JPH11245071A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH11245071A JPH11245071A JP10049528A JP4952898A JPH11245071A JP H11245071 A JPH11245071 A JP H11245071A JP 10049528 A JP10049528 A JP 10049528A JP 4952898 A JP4952898 A JP 4952898A JP H11245071 A JPH11245071 A JP H11245071A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅箔部と絶縁樹脂基板とを同一の工程で連続
的に加工できるレーザ加工装置を提供し、直径５０μｍ
以下のビアホールを歩留まりよく形成できるようにす
る。 【解決手段】 パルス発振型レーザ発振器１１は、制御
部２１の制御により紫外レーザ光を発生する。紫外レー
ザ光は、光学系によりガルバノスキャナ１２に導かれ
る。ガルバノスキャナは、制御部２１の制御により紫外
レーザ光を所定方向へ出射する。ガルバノスキャナから
の紫外線レーザ光は、ｆ−θレンズ１３により、被加工
物１４へ垂直に入射し、被加工物を加工する。アッテネ
ータ１９は、アッテネータ層入部２０に連結されてお
り、アッテネータ層入部は、制御部からの指示に基づい
てアッテネータを光路上に挿入したり取り除いたりす
る。アッテネータは、紫外レーザ光を減衰させ、被加工
物の銅箔部の加工を阻止する。
的に加工できるレーザ加工装置を提供し、直径５０μｍ
以下のビアホールを歩留まりよく形成できるようにす
る。 【解決手段】 パルス発振型レーザ発振器１１は、制御
部２１の制御により紫外レーザ光を発生する。紫外レー
ザ光は、光学系によりガルバノスキャナ１２に導かれ
る。ガルバノスキャナは、制御部２１の制御により紫外
レーザ光を所定方向へ出射する。ガルバノスキャナから
の紫外線レーザ光は、ｆ−θレンズ１３により、被加工
物１４へ垂直に入射し、被加工物を加工する。アッテネ
ータ１９は、アッテネータ層入部２０に連結されてお
り、アッテネータ層入部は、制御部からの指示に基づい
てアッテネータを光路上に挿入したり取り除いたりす
る。アッテネータは、紫外レーザ光を減衰させ、被加工
物の銅箔部の加工を阻止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ加工装置に関
し、特に、プリント配線基板の穴あけを行うレーザ加工
装置に関する。
し、特に、プリント配線基板の穴あけを行うレーザ加工
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板の表面に印刷形成され
た導電層と裏面に形成された導電層とを接続するため、
あるいは、複数のプリント配線基板を重ね合わせた多層
プリント配線基板の各層に形成された導電層間を電気的
に接続するため、各基板には、ビアホールと呼ばれる穴
が形成される。
た導電層と裏面に形成された導電層とを接続するため、
あるいは、複数のプリント配線基板を重ね合わせた多層
プリント配線基板の各層に形成された導電層間を電気的
に接続するため、各基板には、ビアホールと呼ばれる穴
が形成される。
【０００３】以前は、ビアホールの穴あけには、ドリル
等が用いられていたが、最近では、精度や速度などの点
から、レーザ光を用いて行われるようになってきてい
る。
等が用いられていたが、最近では、精度や速度などの点
から、レーザ光を用いて行われるようになってきてい
る。
【０００４】従来のコンフォーマル工法と呼ばれる、レ
ーザ光を用いたビアホール穴空け方法を図３に示す。こ
の方法では、まず、化学的処理（ケミカルエッチング）
によって、図３（ａ）に示すように、上層銅箔部３１に
直径１００〜２００μｍの穴３２を形成し、絶縁樹脂基
板（Resin ）３３を露出させる。
ーザ光を用いたビアホール穴空け方法を図３に示す。こ
の方法では、まず、化学的処理（ケミカルエッチング）
によって、図３（ａ）に示すように、上層銅箔部３１に
直径１００〜２００μｍの穴３２を形成し、絶縁樹脂基
板（Resin ）３３を露出させる。
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、上層銅箔
部３１の、穴３２を含む領域に、レーザ光を照射（レー
ザアブレーション）し、その穴に露出する絶縁樹脂（Re
sin）を除去する。
部３１の、穴３２を含む領域に、レーザ光を照射（レー
ザアブレーション）し、その穴に露出する絶縁樹脂（Re
sin）を除去する。
【０００６】ここで、レーザ光としては、ＣＯ2 ガスレ
ーザからの波長約１０μｍの光が使用される。波長約１
０μｍのレーザ光は、銅箔部３１で反射されるため、上
層銅箔部３１に形成した穴３２より大きなビーム径のレ
ーザ光を用いても、穴３２の内部の絶縁樹脂基板３３の
みを除去できるからである。つまり、レーザ光のビーム
径を上層銅箔部３１に形成した穴３２の径より小さく絞
り込むための構成や、その手間が必要ない。
ーザからの波長約１０μｍの光が使用される。波長約１
０μｍのレーザ光は、銅箔部３１で反射されるため、上
層銅箔部３１に形成した穴３２より大きなビーム径のレ
ーザ光を用いても、穴３２の内部の絶縁樹脂基板３３の
みを除去できるからである。つまり、レーザ光のビーム
径を上層銅箔部３１に形成した穴３２の径より小さく絞
り込むための構成や、その手間が必要ない。
【０００７】レーザ光が照射された絶縁樹脂基板３３
は、レーザ光のエネルギー密度（フルエンス）に応じて
蒸発し、ビアホールが形成される。ビアホールの形成に
より、穴３２内に下層銅箔部３４が露出すると、そこで
レーザ光は反射され、ビアホール穴あけは自動的に終了
する。
は、レーザ光のエネルギー密度（フルエンス）に応じて
蒸発し、ビアホールが形成される。ビアホールの形成に
より、穴３２内に下層銅箔部３４が露出すると、そこで
レーザ光は反射され、ビアホール穴あけは自動的に終了
する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のコンフォーマル
工法は、銅箔部についてはケミカルエッチング、絶縁樹
脂基板についてはレーザアブレーション、と２つの異な
る工程を必要とし、手間が掛かるという問題点がある。
工法は、銅箔部についてはケミカルエッチング、絶縁樹
脂基板についてはレーザアブレーション、と２つの異な
る工程を必要とし、手間が掛かるという問題点がある。
【０００９】また、ケミカルエッチングは、直径５０μ
ｍ以下の穴を形成すると歩留まりが大きく悪化するとい
う問題点もある。
ｍ以下の穴を形成すると歩留まりが大きく悪化するとい
う問題点もある。
【００１０】本発明は、銅箔部と絶縁樹脂基板とを同一
の工程で連続的に加工でき、ビアホールの形成工程を簡
略化できるレーザ加工装置を提供することを目的とす
る。
の工程で連続的に加工でき、ビアホールの形成工程を簡
略化できるレーザ加工装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】また、本発明は、直径５０μｍ以下の穴に
ついても歩留まりよく形成することができるレーザ加工
装置を提供することを目的とする。
ついても歩留まりよく形成することができるレーザ加工
装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、紫外領
域のレーザ光を発生するパルス発振型レーザ発振器と、
前記レーザ光を被加工面上で走査するためのガルバノス
キャナ及びｆ−θレンズと、前記パルス発振型レーザ発
振器から前記ガルバノスキャナまで前記レーザ光を導く
ための光学系と、前記レーザ光の前記被加工面における
エネルギー密度を第１の値から第２の値へ変更するエネ
ルギー密度変更手段とを備えたことを特徴とするレーザ
加工装置が得られる。
域のレーザ光を発生するパルス発振型レーザ発振器と、
前記レーザ光を被加工面上で走査するためのガルバノス
キャナ及びｆ−θレンズと、前記パルス発振型レーザ発
振器から前記ガルバノスキャナまで前記レーザ光を導く
ための光学系と、前記レーザ光の前記被加工面における
エネルギー密度を第１の値から第２の値へ変更するエネ
ルギー密度変更手段とを備えたことを特徴とするレーザ
加工装置が得られる。
【００１３】ここで、前記パルス発振型レーザ発振器
と、前記ガルバノスキャナと、前記エネルギー密度変更
手段とは、同一の制御手段により制御される。
と、前記ガルバノスキャナと、前記エネルギー密度変更
手段とは、同一の制御手段により制御される。
【００１４】また、前記エネルギー密度変更手段として
は、前記レーザ光のエネルギー密度を減衰させる減衰光
学系と、該減衰光学系を前記レーザ光の光路上に挿入す
る減衰光学系挿入手段が利用できる。
は、前記レーザ光のエネルギー密度を減衰させる減衰光
学系と、該減衰光学系を前記レーザ光の光路上に挿入す
る減衰光学系挿入手段が利用できる。
【００１５】または、前記光学系によって形成される光
路上に配置され、前記レーザ光のビーム径を制限するマ
スクと、該マスクに入射する前記レーザ光を平行光にす
るコリメーションレンズとを有するレーザ加工装置の場
合は、前記エネルギー密度変更手段として、前記コリメ
ーションレンズを前記光路に沿って移動させるコリメー
ションレンズ移動手段を利用することができる。
路上に配置され、前記レーザ光のビーム径を制限するマ
スクと、該マスクに入射する前記レーザ光を平行光にす
るコリメーションレンズとを有するレーザ加工装置の場
合は、前記エネルギー密度変更手段として、前記コリメ
ーションレンズを前記光路に沿って移動させるコリメー
ションレンズ移動手段を利用することができる。
【００１６】さらに、前記エネルギー密度変更手段とし
ては、前記パルス発振型レーザ発振器の出力エネルギー
を調整する出力調整手段を利用することができる。
ては、前記パルス発振型レーザ発振器の出力エネルギー
を調整する出力調整手段を利用することができる。
【００１７】あるいは、前記光学系によって形成される
光路上に前記レーザ光のビーム径を制限するマスクが配
置されている場合は、前記エネルギー密度変更手段とし
て、前記マスクを前記光路に沿って移動させるマスク移
動手段が利用できる。
光路上に前記レーザ光のビーム径を制限するマスクが配
置されている場合は、前記エネルギー密度変更手段とし
て、前記マスクを前記光路に沿って移動させるマスク移
動手段が利用できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】図１に本発明のレーザ加工装置の一実施の
形態を示す。図１のレーザ加工装置は、紫外レーザ光
（波長４００nm以下）を発生するパルス発振型レーザ発
振器１１と、レーザ光を被加工面上で走査するガルバノ
スキャナ１２と、レーザ光を被加工面に垂直に入射させ
るｆ−θレンズ１３と、被加工物（絶縁樹脂基板と銅箔
部を含むプリンと配線基板）１４を固定する真空チャッ
クプレート１５と、真空チャックプレート１５を２軸方
向に移動可能に保持するＸ−Ｙテーブル１６と、パルス
発振型レーザ発振器１１からのレーザ光をガルバノスキ
ャナ１２へ導く光学系（ミラーとレンズを含む）と、光
学系により形成されるレーザ光の光路上に配置され、レ
ーザ光のビーム径を制限するマスク１７と、マスク１７
に到達するレーザ光を平行光とするために、マスク１７
の前段に配置されたコリメーションレンズ１８と、レー
ザ光を減衰させるためのアッテネータ（減衰光学系）１
９と、アッテネータ１９をレーザ光の光路上に挿入し、
また、光路上から取り去るアッテネータ挿入部２０と、
少なくともパルス発振型レーザ発振器１１と、ガルバノ
スキャナ１２と、Ｘ−Ｙステージ１６と、アッテネータ
層入部２０とを制御する制御部２１とを有している。
形態を示す。図１のレーザ加工装置は、紫外レーザ光
（波長４００nm以下）を発生するパルス発振型レーザ発
振器１１と、レーザ光を被加工面上で走査するガルバノ
スキャナ１２と、レーザ光を被加工面に垂直に入射させ
るｆ−θレンズ１３と、被加工物（絶縁樹脂基板と銅箔
部を含むプリンと配線基板）１４を固定する真空チャッ
クプレート１５と、真空チャックプレート１５を２軸方
向に移動可能に保持するＸ−Ｙテーブル１６と、パルス
発振型レーザ発振器１１からのレーザ光をガルバノスキ
ャナ１２へ導く光学系（ミラーとレンズを含む）と、光
学系により形成されるレーザ光の光路上に配置され、レ
ーザ光のビーム径を制限するマスク１７と、マスク１７
に到達するレーザ光を平行光とするために、マスク１７
の前段に配置されたコリメーションレンズ１８と、レー
ザ光を減衰させるためのアッテネータ（減衰光学系）１
９と、アッテネータ１９をレーザ光の光路上に挿入し、
また、光路上から取り去るアッテネータ挿入部２０と、
少なくともパルス発振型レーザ発振器１１と、ガルバノ
スキャナ１２と、Ｘ−Ｙステージ１６と、アッテネータ
層入部２０とを制御する制御部２１とを有している。
【００２０】パルス発振型レーザ発振器１１は、例え
ば、ＹＡＧレーザが用いられる。ＹＡＧレーザの発振波
長は、約１μｍなので、その第３高調波（波長３５５n
m，３５１nm）が利用される。
ば、ＹＡＧレーザが用いられる。ＹＡＧレーザの発振波
長は、約１μｍなので、その第３高調波（波長３５５n
m，３５１nm）が利用される。
【００２１】マスク１７は、レーザ光を阻止する銅ある
いはステンレス製の板に、レーザ光を通過させるための
穴を形成したものである。穴の径は、通常、被加工物に
形成するビアホールの径の１０倍程度にしてある。例え
ば、径５０μｍのビアホールを形成する場合は、径５０
０μｍである。マスクは、種々の径のビアホールの形成
に対応できるように、径の異なる複数の穴を形成してお
くことが好ましい。この場合、複数の穴に同時にレーザ
光が入射しないように、各穴と隣接する穴との間に距離
を置く必要がある。また、マスクの交換（レーザ光の通
過する穴の変更）を正確にかつ高速に行えるように、図
２（ａ）に示すように、マスクの形状を円板状にして、
径の異なる複数の穴２３を周方向に並べて配置し、モー
タ２４等により回転駆動するようにしてもよい。あるい
は、図２（ｂ）に示すように、一軸上に径の異なる複数
の穴２５を並べて配置し、その軸方向にモータ２６等
で、直線移動させるようにしてもよい。
いはステンレス製の板に、レーザ光を通過させるための
穴を形成したものである。穴の径は、通常、被加工物に
形成するビアホールの径の１０倍程度にしてある。例え
ば、径５０μｍのビアホールを形成する場合は、径５０
０μｍである。マスクは、種々の径のビアホールの形成
に対応できるように、径の異なる複数の穴を形成してお
くことが好ましい。この場合、複数の穴に同時にレーザ
光が入射しないように、各穴と隣接する穴との間に距離
を置く必要がある。また、マスクの交換（レーザ光の通
過する穴の変更）を正確にかつ高速に行えるように、図
２（ａ）に示すように、マスクの形状を円板状にして、
径の異なる複数の穴２３を周方向に並べて配置し、モー
タ２４等により回転駆動するようにしてもよい。あるい
は、図２（ｂ）に示すように、一軸上に径の異なる複数
の穴２５を並べて配置し、その軸方向にモータ２６等
で、直線移動させるようにしてもよい。
【００２２】アッテネータ１９は、アッテネータ挿入部
２０により、プリンと配線基板の銅箔部を加工する際に
は光路外に置かれ、絶縁樹脂基板を加工する際には光路
上に置かれる。これにより、被加工面におけるレーザ光
のエネルギー密度は、銅箔部を加工する際には、例えば
２〜５Ｊ／cm2 となり、樹脂基板を加工する際には、例
えば０．５〜１Ｊ／cm2 となる。なお、レーザ光の被加
工面におけるエネルギー密度は、銅箔部を加工する場合
には、数ショットのレーザ光パルスで銅箔部を貫通する
穴が形成される程度にすることが好ましい。また、樹脂
基板を加工する場合は、銅箔部にダメージを与えない程
度にまで減衰させるようにしなければならない。
２０により、プリンと配線基板の銅箔部を加工する際に
は光路外に置かれ、絶縁樹脂基板を加工する際には光路
上に置かれる。これにより、被加工面におけるレーザ光
のエネルギー密度は、銅箔部を加工する際には、例えば
２〜５Ｊ／cm2 となり、樹脂基板を加工する際には、例
えば０．５〜１Ｊ／cm2 となる。なお、レーザ光の被加
工面におけるエネルギー密度は、銅箔部を加工する場合
には、数ショットのレーザ光パルスで銅箔部を貫通する
穴が形成される程度にすることが好ましい。また、樹脂
基板を加工する場合は、銅箔部にダメージを与えない程
度にまで減衰させるようにしなければならない。
【００２３】アッテネータ挿入部２０は、制御部２１に
接続されており、制御部２１からの制御に基づいて上記
のように、アッテネータ１９を光路上に配置し、また、
光路上から取り去る。通常、プリント配線基板における
銅箔部の厚みは、１８μｍであり、２〜５Ｊ／cm2 のレ
ーザ光パルスを用いた場合、３〜５ショットで銅箔部を
貫通する穴をあけることができる。したがって、アッテ
ネータ挿入部２０は、制御部２１の制御に基づき、ビア
ホール形成開始時には、例えば、レーザ発振器からのレ
ーザ光が５パルス出射するまでは、アッテネータ１９を
光路の外に置き、レーザ発振器１１からレーザ光が５パ
ルス出射したあと、次のレーザパルスが出射される前に
アッテネータ１９を光路上に挿入する。
接続されており、制御部２１からの制御に基づいて上記
のように、アッテネータ１９を光路上に配置し、また、
光路上から取り去る。通常、プリント配線基板における
銅箔部の厚みは、１８μｍであり、２〜５Ｊ／cm2 のレ
ーザ光パルスを用いた場合、３〜５ショットで銅箔部を
貫通する穴をあけることができる。したがって、アッテ
ネータ挿入部２０は、制御部２１の制御に基づき、ビア
ホール形成開始時には、例えば、レーザ発振器からのレ
ーザ光が５パルス出射するまでは、アッテネータ１９を
光路の外に置き、レーザ発振器１１からレーザ光が５パ
ルス出射したあと、次のレーザパルスが出射される前に
アッテネータ１９を光路上に挿入する。
【００２４】また、絶縁樹脂基板の厚みは、通常５０〜
８０μｍ程度であり、０．５〜１Ｊ／cm2 のレーザ光パ
ルスを用いた場合、１０ショット以下で下層銅箔部に到
達する穴を形成することができる。
８０μｍ程度であり、０．５〜１Ｊ／cm2 のレーザ光パ
ルスを用いた場合、１０ショット以下で下層銅箔部に到
達する穴を形成することができる。
【００２５】次に、図１に戻り、このレーザ加工装置の
動作について説明する。
動作について説明する。
【００２６】まず、制御部２１には、操作者により必要
なパラメータが与えられる。
なパラメータが与えられる。
【００２７】制御部２１は、入力されたパラメータに従
い、以下のように各部を制御する。即ち、初めに、マス
ク１７を回転あるいは移動させて適切な径の穴を選択す
る。また、制御部２１は、Ｘ−Ｙステージ１６を移動さ
せて、被加工物１４を所定位置に移動させる。さらに、
制御部２１は、ガルバノスキャナ１２を駆動して、被加
工面のビアホールを形成しようとする位置にレーザ光が
照射されるように光路調整を行う。
い、以下のように各部を制御する。即ち、初めに、マス
ク１７を回転あるいは移動させて適切な径の穴を選択す
る。また、制御部２１は、Ｘ−Ｙステージ１６を移動さ
せて、被加工物１４を所定位置に移動させる。さらに、
制御部２１は、ガルバノスキャナ１２を駆動して、被加
工面のビアホールを形成しようとする位置にレーザ光が
照射されるように光路調整を行う。
【００２８】次に制御部２１は、被加工物１４の表面に
位置する銅箔部を貫通する穴を形成するのに必要なパル
ス数のレーザ光をレーザ発振器１１から出射させる。レ
ーザ光は、光学系に含まれるミラーで反射されたり、レ
ンズで集光あるいは拡大されたりしてガルバノスキャナ
１２へと導かれる。その途中、コリメーションレンズ１
８により、レーザ光は平行光に変換され、マスク１７に
よってビーム径が制限される。ガルバノスキャナ１２に
到達したレーザ光は、ｆ−θレンズ１３を通り、被加工
面の所定位置に垂直に入射して、被加工物１４を蒸発さ
せる。つまり、銅箔部に穴を形成する。
位置する銅箔部を貫通する穴を形成するのに必要なパル
ス数のレーザ光をレーザ発振器１１から出射させる。レ
ーザ光は、光学系に含まれるミラーで反射されたり、レ
ンズで集光あるいは拡大されたりしてガルバノスキャナ
１２へと導かれる。その途中、コリメーションレンズ１
８により、レーザ光は平行光に変換され、マスク１７に
よってビーム径が制限される。ガルバノスキャナ１２に
到達したレーザ光は、ｆ−θレンズ１３を通り、被加工
面の所定位置に垂直に入射して、被加工物１４を蒸発さ
せる。つまり、銅箔部に穴を形成する。
【００２９】このように、本実施の形態では、紫外レー
ザ光を使用するので、従来のような化学処理による穴よ
りも径の小さい穴を形成することができ、径５０μｍ以
下の穴でも歩留まり良く形成することができる。
ザ光を使用するので、従来のような化学処理による穴よ
りも径の小さい穴を形成することができ、径５０μｍ以
下の穴でも歩留まり良く形成することができる。
【００３０】次に、制御部２１は、アッテネータ挿入部
２０にアッテネータ１９を光路上に挿入するよう指示を
出す。アッテネータ挿入部２０が、アッテネータ１９を
光路上に挿入した後、制御部２１は、再びレーザ発振器
１１からレーザ光を出射させる。ここでは、絶縁樹脂基
板に下層銅箔部に達する穴を形成するのに必要なパルス
数のレーザ光を出射させる。レーザ光は、上述したよう
に、光学系によりガルバノスキャナ１２へと導かれる。
その途中、レーザビームは、マスク１７によってビーム
径が制限されるだけでなく、この場合は、アッテネータ
１９により減衰作用を受ける。この後、ガルバノスキャ
ナ１２に到達したレーザ光は、ｆ−θレンズ１３を通
り、被加工面の所定位置に垂直に入射して、被加工物１
４を蒸発させるのは、上述した通りである。なお、下層
銅箔部は、レーザ光をアッテネータにより減衰させてい
るので、このレーザ光により蒸発してしまうようなこと
はない。つまり、この工程では、表面の銅箔部に形成さ
れた穴内に露出する絶縁樹脂基板のみが除去される。
２０にアッテネータ１９を光路上に挿入するよう指示を
出す。アッテネータ挿入部２０が、アッテネータ１９を
光路上に挿入した後、制御部２１は、再びレーザ発振器
１１からレーザ光を出射させる。ここでは、絶縁樹脂基
板に下層銅箔部に達する穴を形成するのに必要なパルス
数のレーザ光を出射させる。レーザ光は、上述したよう
に、光学系によりガルバノスキャナ１２へと導かれる。
その途中、レーザビームは、マスク１７によってビーム
径が制限されるだけでなく、この場合は、アッテネータ
１９により減衰作用を受ける。この後、ガルバノスキャ
ナ１２に到達したレーザ光は、ｆ−θレンズ１３を通
り、被加工面の所定位置に垂直に入射して、被加工物１
４を蒸発させるのは、上述した通りである。なお、下層
銅箔部は、レーザ光をアッテネータにより減衰させてい
るので、このレーザ光により蒸発してしまうようなこと
はない。つまり、この工程では、表面の銅箔部に形成さ
れた穴内に露出する絶縁樹脂基板のみが除去される。
【００３１】この後、次のビアホールを形成するため、
上記ガルバノスキャナ駆動工程以降の工程を繰り返す。
なお、必要に応じて、マスクの選択や、Ｘ−Ｙステージ
の駆動が行われる。ここで、マスクの選択は、銅箔部に
形成した穴よりも小さい径の穴を樹脂基板に形成する場
合等にも行われる。
上記ガルバノスキャナ駆動工程以降の工程を繰り返す。
なお、必要に応じて、マスクの選択や、Ｘ−Ｙステージ
の駆動が行われる。ここで、マスクの選択は、銅箔部に
形成した穴よりも小さい径の穴を樹脂基板に形成する場
合等にも行われる。
【００３２】以上のようにして、本実施の形態によるレ
ーザ加工装置によれば、化学処理を行うことなく、銅箔
部と樹脂基板とを連続的に加工することができ、ビアホ
ールの形成時間を短縮することができる。
ーザ加工装置によれば、化学処理を行うことなく、銅箔
部と樹脂基板とを連続的に加工することができ、ビアホ
ールの形成時間を短縮することができる。
【００３３】なお、上記実施の形態では、レーザ光を減
衰させるためにアッテネータ１９を使用したが、アッテ
ネータ１９を用いる代わりに、コリメーションレンズ１
８を光路に沿って移動させるコリメーションレンズ移動
装置（図示せず）を設け、マスクに到達するレーザ光の
エネルギー密度を変更することにより、被加工面でのレ
ーザ光のエネルギー密度を変更するようにしてもよい。
また、レーザ発振器のレーザ出力パワーを調節する調節
装置を設け、制御部２１からの制御によりレーザ発振器
１１から出力されるレーザ光のエネルギー密度を変更す
ることにより、被加工面でのレーザ光のエネルギー密度
を変更するようにしてもよい。あるいは、マスク１７を
光路に沿って移動させるマスク移動装置を設け、マスク
と光学系に含まれる集光レンズ２８との距離を変更する
ことにより、このレーザ加工装置の焦点位置をずらす
（デフォーカスまたはインフォーカス）ことにより、被
加工面でのレーザ光のエネルギー密度を変更するように
してもよい。
衰させるためにアッテネータ１９を使用したが、アッテ
ネータ１９を用いる代わりに、コリメーションレンズ１
８を光路に沿って移動させるコリメーションレンズ移動
装置（図示せず）を設け、マスクに到達するレーザ光の
エネルギー密度を変更することにより、被加工面でのレ
ーザ光のエネルギー密度を変更するようにしてもよい。
また、レーザ発振器のレーザ出力パワーを調節する調節
装置を設け、制御部２１からの制御によりレーザ発振器
１１から出力されるレーザ光のエネルギー密度を変更す
ることにより、被加工面でのレーザ光のエネルギー密度
を変更するようにしてもよい。あるいは、マスク１７を
光路に沿って移動させるマスク移動装置を設け、マスク
と光学系に含まれる集光レンズ２８との距離を変更する
ことにより、このレーザ加工装置の焦点位置をずらす
（デフォーカスまたはインフォーカス）ことにより、被
加工面でのレーザ光のエネルギー密度を変更するように
してもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、パルス発振型紫外レー
ザ発振器を備えるレーザ加工装置に、被加工面における
レーザ光のエネルギー密度を変更するエネルギー密度変
更手段を設けたことで、化学処理工程が不要となり、紫
外レーザ光を用いて銅箔部と樹脂基板とを同一の工程
で、連続的に加工することができ、加工時間を短縮でき
る。
ザ発振器を備えるレーザ加工装置に、被加工面における
レーザ光のエネルギー密度を変更するエネルギー密度変
更手段を設けたことで、化学処理工程が不要となり、紫
外レーザ光を用いて銅箔部と樹脂基板とを同一の工程
で、連続的に加工することができ、加工時間を短縮でき
る。
【００３５】また、化学処理による歩留まりの悪さがな
くなるので、径が５０μｍ以下の小径の穴を歩留まり良
く形成することができる。
くなるので、径が５０μｍ以下の小径の穴を歩留まり良
く形成することができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す概略図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１のレーザ光加工装置
に使用されるマスクの概略図である。
に使用されるマスクの概略図である。
【図３】従来のコンフォーマル工法を説明するための図
である。
である。
１１ パルス発振型レーザ発振器 １２ ガルバノスキャナ １３ ｆ−θレンズ １４ 被加工物 １５ 真空チャックプレート １６ Ｘ−Ｙテーブル １７ マスク １８ コリメーションレンズ １９ アッテネータ ２０ アッテネータ挿入部 ２１ 制御部 ２３ 穴 ２４ モータ ２５ 穴 ２６ モータ ２８ 集光レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｎ
Claims (6)
- 【請求項１】 紫外領域のレーザ光を発生するパルス発
振型レーザ発振器と、前記レーザ光を被加工面上で走査
するためのガルバノスキャナ及びｆ−θレンズと、前記
パルス発振型レーザ発振器から前記ガルバノスキャナま
で前記レーザ光を導くための光学系と、前記レーザ光の
前記被加工面におけるエネルギー密度を第１の所定値か
ら第２の所定値へ変更するエネルギー密度変更手段とを
備えたことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 前記パルス発振型レーザ発振器と、前記
ガルバノスキャナと、前記エネルギー密度変更手段とを
制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１の
レーザ加工装置。 - 【請求項３】 前記エネルギー密度変更手段が、前記レ
ーザ光のエネルギー密度を減衰させる減衰光学系と、該
減衰光学系を前記レーザ光の光路上に挿入する減衰光学
系挿入手段であることを特徴とする請求項１または２の
レーザ加工装置。 - 【請求項４】 前記光学系によって形成される光路上に
配置され、前記レーザ光のビーム径を制限するマスク
と、該マスクに入射する前記レーザ光を平行光にするコ
リメーションレンズとを有し、前記エネルギー密度変更
手段が、前記コリメーションレンズを前記光路に沿って
移動させるコリメーションレンズ移動手段であることを
特徴とする請求項１または２のレーザ加工装置。 - 【請求項５】 前記エネルギー密度変更手段が、前記パ
ルス発振型レーザ発振器の出力エネルギーを調整する出
力調整手段であることを特徴とする請求項１または２の
レーザ加工装置。 - 【請求項６】 前記光学系によって形成される光路上に
配置され、前記レーザ光のビーム径を制限するマスクを
有し、前記エネルギー密度変更手段が、前記マスクを前
記光路に沿って移動させるマスク移動手段であることを
特徴とする請求項１または２のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04952898A JP3395141B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04952898A JP3395141B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | レーザ加工装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11245071A true JPH11245071A (ja) | 1999-09-14 |
| JP3395141B2 JP3395141B2 (ja) | 2003-04-07 |
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ID=12833661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04952898A Expired - Fee Related JP3395141B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | レーザ加工装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3395141B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002092276A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et dispositif d'usinage au laser de materiaux stratifies |
| JP2005342749A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法 |
| CN1301178C (zh) * | 2001-01-31 | 2007-02-21 | 电子科学工业公司 | 半导体中微结构的紫外线激光烧蚀的图案化 |
| CN1319695C (zh) * | 2002-12-26 | 2007-06-06 | 日立比亚机械股份有限公司 | 多束激光开孔加工装置 |
| JP2008012916A (ja) * | 2006-06-08 | 2008-01-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 複合シート、複合シートの加工方法、及びレーザ加工装置 |
| CN111390380A (zh) * | 2019-01-01 | 2020-07-10 | 达航科技股份有限公司 | 印刷电路板的激光加工方法及其激光加工机 |
| KR20200094335A (ko) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | (주) 큐알에스 | 레이저 홀 가공장치 |
| US11576265B2 (en) | 2019-01-01 | 2023-02-07 | Ofuna Enterprise Japan Co., Ltd. | Manufacturing method for printed circuit board and laser processing machine |
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| KR20180064602A (ko) | 2016-12-05 | 2018-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광판 절단 장치 및 편광판 절단 방법 |
-
1998
- 1998-03-02 JP JP04952898A patent/JP3395141B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2002092276A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et dispositif d'usinage au laser de materiaux stratifies |
| JPWO2002092276A1 (ja) * | 2001-05-11 | 2004-08-26 | 三菱電機株式会社 | 積層材料のレーザ加工方法および装置 |
| CN1319695C (zh) * | 2002-12-26 | 2007-06-06 | 日立比亚机械股份有限公司 | 多束激光开孔加工装置 |
| JP2005342749A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法 |
| JP2008012916A (ja) * | 2006-06-08 | 2008-01-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 複合シート、複合シートの加工方法、及びレーザ加工装置 |
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