ｊｅｎｏｐｔｉｋ社製として知られている製品名Ｄｉｒｅｃｔ Ｐｒｉｎｔ４０の装置の場合には、導電性材料で被覆された導体板の上のレジスト層の直接露光をレーザービームによって行う。このとき、レーザービームが走査ミラーによって感光レジストで被覆された導体板の上へと導かれる。この装置はごく微細な導体経路の製造を可能にするが、いずれにせよ、処理時間が余りに長くなるとみなすべきである。
【００２４】
また、１９９２年５月１５日刊のＭａｒｋｔ ＆ Ｔｅｃｈｎｉｋ第２０号の１８〜１９ページに掲載された論文もこの問題を扱っている。この論文からは、製造業務用の直接露光装置において必要とされる時間が余りに長いとみるべきであるということが非常に明確にわかる。論文の中には、感光層の露光のために不可欠なcm2 当たりのエネルギー（市販のレジストの場合）も挙げられている。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、迅速に処理、且つ可変製を持たせることができる材料露光装置を提供することである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、この課題は請求項１の特徴部分によって解決される。
感光層を複数のビームによって同時に露光すると、１本のレーザービームのみを使用する露光と比べて露光プロセス全体を可変性を制約することなく著しく加速できるという利点が得られる。複数のレーザービームによるこの露光によって初めて、そのような装置の経済的な適用を可能にする処理時間を同時に実現できる。
【００２７】
本発明の思想のその他の有利な形づけは、請求項２から請求項１１の中に記載されている。
以下、本発明を添付の図面に例示されている実施の形態に基づいてさらに詳細に説明するが、その中には、他の重要な特徴並びに本発明の思想をさらに良く理解するのに有用な解説や構成の可能性を記載してある。
【００２８】
【発明の実施の形態】
装置１を実現した図１に示す実施の形態によって、１箇所又は複数箇所での露光が可能である。あるいは、この装置１を使用して、露光すべき感光レジストで被覆されている導体板１１の上に穴パターン及び線パターン、すなわち、穴と線の構造を形成するために、１箇所又は複数箇所で材料を順次又は同時に除去しつつ１箇所又は複数箇所で露光を行うことができる。
【００２９】
すなわち、この装置は（相対的に弱いＵＶ光線を使用して）導体板の上の感光層を露光するのに適しているばかりか、（相対的に強いＵＶ光線を使用して）貫通孔を形成するに至るまで材料を除去するのにも適している。このとき、除去用のレーザービームと露光用のレーザービームは類似の波長を有していると有利である。３００ｎｍないし４００ｎｍの波長をもつエキシマレーザービームであれば、現在市販されているレジスト材料の露光並びに材料除去が可能である（たとえば、波長が３５１ｎｍで、平均パルス出力は２４ワットであるＸｅＦレーザー）。露光に必要なエネルギー密度は使用されるレジスト（固体又は流体）に応じて約５ｍＪ／cm2から１３０ｍＪ／cm2の範囲にあるので、そのようなＸｅＦレーザーを使用して数百本の露光ビームを同時に発生させることができる。
【００３０】
しかしながら、除去すべき材料又はレジストに応じて、別のレーザー（たとえば、ＫｒＦレーザー（波長は２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザー（波長は３０８ｎｍ）、Ｆ2 レーザー（波長は１５７ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（波長は１９３ｎｍ）又はＣＯ2 レーザー（波長は１０〜１２μｍ））も使用可能である。
【００３１】
導体板１１はエレクトロニクスの分野において電気素子や電子素子の組立て補助手段及び接続媒体として多くの変形構造をもって必要とされる。
【００３２】
装置１について重要なのは、制御自在の構造を経て処理すべき対象物１１の表面１１ａ上の異なる別個の全ての点に向けて偏向させることができる複数の部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）を同時に有しているということである。これにより、順次処理すべき未処理製品（１１，１１′，１１″，．．．）の表面１１ａに形成すべき穴パターン又は線パターン（露光による導体経路形成又は除去）を区別することが可能になる。
【００３３】
個別のビーム（２．１1，．．．，２．１N）を発生するために、装置１はビーム分割構造４として利用されるマイクロレンズ光学系を備えたレーザービーム入射部を有しており、そのビーム分割構造４においては、複数の平行な光束を有する入射レーザービーム（２．１０，２．２０）から平行な光路をもつ多数の個別ビーム（２．１1，．．．，２．１N）を発生させる。ビーム分割構造４は図３及び図４にさらに詳細に示されている。この構造は、一般に、多数の平坦に配置された個々のレンズ（４．１１，４．２１）から成る２つの相前後するレンズアレイ（４．１，４．２）から構成されており、それらのアレイの間に、適切な数の穴（４．３１）を有する穴あきダイアフラム板４．３（ビームの幾何学的配列を改善するために利用されるが、必ずしも必要ではない）が配置されている。
【００３４】
そこで、入射したレーザービーム（２．１０，２．２０）は多数の部分ビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））に分割され、それらの部分ビームは互いにある一定の空間間隔を有する。前方のアレイ４．１のレンズ４．１１に対して後方のアレイ４．２のレンズ４．２１を変化させることにより、部分ビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））のビーム直径を変更することができる。必要があれば、周知の技法（たとえば、ピエゾ調整素子、ピストンなど）に従った調整素子としてのバー４．４又はバー全体４．４を配置することによって、部分ビーム（（２．１1，．．．，２．１N） ，（２．２1，．．．，２．２N））の１つ又は複数の直径を変化させることができる。これにより、２つのレンズアレイ（４．１，４．２）の各々のレンズ（４．１１，４．２１）の間隔を変更できる。
【００３５】
主レーザー２．１から入射して来るレーザービーム２．１０のビーム品質に応じて、このビーム分割構造４に入射する前に、ドイツ特許第３９１８２９３号によるレンズラスタ２．３と、その後に続くレーザービーム２．１０を平行にするための構造とによってビームの品質を均質化することができる。
【００３６】
主レーザー２．１からのレーザービーム２．１０の代わりに、ターゲットレーザー２．２のレーザービーム２．２０をビーム分割構造４に入射させることも可能であるが、このターゲットレーザーのビームはビームスプリッタ３によって主レーザー２．１の光路に導入され、このビームに対しては導体板上の感光レジストは感光しない。この場合、ビームスプリッタ３の被覆層は、主レーザー２．１のレーザービーム２．１０を目標をもって可変尺度で減衰できるか又はできる限り妨害なく、できる限り少ない損失をもってビームスプリッタ３を貫通し、その一方でターゲットレーザー２．２のレーザービーム２．２０はできる限り完全に主光路に導入されるように塗布されていなければならない。
【００３７】
この場合、露光を実行するためのビームスプリッタ３におけるビーム減衰手段を周知の技術に従って構成することができる。この装置の目的は、処理平面、すなわち、未処理製品１１の表面１１ａで、材料除去（たとえば、ポリイミド箔などのプラスチックの構造化）に不可欠である７５０ｍＪ／cm2 から約３０００ｍＪ／cm2 ではなく、露光のために必要な約５ｍＪ／cm2 から１３０ｍＪ／cm2 のエネルギー密度のみが得られるように、材料処理（すなわち、層除去）に合わせて値を規定されたレーザー光エネルギーを減衰することである。ところが、このエネルギー密度は照射すべき材料の材料定数によって決まり、提示されている値より著しく小さい値又は大きい値にエネルギー密度を設定することができる。
【００３８】
ビームスプリッタ３と、ビーム分割構造４とを通して、ある一定の量のビームエネルギーは失われて行く。特にビーム分割構造４においては、レーザービーム（２．１０，２．２０）はレンズ４．１１の縁部と、場合によっては冷却すべきであると思われる穴あきダイアフラム４．３とで取り上げるに値するほどの量のエネルギーを失う。とりわけ、アレイ４．１を巡っては相当量のレーザーエネルギーの損失が起こるのであるが、アレイ４．１の個々のレンズ４．１１を最適の構造となるように配置することによって、この損失を最小限に抑えることができる。
【００３９】
ビーム分割構造４の後には、ビーム分割構造４から来るビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を偏向光学系６の寸法に適合させる拡大光学系５が配置されている。偏向光学系６は図５にさらに詳細に示されている。
【００４０】
偏向光学系６は、一般に、たとえば、３つの調整素子（６．１０，６．２０，６．３０）（たとえば、圧電結晶、ピストン要素など）を介して３つの軸の方向に移動させることができる反射面６．２を有する個別の多数の素子（６1，．．．，６N ）から構成されている。この偏向光学系６から反射されて来たビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））は走査対物レンズ９に入射する。走査対物レンズ９は露光すべき導体板１１の表面１１ａにビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））を集束させる働きをする。走査対物レンズ９の使用によって、同時に、レーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））が露光すべき対象物１１の表面１１ａに垂直に又は少なくともほぼ垂直に確実に入射するように保証される。
【００４１】
走査対物レンズ９の前方には、（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N）） のうち、未処理製品の表面１１ａに到達すべきでない全ての光束を捕集する捕集マスク１４が取り付けられている。捕集マスク１４は、それに入射するビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を消滅させるように構成されている。このときにマスク１４が高温に熱せられるおそれがあるので、場合によってはマスクを適切に集中的に冷却すべきであろう。
【００４２】
捕集マスク１４と走査対物レンズ９との間に、入射して来るレーザー光（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））のごく一部分をカメラ８．２の方向に偏向させるさらに別のビームスプリッタ７が取り付けられている。このカメラ８．２は、処理すべき対象物１１の表面１１ａ上のレーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））の位置を十分に厳密に制御できるような高い分解能をもつＣＣＤカメラである。このカメラ８．２は偏向光学系６を制御する働きをする。レーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を走査対物レンズ９を通して未処理製品１１の表面１１ａに入射させると、未処理製品はレーザー放射（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））のごく一部分を再び元の方向へ反射する。元の方向へ反射されて来るこのレーザー光（（２．１′1，．．．，２．１′N），（２．２′1，．．．，２．２′N））は再び走査対物レンズ９を通過し、ビームスプリッタ７において第２のカメラ８．１へと導かれる。
【００４３】
この第２のカメラ８．１も、未処理製品１１の観察すべき表面１１ａの十分に高い分解能を有するＣＣＤカメラである。このカメラ８．１によって、レーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））の未処理製品表面１１ａにおける作業工程の進み具合を制御し且つ部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）が未処理製品１１の表面１１ａ上のどの場所に実際に入射しているかを検出することが可能になる。
【００４４】
露光すべき未処理製品１１それ自体は、未処理製品１１の１つの平面（Ｘ，Ｙ）における移動を可能にするＸ−Ｙキャリッジ１２の上にある。未処理製品１１（たとえば、導体板）が装置１の可能な露光サイズを越える大きさを有している場合には、１つの面積単位の照射が終了した後にこのキャリッジ１２を隣接する面積単位を継ぎ目なく処理できるように移動させる。この場合、キャリッジ１２の調整精度は、照射点の目標尺度からの偏差が十分に大きく下回るように非常に高い。
【００４５】
装置１の全ての可変素子（２．１，２．２，３，４．２，（６1，．．．，６N），７，１２）は制御装置１３の入力端子及び出力端子１３．１と接続している。
【００４６】
制御装置１３は材料除去と露光とを区別し、そのためにビームスプリッタ３におけるビーム減衰器を起動又は制御する。個々別々のビームのみ又はビーム全てを同時に減衰するように、このビーム減衰器を構成することができる。
【００４７】
さらに、カメラ（８．１，８．２）は制御装置の入力端子と接続している。制御装置１３と、可変素子（２．１，２．２，３，４．２，（６1，．．．，６N），７，１２）並びにカメラ（８．１，８．２）との接続によって、制御装置は個々の可変素子（２．１，２．２，３，４．２，（６1，．．．，６N），７，１２）の調整状態に関わる情報を獲得し、それらを目標に従って調整する能力を有している。制御装置１３は、未処理製品１１の表面１１ａが所望の態様と方式をもって確実に照射されるように保証する制御回路を含む。加えて、制御装置１３は新たな照射パラメータを入力するための入力部１３．２を有する。制御装置は少なくとも１台のモニタ１３．３をさらに有する。制御装置１３により、接続している装置１の各部分を調整することができる。すなわち、必要に応じてビームスプリッタ（３，７）を光路からはね上げて除去する。
【００４８】
この装置の動作方式と中央制御装置１３におけるオン，オフ自在の装置１の操作を原則的には次の動作モードに分類することができる。
−待機動作；
−試験又は監視動作；
−調整動作；及び
−処理動作
【００４９】
スイッチオン後、装置は試験又は監視動作に入り、制御装置１３に接続する全ての素子を障害の有無について検査する。障害がない場合には、制御装置１３は装置１を待機動作状態とし、そこで、全ての素子はいつでも動作できる状態にはなるが、活動してはいない。
装置の動作方式については、調整モード及び処理モードの説明と共に後にさらに説明する。
【００５０】
調整モードでは、制御装置１３により制御される座標テーブル１２は未処理製品１１又はその表面１１ａの処理すべき一部分を走査対物レンズ９の下方の作業領域の中に位置決めする。観察システム８．１によって未処理製品１１の存在を検査した後、未処理製品１１上で望まれる穴又は線の画像をターゲットレーザービームによって以下に説明するように設定して行く。
制御装置１３から発して、処理用レーザー２．１は、未処理製品１１上に露光作用をそれ以上もたず、観察システム８．１及び８．２により観察可能な光の点のみを形成するようなレーザービームに挿入されたビームスプリッタ３を通して減衰することができるレーザービーム２．１０を発生させるか、あるいは、制御装置１３によっていわゆるパイロットレーザー、すなわち、ターゲットレーザー２．２が起動されることになるが、このターゲットレーザーはビームスプリッタ３を介して、後の処理工程に際して光の点で妨害を及ぼす変化を発生するように感光層が露光されることなく未処理製品１１の上に観察可能な光の点のみを同様に形成するレーザービーム２．２０を照射装置１へと送り出す。
【００５１】
レーザービーム２．１又は２．２は、通常マイクロレンズフィールド４．１及び４．２並びに視野絞り４．３から構成されているマイクロレンズ光学系４を通して、マイクロレンズ（４．１１，４．１２）の数に相応する数の個別ビーム（（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））へと分解される。これは、一般に、マイクロレンズフィールド４．１及び４．２を互いに対して適切に配列することによって起こる。そこで、互いに平行に走る個々のビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））は拡大光学系５によって拡張、拡大される。
【００５２】
明らかに互いに離間してはいるが、互いに一定の幾何学的配列関係にある個々のビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））は、次に、偏向ユニットとして使用されている傾斜ミラーフィールド６に突き当たる。この場合、個々の傾斜ミラー（６1，．．．，６N）は、１からＮに至るｎ個の個別ミラーの全てについて、各々個々のレーザービーム２．１n が厳密に１つの、常に同一の傾斜ミラー６n に入射するように、傾斜ミラーホルダ６．２に固定されていると有利である。
【００５３】
傾斜ミラー６の素子は、その調整具合に応じて、正規の動作においては全てのビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））が捕集マスク１４の開口を通過し、ビームスプリッタ７に入射するようにビームを反射する。何本かのビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を未処理製品１１に入射させるべきでないならば、制御装置１３を介して、それらのビーム（１６．１，．．．，１６．Ｍ）が捕集マスク１４へ偏向される（ただし、光束１５中の所望のビームは通過して行く）ように適切な傾斜ミラー（６1，．．．，１６．Ｍ）を制御、調整する。図２を参照。
【００５４】
捕集マスク１４は入射したビーム１６．ｍ（ｍ＝１からＭ）を完全に吸収する。
ビームスプリッタ７は、まず、ミラー（６1，．．．，６N）から捕集マスク１４を通過して来たビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））の画像を観察システム８．２へと偏向し、観察システムはその画像を評価して、その結果を制御装置１３へ伝送する。目標ビーム画像と現在ビーム画像とが一致しない場合には、制御装置１３は適切な傾斜ミラー（６1 ，．．．，６N ）の適切な制御によって修正を実行することができる。
【００５５】
ビームスプリッタ７を通過したビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））は、次に、いわゆる走査対物レンズ９において、走査対物レンズ９を射出した後にテレセントリックに進み、未処理製品１１の表面１１ａ上に集束されるように光学的に誘導される。調整動作中のビームはエネルギーの小さいターゲットビーム（２．２1，．．．，２．２N）のみであるので、それらのビームは未処理製品１１の上の、後になって高エネルギーのビーム（２．１1，．．．，２．１N）が未処理製品１１を照射することになる箇所に、複数個の光の点を形成するだけである。それらの光の点は未処理製品１１の表面で反射され、それらの光の点の画像は「逆方向」に走査対物レンズ９を通り、ビームスプリッタ７を経て観察システム８．１へと導かれ、そこで評価されて、その結果は制御装置１３へ伝送される。未処理製品１１の表面１１ａ上の目標ビーム点画像と現在ビーム点画像とが一致しない場合には、制御装置１３は適切な傾斜ミラー（６1 ，．．．，６N ）の適切な制御によって修正を実行することができる。未処理製品１１上にあって、観察システム８．１により認識されるマークを介して、全ての光の点の位置の絶対的な正確さを検査することができる。
【００５６】
目標ビーム点画像と現在ビーム点画像とが誤差の許容範囲内で一致するならば、調整動作は成功したものとして終了し、制御装置１３は処理動作に（自動的に）切り替わるか、又は（手動操作によって）切り替えられることが可能である。調整動作中、傾斜ミラー６．ｎは、ターゲットレーザー２．２のビームが未処理製品の表面１１ａの所定の箇所に位置するように調整されていた。処理動作においては、ビームスプリッタ３を光路から外し（また、ターゲットレーザー２．２を利用していたならば、この時点でターゲットレーザーをオフし、処理用レーザー２．１を起動する）、この時点で処理用レーザービーム２．１０は１００％の強さをもって光学構造の中に入り、ターゲットレーザー２．２と同じ光路を通り、捕集マスク１４を通過したレーザービーム（２．１1，．．．，２．１N）は未処理製品１１の感光層を露光し、場合によってはそれと同時に材料除去を生じさせる。
【００５７】
未処理製品１１の選択された箇所におけるレーザービーム（２．１1，．．．，２．１N ）による照射が終了した後、調整動作に切り替わり、そこで、Ｘ−Ｙ座標テーブル１２は、未処理製品１１の次に処理すべき区域が走査対物レンズ９の下方のレーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N ），（２．２1，．．．，２．２N ））の作用領域の中に位置決めされるように、未処理製品１１を移動させることができる。続いて、再び目標決め過程を開始する。
【００５８】
レーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N） ，（２．２1，．．．，２．２N））の作用領域の中にレーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N） ，（２．２1，．．．，２．２N））によって照射すべき複数の箇所が存在しているならば、１回目の処理工程を終了した後に適切なミラー（６1 ，．．．，６N ）を、レーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N） ，（２．２1，．．．，２．２N ））が所望の新たな位置に向けられるように制御するだけである。余分のレーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））は対応するミラー（６1 ，．．．，６N ）からその目的のために設けられている捕集マスク１４へと導かれる。
【００５９】
処理用レーザー２．１が作用しているときでも、ミラー（６1 ，．．．，６N ）を材料除去並びにレジスト露光のために調整できるので、未処理製品１１の上又はその中に連続する構造が形成される。
【００６０】
導体板１１に対しては、主レーザー２．１として、感光層が感光すると共に材料除去を実行することができるような波長をもつ（パルス化）ＵＶレーザーが特に適している（光学素子をレイアウトして行くのに有利である）。そのようなレーザー２．１は、たとえば、１００〜２００Ｈｚのパルス周波数で制御下で動作可能である。典型的な導体経路の幅は約５０μｍである。ビーム分割構造４におけるエネルギー損失は５０％の大きさであるが、適切な構造にすることによって損失を減少できる。ビーム分割構造４はその構造に応じて数百本の個別のレーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））（たとえば、３０×３０，５０×５０等々）を発生し、それらのレーザービームを偏向光学系６の対応する数の素子（６1 ，．．．，６N ）を通して未処理製品１１の表面１１ａに分布させることができる。
【００６１】
材料照射手段１においては、複数の個別の部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N ）を使用して未処理製品１１の表面１１ａの照射を実行する。このとき、各々の部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）は偏向光学系６の各ビームに対応する素子（６1 ，．．．，６N ）によって偏向されるので、処理すべき対象物１１の表面１１ａ上の様々に異なる点や区域の同時照射が可能になる。偏向光学系６の個々の素子（６1 ，．．．，６N ）の位置は制御装置１３により目標通りに可変制御され、偏向光学系６の個々の素子（６1 ，．．．，６N ）はそれぞれ個別に少なくとも１つの座標方向に位置調整可能である。このとき、照射時に、処理すべき対象物１１の表面１１ａ上の感光層の材料除去と露光を相次いで又は同時に実行することができる。
【００６２】
調整に際して、部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）は偏向光学系６の前方で互いに確定された通りに、又は対象に配列している。
【００６３】
装置の偏向光学系６の素子（６1 ，．．．，６N ）の回転中心点は、全て、全体が湾曲した面の上に配置されているが、その面は平坦であっても良い。
【００６４】
偏向光学系６の素子（６1 ，．．．，６N ）に入射する部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）はそれぞれの主ビームに対して軸対称である。
偏向光学系６の素子（６1 ，．．．，６N ）から射出する部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）もそれぞれの主ビームに対して軸対称である。
【００６５】
偏向光学系６では、偏向素子（６1 ，．．．，６N ）として屈折及び／又は反射素子（６1 ，．．．，６N ）を使用することができる。
この場合には偏向光学系６は複数の反射素子６から構成されており、各々の反射素子（６1 ，．．．，６N ）はミラーである。
偏向光学系６は複数のセグメント（反射素子）（６1 ，．．．，６N ）から構成されており、それらのセグメント（６1 ，．．．，６N ）は個々に少なくとも１つの座標軸の方向に又は少なくとも１つの座標軸を中心として移動自在である。
【００６６】
ここでは、セグメント（６1 ，．．．，６N ）は２つの座標軸の方向に又は２つの座標軸を中心として移動自在である。
反射素子（６1 ，．．．，６N ）の表面６．２はこの場合には平坦である。
偏向光学系６の背後には、結像光学系９が配置されている。
【００６７】
露光ビーム（２．１1，．．．，２．１N）はレーザー光を使用する。
レーザー２．１の背後にはビームホモジナイザ２．３が取り付けられている。
レーザー２．１はパルスモードで使用される。
レーザービームの強さは、隣接する領域の偶発的な露光が起こらないように選択されている。
【００６８】
ビーム分割構造４は主ビーム２．１を複数の個別の部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N ）に分割するもので、制御自在の偏向光学系６の前方に配置されている。
このビーム分割構造は複数個のレンズ（４．１１，４．２１）から構成されている。
ビーム分割構造４は、ビーム分割構造４を経た後に個々のビーム（（２．１1，．．．，２．１N） ，（２．２1，．．．，２．２N））が相互間に一定の間隔を有するようにする働きをする２つのアレイ（４．１，４．２）から構成されている。
ビーム分割構造４は発生された部分ビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））を三次元配分させる。
ビーム分割構造４の背後には、拡大光学系５が配置されている。
【００６９】
装置には露光のために、感光層で被覆した導体板が導入される。
処理すべき未処理製品の表面に至るまでの部分ビーム（（２．１1 ，．．．，２．１N） ，（２．２1，．．．，２．２N））のビーム経路はテレセントリックな経路である。
【００７０】
部分ビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））は、それぞれの材料除去／材料露光の条件を満たす角度αを成して処理すべき部分に当たるのであるが、この角度αは５°より小さいのが有利である。
装置１には、処理平面に可変ビーム直径を形成するためのズームシステム５が含まれている。
【００７１】
本発明による装置を使用した導体板製造に際して可能な処理技術プロセスを次のように説明することができる。
【００７２】
１）従来の通りに導体板をコンピュータ（たとえば、ＣＡＤシステム）で設計するか、あるいは、手書きにより設計する。
２）導体板に関して生成されたデータ列を本発明によるシステムのコンピュータへ転送するか、あるいは、手動操作でそれらのデータを入力する。
３）レジスト材料又は感光ラックで被覆し且つ導電性材料を張った導体板の基板を装置の中に導入する。（あるいは、感光電着レジストの場合には、未処理の、すなわち、レジストなしの基板を装置に送り込まなければならない。）
【００７３】
４）ａ）材料除去のために、板の上又はその中にレーザーによって構造（貫通孔、盲穴、溝穴など）を形成する。（このとき、フォトレジストはエネルギー密度がたとえば１０００ｍＪ／cm2 であるエキシマレーザービームに対し障害とはならない。）感光電着レジストを使用する場合、この処理工程の後にレジストを塗布する。
４）ｂ）板を露光のために、たとえば、７０ｍＪ／cm2 に減衰させた出力レーザーによって、又は適切に出力を減衰させた付加的な主レーザーを挿入することによって（先に説明したターゲットレーザーと同様に挿入される）、フォトレジスト材料中に所望の導体経路構造が形成されるように露光する。
このとき、方法工程４ａ）及び４ｂ）を順次実施しても良いし、同時に実施しても良い（感光電着レジストの使用時には同時はなし）。
【００７４】
５）その後のガルバニック処理に備えて、従来の技術で知られているように、このように構造を形成し、露光した板を取り出す。
【００７５】
このような導体板の製造方法で特に有利な点は、微細で精密な構造をこれまでは不可能であったような最小限の時間の中で形成できることである。さらに、１台の装置で導体経路の形成と、除去部分の形成の双方が可能であるので、従来の技術と比較した場合、導体板製造時にいくつかの作業工程と処理機械が省略されている。
【００７６】
導体板１１上の導体経路を露光すると共に、露光のために感光ラックで被覆されている材料除去部分を形成する装置１は、次のような利点を有する。
【００７７】
ａ）導体経路の幅又は穴の直径の下限がない。すなわち、５から３０μｍ未満の幅の導体経路又は５から３０μｍ未満の直径の穴が可能である。
ｂ）導体経路や穴はマスク又は膜に従って固定配列されるのではなく、導体経路画像又は穴画像のパターンは可変調整自在である（製造の融通性はきわめて高い）。
ｃ）レーザーマスクは不要になり、従って、発生したレーザー光をさらに十分に利用できる。
【００７８】
ｄ）導体経路の形状又は穴画像の形状が幾何学的に見て適正である。
ｅ）導体経路又は穴のパターン画像が可変で、自在にプログラム可能である。
ｆ）導体経路又は穴の画像のパターンの密度が可変で、自在にプログラム可能である。
ｇ）導体板ごとの導体経路パターン又は穴パターンの数が可変で、自在にプログラム可能である。
【００７９】
ｈ）処理時間が短い。
ｉ）導体板表面を構造化できる（すなわち、たとえば、突出した導体経路又は様々に異なる平面高さをもつ導体経路の形成）
ｊ）導体経路又は穴の位置精度が高い。
ｋ）様々に異なるレーザー又はレーザービーム波長の使用が可能である。
ｌ）露光ライン又は処理ラインへの組込みが可能であり、露光ライン又は処理ライン上の未処理製品を自動的に送り込むこと、あるいは、露光ライン又は処理ラインから再び自動的に送り出すことができる。
【００８０】
図６には、図１の装置１を再度示すが、この場合、別個のズームシステムによってビームの横断面を変化させる。このズームシステムは拡大光学系５の一体の構成要素である。先の拡大光学系５とは異なり、この光学系は少なくとも１つの別のレンズ（５．１，５．２，５．３）を有し、また、少なくとも１つのレンズ（５．２，５．３）は光軸に沿って入射レンズ５．１に対して調整自在である。ビーム分割構造４から入射して来る対称のビームが拡大光学系５を射出するときも再び対称に進むように、調整を実行することができる。
【００８１】
以上説明した実施の形態では、照射手段１に複数の個別ビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を同等に入射させるのであれば、ビーム分割構造４を設けないでおくことも可能であろう。図の説明の中に示す通り、使用されるビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））はレーザービームである必要はない。別の偏向自在のビームを使用しても良く、たとえば、偏向しにくいビーム、すなわち、偏向に余りに多くのエネルギー損失が伴うようなビームの場合、ビームの発生を偏向構造６に直接委ねることができる。これは、たとえば、ＣＯ2 レーザーの射出開口又はレーザーダイオードであっても良い。最後に、本発明による思想を部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）を発生するための１つ又は複数の構造並びに各々のビームに適する、それらのビームを偏向するための構造６において最小限実現できる。
【００８２】
特に以上説明したようにレーザービーム（２．１０，２．２０）を使用すると、様々な形で個別ビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を発生させることができ、それらのビームは直ちに又は後になってある一定の間隔をもって互いに平行に整列されることになる。個々のビーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N））を多様な態様と方式（格子、ビーム、スプリッタなど）によって発生し、後になって整形することができる。実施の形態の中で挙げ、解説した発生方式は、目下のところ、最も容易で、コスト面で最も妥当な方式であるにすぎない。特に、十分な横断面をもち、周波数及びエネルギー密度が適切であるレーザーダイオード（すなわち、平坦に配列したレーザーダイオード）は、将来、部分ビーム（（２．１1 ，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を発生する、上記の方法と競合する方式になりうるであろう。
【００８３】
ビーム分割構造４から射出する部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）が既に所望の横断面を有しているならば、ビーム分割構造４の後に拡大光学系５を設けなくとも良い。
【００８４】
偏向光学系６からの部分ビーム（２．１1，．．．，２．１N）が処理すべき表面１１ａの外側においてそれに適する領域へ偏向することができるのであれば、捕集マスク１４を設けなくとも良い。
【００８５】
照射時に十分な時間があるか又は照射時のはずれが許容されるのであれば、すなわち、ビーム偏向光学系６が常に所望の態様と方式で確実に動作できる（偏向構造の制御）のであれば、２台のビーム制御用カメラ（８．１，８．２）の一方を設けなくとも良い。
【００８６】
縁部で傾斜材料照射が許容される、すなわち、処理すべき表面１１ａの寸法上、許されるのであれば、走査対物レンズ９を設けなくとも良い。
処理すべき表面１１ａが偏向光学系６の偏向能力を越えることが決して起こりえないのであれば、Ｘ−Ｙワークテーブル１２を設けなくとも良い。
【００８７】
また、レーザービーム（（２．１1，．．．，２．１N），（２．２1，．．．，２．２N ））を使用する場合、偏向光学系６は実際には異なる外観を呈していても良い。反射面の代わりに、周知の別の種類のビーム偏向構造（レーザービームであれば、たとえば、一対の平面レンズ又は一対の回転楔）を使用することも可能であり、屈曲体を使用すると、エネルギー損失の増加という結果を招く。
【００８８】
未処理製品の表面１１ａ上でのビーム位置確定のために処理用レーザー２．１をビームスプリッタ３によって十分に減衰させることができるのであれば、ターゲットレーザー２．２の使用を取りやめても良い。
使用するビームの横断面は図示されているような丸形である必要はなく、周知の従来の技術に従って可能であるどのような形状をとっていても良い。
【００８９】
走査対物レンズ９は２つの相前後して配列されたレンズ（９．１，９．２）から必ず構成されていなければならないということはなく、照射軸並びにそれに対し垂直な座標軸に関してレンズ数を変えても良い。
ビーム分割構造４の役割を、たとえば、偏向光学系６が果たすのであれば、ビーム分割構造４も設けなくて良い。
【００９０】
図１に関して説明したように主レーザーのビームを減衰させるのではなく、感光層の露光のために、材料除去のために使用されるレーザーとは別のレーザーを使用することができる。そこで、必要に応じて出入れ可能な構成の別のビームスプリッタを通して、補助レーザー、すなわち、ターゲットレーザー２．２と、露光用レーザーの双方を主光路に導入することができる。この場合、３本のレーザー全てを交互に又は適切に組合わせて使用する。実現可能な装置は偏向手段の個々の素子（ミラー素子）を選択的に照射できる。露光用ビーム源（たとえば、有利である３６４ｎｍの波長の場合に３ワットの平均出力）と、材料除去用ビーム源（たとえば、有利である３０８ｎｍの波長の場合に６０ワットの平均出力）とによって、それらの素子を選択的に又は独占的に照射することができる。
【００９１】
ビーム直径を前述のようにビーム分割構造４又は別個のズームシステムによって変更できる。
その場合、別個のズームシステムをビーム分割構造４と拡大光学系５との間に目的にかなうように統合すべきであろう。このズームシステムは、レーザーによる材料除去と露光の双方に際して、様々に異なるビーム直径を発生でき、しかも、従来の技術に従って、システムの構造に応じて、全てのビームについて共通して又はビームのごく一部に対してビーム直径を変更できる。すなわち、異なるビームに対して様々に異なるビーム直径を提供できる。
【００９２】
そのため、様々に異なる大きさの構造を１回の工程で同時に又は順次、複数の微細な構造の重なりを必要とせずに、形成又は露光することができる。
このとき、穴の直径又は導体経路の幅は目的にかなうためには５から４０／１００μｍの範囲にあるべきであろう。
【００９３】
導電性材料で被覆した導体板の上に感光レジストを設ける代わりに、導体板の上に導電性材料の微細な粉末（たとえば、日本の大阪にあるＮｉｐｐｏｎ Ｐａｉｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．社又はＦｕｊｉ Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．社から入手可能である感光電着レジストなど）を薄い層を成すように塗布することによっても導体経路の形成を行うことができ、この粉末層はレーザービームの作用を受けて閉じた、連なる導体経路となるように導体板としっかりと結合する。その場合、照射を受けなかった粉末は導体板の照射後に容易に除去可能である。適切な材料は周知の従来の技術から知られている（先に挙げたものを参照）。
【００９４】
また、非導電性材料を導電状態へ移行させ、その中で導体経路を形成するために、非導電性材料をレーザー光で照射する手段を使用することも考えられる。それらの材料は周知の従来の技術から知られている。
【００９５】
この手段では、レーザービームを適切に集束させることによって導体経路をそれぞれ所望の深さで形成できる。このとき、各々の平面で、好ましくは最も下方に位置する平面から始めて導体経路を別個に形成して行くと、三次元空間で、互いに接続している必要のない（ただし、接続していても良い）互いに交差する導体経路を形成することができる。
【００９６】
また、導電性原子（たとえば、クロム原子）を打ち込み、その後にレーザービームを基板（たとえば、シリコン）上の、レーザー光によって走査される箇所にのみ到達させるようにして、レーザービームにより構造を形成することも知られている。この場合にも、本発明の装置を使用して初めて、この動作を許容しうる時間内で実行できる。
【００９７】
以上説明した未処理製品の表面を露光し且つ材料除去する装置は、未処理製品の表面でより迅速に露光と材料除去を可能にするために、複数の個別の部分ビームを同時に使用する。放射（たとえば、ＵＶレーザー光、ＵＶ光又は他の適用可能なビーム）を使用する導体板の直接露光はマスク膜の使用を不要にすると共に、後に導体経路及び／又は穴の構造の精密度を向上させるので、１００μｍ又は５０μｍより明らかに小さい構造及び導体経路や、５μｍ未満の直径の穴を非常に短い時間の中で形成できる。
【００９８】
材料処理（たとえば、孔、縁部又は凹部の形成）と感光層の露光の組合わせが同一の装置で可能であることは特に有利である。
その場合、各々の部分ビームはそれに対応する偏向構造の各素子によって偏向され、それぞれの偏向を制御手段により少なくとも１つの軸の方向に自在に調整することができる。
【００９９】
その結果、処理すべき対象物の表面上の様々に異なる点の同時照射が可能になる。
偏向構造の個々の素子を制御装置により目標を規定して変化させることが可能であり且つ偏向光学系の個々の素子の位置を少なくとも１つの座標方向に移動自在であるために、従来の技術と比べてそれをはるかに越える速度で照射を行えると共に、偏向を静的に（すなわち、露光が終了するたびに）、そして、動的に（すなわち、露光中）変更できるので、同時に新たな能力が得られる。
【０１００】
点状の照射が可能であるのみならず、同時に線形の構造や導体経路を未処理製品の表面に形成することもできる。
本発明により、未処理製品の表面上の複数の、自在に選択できる場所で同時に露光又は除去を実行できるので、著しく高速の手段を得ることが可能である。次に続く未処理製品について、それらの場所が同一の位置にある必要はなく、自在に場所を確定できる。
【０１０１】
偏向構造の前方でビームが互いに対して規定されているか、又は対称に配列されているならば、未処理製品の表面に対して悪影響を及ぼすようなことなく、偏向構造を照射軸に沿って移動させることができる。
偏向手段の素子の回転中心点が全て１つの平面に配置されているならば、コンパクトな構造の装置が得られる。しかしながら、光学的に見てこれには欠点がある。
【０１０２】
これに対して偏向手段の素子を放物線に沿って配置された場合には、全てのビームは照射空間の中でテレセントリックに進み、一様に分布している。この利点を相殺するものとして、ビームごとに交差距離が異なり、そのために鮮鋭度の問題が起こるという欠点もある。
【０１０３】
偏向手段の素子から射出するビームが少なくともほぼ捕集マスクの中心に位置する焦点と少なくともほぼ一致とする点で交わるように素子を球面に配列すれば、この問題を回避することができる。このとき、偏向手段の素子の表面を球面に形成できる。これは、場合によっては、コスト高という欠点をもたらす。
【０１０４】
偏向構造の素子から進んで来る部分ビームがそれぞれの主ビームに対して対称であるならば、処理すべき表面領域を自在に選択できる。その場合、走査対物レンズと処理すべき表面との間隔を一定のままにしておかなければならない。
偏向構造においては、偏向素子として屈折及び／又は反射素子を使用できる。それらの素子は、周知の従来の技術によって非常に妥当なコストを製造できるという利点を有する。
【０１０５】
偏向構造が反射素子から構成されているならば、特に電磁ビームを非常に良く偏向させることができる。反射素子としては、特に、ミラーが適している。
偏向構造は複数のセグメントから構成されている。これにより、製造コストは非常に妥当なものとなる。このとき、各々のセグメントは個々に少なくとも１つの座標軸の方向に又は少なくとも１つの座標軸を中心として移動自在であるべきだろう。偏向面に対し直交する座標軸の方向に移動自在であると、各々個々の焦点を未処理製品の表面に関して高さ変化させることが可能になる。座標軸を中心として移動自在であると、処理平面においてビームの位置を変化させることができる。
【０１０６】
セグメントが２つの座標軸の方向に又は２つの座標軸を中心として移動自在であると有利である。これにより、１本の照射線に沿った点の照射のみならず、未処理製品の表面上の全ての点の照射が可能になる。
ビームの影響をできる限り少なくしてビームの入射光束も、反射後の光束も平行な経路をとれるように、反射素子の表面を平坦にすることができる。
【０１０７】
偏向手段の背後には、ビームが未処理製品の処理すべき表面にできる限り垂直に入射するように、走査光学系と呼ぶことができる結像光学系を配置すべきであろう。
ただし、（たとえば、ミラーを使用するときなどに）反射されたビームが偏向構造の素子を通して未処理製品の表面上へ集束されるように、偏向構造の素子の表面の形状を定めることも可能である。その場合には、状況に応じて走査対物レンズを設けなくとも良い。
【０１０８】
レーザー光については、低コストでビームを誘導するためのきわめて好都合な技法が知られており、さらに、波長を適正に選択すれば、レジストの露光と材料除去の双方が可能であるので、ビームはレーザー光から成るのが好ましい。レーザービームは、偏向が容易であり且つ安価な光学系を使用して変化させることができるというもう１つの利点を有する。その一方で、別の分割可能な光束も使用可能である（たとえば、電子ビーム、Ｘ線ビームなど）。
【０１０９】
特にビームがレーザー光から形成されている場合には、各部分ビームに対する構造が別個の偏向光学系を含んでいると有利である。
そこで、この偏向構造の中には屈折素子が含まれているべきであろう。これにより、互いに対して少なくとも規定されて又は対称に偏向構造に入射する光束の使用が可能になり、そのような光束は偏向構造を通して初めて未処理製品の表面に集束される。この屈折素子は、多数の部分ビームがその素子を同時に使用できるように、反射素子の上又はその背後にあるのが好ましい。
【０１１０】
レーザーから発する放射が全ての部分ビームについて等しい大きさのエネルギー密度を有するように、レーザーの後にビームホモジナイザがあると有利である。使用可能なビームホモジナイザは、たとえば、ドイツ特許第３９１８２９３号から知られている。ビームホモジナイザによって、１本のレーザービームから形成される多数の部分ビームは確実に等しい値の強さを有することができるようになる。
【０１１１】
パルス状レーザーを使用すると、第１に低コストでより高い出力を実現でき、第２にパルスビームによって目標に従って表面照射を実行できる（たとえば、望ましくない焦点ぼけを防止すること又は未処理製品における望ましくない熱の副作用を防止すること）ので、レーザーをパルスモードで動作させることができる。しかしながら、特に露光のときには連続するビームが好ましい。
【０１１２】
パルス動作モードの場合、レーザーフラッシュの強さは、まさに十分な露光が起こるように選択される。これにより、処理すべき製品の表面に線状の構造や線状の導体経路を常に一定の幅をもって形成できる。
少なくとも１本のビームを複数の別個の部分ビームに分割するビーム分割構造が設けられているならば、必要とされるビーム源の数は著しく減少する。これにより、強いビームをそれぞれが十分なエネルギー密度を有する複数の弱いビームに分割する。その結果、部分ビームの発生時のコストを低減することができる。このとき、ビーム分割構造は制御自在の偏向構造の前方に配置されているのが好ましい。
【０１１３】
ビーム分割構造を複数個のレンズから構成すれば、非常に簡単な構造が得られる。ビーム分割構造を通過した後に個々のビームが一定の間隔をおいて互いに離間するように作用する２つのアレイからビーム分割構造を構成すると、この単純な構成はさらに有利なものとなる。
【０１１４】
平面を個々にできる限り迅速に処理できるようにするために、部分ビームの分割は平坦に行われる。このとき、未処理製品の表面で形成された部分ビームを二次元配分する１つのアレイからビーム分割構造を構成すると有利である。
【０１１５】
照射フィールドの大きさを偏向構造の大きさに適合させるために、ビーム分割構造の後に拡大光学系が配置されている。
ビームは処理すべき被覆済み導体板に、その都度の必要条件に適合する角度αを成して入射する。先に説明した装置においては、角度αを非常に小さくとることができる（たとえば、５°未満）。これにより、形成すべき導体経路の幅が一様になると共に、それらの領域、たとえば、穴又は線の形状をごく厳密に規定できるようになるのである。
【０１１６】
露光時、未処理製品の表面上の露光場所の位置を制御自在の偏向手段によって静的に又は動的に変化させることができる。
光学的数値の計算を容易にするためには、露光用レーザーと材料除去用のレーザーとを同一にすべきであろう。ただし、異なるレーザーを選択的に取り上げることも可能である。
レーザーの波長は１９３ｎｍないし１２μｍの範囲にすべきであろうし、また、未処理製品の表面上のエネルギー密度は材料除去に際しては約７５０〜３０００ｍＪ／cm2 、レジスト露光時には約５〜１３０ｍＪ／cm2 とすべきであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の方法に使用可能な装置の全体構成を示す概略図。
【図２】 捕集マスクの詳細図。
【図３】 ビーム分割構造の詳細な側面図。
【図４】 ビーム分割構造の平面図。
【図５】 偏向光学系の１つの素子を下から見た図。
【図６】 別個のズームシステムを含む図１による全体構成を示す概略図。
【符号の説明】
２．１…主レーザー、２．２…ターゲットレーザー、２．１1 ，．．．，２．１N，２．２1，．．．，２．２N …部分ビーム、２．３…レンズラスタ、２．１０，２．２０…入射レーザービーム、３…ビームスプリッタ、４…ビーム分割構造、４．１，４．２…レンズアレイ、６…偏向光学系、６1，．．．，６N…素子、９…走査対物レンズ、１１…導体板、１１ａ…表面。

Claims (10)

  1. 未処理製品の表面の感光層を露光する方法において、
    互いに分離し平行な複数の個別の部分ビームを形成するステップと、
    前記複数の部分ビームの各々を個別に調整可能に偏向するために偏向構造の複数の移動可能な偏向素子を前記複数の部分ビームに個別に対応させるステップと、
    前記複数の部分ビームの各々を個別に前記感光層上の可変位置に偏向させるために前記複数の偏向素子を制御するステップであって、対応する前記複数の部分ビームの各々を前記未処理製品の表面上の異なる点又は区域に同時に照射させて前記感光層を露光するステップと
    を含む方法。
  2. 請求項１に記載の方法において、
    前記複数の部分ビームを偏向構造の前で互いに規定された形に又は対称に配列させるステップ、
    を更に含む方法。
  3. 請求項１に記載の方法において、
    前記複数の部分ビームとしてレーザー光を使用する、方法。
  4. 請求項１に記載の方法において、
    前記レーザー光を未処理製品の表面に当てる前にビームホモジナイザによって均質化するステップ、
    を更に含む方法。
  5. 請求項１に記載の方法において、
    主レーザー装置が前記複数の部分ビーム用の前記レーザービームを発生するステップと、そして
    隣接する領域が偶発的に露光されないように前記レーザー光の強さを選択するステップと、
    を更に含む方法。
  6. 請求項１に記載の方法において、
    アレイから成るレーザービーム分割構造を利用して前記複数の部分ビームを三次元配分させるステップ、
    を更に含む方法。
  7. 請求項１に記載の方法において、
    感光性レジスト材料で被覆されたプリント回路板を材料露光装置中へ露光のために導入するステップ、
    を更に含む方法。
  8. 請求項１に記載の方法において、
    前記未処理製品の表面の処理平面を決めるステップと、そして
    ズームシステムを利用して前記露光ビームの直径を可変するステップと、
    を更に含む方法。
  9. 請求項８に記載の方法において、
    露光時の露光ビームの波長が３００ｎｍないし４００ｎｍの範囲にある、方法。
  10. 請求項１に記載の方法において、
    前記未処理製品の表面上の感光層の材料除去と露光を相次いで又は同時に起こさせるステップ、
    を更に含む方法。
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