JP5165203B2 - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 30
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical class [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/142—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/1462—Nozzles; Features related to nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
- B23K26/1462—Nozzles; Features related to nozzles
- B23K26/1464—Supply to, or discharge from, nozzles of media, e.g. gas, powder, wire
- B23K26/1476—Features inside the nozzle for feeding the fluid stream through the nozzle
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
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Description
本発明は、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）等の多層薄膜上の透明電極に利用される透明導電膜をパターン加工する技術に係わり、特に、加工対象物の表面にレーザ光を照射して、アブレーション、熱溶融あるいはそれらの複合作用によるレーザ加工時に発生する加工飛散物（デブリ：debris）を除去・回収するためのレーザ加工装置及びレーザ加工方法に関するものである。
透明導電膜は、現在、フラットディスプレイなどのアレイ基板（多層膜基板）等や太陽電池などの透明電極として採用されている。将来の表示デバイスとして開発が進められている電子ペーパーの分野でも透明電極として広く採用されており、その用途は拡大している。そして、ディスプレイの高精細化、低コスト化の競争は、近年より激しくなってきており、製造現場でもより高品質、高生産性が要求されている。
この様な透明導電膜は、通常、フォトリソグラフィー法によって、所望の形状にパターニングされる。例えばガラス、プラスチック、シリコンウェハ等の基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxides）膜、又はＺｎＯ（酸化亜鉛）膜等からなる透明導電膜を真空成膜し、その上にレジスト層を形成してなる多層薄膜に対し、所定パターンを有するフォトマスクを通して光を照射してレジスト層を感光する。そして、現像、ポストベークすることでフォトマスクパターンをレジスト層に転写し、エッチング法にて透明導電膜のレジストで被覆されていない部分を除去し、最後に残留レジスト層を除去することで所望のパターンが得られる。
しかし、上述のフォトリソグラフィー工程は、コータディベローッパーなどの大型の装置が必要となり、製造コストの低減の妨げとなる。また、現像液などの薬液を大量に使用するため、環境保全の点でも問題となる。さらに、例えば反射・透過併用型の低温ポリシリコン液晶ディスプレイでは、ＴＦＴ（Thin film transistor）が設けられた基板の画素電極の透過部としてＩＴＯ膜や、また反射膜としてＡｌ膜などが用いられるが、それらのパターニングは同じパターン形状であってもレジストや現像液が異なるため、フォトリソグラフィー工程が２回必要となる。そこで、余分なフォトリソグラフィー工程を省略し製造工程を簡略化するのに、レーザ光を用いて直接、透明導電膜を加工する技術が提案されている（例えば、特開２００４−１５３１７１号公報を参照）。
前述した透明導電膜のレーザによる直接加工においては、一例としてエキシマレーザのような短波長レーザを用いている。一般に、エキシマレーザ（excited dimmer laser）は、化学結合を切断できる高いフォトンエネルギーを有し、アブレーション（ablation）と呼ばれる光化学分解、光熱分解過程により、短波長の短パルスレーザを用いることで、熱的な影響を抑えつつ加工対象物を除去、微細加工することができる。このようなアブレーションによるレーザ加工技術が注目を集めている。エネルギー密度を調整したエキシマレーザ光を照射することにより、プラスチック（高分子材料）、金属、セラミックス等、種々の物質をアブレーション加工することができる。
レーザによるアブレーション加工では、レーザ光の照射を受けた加工対象物の表面より飛散物が加工領域周辺に付着する。これを一般にデブリ（debris）と呼んでいる。加工領域周辺にデブリの付着が発生すると、所望の加工品質、加工精度を得られないこともある。そこで、このデブリを低減する方法が考えられてきた。
例えば、加工領域近傍の表面に空気等の流体を噴出する流体送出装置を設け、流体噴出口の反対側に流体を吸引する吸引ダクトを設置して加工飛散物やデブリを加工領域から吹き去り、同時にこれを吸引して除去する手法（以下、手法１と言う。）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、加工飛散物の発生量を低減するために、加工対象物へのレーザ光の照射とともにレーザ光照射領域周辺にアシストガスを吹き付けることが有効であることが知られている。レーザ加工ヘッドに内側ノズルと、その外周面を取り囲むように外側ノズルを配置して、内側ノズルから加工領域に向けてアシストガスを噴出し、噴出したアシストガスを外側ノズルで吸引してデブリを排出する手法（以下、手法２と言う。）が提案されている（特許文献２参照）。また、加工飛散物の発生そのものを制御する方法としては、所定の雰囲気ガスによって加工飛散物を分解、あるいは再付着を防止する方法が知られている。さらに、真空度１０[Ｐａ]（１０−２Ｔｏｒｒ）程度の減圧下でレーザ加工を行うことにより、加工対象物上に堆積するデブリの付着量を大幅に減少できることが知られている。
また、図８に示すように、例えば基板１０８ａに透明導電膜１０８ｂが積層されている加工対象物１０７の直上に開口部１２０を設け、マスク又は可変アパーチャ１０４と開口部１２０とで囲まれた領域を閉空間部として減圧する排気手段を備え、加工対象物１０７にレーザ光１０２を照射して生じた加工飛散物を排気するとともにデブリ１２１が開口部１２０に堆積して、加工対象物１０７に堆積しない手法（以下、手法３と言う。）が提案されている（特許文献３参照）。
しかしながら、手法１のように加工領域近傍の表面でデブリを吹き去って吸引・排出しようとしてもデブリが飛散してしまい、たとえ吸引力を上げてもデブリを完全に除去、回収することは困難であった。
また、手法２のように内側ノズルから加工領域にアシストガスを吹き付けても、デブリは拡散して加工領域周辺に再付着してしまい、外側ノズルの吸引力を強くしても十分に除去することはできなかった。
また、手法３のように開口部を設けて閉空間部内を減圧したとしても、デブリが必ずしも開口部に堆積するわけではなく、加工領域の中心部のデブリが加工対象物表面に再付着してしまうという問題があった。
本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、レーザ加工により発生する加工飛散物を効率よく除去、回収し、加工対象物に付着するデブリを削減することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のレーザ加工装置は、レーザ光を利用して加工対象物に形成された多層膜上の透明導電膜のパターン加工を行うレーザ加工装置において、前記加工対象物に照射されるレーザ光を透過する透過窓と、当該レーザ加工ヘッドの底部に前記透過窓を透過したレーザ光を通す開口部と、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を外部へ排出する排気孔と、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する第１通気孔と、前記第１通気孔と対向する位置に設けられ前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出する第２通気孔とを有するレーザ加工ヘッドを備え、前記加工対象物のレーザ光照射領域より発生する加工飛散物を、前記レーザ加工ヘッドの底部に設けられた開口部と連通する前記排気孔及び前記第２通気孔より排気し、前記レーザ加工ヘッドの開口部の径、及び前記加工対象物の前記多層膜表面と前記レーザ加工ヘッドの底部との距離を調節して、前記加工飛散物の前記加工対象物への堆積量を抑制することを特徴とする。
上述の構成によれば、簡単な構成によりレーザ照射領域近傍を減圧雰囲気下にすることができるので、レーザ加工により発生する加工飛散物を効率よく除去、回収できる。
また、本発明のレーザ加工方法は、レーザ光を利用して加工対象物に形成された多層膜上の透明導電膜のパターン加工を行うためのレーザ加工ヘッドによるレーザ加工方法において、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する工程と、前記加工対象物に前記レーザ加工ヘッドの透過窓を透過させて第１のレーザ光を照射する工程と、前記加工対象物を載置するステージを前記導入された気体の流れと反対方向に所定距離移動させる工程と、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を、前記レーザ加工ヘッドの底部に設けられ、前記透過窓を透過したレーザ光を通す開口部と連通する孔より排出する工程と、前記レーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出中に、前記透過窓を透過させて前記加工対象物に対し前記第２のレーザ光による第１照射領域と一部重なるように第２のレーザ光を照射する工程とを有し、前記レーザ加工ヘッドの開口部の径、及び前記加工対象物の前記多層膜表面と前記レーザ加工ヘッドの底部との距離を調節して、前記加工飛散物の前記加工対象物への堆積量を抑制することを特徴とする。
上記構成によれば、レーザ照射領域近傍に一方向の気流を作りレーザ光照射することにより加工飛散物を所望の領域にまとめ、かつ第１照射領域と第２照射領域が重なるようにレーザ光を照射することにより、加工対象物の加工面に残った加工飛散物を除去、回収することができる。
本発明のレーザ加工装置及びレーザ加工方法によれば、レーザ加工により発生する加工飛散物を効率よく除去、回収し、加工対象物に付着するデブリを削減することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態の例について、図１〜図７を参照して説明する。本発明に用いるレーザ加工装置は、レーザ光源と、レーザ光源から出射されるレーザ光を加工対象物の加工面に所定パターンで光学的に投影する光学系とを有し、加工面をアブレーション加工するレーザ加工装置である。
図１は、本発明が適用されるレーザ加工装置の概略構成の一例を示す図である。図１に示すレーザ加工装置１５は、レーザ光源１と、ビーム整形器３と、マスク又は可変アパーチャ４と、投影レンズ５と、ステージ６と、減圧チャンバー１１（レーザ加工ヘッド）と、ラフィングポンプ等の排気手段１２と、気体導入手段１３を有し、レーザ光源１からレーザビームを出射し、加工対象物７の加工面をアブレーション加工する。
レーザ光源１には、例えば、エキシマレーザを用いる。エキシマレーザには、レーザ媒質の異なる複数の種類が存在し、レーザ媒質としては、波長の長いほうからＸｅＦ（３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、Ｆ２（１５７ｎｍ）がある。
エキシマレーザが熱エネルギーを利用した加工を行うＹＡＧレーザ（基本波：１．０６μｍ）、及びＣＯ２レーザ（１０．６μｍ）、と大きく異なる点は、発振波長が紫外線の領域にあることである。エキシマレーザは本質的にパルス発振であり、短パルス（数ｎｓ〜数十ｎｓ以下）である。また、エキシマレーザは、アブレーションと呼ばれる、光化学分解、光熱分解過程により、短波長の短パルスレーザを用いることで、熱的な影響を受けにくい加工を行うため、加工面のエッジの仕上がりが非常にシャープとなる。これに対して、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザでは熱的影響が大きく、加工周辺部が熱の影響で丸くなり、端面とならない。
さらに、エキシマレーザは、レーザ光源１から出射直後のビーム断面が約１０×１０ｍｍの寸法を有し、このレーザビームをビーム整形器３にて、加工目的に応じて縮小化、長面積化、あるいは大面積化することができる。大面積化することにより比較的広い面積を一括して加工できる。したがって、大面積の領域を同時に加工するのにエキシマレーザは適している。また縮小化した場合、高精細な微細加工を行うことができる。ステップ・アンド・リピートにてパターニングすることで比較的広い面積の加工も可能である。
ビーム整形器３は、レーザ光源１からのレーザビームを整形、ビーム強度の均一化を行い出力する。
マスク又は可変アパーチャ４は、ビーム整形器３で整形されたレーザビームを通過又は透過させる所定パターンを有している。このマスク又は可変アパーチャ４は、例えば金属材料で形成された穴明きマスク、透明なガラス材料や金属薄膜で形成されたフォトマスク、誘電体材料で形成された誘電体マスク等が用いられる。
投影レンズ５は、マスク又は可変アパーチャ４のパターンを通過したレーザビームを所定倍率でステージ６上の加工対象物７の加工面に投影する。
ステージ６は、投影レンズ５から投影されるレーザビームが加工対象物７の加工面に合焦するように配置されている。このステージ６は、レーザビームが加工対象物７の加工面上を走査可能なように、レーザビームの光路２（光軸）に垂直な平面に沿って移動位置決めが可能なＸ−Ｙステージ或いは３軸ステージ等から構成される。
上記構成のレーザ加工装置１５では、レーザ光源１にエキシマレーザを用いることにより、加工対象物７の加工面に所定パターンのレーザビームを照射し、アブレーション加工する。加工対象物７の加工面は、アブレーション加工により、加工面を形成する材料に応じた加工飛散物（デブリ）が発生する。このデブリが加工面に付着すると、加工品質、加工精度等に影響を及ぼすことがあるので、本発明により付着を防ぐ。
図１に示すように、レーザ光がステージ６上の加工対象物７に照射される直前のレーザ光路２上に、例えばＫｒＦレーザの場合は石英、ＡｒＦレーザの場合はフッ化カルシウムで作られた、エキシマレーザが透過する上部透過窓９を備える略円筒状の、アルミニウム又はステンレスなどからなる減圧チャンバー１１（レーザ加工ヘッド）を設けている。減圧チャンバー１１は、排気手段１２により減圧チャンバー１１内部の気体が外部に排出され、気体導入手段１３により減圧チャンバー１１内部に気体が導入されるよう構成されており、底部１０に局所排気機能を備えている。
本発明のレーザ加工装置１５は、減圧チャンバー１１の底部１０を、例えば透明導電膜が成膜された加工対象物７に極近接して配置する。そして、透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を排気孔より排気する。このようにすることで、簡単な構成で透明導電膜のレーザ光照射面を減圧雰囲気にでき、レーザ光照射時の透明導電膜がその下層の例えば樹脂層より離脱する際の昇華圧が高くなるので、加工に要する照射エネルギーを低減できるとともに、レーザ光照射によって樹脂層より離脱し除去されたデブリを加工領域近傍の表面に空気等の流体を噴出する流体送出装置（気体導入手段）を設け排気孔を通して除去、回収することができる。
図２は減圧チャンバー１１の概略断面図、図３は減圧チャンバー１１の下面図をそれぞれ示すものである。減圧チャンバー１１は中心部に透過孔１４が形成された略円筒形状をしており、例えば基板８ｂ上に透明導電膜８ｂを含む多層膜が成膜された加工対象物７の表面と所定距離に配置される。多層膜を構成する透明導電膜８ｂは例えば樹脂層（図示略）などの上に成膜されている。勿論この例に限るものではない。
減圧チャンバー１１は上側部分と下側部分から構成されており、上側部分には透過孔１４と連通する排気孔１６が形成されて配管１６ａを通じて排気手段１２と接続している。減圧チャンバー１１の下側部分は、透過孔１４と連通し互いに対向するように通気孔１７，１８が設けられている。また減圧チャンバー１１の底部１０の略中心には上部透過窓９を透過したレーザ光が通過する開口部２０が設けられ、またその外周部周辺の同心円周上に気体噴出溝１９（図３参照）が設けられている。通気孔１７は配管１７ａを通じて排気手段１２と接続し、通気孔１８は配管１８ａを通じて気体導入手段１３と接続している。通気孔１７，１８は内部を流れる気体が加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に導入、及びレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排気できるよう、底部１０に対して所定の角度をもって開口部２０近傍の空間と接続している。本例では、減圧チャンバー１１の通気孔１７，１８及び開口部２０が設けられた下側部分を、気体導入排気部１１ａと称する。
減圧チャンバー１１に外付けした排気手段１２によって、減圧チャンバー１１内部を真空引きし（本例では最大１０−２Ｔｏｒｒ程度）、排気孔１６及び通気孔１７を通して加工対象物７表面周辺の雰囲気の排気を行う。開口部２０の径は最大加工ビームサイズと略同等もしくは若干大きい程度である。例えば、最大加工ビームサイズ＋１ｍｍ以下とする。
この減圧チャンバー１１の底部１０と加工対象物７の照射面（多層膜表面）との距離は、浮上用気体導入手段（図示略）より供給される気体を環状の気体噴出溝１９から噴出することによって１００μｍ以下に保たれており、排気孔１６，１７を通して排気する際のコンダクタンスはこれにより小さくなっているため、減圧チャンバー１１の底部１０と加工対象物７との空間の真空度は１気圧より小さくなる。この減圧下でレーザ光照射され、除去された透明導電膜８ｂは、１気圧でレーザ光照射された場合よりも、その下層の例えば樹脂層（図示略）などの界面から離脱する際の昇華圧が高まるので、レーザ光の照射エネルギー密度を小さくすることができる。さらに、除去された透明導電膜８ｂは排気孔１６と通気孔１７を通り、回収される。
なお、図示されていないが排気手段１２と排気孔にフィルタを設けてデブリを回収している。また、排気手段１２において排気する配管を切り替えて、排気孔１６と通気孔１７から個々に排気することも可能である。また、排気手段を２つ設けて排気孔１６と通気孔１７から個々に排気することも可能である。
このように、局所排気機能を設けた簡単な構成でレーザ光照射面を減圧雰囲気とし、この減圧雰囲気でレーザ光照射することで、生産性を損なうことなく、加工エネルギーの低減、並びにデブリの除去及び回収を図ることができる。
図４Ａ，Ｂは、本発明によるレーザ加工を実施した際のデブリの飛散例を示したものであり、Ａは加工領域近傍の上面図、Ｂは加工領域近傍の側面図である。
本例では図３に示すように、レーザ加工の際、配管１８ａを通じて通気孔１８から減圧チャンバー１１（レーザ加工ヘッド）へ気体を導入し、ほほ同時に配管１６ａ，１７ａを通じて排気孔１６及び通気孔１７から排気を行う。これにより加工対象物７のレーザ光照射領域近傍には図３に示すような気流が生じる。このとき加工対象物７の所定の加工領域にレーザ光を照射すると、発生した加工飛散物のうち排気孔１６及び通気孔１７から排気しきれなかった加工飛散物２６が気流に流されて照射領域２２周辺の一方（図５の例では照射領域２２の左側）に偏り、堆積する（図４Ａ参照）。
そこで、前述したように減圧チャンバー１１の開口部２０の径、及び減圧チャンバー１１の底部１０と加工対象物７の照射面との距離Ｌを適切に調節（設定）することにより、加工飛散物２６が加工領域周辺に堆積してデブリとなる面積を小さくできるとともに、例え加工領域周辺に飛散した場合でも開口部２０周辺の斜面１１ｂに堆積するので、加工対象物７への堆積量を抑制することができる。
このように、レーザ光を用いたアブレーション加工により発生する加工飛散物２６（デブリ）の飛散範囲を開口部２０で規制するとともに、加工飛散物２６を開口部２０の周辺に堆積させることで、加工飛散物２６が加工対象物７表面へ再付着することを防ぐことができる。
次に、本発明の一実施形態に係るレーザ加工方法について、図５を参照しながら説明する。この図５は、加工対象物７のパターン加工方向に気体を導入して第１ショットのレーザビーム（第１のレーザ光）で除去できなかった加工飛散物（デブリ）に第２ショットのレーザビーム（第２のレーザ光）を重ねて照射する加工方法を示す。
まず、排気孔１６及び通気孔１７の排気流量と、通気孔１８の気体導入流量を調整して減圧チャンバー１１の内圧を所定の減圧下に制御した後、気体噴出孔１９より浮上用気体を噴出し、減圧チャンバー１１の底面１０と加工対象物７の加工面との距離を一定の距離に維持する。
そして、レーザ加工領域近傍に対し図５の右から左の方向に気流ができるように気体を導入し、１回目のレーザ光を照射する。このとき略同時に排気を行う。レーザ光が照射された加工対象物７の第１照射領域２３の左側にデブリ２７が堆積する。次に、加工対象物７が載置されているステージ６をパターン加工方向、つまり本例では導入された気流と反対向きに移動させる。そして、上述同様、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に気体を導入するとともに当該雰囲気を排出しつつ、加工対象物７に対し第１ショットのレーザビームによる第１照射領域２３と第２ショットのレーザビームによる第２照射領域２４が一部、例えば例えば約５０％重なるようにレーザビームを照射する。
第１ショットのレーザビームにより発生し再付着したデブリ２７は、オーバーラップ照射することにより、排気孔１６及び通気孔１７から除去、回収することができる。このとき、第２照射領域２４の気流方向つまり左側にデブリ２８が新たに発生する。
同様にして加工対象物７を載置したステージ６を気流と反対側（パターン加工方向）に移動させ、レーザビームを照射する工程を繰り返し、第ｎショットまでレーザビームを照射すると、第ｎ照射領域における気流風下側にデブリ２９が加工領域に堆積するとともに、第１〜第（ｎ−１）ショットまでの第１〜第（ｎ−１）照射領域に再付着するデブリを除去、回収することができる。
なお、本例では加工ビームの重ね合わせ量は例えば約５０％のオーバーラップ量とするが、重ね合わせ量はこれに限るものではない。また、本例において、気体導入手段１３から送出される気体として、例えば酸素（Ｏ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、等が用いられる。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
実際の加工対象物７は、フラットディスプレイなどのアレイ基板（多層膜基板）などであるから、図６に示すように、パターン加工方向の転換、つまりレーザ照射順路を複数回変更する必要がある。このような場合、通気孔１７に、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排気する機能に加え、レーザ光照射領域近傍に気体を導入する機能を付加し、また通気孔１８に、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する機能に加え、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排気する機能を付加し、加工対象物７のパターン加工方向に応じて、通気孔１７と通気孔１８間における気体の導入及び排気の方向を切り替えられるようにする。一例として、通気孔１７及び通気孔１８を排気手段１２及び気体導入手段１３と各々接続するとともにその接続経路の途中に電磁弁等の開閉手段を設置し、開閉手段の開閉を制御することにより気体の導入及び排気を切り替えるなどの構成がある。
実際の加工対象物７は、フラットディスプレイなどのアレイ基板（多層膜基板）などであるから、図６に示すように、パターン加工方向の転換、つまりレーザ照射順路を複数回変更する必要がある。このような場合、通気孔１７に、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排気する機能に加え、レーザ光照射領域近傍に気体を導入する機能を付加し、また通気孔１８に、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する機能に加え、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排気する機能を付加し、加工対象物７のパターン加工方向に応じて、通気孔１７と通気孔１８間における気体の導入及び排気の方向を切り替えられるようにする。一例として、通気孔１７及び通気孔１８を排気手段１２及び気体導入手段１３と各々接続するとともにその接続経路の途中に電磁弁等の開閉手段を設置し、開閉手段の開閉を制御することにより気体の導入及び排気を切り替えるなどの構成がある。
すなわち、図６において右から左へレーザ加工を行うときは、図３に示すような右から左（配管１８ａから配管１７ａ）へ流れる気流方向とし、レーザ加工の向きを切り替えて左から右へレーザ加工を行うときは、図３において図中左から右（配管１７ａから配管１８ａ）へ流れる気流を作るようにする。
このように、気体導入排気部１１ａに形成した通気孔１７，１８を流れる流体の気流方向の切り替えをパターン加工方向に応じて制御することにより、パターン加工方向の転換に対応することができる。
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
減圧チャンバー１１（レーザ加工ヘッド）下側の通気孔１７，１８が形成された気体導入排気部１１ａに、レーザ光の光路と略平行な回転軸を持つ回転機構を設け、加工対象物７のパターン加工方向に応じて気体導入排気部１１ａを回転させ、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に対する通気孔１７，１８を流れる気体の導入及び排気の方向を切り替えることで、パターン加工方向の転換（図６参照）に対応できる構成とする。このような構成とすることにより、容易にかつ自動で気流方向を切り替えることができる。
減圧チャンバー１１（レーザ加工ヘッド）下側の通気孔１７，１８が形成された気体導入排気部１１ａに、レーザ光の光路と略平行な回転軸を持つ回転機構を設け、加工対象物７のパターン加工方向に応じて気体導入排気部１１ａを回転させ、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に対する通気孔１７，１８を流れる気体の導入及び排気の方向を切り替えることで、パターン加工方向の転換（図６参照）に対応できる構成とする。このような構成とすることにより、容易にかつ自動で気流方向を切り替えることができる。
例えば、図３を参照して説明すると、パターン加工方向が１８０度転換する場合、減圧チャンバー１１を１８０度回転させて、気流方向を左から右へと反転させる。また図３の下から上へパターン加工が必要となる場合には、減圧チャンバー１１を９０度右回転させ、上から下への気流方向に変更する。
なお、上述の説明において、気体導入排気部１１ａを回転、すなわち減圧チャンバー１１の一部のみを回転させていたが、減圧チャンバー１１の一部だけではなく全体が回転する機構としてもよいことは勿論である。
また、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図７は、本実施形態に係る減圧チャンバー１１の下面図を示すものである。図７の例は、図３に示す吸気（気体導入）と排気の組合せをさらに９０度方向に配置することでＸ方向、Ｙ方向の２方向におけるパターニングでの切り替え時間を短縮することを可能としたものである。
図７は、本実施形態に係る減圧チャンバー１１の下面図を示すものである。図７の例は、図３に示す吸気（気体導入）と排気の組合せをさらに９０度方向に配置することでＸ方向、Ｙ方向の２方向におけるパターニングでの切り替え時間を短縮することを可能としたものである。
図７において、減圧チャンバー１１（レーザ加工ヘッド）は、加工対象物７のレーザ光照射領域近傍に気体を導入又はレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出する、互いに対向してかつそれぞれ配管１７ａ（通気孔１７）及び配管１８ａ（通気孔１８）と９０度の位置に配管３１ａ，３２ａ、つまり第３及び第４の通気孔を形成する。そして、加工対象物７のパターン加工方向に応じて、通気孔１７及び通気孔１８からなる通気孔対、あるいは第３及び第４の通気孔（配管３１ａ，３２ａ）からなる通気孔対のいずれを使用するか選択し切り替えられる構成とする。
本実施の形態によれば、通気孔が９０度ごとに設けられているため、パターンニング時に加工方向を切り替える際、回転移動の必要がなく切り替え時間を短縮することができる。また、回転移動が必要ないので、図３の例と比較すると、機械精度に起因する誤差が発生せず、精度のよいパターン加工が実施可能である。
以上説明したように、本発明によれば、レーザ光による、アブレーションもしくは熱溶融によるレーザ加工時に、熱的な影響を少なくしてレーザ加工により発生する加工飛散物を効率よく除去、回収し、加工面へのデブリの付着量を削減することができる。
この結果、精密なレーザ加工が実現でき、しかもデブリの付着を防止することができるという優れた効果が得られ、レーザ加工の応用が拡がり、微細パターンを高精度でありながら低コストで形成することが可能となる。
なお、上述した各実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、材料の種類や数値限定など技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
１…レーザ光源、６…ステージ、７…加工対象物、９…上部透過窓、１０…底部、１１…減圧チャンバー（レーザ加工ヘッド）、１２…排気手段、１３…気体導入手段、１４…透過孔、１５…レーザ加工装置、１６…排気孔、１６ａ，１７ａ，１８ａ，３１ａ，３２ａ…配管、１７…通気孔、１８…通気孔、２０…開口部、２１…加工飛散物（デブリ）、２２…照射領域、２３…第１照射領域、２４…第２照射領域、２５…第ｎ照射領域、２６，２７，２８…加工飛散物（デブリ）
Claims (6)
- レーザ光を利用して加工対象物に形成された多層膜上の透明導電膜のパターン加工を行うレーザ加工装置において、
前記加工対象物に照射されるレーザ光を透過する透過窓と、
当該レーザ加工ヘッドの底部に前記透過窓を透過したレーザ光を通す開口部と、
前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を外部へ排出する排気孔と、
前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する第１通気孔と、
前記第１通気孔と対向する位置に設けられ前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出する第２通気孔と
を有するレーザ加工ヘッドを備え、
前記加工対象物のレーザ光照射領域より発生する加工飛散物を、前記レーザ加工ヘッドの底部に設けられた開口部と連通する前記排気孔及び前記第２通気孔より排気し、
前記レーザ加工ヘッドの開口部の径、及び前記加工対象物の前記多層膜表面と前記レーザ加工ヘッドの底部との距離を調節して、前記加工飛散物の前記加工対象物への堆積量を抑制する
レーザ加工装置。 - 前記加工対象物に第１のレーザ光を照射した後、前記加工対象物を載置するステージを前記レーザ加工ヘッドの前記第１通気孔から前記第２通気孔へ向かう気流と反対方向に所定距離移動させ、前記加工対象物に対し前記第１のレーザ光による第１照射領域と一部重なるように第２のレーザ光を照射する
請求項１に記載のレーザ加工装置。 - 前記第１通気孔は、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する機能に加え、前記レーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出する機能を有し、
また前記第２通気孔は、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出する機能に加え、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する機能を有し、
前記加工対象物のパターン加工方向に応じて、前記第１通気孔と前記第２通気孔間における気体の導入及び排気の方向を切り替える
請求項１に記載のレーザ加工装置。 - さらに前記レーザ加工ヘッドは、前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍に気体を導入又は前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出する、互いに対向してかつそれぞれ前記１通気孔及び第２通気孔と９０度の位置に設置された第３通気孔及び第４通気孔を備え、
前記加工対象物のパターン加工方向に応じて、前記第１通気孔と前記第２通気孔からなる通気孔対、又は前記第３通気孔と前記第４通気孔からなる通気孔対のいずれを使用するか選択し切り替える
請求項１に記載のレーザ加工装置。 - 前記レーザ加工ヘッドの一部に、前記第１通気孔及び第２通気孔が形成され、かつ前記レーザ光の光路と略平行な回転軸を持つ回転機構を有し、
前記加工対象物のパターン加工方向に応じて前記回転機構を回転させ、前記加工対象物の前記レーザ光照射領域近傍に対する前記第１通気孔と前記第２通気孔と間における気体の導入及び排気の方向を切り替える
請求項１に記載のレーザ加工装置。 - レーザ光を利用して加工対象物に形成された多層膜上の透明導電膜のパターン加工を行うためのレーザ加工ヘッドによるレーザ加工方法において、
前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍に気体を導入する工程と、
前記加工対象物に前記レーザ加工ヘッドの透過窓を透過させて第１のレーザ光を照射する工程と、
前記加工対象物を載置するステージを前記導入された気体の流れと反対方向に所定距離移動させる工程と、
前記加工対象物のレーザ光照射領域近傍の雰囲気を、前記レーザ加工ヘッドの底部に設けられ、前記透過窓を透過したレーザ光を通す開口部と連通する孔より排出する工程と、
前記レーザ光照射領域近傍の雰囲気を排出中に、前記透過窓を透過させて前記加工対象物に対し前記第１のレーザ光による第１照射領域と一部重なるように第２のレーザ光を照射する工程とを有し、
前記レーザ加工ヘッドの開口部の径、及び前記加工対象物の前記多層膜表面と前記レーザ加工ヘッドの底部との距離を調節して、加工飛散物の前記加工対象物への堆積量を抑制する
レーザ加工方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006061561A JP5165203B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| US11/467,407 US8581140B2 (en) | 2006-03-07 | 2006-08-25 | Laser processing apparatus, laser processing head and laser processing method |
| KR1020060083061A KR101299039B1 (ko) | 2006-03-07 | 2006-08-30 | 레이저 가공 장치, 레이저 가공 헤드 및 레이저 가공 방법 |
| GB0710197A GB2438527B (en) | 2006-03-07 | 2006-08-31 | Laser processing apparatus, laser processing head and laser processing method |
| TW095132181A TWI391200B (zh) | 2006-03-07 | 2006-08-31 | 雷射加工裝置 |
| GB0617195A GB2435844B (en) | 2006-03-07 | 2006-08-31 | Laser processing apparatus, laser processing head and laser processing method |
| CNA200610136314XA CN101032785A (zh) | 2006-03-07 | 2006-08-31 | 激光加工装置，激光加工头及激光加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006061561A JP5165203B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007237215A JP2007237215A (ja) | 2007-09-20 |
| JP5165203B2 true JP5165203B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=37137135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006061561A Expired - Fee Related JP5165203B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8581140B2 (ja) |
| JP (1) | JP5165203B2 (ja) |
| KR (1) | KR101299039B1 (ja) |
| CN (1) | CN101032785A (ja) |
| GB (1) | GB2435844B (ja) |
| TW (1) | TWI391200B (ja) |
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| US6580053B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-06-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Apparatus to control the amount of oxygen incorporated into polycrystalline silicon film during excimer laser processing of silicon films |
| JP4465954B2 (ja) | 2002-10-31 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | 透明導電膜を有する表示装置の製造方法 |
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| GB0412000D0 (en) | 2004-05-28 | 2004-06-30 | Cambridge Display Tech Ltd | Apparatus and method for extracting debris during laser ablation |
| GB2414954B (en) | 2004-06-11 | 2008-02-06 | Exitech Ltd | Process and apparatus for ablation |
-
2006
- 2006-03-07 JP JP2006061561A patent/JP5165203B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-25 US US11/467,407 patent/US8581140B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-30 KR KR1020060083061A patent/KR101299039B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-08-31 GB GB0617195A patent/GB2435844B/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-31 CN CNA200610136314XA patent/CN101032785A/zh active Pending
- 2006-08-31 TW TW095132181A patent/TWI391200B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022188969A1 (en) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | Applied Materials Italia S.R.L. | Apparatus and method for laser machining of a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI391200B (zh) | 2013-04-01 |
| JP2007237215A (ja) | 2007-09-20 |
| KR20070092082A (ko) | 2007-09-12 |
| KR101299039B1 (ko) | 2013-08-27 |
| CN101032785A (zh) | 2007-09-12 |
| GB2435844B (en) | 2008-02-06 |
| GB2435844A (en) | 2007-09-12 |
| US8581140B2 (en) | 2013-11-12 |
| TW200734100A (en) | 2007-09-16 |
| GB0617195D0 (en) | 2006-10-11 |
| US20070210045A1 (en) | 2007-09-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| R155 | Notification before disposition of declining of application |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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