JP2002367872A - レーザ印字装置およびレーザ印字方法 - Google Patents

レーザ印字装置およびレーザ印字方法

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JP2002367872A
JP2002367872A JP2001168186A JP2001168186A JP2002367872A JP 2002367872 A JP2002367872 A JP 2002367872A JP 2001168186 A JP2001168186 A JP 2001168186A JP 2001168186 A JP2001168186 A JP 2001168186A JP 2002367872 A JP2002367872 A JP 2002367872A
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semiconductor wafer
laser
ring
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Toru Yamaguchi
徹 山口
Masahiko Ikeno
昌彦 池野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 印字異物の半導体ウェハへの付着を抑えつ
つ、視認性に優れた印字ドットを形成する。 【解決手段】 半導体ウェハ１はウェハステージ２上に
保持され、半導体ウェハ１の所定の印字位置にレーザビ
ーム３が上方より照射される。レーザビーム３により印
字が行なわれる領域（印字領域）を囲むリング状の形状
を有するリング状排気部１０が、リング状排気部１０は
半導体ウェハの上方に近接して設けられる。リング状排
気部１０が、その内側の気体を吸引することで、レーザ
ビームが強い場合に生じる印字異物を効率良く回収する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ表面
にレーザビームを照射して、半導体ウェハ表面に文字や
コード等を印字するレーザ印字装置およびレーザ印字方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体ウェ
ハ表面にレーザビームを照射することで文字やコードの
印字が行なわれる。この印字により、目視あるいは自動
認識による半導体ウェハの判別が可能となる。
【０００３】図１１は、従来のレーザ印字装置の構成を
示す概略図である。この図において、１は半導体ウェ
ハ、２は半導体ウェハ１を保持し、所定の位置に印字を
行うために半導体ウェハ１を動かすウェハステージであ
る。１００はレーザビーム３を発振するレーザ発振部で
あり、レーザ発振器、パワーモニタ、レンズ、ミラー等
により構成さる。１０１はレーザ発振部１００からのレ
ーザビーム３を半導体ウェハ１の印字位置へと照射する
ための可動ミラーである。また、４はレーザビーム３が
照射されることにより形成される印字ドットを示してい
る。なお、この図においては、半導体ウェハをウェハス
テージ２に搬送する手段等は省略している。
【０００４】レーザ発振部１００から発せられるレーザ
ビーム３は、可動ミラーで反射されることで、ウェハス
テージ２により所定の位置に保持された半導体ウェハ１
表面の印字個所へ照射され、該印字個所に印字ドット４
が形成される。そして、複数の印字ドット４の集合によ
り、文字や、コードが形成される。
【０００５】図１２は、従来のレーザ印字装置におい
て、印字ドット４が半導体ウェハ１に形成される様子を
示す拡大断面図である。半導体ウェハ１にレーザビーム
３が照射されると照射されている部分では半導体ウェハ
１を構成するシリコンが熱せられ、溶融する。溶融した
シリコンは膨張するために周囲に広がり、その結果レー
ザビーム３が照射された部分は中央が窪み、周囲が盛り
上がった形状となり、その凹凸により印字ドット４が形
成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１３は、従来のレー
ザ印字装置において、レーザビーム３の強度が弱い場合
の、印字ドット４が半導体ウェハ１に形成される様子を
示す拡大断面図であり、図１４は、そのとき形成される
印字ドット４を示す平面図である。
【０００７】レーザビーム３の強度が弱い場合、図１３
に示すように印字ドット４の凹凸は浅くなり、その結
果、図１４のような視認性の悪い印字となる。印字ドッ
ト４の視認性が悪い場合、半導体装置の製造工程におけ
る印字文字やコードの自動認識の工程における認識が困
難になるという問題が生じ、半導体装置の製造効率の低
下を引き起こしてしまう。
【０００８】印字ドットの視認性を上げるためには、レ
ーザビーム３を強くすればよい。図１５は、従来のレー
ザ印字装置において、レーザビーム３の強度が強い場合
の、印字ドット４が半導体ウェハ１に形成される様子を
示す拡大断面図であり、図１６は、そのとき形成される
印字ドット４を示す平面図である。
【０００９】レーザビーム３の強度が強い場合、図１５
に示すように、印字ドット４の凹凸は深くなり、図１６
に示すように視認性の良好な印字ドット４が得られる。
しかし、レーザビーム３の強度が強い場合、レーザビー
ム３によって溶融したシリコンが飛び散り、印字異物５
が発生する。この印字異物５が半導体ウェハ１の製品チ
ップが形成される領域にまで飛散すると、その製品チッ
プに欠陥が生じ、半導体装置の歩留まりが低下してしま
う。また、印字異物５が、製品チップが形成される領域
にまで飛散せず、印字ドットＢの周囲だけに飛散したと
しても、その後の例えば表面研磨等の工程で、印字異物
５が移動して、製品チップが形成される領域にまで到達
し、同様の問題を引き起こす恐れがある。このことは、
デバイスの高密度化、微細化が進んでいる現在、特に大
きな問題となっている。
【００１０】そこで、図１７のように、印字異物５を除
去するために気体を吸引する排気部１１０を有するレー
ザ印字装置が提案されている。レーザビームの照射によ
って発生する印字異物５は１１０によって回収されるた
め、印字異物５の半導体ウェハ１への付着を抑えること
ができる。
【００１１】しかし、図１７のような構成では、排気部
１１０の吸引口のごく近くでは気体の風速は大きいが、
排気口から離れると風速が小さくなる。そのため、半導
体ウェハ上の印字領域では排気部１１０の吸引による風
速が小さくなり充分に印字異物５を回収できず、回収し
きれなかった印字異物５が半導体ウェハ１の表面に付着
してしまうという欠点があった。
【００１２】本発明は以上のような課題を解決するため
になされたものであり、印字異物の半導体ウェハへの付
着を抑えつつ、視認性に優れた印字ドットを形成するこ
とができるレーザ印字装置およびレーザ印字方法を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のレーザ
印字装置は、半導体ウェハの表面にレーザビームを照射
することで印字を行うレーザ印字装置であって、前記半
導体ウェハの表面近傍に、前記レーザビームを囲むリン
グ状の気体を吸引する排気手段を備え、前記リング状の
排気手段が、前記リング状の排気手段の内側の気体を吸
引することを特徴とする。
【００１４】請求項２に記載のレーザ印字装置は、請求
項１に記載のレーザ印字装置であって、前記リング状の
排気手段が、前記レーザビームの動きに同調して動く、
ことを特徴とする。
【００１５】請求項３に記載のレーザ印字装置は、請求
項１に記載のレーザ印字装置であって、前記リング状の
排気手段の前記半導体ウェハ側に、前記レーザビームを
囲むリング状の気体を吹き出す吹き出し手段をさらに備
え、前記リング状の吹き出し手段が、前記リング状の吹
き出し手段の内側に気体を吹き出すことを特徴とする。
【００１６】請求項４に記載のレーザ印字装置は、請求
項３に記載のレーザ印字装置であって、前記リング状の
排気手段および前記リング状の吹き出し手段が、前記レ
ーザビームの動きに同調して動くことを特徴とする。
【００１７】請求項５に記載のレーザ印字装置は、半導
体ウェハの表面にレーザビームを照射することで印字を
行うレーザ印字装置であって、前記半導体ウェハの表面
に液体を供給する手段と、前記レーザビームの動きに同
調して動き、前記半導体ウェハの表面の前記レーザビー
ムの照射位置に気体を吹き付ける手段とを備えることを
特徴とする。
【００１８】請求項６に記載のレーザ印字方法は、半導
体ウェハの表面にレーザビームを照射することで印字を
行うレーザ印字方法であって、（ａ）前記レーザビーム
を照射する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）と同時に実行
され、前記レーザビームの照射位置に対し３６０°方向
から気体を吸引する工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】請求項７に記載のレーザ印字方法は、請求
項６に記載のレーザ印字方法であって、前記工程（ａ）
は、前記レーザビームを動かす工程を含み、前記工程
（ｂ）は、前記レーザビームの動きに同調して吸引位置
を変化させる工程を含むことを特徴とする。
【００２０】請求項８に記載のレーザ印字方法は、請求
項６に記載のレーザ印字方法であって、さらに、（ｃ）
前記工程（ａ）と同時に実行され、前記気体の吸引位置
よりも前記半導体ウェハ側から、かつ、前記レーザビー
ムの照射位置に対し３６０°方向から気体を吹き出す工
程を備えることを特徴とする。
【００２１】請求項９に記載のレーザ印字方法は、請求
項８に記載のレーザ印字方法であって、前記工程（ａ）
は、前記レーザビームを動かす工程を含み、前記工程
（ｂ）は、前記レーザビームの動きに同調して前記気体
の吸引位置を変化させる工程を含み、前記工程（ｃ）
は、前記レーザビームの動きに同調して前記気体の吹き
出し位置を変化させる工程を含むことを特徴とする。
【００２２】請求項１０に記載のレーザ印字方法は、半
導体ウェハの表面にレーザビームを照射することで印字
を行うレーザ印字方法であって、（ｄ）前記半導体ウェ
ハの表面に液体を供給する工程と、（ｅ）前記半導体ウ
ェハの表面の前記レーザビームの照射位置に気体を吹き
付けることで、前記レーザビームの照射位置の前記液体
を除去する工程と、（ｆ）前記工程（ｅ）と同時に実行
され、前記レーザビームを照射する工程とを備えること
を特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞図１は、実施の
形態１に係るレーザ印字装置の構成図である。この図に
おいて、図１１と同様の機能を有する要素については同
一符号を付しており、ここでの詳細な説明は省略する。
半導体ウェハ１はウェハステージ２上に保持され、半導
体ウェハ１の所定の印字位置にレーザビーム３が上方よ
り照射される。１０は、レーザビーム３により印字が行
なわれる領域（印字領域）を囲むリング状の形状を有す
るリング状排気部であり、該リング状排気部１０の内側
の気体を吸引する。リング状排気部１０は半導体ウェハ
の上方に近接して設けられる。つまり、リング状排気部
１０は、レーザビーム３の照射位置に対して、３６０°
方向から気体を吸引することとなる。
【００２４】なお、レーザビーム３を発振するレーザ発
振部や、レーザビーム３を半導体ウェハ１の印字位置へ
と照射するための可動ミラー、半導体ウェハをウェハス
テージに搬送する手段等は本発明との関連が薄いため図
示を省略している。
【００２５】図２は、本実施の形態に係るレーザ印字装
置の動作を示す拡大断面図である。１１はリング状排気
部１０の排気口であり、リング状排気部１０の内側に設
けられている。リング状排気部１０は、印字領域を囲む
形状、言い換えれば、レーザビーム３を囲む形状である
ので、半導体ウェハ１上のレーザビーム３の照射位置
（印字ドットが形成される位置）は、リング状排気部１
０の内側であり、印字異物５は、図２のようにリング状
排気部１０の内側に発生する。印字異物５は、リング状
排気部１０の内側の排気口１１から吸引される。
【００２６】本実施の形態に係るレーザ印字装置によれ
ば、リング状排気部１０は、半導体ウェハ１の上方に近
接して設けられ、かつ、印字領域を囲むリング状の形状
であるため、レーザビーム３の照射位置に対して３６０
°方向から気体を吸引するので、印字領域上における排
気口から遠い個所を少なくできる。つまり、印字領域上
の風速の小さい個所が少なくなるので、印字異物５を効
率良く回収することができる。
【００２７】よって、レーザビームの強度が強い場合に
生じる印字異物５の半導体ウェハへの付着を抑えること
ができるので、印字異物の半導体ウェハへの付着を抑え
つつ、視認性に優れた印字ドットを形成することができ
る。
【００２８】＜実施の形態２＞図３は、実施の形態２に
係るレーザ印字装置の構成図である。この図において、
図１と同様の機能を有する要素については同一符号を付
しており、ここでの詳細な説明は省略する。半導体ウェ
ハ１はウェハステージ２上に保持され、半導体ウェハ１
の所定の印字位置にレーザビーム３が上方より照射され
る。リング状排気部１０の下には、同じく印字領域を囲
むリング状の形状を有するリング状吹き出し部２０が設
けれ、リング状吹き出し部２０は該リング状吹き出し部
２０内側に気体（例えば乾燥空気、酸素、窒素等）を吹
き出す。リング状排気部１０およびリング状吹き出し部
２０は半導体ウェハの上方に近接して設けられる。つま
り、リング状吹き出し部２０は、レーザビーム３の照射
位置に対して、３６０°方向から気体を吹き出すことと
なる。
【００２９】図４は、本実施の形態に係るレーザ印字装
置の動作を示す拡大断面図である。２１はリング状吹き
出し部２０の吹き出し口であり、リング状吹き出し部２
０の内側に設けられている。リング状排気部１０および
リング状吹き出し部２０は、印字領域を囲む形状、言い
換えれば、レーザビーム３を囲む形状であるので、半導
体ウェハ上のレーザビーム３の照射位置（印字ドットが
形成される位置）は、リング状排気部１０およびリング
状吹き出し部２０の内側であり、印字異物５は、図４の
ようにリング状排気部１０およびリング状吹き出し部２
０の内側に発生する。リング状排気部１０およびリング
状吹き出し部２０の内側には、吹き出し口２１から排気
口１１へと流れる上方向の気体の流れが生じ、印字異物
５は排気口１１へと吸引される。
【００３０】上述したように、本実施の形態に係るレー
ザ印字装置によれば、リング状排気部１０の下にリング
状吹き出し部２０を備えるので、リング状排気部１０お
よびリング状吹き出し部２０の内側には、吹き出し口２
１から排気口１１へと流れる上方向の気体の流れが生じ
る。よって、印字異物５の半導体ウェハ１に付着を抑え
ることができる。
【００３１】また、リング状排気部１０およびリング状
吹き出し部２０は、半導体ウェハ１の上方に近接して設
けられ、かつ、印字領域を囲むリング状の形状であるた
め、印字領域上の風速の小さい個所は少なく、印字異物
５を効率良く回収することができる。
【００３２】よって、レーザビームの強度が強い場合に
生じる印字異物５の半導体ウェハ１への付着を抑えるこ
とができるので、印字異物の半導体ウェハ１への付着を
抑えつつ、視認性に優れた印字ドットを形成することが
できる。
【００３３】＜実施の形態３＞上記したようなリング状
排気部１０は、その内側の径が小さいほど印字領域上の
風速の小さい個所は少なくできるが、実施の形態１で
は、リング状排気部１０は少なくとも印字領域全体を囲
むことが必要であり、その内径小さくすることは限界が
あった。そこで、実施の形態３においては、印字領域の
大きさに関係無くリング状排気部の内径を小さくするこ
とができるレーザ印字装置を示す。
【００３４】図５は、実施の形態３に係るレーザ印字装
置の構成図である。この図において、図１と同様の機能
を有する要素については同一符号を付しており、ここで
の詳細な説明は省略する。半導体ウェハ１はウェハステ
ージ２上に保持され、半導体ウェハ１の所定の印字位置
にレーザビーム３が上方より照射される。３０はレーザ
ビーム３を囲むリング状の形状を有し、該リング状排気
部３０の内側の気体を吸引すると共に、レーザビーム３
の動きに同調して動く可動式リング状排気部である。つ
まり、可動式リング状排気部３０は、レーザビームが常
に可動式リング状排気部３０の内側を通過するように動
く。また、可動式リング状排気部３０は半導体ウェハの
上方に近接して設けられる。つまり、可動式リング状排
気部３０は、常にレーザビーム３の照射位置に対して、
３６０°方向から気体を吸引することとなる。
【００３５】図６は、本実施の形態に係るレーザ印字装
置の動作を示す拡大断面図である。３１は可動式リング
状排気部３０の排気口であり、可動式リング状排気部３
０の内側に設けられている。可動式リング状排気部３０
は、レーザビーム３を常に囲むように動くので、印字異
物５は、図６のように可動式リング状排気部３０の内側
に生じ、可動式リング状排気部３０の内側の排気口３１
へと吸引される。
【００３６】本実施の形態に係るレーザ印字装置によれ
ば、可動式リング状排気部３０は、レーザビーム３の動
きに同調して動くので、印字領域の大きさに関係無くそ
の内側の径を小さくすることができる。よって、排気口
３１を印字個所に極めて接近させることができ、より効
率的に印字異物５を回収することができる。
【００３７】よって、レーザビーム３の強度が強い場合
に生じる印字異物５の半導体ウェハへの付着を抑えるこ
とができるので、印字異物の半導体ウェハへの付着を抑
えつつ、視認性に優れた印字ドットを形成することがで
きる。
【００３８】＜実施の形態４＞図７は、実施の形態４に
係るレーザ印字装置の構成図である。この図において、
図１と同様の機能を有する要素については同一符号を付
しており、ここでの詳細な説明は省略する。半導体ウェ
ハ１はウェハステージ２上に保持され、半導体ウェハ１
の所定の印字位置にレーザビーム３が上方より照射され
る。可動式リング状排気部３０の下には、同じくレーザ
ビーム３を囲むリング状の形状を有し、該リング状吹き
出し部４０の内側に気体を吹き出すと共に、レーザビー
ム３の動きに同調して動く可動式リング状吹き出し部４
０が設けれ、可動式リング状吹き出し部４０は該可動式
リング状吹き出し部４０内側に気体を吹き出す。つま
り、可動式リング状排気部３０および可動式リング状吹
き出し部４０は、レーザビームが常にそれらの内側を通
過するように動く。また、可動式リング状排気部３０お
よび可動式リング状吹き出し部４０は半導体ウェハの上
方に近接して設けられる。つまり、可動式リング状吹き
出し部４０は、常にレーザビーム３の照射位置に対し
て、３６０°方向から気体を吹き出すこととなる。
【００３９】図８は、本実施の形態に係るレーザ印字装
置の動作を示す拡大断面図である。４１は可動式リング
状吹き出し部４０の吹き出し口であり、可動式リング状
吹き出し部４０の内側に設けられている。可動式リング
状排気部３０および可動式リング状吹き出し部４０は、
レーザビーム３を常に囲むように動くので、印字異物５
は、図８のように可動式リング状排気部３０および可動
式リング状吹き出し部４０の内側に生じる。可動式リン
グ状排気部３０および可動式リング状吹き出し部４０の
内側には、吹き出し口４１から排気口３１へと流れる上
方向の気体の流れが生じており、印字異物５は排気口３
１へと吸引される。
【００４０】本実施の形態に係るレーザ印字装置によれ
ば、可動式リング状排気部３０および可動式リング状吹
き出し部４０は、レーザビーム３の動きに同調して動く
ので、印字領域の大きさに関係無くそれら内側の径を小
さくすることができる。よって、排気口３１および吹き
出し口４１を印字個所に極めて接近させることができ、
より効率的に印字異物５を回収することができる。
【００４１】よって、レーザビームの強度が強い場合に
生じる印字異物５の半導体ウェハへの付着を抑えること
ができるので、印字異物の半導体ウェハへの付着を抑え
つつ、視認性に優れた印字ドットを形成することができ
る。
【００４２】＜実施の形態５＞図９は、実施の形態５に
係るレーザ印字装置の構成図である。この図において、
図１と同様の機能を有する要素については同一符号を付
しており、ここでの詳細な説明は省略する。半導体ウェ
ハ１はウェハステージ２上に保持され、半導体ウェハ１
の所定の印字位置にレーザビーム３が上方より照射され
る。５０は半導体ウェハ上に、例えば純水等の液体５１
を供給する液体供給部、５２は半導体ウェハ上から溢れ
た液体５１を回収するための液体回収部、５３はレーザ
ビーム３の動きに同調して動き、半導体ウェハ上のレー
ザビーム３の照射位置に気体を吹き付ける気体吹き付け
部である。
【００４３】ここで、図９においては、液体５１は半導
体ウェハ表面の印字領域を含む一部分に供給されている
が、液体５１が供給される部分は、少なくとも印字領域
および印字に伴う印字異物が飛散し得る範囲を含んでい
ればよく、例えば半導体ウェハ表面全体に液体５１が供
給される構成であってもよい。
【００４４】図１０は、本実施の形態に係るレーザ印字
装置の動作を示す拡大断面図である。液体供給部５０に
より半導体ウェハ１表面には液体５１が供給されるの
で、半導体ウェハの表面は液体５１で覆われる。気体吹
き付け部５３は、５３はレーザビーム３の動きに同調し
て動き、半導体ウェハ上のレーザビーム３の照射位置に
気体５４を吹き付けるので、その気体５４によってレー
ザビーム照射位置の液体は押しのけられ、図１０に示す
ようにレーザビーム照射位置のみ半導体ウェハ表面が露
出し、その部分にレーザビームの照射により印字ドット
４が形成される。このとき飛散した印字異物５は、液体
５１上に付着し、液体回収部５２へと流されるので、半
導体ウェハ表面には付着しない。
【００４５】よって、本実施の形態に係るレーザ印字装
置によれば、レーザビームの強度が強い場合に生じる印
字異物５の半導体ウェハへの付着を抑えることができる
ので、印字異物の半導体ウェハへの付着を抑えつつ、視
認性に優れた印字ドットを形成することができる。
【００４６】なお、以上の各実施の形態の説明におい
て、ウェハステージ２の半導体ウェハ１の保持は、半導
体ウェハ裏面中央を保持する手法を図示したが、半導体
ウェハの保持の方法をそれに限定するものではなく、本
発明が実施可能な範囲で変更してもよい。
【００４７】また、排気口や吹き出し口、液体供給部、
気体吹き付け部等の形状、大きさ、個数、位置なども、
以上の説明に用いた図に図示されているものに限定され
るものではなく、本発明の効果が得られる範囲で変更し
てもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
レーザ印字装置によれば、半導体ウェハの表面近傍に、
レーザビームを囲むリング状の気体を吸引する排気手段
を備え、リング状の排気手段が、リング状の排気手段の
内側の気体を吸引するので、半導体ウェハの印字領域上
における排気手段の排気口から遠い個所を少なくでき
る。よって、印字領域上の排気手段の吸気による風速の
小さい個所が少なくなるので、レーザビームの強度が強
い場合に生じる印字異物を効率良く回収することができ
る。
【００４９】従って、印字異物の半導体ウェハへの付着
を抑えつつ、視認性に優れた印字ドットを形成すること
ができる。
【００５０】請求項２に記載のレーザ印字装置によれ
ば、請求項１に記載のレーザ印字装置において、リング
状の排気手段が、レーザビームの動きに同調して動くの
で、半導体ウェハ上の印字領域の大きさに関係無くリン
グ状の排気手段の内側の径を小さくすることができる。
よって、排気手段の排気口を印字個所に極めて接近させ
ることができる。よって、より効率的に印字異物を回収
することができる。
【００５１】請求項３に記載のレーザ印字装置によれ
ば、請求項１に記載のレーザ印字装置において、リング
状の排気手段の半導体ウェハ側に、レーザビームを囲む
リング状の気体を吹き出す吹き出し手段をさらに備え、
リング状の吹き出し手段が、リング状の吹き出し手段の
内側に気体を吹き出すので、リング状の排気手段および
リング状吹き出し手段の内側には、リング状の吹き出し
手段の吹き出し口からリング状の排気手段の排気口へと
流れる気体の流れが生じる。よって、印字異物の半導体
ウェハへの付着を抑えることができ、さらに印字異物を
効率良く回収することができる。
【００５２】請求項４に記載のレーザ印字装置によれ
ば、請求項３に記載のレーザ印字装置において、リング
状の排気手段およびリング状の吹き出し手段が、レーザ
ビームの動きに同調して動くので、半導体ウェハ上の印
字領域の大きさに関係無くリング状の排気手段およびリ
ング状の吹き出し手段の内側の径を小さくすることがで
きる。よって、排気手段の排気口を印字個所に極めて接
近させることができる。よって、より効率的に印字異物
を回収することができる。
【００５３】請求項５に記載のレーザ印字装置によれ
ば、半導体ウェハの表面にレーザビームを照射すること
で印字を行うレーザ印字装置において、半導体ウェハの
表面に液体を供給する手段と、レーザビームの動きに同
調して動き、半導体ウェハの表面のレーザビームの照射
位置に気体を吹き付ける手段とを備えるので、レーザビ
ームの照射は、半導体ウェハ表面の液体が供給される部
分のうち、レーザビーム照射位置のみが液体から露出し
た状態で行なわれる。よって、レーザビームが強い場合
に生じる印字異物は、液体表面に付着し流されるので、
半導体ウェハ表面には付着しない。
【００５４】従って、印字異物の半導体ウェハへの付着
を抑えつつ、視認性に優れた印字ドットを形成すること
ができる。
【００５５】請求項６に記載のレーザ印字方法によれ
ば、（ａ）レーザビームを照射する工程と、（ｂ）工程
（ａ）と同時に実行され、レーザビームの照射位置に対
し３６０°方向から気体を吸引する工程とを備えるの
で、半導体ウェハの印字領域上における気体を吸引する
排気口から遠い個所を少なくできる。よって、印字領域
上の吸気による風速の小さい個所が少なくなるので、レ
ーザビームの強度が強い場合に生じる印字異物を効率良
く回収することができる。
【００５６】従って、印字異物の半導体ウェハへの付着
を抑えつつ、視認性に優れた印字ドットを形成すること
ができる。
【００５７】請求項７に記載のレーザ印字方法によれ
ば、請求項６に記載のレーザ印字方法において、工程
（ａ）は、レーザビームを動かす工程を含み、工程
（ｂ）は、レーザビームの動きに同調して吸引位置を変
化させる工程を含むので、半導体ウェハ上の印字領域の
大きさに関係無く、気体を吸引する排気口を印字個所に
極めて接近させることができる。よって、より効率的に
印字異物を回収することができる。
【００５８】請求項８に記載のレーザ印字方法によれ
ば、請求項６に記載のレーザ印字方法において、さら
に、（ｃ）工程（ａ）と同時に実行され、気体の吸引位
置よりも半導体ウェハ側から、かつ、レーザビームの照
射位置に対し３６０°方向から気体を吹き出す工程を備
えるので、気体を吹き出す吹き出し口から気体を吸引す
る排気口へと流れる気体の流れが生じる。よって、印字
異物の半導体ウェハへの付着を抑えることができ、さら
に印字異物を効率良く回収することができる。
【００５９】請求項９に記載のレーザ印字方法によれ
ば、請求項８に記載のレーザ印字方法において、工程
（ａ）は、レーザビームを動かす工程を含み、工程
（ｂ）は、レーザビームの動きに同調して気体の吸引位
置を変化させる工程を含み、工程（ｃ）は、レーザビー
ムの動きに同調して気体の吹き出し位置を変化させる工
程を含むので、半導体ウェハ上の印字領域の大きさに関
係無く、気体を吸引する排気口および気体を吹き出す吹
き出し口を印字個所に極めて接近させることができる。
よって、より効率的に印字異物を回収することができ
る。
【００６０】請求項１０に記載のレーザ印字方法によれ
ば、半導体ウェハの表面にレーザビームを照射すること
で印字を行うレーザ印字方法において、（ｄ）半導体ウ
ェハの表面に液体を供給する工程と、（ｅ）半導体ウェ
ハの表面のレーザビームの照射位置に気体を吹き付ける
ことで、レーザビームの照射位置の液体を除去する工程
と、（ｆ）工程（ｅ）と同時に実行され、レーザビーム
を照射する工程とを備えるので、工程（ｆ）は、半導体
ウェハ表面の液体が供給される部分のうち、レーザビー
ムの照射位置のみが液体から露出した状態で行なわれ
る。よって、レーザビームが強い場合に生じる印字異物
は、液体表面に付着し流されるので、半導体ウェハ表面
には付着しない。
【００６１】従って、印字異物の半導体ウェハへの付着
を抑えつつ、視認性に優れた印字ドットを形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１に係るレーザ印字装置の構成図
である。
【図２】 実施の形態１に係るレーザ印字装置の動作を
示す拡大断面図である。
【図３】 実施の形態２に係るレーザ印字装置の構成図
である。
【図４】 実施の形態２に係るレーザ印字装置の動作を
示す拡大断面図である。
【図５】 実施の形態３に係るレーザ印字装置の構成図
である。
【図６】 実施の形態３に係るレーザ印字装置の動作を
示す拡大断面図である。
【図７】 実施の形態４に係るレーザ印字装置の構成図
である。
【図８】 実施の形態４に係るレーザ印字装置の動作を
示す拡大断面図である。
【図９】 実施の形態５に係るレーザ印字装置の構成図
である。
【図１０】 実施の形態５に係るレーザ印字装置の動作
を示す拡大断面図である。
【図１１】 従来のレーザ印字装置の構成を示す概略図
である。
【図１２】 従来のレーザ印字装置において印字ドット
が半導体ウェハに形成される様子を示す拡大断面図であ
る。
【図１３】 従来のレーザ印字装置においてレーザビー
ムの強度が弱い場合の、印字ドットが半導体ウェハに形
成される様子を示す拡大断面図である。
【図１４】 従来のレーザ印字装置においてレーザビー
ムの強度が弱い場合の、半導体ウェハに形成される印字
ドットを示す平面図である。
【図１５】 従来のレーザ印字装置においてレーザビー
ムの強度が強い場合の、印字ドットが半導体ウェハに形
成される様子を示す拡大断面図である。
【図１６】 従来のレーザ印字装置においてレーザビー
ムの強度が強い場合の、半導体ウェハに形成される印字
ドットを示す平面図である。
【図１７】 従来の印字異物を除去するための排気部を
有するレーザ印字装置の構成図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウェハ、２ ウェハステージ、３ レーザビ
ーム、４ 印字ドット、５ 印字異物、１０ リング状
排気部、１１，３１ 排気口、２０ リング状吹き出し
部、２１，４１ 吹き出し口、３０ 可動式リング状
排気部、４０可動式リング状吹き出し部、５０ 液体供
給部、５１ 液体、５２ 液体回収部、５３ 気体吹き
付け部、５４ 気体。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェハの表面にレーザビームを照
    射することで印字を行うレーザ印字装置であって、 前記半導体ウェハの表面近傍に、前記レーザビームを囲
    むリング状の気体を吸引する排気手段を備え、 前記リング状の排気手段が、前記リング状の排気手段の
    内側の気体を吸引する、ことを特徴とするレーザ印字装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ印字装置であっ
    て、 前記リング状の排気手段が、前記レーザビームの動きに
    同調して動く、ことを特徴とするレーザ印字装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載のレーザ印字装置であっ
    て、 前記リング状の排気手段の前記半導体ウェハ側に、前記
    レーザビームを囲むリング状の気体を吹き出す吹き出し
    手段をさらに備え、 前記リング状の吹き出し手段が、前記リング状の吹き出
    し手段の内側に気体を吹き出す、ことを特徴とするレー
    ザ印字装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載のレーザ印字装置であっ
    て、 前記リング状の排気手段および前記リング状の吹き出し
    手段が、前記レーザビームの動きに同調して動く、こと
    を特徴とするレーザ印字装置。
  5. 【請求項５】 半導体ウェハの表面にレーザビームを照
    射することで印字を行うレーザ印字装置であって、 前記半導体ウェハの表面に液体を供給する手段と、 前記レーザビームの動きに同調して動き、前記半導体ウ
    ェハの表面の前記レーザビームの照射位置に気体を吹き
    付ける手段とを備える、ことを特徴とするレーザ印字装
    置。
  6. 【請求項６】 半導体ウェハの表面にレーザビームを照
    射することで印字を行うレーザ印字方法であって、 （ａ）前記レーザビームを照射する工程と、 （ｂ）前記工程（ａ）と同時に実行され、前記レーザビ
    ームの照射位置に対し３６０°方向から気体を吸引する
    工程とを備える、ことを特徴とするレーザ印字方法。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載のレーザ印字方法であっ
    て、 前記工程（ａ）は、前記レーザビームを動かす工程を含
    み、 前記工程（ｂ）は、前記レーザビームの動きに同調して
    前記気体の吸引位置を変化させる工程を含む、ことを特
    徴とするレーザ印字方法。
  8. 【請求項８】 請求項６に記載のレーザ印字方法であっ
    て、さらに、 （ｃ）前記工程（ａ）と同時に実行され、前記気体の吸
    引位置よりも前記半導体ウェハ側から、かつ、前記レー
    ザビームの照射位置に対し３６０°方向から気体を吹き
    出す工程を備える、ことを特徴とするレーザ印字方法。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載のレーザ印字方法であっ
    て、 前記工程（ａ）は、前記レーザビームを動かす工程を含
    み、 前記工程（ｂ）は、前記レーザビームの動きに同調して
    前記気体の吸引位置を変化させる工程を含み、 前記工程（ｃ）は、前記レーザビームの動きに同調して
    前記気体の吹き出し位置を変化させる工程を含む、こと
    を特徴とするレーザ印字方法。
  10. 【請求項１０】 半導体ウェハの表面にレーザビームを
    照射することで印字を行うレーザ印字方法であって、 （ｄ）前記半導体ウェハの表面に液体を供給する工程
    と、 （ｅ）前記半導体ウェハの表面の前記レーザビームの照
    射位置に気体を吹き付けることで、前記レーザビームの
    照射位置の前記液体を除去する工程と、 （ｆ）前記工程（ｅ）と同時に実行され、前記レーザビ
    ームを照射する工程とを備える、ことを特徴とするレー
    ザ印字方法。
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